JP2001319381A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応
によってスタンパの品質を劣化させることがなく、良好
なＳ／Ｎ比を得ることができる光ディスクの製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板１上にレジスト膜２を形成する工程
と、基板１上のレジスト膜２を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜２上にニッケル合金薄膜３を形成する工程と、
ニッケル合金薄膜３上に電鋳によりニッケル層４を形成
する工程と、ニッケル合金薄膜３から剥離したニッケル
層４をスタンパとして用いて樹脂を射出成形する工程
と、を備える。ニッケル合金薄膜３は、Ｎｉ元素を主成
分とし、Ｒｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添
加した組成を有する。
によってスタンパの品質を劣化させることがなく、良好
なＳ／Ｎ比を得ることができる光ディスクの製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板１上にレジスト膜２を形成する工程
と、基板１上のレジスト膜２を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜２上にニッケル合金薄膜３を形成する工程と、
ニッケル合金薄膜３上に電鋳によりニッケル層４を形成
する工程と、ニッケル合金薄膜３から剥離したニッケル
層４をスタンパとして用いて樹脂を射出成形する工程
と、を備える。ニッケル合金薄膜３は、Ｎｉ元素を主成
分とし、Ｒｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添
加した組成を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターニングされ
たレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳
させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄
膜、およびこのような電極の材料として用いられるスタ
ンパ形成用電極材料に関する。
たレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳
させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄
膜、およびこのような電極の材料として用いられるスタ
ンパ形成用電極材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクは、スタン
パと呼ばれる光ディスク原盤を用いて量産される。図８
は従来のスタンパの製造方法を示す図である。まず、図
８（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上にスピンコ
ート等によりフォトレジスト膜１０２を形成した後、図
８（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１０２をレー
ザビームにより露光して潜像１０２ａを形成する。次い
で、フォトレジスト膜１０２を現像して、図８（ｃ）に
示すような溝部１０２ｂを有するパターンを形成する。
次に、図８（ｄ）に示すように、スパッタリング法、蒸
着法等を用いてフォトレジスト膜１０２およびガラス基
板１０１の表面にニッケル薄膜１０３を形成する。その
後、図８（ｅ）に示すように、ニッケル薄膜１０３を電
極として用いてニッケル薄膜１０３表面にニッケル電鋳
を施すことにより、ニッケル層１０４を形成する。そし
て、図８（ｆ）に示すように、ニッケル層１０４をガラ
ス基板１０１から剥離した後、図８（ｆ）においてニッ
ケル層１０４の上面を研磨するなどして、スタンパ１０
４Ａが得られる。
パと呼ばれる光ディスク原盤を用いて量産される。図８
は従来のスタンパの製造方法を示す図である。まず、図
８（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上にスピンコ
ート等によりフォトレジスト膜１０２を形成した後、図
８（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１０２をレー
ザビームにより露光して潜像１０２ａを形成する。次い
で、フォトレジスト膜１０２を現像して、図８（ｃ）に
示すような溝部１０２ｂを有するパターンを形成する。
次に、図８（ｄ）に示すように、スパッタリング法、蒸
着法等を用いてフォトレジスト膜１０２およびガラス基
板１０１の表面にニッケル薄膜１０３を形成する。その
後、図８（ｅ）に示すように、ニッケル薄膜１０３を電
極として用いてニッケル薄膜１０３表面にニッケル電鋳
を施すことにより、ニッケル層１０４を形成する。そし
て、図８（ｆ）に示すように、ニッケル層１０４をガラ
ス基板１０１から剥離した後、図８（ｆ）においてニッ
ケル層１０４の上面を研磨するなどして、スタンパ１０
４Ａが得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクに対して
は、更なる高記録密度化が要求されている。今後予想さ
れる直径１２ｃｍのディスクに対して数十ＧＢ以上の記
録容量を確保するような高記録密度化の要求に応えるた
めには、上記のようにレーザビームを用いたレーザビー
ムカッティングでは対応できず、レーザビームカッティ
