JP2698282B2 - 光ディスク用フォトレジスト - Google Patents
光ディスク用フォトレジストInfo
- Publication number
- JP2698282B2 JP2698282B2 JP4058050A JP5805092A JP2698282B2 JP 2698282 B2 JP2698282 B2 JP 2698282B2 JP 4058050 A JP4058050 A JP 4058050A JP 5805092 A JP5805092 A JP 5805092A JP 2698282 B2 JP2698282 B2 JP 2698282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- optical disk
- value
- base resin
- master
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク用フォトレジ
ストに関し、特に、記録密度の高い光ディスクの製造に
好適に使用可能な光ディスク用フォトレジストに関す
る。
ストに関し、特に、記録密度の高い光ディスクの製造に
好適に使用可能な光ディスク用フォトレジストに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク原盤は、通常、次のような工
程で作製されている。図１（ａ）に示すように、先ず、
よく研磨されたガラス基板１００上にポジ型フォトレジ
ストを均一の厚さに塗布し、図１（ｂ）に示すように、
フォトレジスト層１０１を形成する。次いで、図１
（ｃ）に示すように、このフォトレジスト層１０１のピ
ット対応部にレーザー光を照射する。フォトレジスト層
１０１におけるレーザー光が照射された部分は非照射部
に比較してアルカリ現像液に溶解しやすくなるため、フ
ォトレジスト層１０１にアルカリ現像液を塗布して現像
を行うと、図１（ｄ）に示すように、レーザー光が照射
された部分にピットに相当する凹部が形成される。その
後、図１（ｅ）に示すように、フォトレジスト層１０１
上に導電性を付与する金属膜１０２を形成する。ここ
で、金属膜１０２を形成する金属としては、たとえば銀
（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などが挙げられる。次い
で、図１（ｆ）に示すように、電鋳を行って金属膜１０
２上に、たとえばニッケル（Ｎｉ）電鋳体１０３を形成
し、このニッケル（Ｎｉ）電鋳体１０３を金属膜１０２
とともにフォトレジスト層１０１およびガラス基板１０
０から剥離して得られるものを、図１（ｇ）に示すよう
な金属原盤（スタンパ）１０４とする。
程で作製されている。図１（ａ）に示すように、先ず、
よく研磨されたガラス基板１００上にポジ型フォトレジ
ストを均一の厚さに塗布し、図１（ｂ）に示すように、
フォトレジスト層１０１を形成する。次いで、図１
（ｃ）に示すように、このフォトレジスト層１０１のピ
ット対応部にレーザー光を照射する。フォトレジスト層
１０１におけるレーザー光が照射された部分は非照射部
に比較してアルカリ現像液に溶解しやすくなるため、フ
ォトレジスト層１０１にアルカリ現像液を塗布して現像
を行うと、図１（ｄ）に示すように、レーザー光が照射
された部分にピットに相当する凹部が形成される。その
後、図１（ｅ）に示すように、フォトレジスト層１０１
上に導電性を付与する金属膜１０２を形成する。ここ
で、金属膜１０２を形成する金属としては、たとえば銀
（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などが挙げられる。次い
で、図１（ｆ）に示すように、電鋳を行って金属膜１０
２上に、たとえばニッケル（Ｎｉ）電鋳体１０３を形成
し、このニッケル（Ｎｉ）電鋳体１０３を金属膜１０２
とともにフォトレジスト層１０１およびガラス基板１０
０から剥離して得られるものを、図１（ｇ）に示すよう
な金属原盤（スタンパ）１０４とする。
【０００３】そして、このような光ディスク原盤の作製
工程においては、従来、半導体製造用のフォトレジスト
がそのまま転用されていた。
工程においては、従来、半導体製造用のフォトレジスト
がそのまま転用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本件発
明者が光ディスクの高密度化について種々の検討を重ね
た結果、従来より用いられてきた半導体製造用のフォト
レジストは、高密度の光ディスクの製造には不適当であ
ることが判明した。
明者が光ディスクの高密度化について種々の検討を重ね
た結果、従来より用いられてきた半導体製造用のフォト
レジストは、高密度の光ディスクの製造には不適当であ
ることが判明した。
【０００５】すなわち、半導体製造用のフォトレジスト
を用いてピットサイズが小さい高密度の光ディスク原盤
