JP2646533B2 - 光メモリー用スタンパの製造方法 - Google Patents

光メモリー用スタンパの製造方法

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JP2646533B2 JP61251082A JP25108286A JP2646533B2 JP 2646533 B2 JP2646533 B2 JP 2646533B2 JP 61251082 A JP61251082 A JP 61251082A JP 25108286 A JP25108286 A JP 25108286A JP 2646533 B2 JP2646533 B2 JP 2646533B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光メモリー用スタンパの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の光メモリー用スタンパの製造方法は、まず鏡面
に研磨された中心穴付のガラス原盤に所望の厚みにホト
レジストを塗布し、露光・現像してグルーブまたはピツ
トを形成する。
次に、Agをスパツタして導体化膜を形成した後およそ
300μmmの厚みにNi電鋳をする。
次に、ガラス原盤付の状態で、Ni電鋳した裏面を研磨
し、ガラス原盤からNi電鋳層をはがし、Ni電鋳層に形成
されたAg薄膜層を化学的にハクリし、内外径加工を施
してスタンパが完成する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術では導体化膜のAg薄膜は変色
し易い性質があり、Ag薄膜層とNiめつき層との密着性が
悪くなり、Niめつきの初期にNIめつき層がはがれてしま
う現象を引き起こしてしまう。
また、Niめつき後ガラス原盤からNiめつき層をはがし
てAg薄膜層を化学的にハクリするときに、Ag薄膜層が変
色していると変色層部分がAgハクリ液で完全にはがすこ
とができず、Agのエツチング残りをきたし、スタンパの
品質をそこねてしまう。
また、肉視で確認される変色はスタンパの外観品質を
そこねてしまう。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところはAg薄膜層の変色を完全におさ
え、導体化膜にAgを用いたときのスタンパの歩留り向上
を可能にすることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光メモリー用スタンパの製造方法は、基板の
上にパターン化されたホトレジストを形成する第１の工
程と、前記基板と前記ホトレジストとを被覆するように
Ag薄膜層を500〜1000Åの範囲内の膜厚で形成する第２
の工程と、前記Ag薄膜層の上に50〜100Åの範囲内の膜
厚でNiまたはNi合金の薄膜層を形成する第３の工程と、
前記NiまたはNi合金の薄膜層の上にNiめっき層を形成す
る第４の工程と、をこの順序で有することを特徴とす
る。
〔実施例〕
外径200φmm,内径10φmm,厚み6mmの鏡面に磨かれたガ
ラス原盤１を用意する。
次に、上記ガラス原盤１の全面にホトレジスト２を10
00Å前後の厚みにスピンコート法で塗布する。次に、90
℃,30分の条件でプレベークをし、専用のレーザーカツ
テングM/Cを用いて露光する。ピット、グルーブ等のパ
ターンが形成される部分に波長が4500Å付近のレーザー
が照射される。次に、専用の現像液を用いて現像する。
現像方法はスプレー法が好ましい。現像後レジストの密
着性を高めるために120℃,30分のポストベークを行な
う。
次に、ガラス基板の表面の全面に導体化膜を形成す
る。導体化膜の形成は市販のスパツタ装置を用いて、Ag
薄膜層３、連続してNiまたはNi合金薄膜層４の順序で行
う。
Ag薄膜層３の厚みは500Å〜1000Å,NiまたはNi合金薄
膜層４の厚みは50Å〜100Åが好ましい。
上記、厚みの範囲はAgの場合500Å以下の厚みになる
と次工程のNiめつきをする際抵抗が大きくなり導体化膜
の要をなさない。上限の1000Å以上になるとピツト及び
グルーブの形状がホトレジストで形成されたピツト及び
グルーブ形状のエツヂ部分の形状がシヤープでなくなり
形状変化をきたしてしまう。
Ni及びNi合金の薄膜層４の場合、下限の50ÅはAgの変
色防止効果がある最低厚みである。上限の100ÅはAg薄
膜層３を含めた導体化膜の厚みが厚くなると導体化層の
形成時の内部応力が大きくなり、部分的な導体化層の膜
はがれが生じてしまい、膜はがれが起きた部分のピツト
及びグルーブの深さが小さくなつてしまう。従つて膜は
がれを防ぐために導体化膜の厚みは必要最小限にする必
要がある。Ni及びNi合金薄膜層４の厚みが100Å以下で
あれば部分的に導体化層の膜はがれが生じても、正常な
部分のピツト及びグルーブの深さに対して深さ変化が小
さいので機能特性上問題にならない。
Ag薄膜層３とNi及びNi合金薄膜層４の形成は上述のス
パツタ法以外に、蒸着法など同一チヤンバー内で連続し
てAg及びNiまたNi合金薄膜層を形成できるものであれば
適用できる。
Ag薄膜層３の上に形成する導体化膜としてNiまたはNi
合金を用いた理由は次工程のNiめつき層と相性が良いか
らとAgと較べて変色し難いからである。
Ni合金としては、Ni−Co,Ni−Fe,Ni−Cr等が採用でき
る。
次に、上述の導体化膜の形成後、Ni電鋳層を所望の厚
みに電鋳する。
Ni電鋳層５の厚みは一般的におよそ300μｍが採用さ
れている。
次に、ガラス原盤１に付いた状態でNi電鋳層５の裏面
を研磨する。
次に、研磨後ガラス原盤からNi電鋳層５をはがし、Ni
電鋳層５の記録面に付着したホトレジストを専用のハク
リ液でハクリする。
次に、Ni電鋳層５の記録面側に形成されているAg薄膜
層３をAgハクリ液で化学的にハクリする。このAgハクリ
液はAgのみエツチングし、NiまたはNi合金層をエツチン
グしないものでなければならない。
代表的なAgハクリ液の組成及び条件を示す。
ハクリ液組成 シアン化ソーダ ５〜10g/ 条件 陽極電解 電流密度 5A/dm2 時間 ５秒以内 次に、Ag薄膜層３をハクリしたNi電鋳層５を内径、外
径の加工を施すとスタンパが完成する。
〔発明の効果〕 以上述べたように、Ag薄膜層を形成する工程の後に50
〜100Åの範囲内の膜厚のNiまたはNi合金の薄膜層を形
成することにより、Ag薄膜層の酸化による変色を防止
し、Niめっき層からAg薄膜層やNiまたはNi合金の薄膜層
の膜剥がれを防ぎ機能特性の劣化を抑えるという優れた
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図から第６図は本発明の光メモリー用スタンパの製
造方法を示す工程断面図である。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板の上にパターン化されたホトレジスト
    を形成する第１の工程と、 前記基板と前記ホトレジストとを被覆するようにAg薄膜
    層を500〜1000Åの範囲内の膜厚で形成する第２の工程
    と、 前記Ag薄膜層の上に50〜100Åの範囲内の膜厚でNiまた
    はNi合金の薄膜層を形成する第３の工程と、 前記NiまたはNi合金の薄膜層の上にNiめっき層を形成す
    る第４の工程と、 をこの順序で有することを特徴とする光メモリー用スタ
    ンパの製造方法。
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の光メモリー
    用スタンパの製造方法において、 前記基板はガラス原盤からなる基板であること、を特徴
    とする光メモリー用スタンパの製造方法。
  3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項に記載
    の光メモリー用スタンパの製造方法において、 前記基板から前記Niめっき層を分離する工程と、 前記Niめっき層に付着しているAg薄膜層を除去する工程
    と、 を前記第４の工程の後に有することを特徴とする光メモ
    リー用スタンパの製造方法。
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