ングに代わる方法として電子ビームを用いる電子ビーム
カッティングが注目されている。電子ビームカッティン
グによれば、従来のレーザビームカッティングに比べ
て、高精細なパターンを形成することが可能となる。
は、更なる高記録密度化が要求されている。今後予想さ
れる直径１２ｃｍのディスクに対して数十ＧＢ以上の記
録容量を確保するような高記録密度化の要求に応えるた
めには、上記のようにレーザビームを用いたレーザビー
ムカッティングでは対応できず、レーザビームカッティ
ングに代わる方法として電子ビームを用いる電子ビーム
カッティングが注目されている。電子ビームカッティン
グによれば、従来のレーザビームカッティングに比べ
て、高精細なパターンを形成することが可能となる。
【０００４】しかし、電子ビームカッティングを行うた
めには、レジスト材料の電子吸収感度を向上させる必要
があり、レジスト材料中に塩素、イオウ、あるいはフッ
素等の電子吸引基等が導入される。ところが、ニッケル
電鋳を施す際に、レジスト材料中の電子吸引基とニッケ
ル薄膜とが反応してニッケル薄膜が損傷を受け、スタン
パの品質が劣化するという問題があることが判明した。
めには、レジスト材料の電子吸収感度を向上させる必要
があり、レジスト材料中に塩素、イオウ、あるいはフッ
素等の電子吸引基等が導入される。ところが、ニッケル
電鋳を施す際に、レジスト材料中の電子吸引基とニッケ
ル薄膜とが反応してニッケル薄膜が損傷を受け、スタン
パの品質が劣化するという問題があることが判明した。
【０００５】本発明は、レジスト材料に含まれる電子吸
引基との反応によってスタンパの品質を劣化させること
がなく、良好なＳ／Ｎ比を得ることができる光ディスク
の製造方法を提供することを目的とする。
引基との反応によってスタンパの品質を劣化させること
がなく、良好なＳ／Ｎ比を得ることができる光ディスク
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクの製
造方法は、基板（１）上にレジスト膜（２）を形成する
工程と、基板（１）上のレジスト膜（２）を電子ビーム
カッティングによりパターニングする工程と、パターニ
ングされたレジスト膜（２）上に電極（３）を形成する
工程と、電極（３）上に電鋳により金属層（４）を形成
する工程と、電極（３）から剥離した金属層（４）をス
タンパとして用いて樹脂を射出成形する工程と、を備
え、電極（３）は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、
Ｒｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したも
のであることを特徴とする。
造方法は、基板（１）上にレジスト膜（２）を形成する
工程と、基板（１）上のレジスト膜（２）を電子ビーム
カッティングによりパターニングする工程と、パターニ
ングされたレジスト膜（２）上に電極（３）を形成する
工程と、電極（３）上に電鋳により金属層（４）を形成
する工程と、電極（３）から剥離した金属層（４）をス
タンパとして用いて樹脂を射出成形する工程と、を備
え、電極（３）は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、
Ｒｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したも
のであることを特徴とする。
【０００７】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。また、平坦性に優れる電極（３）を形成
することができるため、光ディスクのＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。また、平坦性に優れる電極（３）を形成
することができるため、光ディスクのＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
【０００８】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｕ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｕ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
【０００９】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
【００１０】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｐ元素を２５重
量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特
徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｐ元素を２５重
量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特
徴とする。
【００１１】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
【００１２】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｍｇ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｍｇ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
【００１３】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