を作製すると、この原盤から得られる光ディスクにおい
ては、ピットサイズが小さくなるのに伴なって再生時の
ノイズレベルが上昇し、十分なＣＮ比（搬送波対雑音
比）を得ることができないという問題が生じることが明
らかになった。
を用いてピットサイズが小さい高密度の光ディスク原盤
を作製すると、この原盤から得られる光ディスクにおい
ては、ピットサイズが小さくなるのに伴なって再生時の
ノイズレベルが上昇し、十分なＣＮ比（搬送波対雑音
比）を得ることができないという問題が生じることが明
らかになった。
【０００６】本発明は、かかる事情に基づいてなされた
ものであり、本発明の目的は、ピットサイズを小さくし
てもピット形状のばらつきが少なく、したがって再生時
のノイズレベルが低くてＣＮ比（搬送波対雑音比）が向
上した高密度の光ディスクを得ることのできる光ディス
ク用フォトレジストを提供することにある。
ものであり、本発明の目的は、ピットサイズを小さくし
てもピット形状のばらつきが少なく、したがって再生時
のノイズレベルが低くてＣＮ比（搬送波対雑音比）が向
上した高密度の光ディスクを得ることのできる光ディス
ク用フォトレジストを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の構成は、感光剤とベース・レジンとを含有
し、光ディスク原盤の作製に使用されるポジ型フォトレ
ジストにおいて、次式（１）； Ａ＝（ａ1−ａ3）ｍ10 （１） ［ただし、前記式（１）において、ａ1は感光剤のモル
吸光係数を表わし、ａ3は分解生成物のモル吸光係数を
表わし、ｍ10は最初の感光剤濃度を表わす。］で表わさ
れるＡ値が、１．２≦Ａ値≦２．０の範囲にあるととも
に、次式（２）； Ｂ＝（ａ2ｍ20＋ａ3ｍ10） （２） ［ただし、前記式（２）において、ａ2はベース・レジ
ンのモル吸光係数を表わし、ａ3は分解生成物のモル吸
光係数を表わし、ｍ10は最初の感光剤濃度を表わし、ｍ
20はベース・レジンの濃度（一定）を表わす。］で表わ
されるＢ値が、Ｂ値≦０．３の関係を満たすことを特徴
とする光ディスク用フォトレジストである。
の本発明の構成は、感光剤とベース・レジンとを含有
し、光ディスク原盤の作製に使用されるポジ型フォトレ
ジストにおいて、次式（１）； Ａ＝（ａ1−ａ3）ｍ10 （１） ［ただし、前記式（１）において、ａ1は感光剤のモル
吸光係数を表わし、ａ3は分解生成物のモル吸光係数を
表わし、ｍ10は最初の感光剤濃度を表わす。］で表わさ
れるＡ値が、１．２≦Ａ値≦２．０の範囲にあるととも
に、次式（２）； Ｂ＝（ａ2ｍ20＋ａ3ｍ10） （２） ［ただし、前記式（２）において、ａ2はベース・レジ
ンのモル吸光係数を表わし、ａ3は分解生成物のモル吸
光係数を表わし、ｍ10は最初の感光剤濃度を表わし、ｍ
20はベース・レジンの濃度（一定）を表わす。］で表わ
されるＢ値が、Ｂ値≦０．３の関係を満たすことを特徴
とする光ディスク用フォトレジストである。
【０００８】次に、この光ディスク用フォトレジストの
成分等について説明する。この光ディスク用フォトレジ
ストは、ベース・レジンと感光剤とを含有している。
成分等について説明する。この光ディスク用フォトレジ
ストは、ベース・レジンと感光剤とを含有している。
【０００９】ベース・レジンとしては、たとえばアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂が好適に用いられる。このベー
ス・レジンは、分子量分布（重量平均分子量Ｍw ／数平
均分子量Ｍn ）が小さいものが好ましく、具体的には分
子量分布（Ｍw ／Ｍn ）が５．８以下であることが好ま
しい。
リ可溶性ノボラック樹脂が好適に用いられる。このベー
ス・レジンは、分子量分布（重量平均分子量Ｍw ／数平
均分子量Ｍn ）が小さいものが好ましく、具体的には分
子量分布（Ｍw ／Ｍn ）が５．８以下であることが好ま
しい。
【００１０】このようなベース・レジンとともに含有さ
れる感光剤としては、たとえばｏ−キノンジアジド、ナ
フトキノンジアジドなどが挙げられる。この光ディスク
用フォトレジストは、光の照射によってアルカリ可溶と
なる光可溶化型（ポジタイプ）の感光性樹脂であり、前
記式（１）で表わされるＡ値が１．２≦Ａ値≦２．０の
範囲にあるとともに、前記式（２）で表わされるＢ値が
Ｂ値≦０．３の関係を満足するものである。
れる感光剤としては、たとえばｏ−キノンジアジド、ナ
フトキノンジアジドなどが挙げられる。この光ディスク
用フォトレジストは、光の照射によってアルカリ可溶と
なる光可溶化型（ポジタイプ）の感光性樹脂であり、前
記式（１）で表わされるＡ値が１．２≦Ａ値≦２．０の
範囲にあるとともに、前記式（２）で表わされるＢ値が
Ｂ値≦０．３の関係を満足するものである。
【００１１】ここでＡ値はレジスト膜の単位深さ当りの
光学濃度の変化量（またはレジスト膜の単位深さ当りの
光の透過率の変化量）であり、またＢ値はレジスト膜の