【００１４】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｒ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｒ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
【００１５】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。また、平坦性に優れる電極（３）を形成
することができるため、光ディスクのＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。また、平坦性に優れる電極（３）を形成
することができるため、光ディスクのＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
【００１６】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｕ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｕ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
【００１７】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
【００１８】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｓｉ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｓｉ元素を２５
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
【００１９】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
【００２０】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｔｉ元素を５０
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｔｉ元素を５０
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
【００２１】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。
【００２２】本発明の光ディスクの製造方法は、基板
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｇ元素を５０
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
（１）上にレジスト膜（２）を形成する工程と、基板
（１）上のレジスト膜（２）を電子ビームカッティング
によりパターニングする工程と、パターニングされたレ
ジスト膜（２）上に電極（３）を形成する工程と、電極
（３）上に電鋳により金属層（４）を形成する工程と、
電極（３）から剥離した金属層（４）をスタンパとして
用いて樹脂を射出成形する工程と、を備え、電極（３）
は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｇ元素を５０
重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを
特徴とする。
【００２３】この光ディスクの製造方法によれば、電極
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。また、平坦性に優れる電極（３）を形成
することができるため、光ディスクのＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
材料中のＮｉと、レジスト材料（２）に含まれる電子吸
引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化
が防止される。また、平坦性に優れる電極（３）を形成
することができるため、光ディスクのＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
【００２４】金属層をニッケルから構成してもよい。ま
た、金属層をニッケル合金から構成してもよい。
た、金属層をニッケル合金から構成してもよい。
【００２５】なお、本発明の理解を容易にするために添
付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それによ
り本発明が図示の形態に限定されるものではない。
付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それによ
り本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図７を参照して、本
発明の光ディスクの製造方法の実施形態について説明す
る。図１は光ディスク製造用スタンパを製造する工程を
示す断面図、図２はこの工程の詳細を示す図である。
発明の光ディスクの製造方法の実施形態について説明す
る。図１は光ディスク製造用スタンパを製造する工程を
示す断面図、図２はこの工程の詳細を示す図である。
【００２７】まず、図１（ａ）および図２に示すよう
に、ガラス基板１を研磨、洗浄した後、ガラス基板１上
にスピンコート等により電子ビーム用の電子線レジスト
膜２を形成する。次に、電子線レジスト膜２をプリベー
クし、図１（ｂ）に示すように、電子線レジスト膜２を
電子ビームにより露光して潜像２ａを形成する（図２に
おける「信号記録」）。次いで、電子線レジスト膜２を
現像して、図１（ｃ）に示すような溝部２ｂを形成した
後、電子線レジスト膜２のポストベークを行う。
に、ガラス基板１を研磨、洗浄した後、ガラス基板１上
にスピンコート等により電子ビーム用の電子線レジスト
膜２を形成する。次に、電子線レジスト膜２をプリベー
クし、図１（ｂ）に示すように、電子線レジスト膜２を
電子ビームにより露光して潜像２ａを形成する（図２に
おける「信号記録」）。次いで、電子線レジスト膜２を
現像して、図１（ｃ）に示すような溝部２ｂを形成した
後、電子線レジスト膜２のポストベークを行う。
【００２８】次に、図１（ｄ）に示すように、スパッタ
リング法、蒸着法あるいは無電解メッキにより、電子線
レジスト膜２およびガラス基板１の表面にニッケル合金
薄膜３を形成する。ニッケル合金薄膜の材料については
後述する。
リング法、蒸着法あるいは無電解メッキにより、電子線
レジスト膜２およびガラス基板１の表面にニッケル合金
薄膜３を形成する。ニッケル合金薄膜の材料については
後述する。
【００２９】その後、図１（ｅ）に示すように、ニッケ
ル合金薄膜３を電極として用いてニッケル合金薄膜３表
面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層４を形
成する。そして、図１（ｆ）に示すように、ニッケル層
４をガラス基板１から剥離した後、図１（ｆ）において
ニッケル層４の上面を研磨するなどして、マスタースタ
ンパ４Ａが得られる。なお、ニッケル層４に代えて、ニ
ッケル合金層を電鋳により形成し、剥離したニッケル合
金層をスタンパとして使用してもよい。
ル合金薄膜３を電極として用いてニッケル合金薄膜３表
面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層４を形
成する。そして、図１（ｆ）に示すように、ニッケル層
４をガラス基板１から剥離した後、図１（ｆ）において
ニッケル層４の上面を研磨するなどして、マスタースタ
ンパ４Ａが得られる。なお、ニッケル層４に代えて、ニ
ッケル合金層を電鋳により形成し、剥離したニッケル合
金層をスタンパとして使用してもよい。
【００３０】図２に示すように、マスタースタンパ４Ａ
に対して、再度、電鋳によりニッケルを付着させること
により形状が反転したサブマスタスタンパが得られる。
サブマスタスタンプに対して、さらに電鋳によりニッケ
ルを付着させることによりマスタースタンパと同一形状
のベビースタンパが得られる。さらにベビースタンパの
形状を転写して新たなスタンパを作成してもよい。
に対して、再度、電鋳によりニッケルを付着させること
により形状が反転したサブマスタスタンパが得られる。
サブマスタスタンプに対して、さらに電鋳によりニッケ
ルを付着させることによりマスタースタンパと同一形状
のベビースタンパが得られる。さらにベビースタンパの
形状を転写して新たなスタンパを作成してもよい。
【００３１】図３は、マスタースタンパ４Ａやベビース
タンパを用いて光ディスクを製造する工程を示してい
る。図３に示すように、スタンパを型として用いて射出
形成を行った後、反射膜、保護膜などを形成し、光ディ
スクが製造される。なお、図３の工程は通常の製造工程
と同一であるため、詳細説明は省略する。
タンパを用いて光ディスクを製造する工程を示してい
る。図３に示すように、スタンパを型として用いて射出
形成を行った後、反射膜、保護膜などを形成し、光ディ
スクが製造される。なお、図３の工程は通常の製造工程
と同一であるため、詳細説明は省略する。
【００３２】ニッケル合金薄膜３の材料としては、Ｎｉ
元素を主成分とし、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇのうち少なくとも１種類以上の元
素を５０重量パーセント未満の範囲、さらに好ましく
は、２５重量パーセント未満の範囲で添加したニッケル
合金を用いる。本実施形態では、上記元素が添加された
Ｎｉ合金を用いてニッケル合金薄膜３を形成することに
より、電鋳によりニッケル層４を形成する際におけるニ
ッケル合金薄膜３の損傷を防止することができる。
元素を主成分とし、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇのうち少なくとも１種類以上の元
素を５０重量パーセント未満の範囲、さらに好ましく
は、２５重量パーセント未満の範囲で添加したニッケル
合金を用いる。本実施形態では、上記元素が添加された
Ｎｉ合金を用いてニッケル合金薄膜３を形成することに
より、電鋳によりニッケル層４を形成する際におけるニ
ッケル合金薄膜３の損傷を防止することができる。
【００３３】ニッケル合金薄膜３の材料に、Ｐ、Ｍｇ、
Ｓｉのうち少なくとも１種類以上の元素が添加されてお
り、これらの元素が２５重量パーセント未満の添加量で
ある場合には、少なくとも４００〜５００℃程度まで加
熱しないときにはこれらの元素は主成分であるＮｉと反
応しない。このため、Ｐ、Ｍｇ、あるいはＳｉは薄膜の
状態ではＮｉ粒子の界面に析出し、不活性雰囲気下以外
の環境下では酸素と結合して酸化する。この場合、Ｎｉ
を主成分とする合金薄膜の状態では、添加されたＰ、Ｍ
ｇ、あるいはＳｉの酸化膜はＮｉ粒界のみならず、薄膜
表面にも析出される。このため、薄膜表面に析出された
表面酸化膜が不導体となり、外部からの活性な金属ある
いは非金属と、Ｎｉとの反応に対してのバリア材となっ
て、Ｎｉ合金としての耐候性を向上させていることが確