単位深さ当りのベース・レジンおよび分解物の光学濃度
であるが、これらの値がそれぞれ上記の範囲にあるフォ
トレジストにおいては、解像度を損なうことなく露光現
像の分解能、すなわち階調表現能力が向上したものとな
る。したがって、この光ディスク用フォトレジストを用
いてピットサイズの小さい高密度の光ディスクを作製す
ると、得られる光ディスクにおいては、ピット形状のば
らつきが少なく、これにより再生時のノイズレベルが低
下してＣＮ比（搬送波対雑音比）の向上が達成される。
光学濃度の変化量（またはレジスト膜の単位深さ当りの
光の透過率の変化量）であり、またＢ値はレジスト膜の
単位深さ当りのベース・レジンおよび分解物の光学濃度
であるが、これらの値がそれぞれ上記の範囲にあるフォ
トレジストにおいては、解像度を損なうことなく露光現
像の分解能、すなわち階調表現能力が向上したものとな
る。したがって、この光ディスク用フォトレジストを用
いてピットサイズの小さい高密度の光ディスクを作製す
ると、得られる光ディスクにおいては、ピット形状のば
らつきが少なく、これにより再生時のノイズレベルが低
下してＣＮ比（搬送波対雑音比）の向上が達成される。
【００１２】なお、前記式（１）における最初の感光剤
濃度ｍ10は、レジスト内の深さｘと露光時間ｔとで決定
される感光剤のモル濃度ｍ1 （ｘ，ｔ）において、ｔ＝
０としたときの値、すなわちｍ1 （ｘ，０）＝ｍ10であ
る。
濃度ｍ10は、レジスト内の深さｘと露光時間ｔとで決定
される感光剤のモル濃度ｍ1 （ｘ，ｔ）において、ｔ＝
０としたときの値、すなわちｍ1 （ｘ，０）＝ｍ10であ
る。
【００１３】前記式（１）で表わされるＡ値および前記
式（２）で表わされるＢ値を、それぞれ１．２≦Ａ値≦
２．０、Ｂ値≦０．３を満たすようにするための前記ベ
ース・レジンと感光剤との含有割合は、ベース・レジン
および感光剤の種類、組合わせ等により相違するので一
様に決定することが困難であるが、たとえばアルカリ可
溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとの組合わ
せからなるフォトレジストにおいては、アルカリ可溶性
ノボラック樹脂１００重量部当たりナフトキノンジアジ
ドが、通常、３０重量部以上、好ましくは３６〜４８重
量部程度である。
式（２）で表わされるＢ値を、それぞれ１．２≦Ａ値≦
２．０、Ｂ値≦０．３を満たすようにするための前記ベ
ース・レジンと感光剤との含有割合は、ベース・レジン
および感光剤の種類、組合わせ等により相違するので一
様に決定することが困難であるが、たとえばアルカリ可
溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとの組合わ
せからなるフォトレジストにおいては、アルカリ可溶性
ノボラック樹脂１００重量部当たりナフトキノンジアジ
ドが、通常、３０重量部以上、好ましくは３６〜４８重
量部程度である。
【００１４】また、この感光剤化合物のエステル化率
は、通常、８０％以上、好ましくは９０％以上である。
この光ディスク用フォトレジストにおいて、前記式
（１）で表わされるＡ値が１．２未満であると、解像度
が損なわれることがある。一方、このＡ値が２．０を超
えると、結晶が析出してフォトレジストとして使用でき
ないことがある。また、前記式（２）で表わされるＢ値
が０．３を超えると、ベース・レジンと分解物との光学
濃度が大きくなるため、解像度の低下を招くことがあ
る。すなわち、前記式（１）で表わされるＡ値および前
記式（２）で表わされるＢ値のいずれか一方でも前記の
関係を満足しない場合には、そのようなフォトレジスト
を用いて作製される光ディスク原盤のＣＮ比が向上しな
いことから、結果的に再生時のノイズが少ない高密度の
光ディスクを得ることができない。
は、通常、８０％以上、好ましくは９０％以上である。
この光ディスク用フォトレジストにおいて、前記式
（１）で表わされるＡ値が１．２未満であると、解像度
が損なわれることがある。一方、このＡ値が２．０を超
えると、結晶が析出してフォトレジストとして使用でき
ないことがある。また、前記式（２）で表わされるＢ値
が０．３を超えると、ベース・レジンと分解物との光学
濃度が大きくなるため、解像度の低下を招くことがあ
る。すなわち、前記式（１）で表わされるＡ値および前
記式（２）で表わされるＢ値のいずれか一方でも前記の
関係を満足しない場合には、そのようなフォトレジスト
を用いて作製される光ディスク原盤のＣＮ比が向上しな
いことから、結果的に再生時のノイズが少ない高密度の
光ディスクを得ることができない。
【００１５】次に実験例を示し、この光ディスク用フォ
トレジストについて、さらに具体的に説明する。実験例−１ ベース・レジン（アルカリ可溶性ノボラック樹脂）１０
０重量部に対して感光剤（ナフトキノンジアジド）３０
〜４０重量部を含有する半導体製造用フォトレジスト市