認された。しかし、添加元素であるＰ、Ｍｇ、あるいは
Ｓｉは、酸素と結合し易いと同時に、その他の活性な非
金属元素とも結合し易いため、添加量が過剰な場合に
は、逆に耐候性を低下させてしまう。したがって、２０
重量パーセント未満の添加量が適当と考えられる。
Ｓｉのうち少なくとも１種類以上の元素が添加されてお
り、これらの元素が２５重量パーセント未満の添加量で
ある場合には、少なくとも４００〜５００℃程度まで加
熱しないときにはこれらの元素は主成分であるＮｉと反
応しない。このため、Ｐ、Ｍｇ、あるいはＳｉは薄膜の
状態ではＮｉ粒子の界面に析出し、不活性雰囲気下以外
の環境下では酸素と結合して酸化する。この場合、Ｎｉ
を主成分とする合金薄膜の状態では、添加されたＰ、Ｍ
ｇ、あるいはＳｉの酸化膜はＮｉ粒界のみならず、薄膜
表面にも析出される。このため、薄膜表面に析出された
表面酸化膜が不導体となり、外部からの活性な金属ある
いは非金属と、Ｎｉとの反応に対してのバリア材となっ
て、Ｎｉ合金としての耐候性を向上させていることが確
認された。しかし、添加元素であるＰ、Ｍｇ、あるいは
Ｓｉは、酸素と結合し易いと同時に、その他の活性な非
金属元素とも結合し易いため、添加量が過剰な場合に
は、逆に耐候性を低下させてしまう。したがって、２０
重量パーセント未満の添加量が適当と考えられる。
【００３４】同様に、Ｎｉを主成分としてＴｉを添加す
る場合には、やはり高温雰囲気下において加熱しつつ反
応させて化合物を形成する場合を除き、ＴｉはＮｉ粒子
の粒界に析出される。このようなＴｉを添加したＮｉ合
金では不導体は形成されないが、Ｔｉが塩素に対して安
定であるため、Ｎｉ粒子への活性元素の侵出あるいは化
学反応を抑制する作用があるため、Ｎｉ粒子に対する化
学反応が防止されるものと考えられる。
る場合には、やはり高温雰囲気下において加熱しつつ反
応させて化合物を形成する場合を除き、ＴｉはＮｉ粒子
の粒界に析出される。このようなＴｉを添加したＮｉ合
金では不導体は形成されないが、Ｔｉが塩素に対して安
定であるため、Ｎｉ粒子への活性元素の侵出あるいは化
学反応を抑制する作用があるため、Ｎｉ粒子に対する化
学反応が防止されるものと考えられる。
【００３５】また、ＮｉにＣｕあるいはＡｕを添加した
合金では、安定して完全に固溶されることが確認されて
いる。この場合、ＣｕあるいはＡｕのいずれの添加元素
においても耐塩素性に富んでおり、固溶化することでＮ
ｉと原子的に結合されて主成分であるＮｉの結晶構造に
歪みを形成する。このＮｉ固溶合金では、添加元素に依
存して塩素との結合性が緩和されるため、塩素に対し
て、例えばあらゆる状況下でも安定という状態にはなら
ないものの、塩素に対しての化学反応性を鈍化させる。
実験によれば、このような固溶体では塩化が確認されな
かった。
合金では、安定して完全に固溶されることが確認されて
いる。この場合、ＣｕあるいはＡｕのいずれの添加元素
においても耐塩素性に富んでおり、固溶化することでＮ
ｉと原子的に結合されて主成分であるＮｉの結晶構造に
歪みを形成する。このＮｉ固溶合金では、添加元素に依
存して塩素との結合性が緩和されるため、塩素に対し
て、例えばあらゆる状況下でも安定という状態にはなら
ないものの、塩素に対しての化学反応性を鈍化させる。
実験によれば、このような固溶体では塩化が確認されな
かった。
【００３６】さらに、ＮｉにＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒ
を添加する場合には、特定の添加量では固溶し、少なく
とも１０重量パーセント未満の添加時には固溶して、Ｃ
ｕあるいはＡｕを添加した場合の固溶体と同様の状態と
なることが確認された。Ｒｕ、Ａｇ、あるいはＣｒのそ
れぞれが１０重量パーセントを超過して添加され、固溶
限界を超えると、添加量全体が固溶されずに固溶粒子の
粒界にＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒが析出される。しか
し、この場合においても純Ｎｉと比較して耐塩化性が向
上することが確認された。
を添加する場合には、特定の添加量では固溶し、少なく
とも１０重量パーセント未満の添加時には固溶して、Ｃ
ｕあるいはＡｕを添加した場合の固溶体と同様の状態と
なることが確認された。Ｒｕ、Ａｇ、あるいはＣｒのそ
れぞれが１０重量パーセントを超過して添加され、固溶
限界を超えると、添加量全体が固溶されずに固溶粒子の
粒界にＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒが析出される。しか
し、この場合においても純Ｎｉと比較して耐塩化性が向
上することが確認された。
【００３７】また、ＮｉにＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒの
うち少なくとも１種類の元素を添加した合金薄膜は、耐
塩化性を向上させるだけでなく、薄膜の平坦化をも向上
させる。薄膜の平坦化は、この合金薄膜を用いて形成さ
れたスタンパを使用して製造された光ディスクの再生時
の信号特性により確認できた。添加されたＲｕ、Ａｇ、
あるいはＣｒが固溶される場合には、主成分であるＮｉ
の結晶格子に歪みを与えて薄膜の粒子を微細化すること
が確認されている。さらに固溶限界を超えた組成で構成
されたＮｉ合金では、固溶されたＮｉ固溶合金粒子の粒
成長を抑制する可能性があるとともに、粒界に存在する
添加元素の固溶されない添加成分が応力緩和を助長する
効果があるものと考えられる。
うち少なくとも１種類の元素を添加した合金薄膜は、耐
塩化性を向上させるだけでなく、薄膜の平坦化をも向上
させる。薄膜の平坦化は、この合金薄膜を用いて形成さ
れたスタンパを使用して製造された光ディスクの再生時
の信号特性により確認できた。添加されたＲｕ、Ａｇ、
あるいはＣｒが固溶される場合には、主成分であるＮｉ
の結晶格子に歪みを与えて薄膜の粒子を微細化すること
が確認されている。さらに固溶限界を超えた組成で構成
されたＮｉ合金では、固溶されたＮｉ固溶合金粒子の粒
成長を抑制する可能性があるとともに、粒界に存在する
添加元素の固溶されない添加成分が応力緩和を助長する
効果があるものと考えられる。
【００３８】なお、本実施形態に述べた組成のニッケル
合金は、純Ｎｉと同様、展延性や加工性に富みながら、
耐塩化性、耐臭化性を有するものであり、塩素や臭素と
反応し易いという純Ｎｉの性質上、従来制限されていた
用途および応用技術への適用を可能とするものである。
合金は、純Ｎｉと同様、展延性や加工性に富みながら、
耐塩化性、耐臭化性を有するものであり、塩素や臭素と
反応し易いという純Ｎｉの性質上、従来制限されていた
用途および応用技術への適用を可能とするものである。
【００３９】−実施例− ＮｉおよびＲｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ａｇの各添加金属のスパッタリングターゲットを
用意し、これらのＮｉおよび所定の元素のスパッタリン
グターゲットをＲＦマグネトロンスパッタリング装置に
装着して石英基板上に薄膜を形成した。スパッタリング
ターゲットは直径３ｉｎｃｈ（７．６２ｃｍ）、厚み５
ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板ま
での距離を約９０ｍｍとした。Ｎｉおよび所定の元素の
スパッタリングターゲットへのＲＦ投入電力によって各
金属原子の放出量を制御しながら、２つの金属を同時に
基板上に堆積させた。成膜条件としては、到達真空度が
３×１０-5Ｐａ、成膜時のガス圧は０．７〜１Ｐａであ
る。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗの間で合金
の組成に応じて変化させた。このようにして、Ｎｉ−Ｒ
ｕ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合
金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合
金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、およびＮｉ−Ａｇ合金の薄膜を基
板上に形成した。各合金におけるＲｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍ
ｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、ＴｉおよびＡｇの各添加金属の
添加量として１、５、１０、２０および２５重量パーセ
ントの５種類のものが作成された。また、リファレンス
として、同一の装置により純Ｎｉ薄膜を基板上に形成し
た（図４および図５参照）。
Ｔｉ、Ａｇの各添加金属のスパッタリングターゲットを
用意し、これらのＮｉおよび所定の元素のスパッタリン
グターゲットをＲＦマグネトロンスパッタリング装置に
装着して石英基板上に薄膜を形成した。スパッタリング
ターゲットは直径３ｉｎｃｈ（７．６２ｃｍ）、厚み５
ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板ま
での距離を約９０ｍｍとした。Ｎｉおよび所定の元素の
スパッタリングターゲットへのＲＦ投入電力によって各
金属原子の放出量を制御しながら、２つの金属を同時に
基板上に堆積させた。成膜条件としては、到達真空度が
３×１０-5Ｐａ、成膜時のガス圧は０．７〜１Ｐａであ
る。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗの間で合金
の組成に応じて変化させた。このようにして、Ｎｉ−Ｒ
ｕ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合
金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合
金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、およびＮｉ−Ａｇ合金の薄膜を基
板上に形成した。各合金におけるＲｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍ
ｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、ＴｉおよびＡｇの各添加金属の
添加量として１、５、１０、２０および２５重量パーセ
ントの５種類のものが作成された。また、リファレンス
として、同一の装置により純Ｎｉ薄膜を基板上に形成し
た（図４および図５参照）。
【００４０】上記方法によって薄膜の堆積された石英基
板を塩化ナトリウム水溶液中に浸して所定時間放置した
ときの経時変化の有無等を図４および図５に示す。塩化
ナトリウム水溶液に含有される塩化ナトリウムは５体積
パーセントであり、水溶液は加熱することなく常温で約
９６時間石英基板を浸漬した。経時変化は約９６時間放
置後の薄膜の状態を目視で観察するとともに、薄膜の反
射率等の光学特性を分光光度計により検査することで薄
膜の表面状態の変異を確認した。
板を塩化ナトリウム水溶液中に浸して所定時間放置した
ときの経時変化の有無等を図４および図５に示す。塩化
ナトリウム水溶液に含有される塩化ナトリウムは５体積