販品［日本ゼオン社製、「ZIR9000 」］（以下、これを
市販品Ａと称する）をベースに感光剤を２０％増量して
試料−１を調製し、半導体製造用フォトレジスト［日本
ゼオン社製、「ZIR9000 」］および上記の試料−１のそ
れぞれについて波長λ＝３５１ｎｍでのＡ値およびＢ値
を測定した。結果を表１に示す。
トレジストについて、さらに具体的に説明する。実験例−１ ベース・レジン（アルカリ可溶性ノボラック樹脂）１０
０重量部に対して感光剤（ナフトキノンジアジド）３０
〜４０重量部を含有する半導体製造用フォトレジスト市
販品［日本ゼオン社製、「ZIR9000 」］（以下、これを
市販品Ａと称する）をベースに感光剤を２０％増量して
試料−１を調製し、半導体製造用フォトレジスト［日本
ゼオン社製、「ZIR9000 」］および上記の試料−１のそ
れぞれについて波長λ＝３５１ｎｍでのＡ値およびＢ値
を測定した。結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】 次いで、これらのフォトレジストを用いてガラス原盤上
にピットパターンを形成した。
にピットパターンを形成した。
【００１７】この原盤のＣＮ比を測定したところ、試料
−１のＣＮ比は前記市販品ＡのＣＮ比に比較して２．０
ｄＢ高い値を示した。結果を表１に示す。なお、記録系
および再生系の構成ならびに信号の記録再生条件は次の
通りである。
−１のＣＮ比は前記市販品ＡのＣＮ比に比較して２．０
ｄＢ高い値を示した。結果を表１に示す。なお、記録系
および再生系の構成ならびに信号の記録再生条件は次の
通りである。
【００１８】記録系の構成；波長λ＝３５１ｎｍ，開口
数ＮＡ＝０．９ 再生系の構成；波長λ＝４４２ｎｍ，開口数ＮＡ＝０．
５ 信号の記録；ｆ＝１０ＭＨｚ，線速度＝１２ｍ／ｓｅｃ
（ＣＬＶ） 信号の再生；線速度＝１２ｍ／ｓｅｃ，ＲＢＷ＝３０ｋ
Ｈｚ実験例−２ 前記市販品Ａをベースに感光剤を５０％増量して試料−
２を調製し、この試料−２について前記実験例−１にお
けるのと同様の条件でＡ値およびＢ値を測定した。結果
を表１に示す。
数ＮＡ＝０．９ 再生系の構成；波長λ＝４４２ｎｍ，開口数ＮＡ＝０．
５ 信号の記録；ｆ＝１０ＭＨｚ，線速度＝１２ｍ／ｓｅｃ
（ＣＬＶ） 信号の再生；線速度＝１２ｍ／ｓｅｃ，ＲＢＷ＝３０ｋ
Ｈｚ実験例−２ 前記市販品Ａをベースに感光剤を５０％増量して試料−
２を調製し、この試料−２について前記実験例−１にお
けるのと同様の条件でＡ値およびＢ値を測定した。結果
を表１に示す。
【００１９】次いで、試料−２を用いてガラス原盤上に
ピットパターンを形成した。この原盤のＣＮ比を測定し
たところ、試料−２のＣＮ比は市販品ＡのＣＮ比に比較
して２．６ｄＢ高い値を示した。結果を表１に示す。実験例−３ 前記市販品Ａをベースに感光剤を１００％増量して試料
−３を調製し、この試料−３について前記実験例−１に
おけるのと同様の条件でＡ値およびＢ値を測定した。結
果を表１に示す。
ピットパターンを形成した。この原盤のＣＮ比を測定し
たところ、試料−２のＣＮ比は市販品ＡのＣＮ比に比較
して２．６ｄＢ高い値を示した。結果を表１に示す。実験例−３ 前記市販品Ａをベースに感光剤を１００％増量して試料
−３を調製し、この試料−３について前記実験例−１に
おけるのと同様の条件でＡ値およびＢ値を測定した。結
果を表１に示す。
【００２０】次いで、試料−３を用いてガラス原盤上に
ピットパターンを形成した。この原盤のＣＮ比を測定し
たところ、試料−３のＣＮ比は市販品ＡのＣＮ比に比較
して２．２ｄＢ高い値を示した。結果を表１に示す。比較実験例−１ ６種類の半導体製造用フォトレジスト市販品Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇについて、それぞれＡ値，Ｂ値を測定す
るとともに、各フォトレジストを用いてガラス原盤上に
ピットパターンを形成した。各原盤のＣＮ比を測定した
ところ、表１に示す結果が得られた。結果の検討 表１から明らかなように各種の半導体製造用フォトレジ
スト市販品を用いて作製された光ディスク原盤のＣＮ比
に比較して、試料−１、試料−２および試料−３を用い
て作製された光ディスク原盤のＣＮ比はいずれも大巾に
向上していることから、本発明の光ディスク用フォトレ
ジストは高密度の光ディスクの製造に好適に使用可能で
あることが確認された。
ピットパターンを形成した。この原盤のＣＮ比を測定し
たところ、試料−３のＣＮ比は市販品ＡのＣＮ比に比較
して２．２ｄＢ高い値を示した。結果を表１に示す。比較実験例−１ ６種類の半導体製造用フォトレジスト市販品Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇについて、それぞれＡ値，Ｂ値を測定す
るとともに、各フォトレジストを用いてガラス原盤上に
ピットパターンを形成した。各原盤のＣＮ比を測定した
ところ、表１に示す結果が得られた。結果の検討 表１から明らかなように各種の半導体製造用フォトレジ
スト市販品を用いて作製された光ディスク原盤のＣＮ比
に比較して、試料−１、試料−２および試料−３を用い
て作製された光ディスク原盤のＣＮ比はいずれも大巾に
向上していることから、本発明の光ディスク用フォトレ
ジストは高密度の光ディスクの製造に好適に使用可能で
あることが確認された。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、以上の構成としたの
で、解像度が損なわれることがなく、現像の分解能、す
なわち階調表現能力の向上が達成され、ピットサイズを
小さくしてもピット形状のばらつきが少なく、したがっ
て再生時のノイズレベルが低くてＣＮ比（搬送波対雑音
比）が向上した高密度の光ディスクの製造に好適に使用
することのできる光ディスク用フォトレジストを提供す
ることができる。
で、解像度が損なわれることがなく、現像の分解能、す
なわち階調表現能力の向上が達成され、ピットサイズを
小さくしてもピット形状のばらつきが少なく、したがっ
て再生時のノイズレベルが低くてＣＮ比（搬送波対雑音
比）が向上した高密度の光ディスクの製造に好適に使用
することのできる光ディスク用フォトレジストを提供す
ることができる。
【図１】光ディスク原盤の製造工程を模式的に示す説明
図である。
図である。
１００…ガラス基板 １０１…フォトレジスト層 １０２…金属膜 １０３…ニッケル電鋳体 １０４…金属原盤
フロントページの続き (72)発明者 尾越 国三 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パイオニア株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平１−300443（ＪＰ，Ａ) 「新・光機能性高分子の応用」第１刷 （1988年）、（株）シーエムシー、第 195−198頁および第205頁 「レジスト材料・プロセル技術」 （1991年）、（株）技術情報協会、第71 −74頁
Claims (1)
- 【請求項１】 感光剤とベース・レジンとを含有し、光
ディスク原盤の作製に使用されるポジ型フォトレジスト
において、次式（１）； Ａ＝（ａ1−ａ 3 ）ｍ10 （１） ［ただし、前記式（１）において、ａ1は感光剤のモル
吸光係数を表わし、ａ 3 は分解生成物のモル吸光係数を
表わし、ｍ10は最初の感光剤濃度を表わす。］で表わさ
れるＡ値が、１．２≦Ａ値≦２．０の範囲にあるととも
に、次式（２）； Ｂ＝（ａ2ｍ20＋ａ3ｍ10） （２） ［ただし、前記式（２）において、ａ2はベース・レジ
ンのモル吸光係数を表わし、ａ3は分解生成物のモル吸
光係数を表わし、ｍ10は最初の感光剤濃度を表わし、ｍ
20はベース・レジンの濃度（一定）を表わす。］で表わ
されるＢ値が、Ｂ値≦０．３の関係を満たすことを特徴
とする光ディスク用フォトレジスト。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4058050A JP2698282B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 光ディスク用フォトレジスト |
| DE1992628800 DE69228800T2 (de) | 1992-03-16 | 1992-11-23 | Photoresist für optische Platte und Verfahren zur Herstellung optischer Platten unter Verwendung des Photoresists |
| EP19920310698 EP0561080B1 (en) | 1992-03-16 | 1992-11-23 | Photoresist for optical disc and method of preparing optical disc utilizing photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4058050A JP2698282B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 光ディスク用フォトレジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258358A JPH05258358A (ja) | 1993-10-08 |
| JP2698282B2 true JP2698282B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=13073098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4058050A Expired - Lifetime JP2698282B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 光ディスク用フォトレジスト |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0561080B1 (ja) |
| JP (1) | JP2698282B2 (ja) |
| DE (1) | DE69228800T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69518720T2 (de) * | 1994-06-08 | 2001-05-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Aufzeichnungs-muttermedium und davon abgeleiteter optisch lesbare datenträger |
| DE19612329A1 (de) * | 1996-03-28 | 1997-10-02 | Leybold Ag | Verfahren zur Herstellung einer zum Einsetzen in eine Spritzgießform bestimmten Masterabformung |
| TW525159B (en) * | 1998-05-14 | 2003-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation method for metallic stamper and metallic stamper and, manufacture method for optical disk substrate with the use of the stamper and optical disk fabricated by the manufacture method |
| JP2002184043A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体用ポジ型フォトレジスト、情報記録担体の製造方法および情報記録担体 |
| US6849390B2 (en) * | 2001-02-05 | 2005-02-01 | Pioneer Corporation | Stamper-forming electrode material, stamper-forming thin film, and method of manufacturing optical disk |
| US20020153625A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-10-24 | Pioneer Corporation | Stamper-forming electrode material, stamper-forming thin film, and method of manufacturing optical disk |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2545957A1 (de) * | 1975-10-14 | 1977-04-21 | Basf Ag | Lichtempfindliches material fuer positiv arbeitende photolacke und fuer die herstellung von druckplatten |
| JPH01300443A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-04 | Hoya Corp | 情報記録媒体用基板の製造方法およびこの方法により得られた基板 |
| JP2645587B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1997-08-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 微細パターン形成材料及び微細パターン形成方法 |
| DE4140712A1 (de) * | 1991-03-28 | 1992-10-01 | Pioneer Electronic Corp | Optische platte und verfahren zu deren herstellung |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4058050A patent/JP2698282B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-23 EP EP19920310698 patent/EP0561080B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-23 DE DE1992628800 patent/DE69228800T2/de not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 「レジスト材料・プロセル技術」（１９９１年）、（株）技術情報協会、第７１−７４頁 |
| 「新・光機能性高分子の応用」第１刷（１９８８年）、（株）シーエムシー、第１９５−１９８頁および第２０５頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0561080B1 (en) | 1999-03-31 |
| DE69228800D1 (de) | 1999-05-06 |
| EP0561080A1 (en) | 1993-09-22 |
| JPH05258358A (ja) | 1993-10-08 |
| DE69228800T2 (de) | 1999-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68909994T2 (de) | Dünnfilmmagnetplatte mit diskreten Spuren und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
| US4536421A (en) | Method of forming a microscopic pattern | |
| JPS61240452A (ja) | ガラス成形型製作方法 | |
| JP2698282B2 (ja) | 光ディスク用フォトレジスト | |
| US4650735A (en) | Method of manufacturing a metal matrix and an intermediate product obtained in performing the method | |
| US4582776A (en) | Information recording disc having light absorbing cellulose nitrate coating | |
| US3506442A (en) | Photomask modification and registration test methods | |
| US5114531A (en) | Method of producing masks for rom type optical recording cards and method of inspecting masks | |
| US5180655A (en) | Chemical compositions for improving photolithographic performance | |
| JPH05257277A (ja) | 光ディスク用フォトレジスト | |
| GB2152224A (en) | A monomolecular layer of photosensitive material | |
| JPS6055534A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JP3227742B2 (ja) | スタンパの製造方法及び光記録媒体の製造方法 | |
| JPS60173737A (ja) | 光学デイスク用スタンパ−の製造方法 | |
| JP2000021031A (ja) | 光記録媒体の原盤製造法 | |
| JP3001077B2 (ja) | 情報記録担体用フォトレジスト及び情報記録担体 | |
| Inui et al. | Magneto-optical disk by contact printing method | |
| EP0555583A1 (en) | Method for manufacturing optical discs | |
| JP3230313B2 (ja) | 反応性イオンエッチングによるパターニング加工物の製造方法 | |
| JPS6190344A (ja) | 光デイスク成形用スタンパ | |
| JP3480029B2 (ja) | 光ディスク原盤作成用ガラス基板 | |
| JP2005071488A (ja) | 光情報記録媒体の原盤製造方法、パターン形成方法、原盤、スタンパ、光情報記録媒体およびレジスト | |
| JPS6066346A (ja) | 情報記録体の製造方法 | |
| GB1568722A (en) | Method of making copies of a master information carrier having information tracks | |
| JPH01317241A (ja) | 光デイスク原盤作製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 15 |