パーセントであり、水溶液は加熱することなく常温で約
９６時間石英基板を浸漬した。経時変化は約９６時間放
置後の薄膜の状態を目視で観察するとともに、薄膜の反
射率等の光学特性を分光光度計により検査することで薄
膜の表面状態の変異を確認した。
【００４１】その結果、純Ｎｉでは、塩化ナトリウム水
溶液に浸漬したところ、塩化反応によって端部が黒色化
した。また、高温耐湿加速試験の結果、端部が黒色化す
るとともに、薄膜の剥離が観察された。
溶液に浸漬したところ、塩化反応によって端部が黒色化
した。また、高温耐湿加速試験の結果、端部が黒色化す
るとともに、薄膜の剥離が観察された。
【００４２】これに対して、Ｎｉ−Ｒｕ合金、Ｎｉ−Ｃ
ｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合
金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合
金、およびＮｉ−Ａｇ合金では、全体として塩化反応が
抑制されるとともに、高温耐湿加速試験による変化も抑
制された。但し、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２５ｗ
ｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｍｇ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃ
ｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ａu、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓｉで
は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬した結果、端部におけ
る若干の黒色化が確認された。他の合金薄膜については
変化が認められなかった。また、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｒ
ｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｃｕ、Ｎ
ｉ−２５ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５
ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓ
ｉでは、高温耐湿加速試験の結果、端部における若干の
黒色化が確認された。
ｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合
金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合
金、およびＮｉ−Ａｇ合金では、全体として塩化反応が
抑制されるとともに、高温耐湿加速試験による変化も抑
制された。但し、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２５ｗ
ｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｍｇ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃ
ｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ａu、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓｉで
は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬した結果、端部におけ
る若干の黒色化が確認された。他の合金薄膜については
変化が認められなかった。また、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｒ
ｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｃｕ、Ｎ
ｉ−２５ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５
ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓ
ｉでは、高温耐湿加速試験の結果、端部における若干の
黒色化が確認された。
【００４３】図６は光ディスクのミラー部再生信号によ
るディスクノイズ測定方法を示す図、図７はその測定結
果を示す図である。図６に示すように、ガラス基板１１
上にレジスト層１２を設け、さらにその上に電極材料と
しての純ＮｉおよびＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕからなる薄膜１
３をそれぞれ形成することで、被測定原盤を作成してい
る。図７に示すように、薄膜１３を反射層として用い、
被測定原盤を線速度３ｍ／ｓで回転させながらガラス基
板１１の側からレンズ１４を介して光ビームを照射し、
レジスト層１２と薄膜１３との界面からの反射光を受光
した。この反射光のうち、ノイズ成分となる１ＭＨｚ成
分のレベルを測定した結果を図７に示している。図７に
示すように、薄膜１３の材料として純Ｎｉを用いた場合
のディスクノイズは−７４．３ｄＢ、薄膜１３の材料と
してＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕを用いた場合のディスクノイズ
は−７９．７ｄＢである。したがって、Ｎｉ−５ｗｔ％
Ｒｕを用いた場合は純Ｎｉを用いる場合と比較してＳ／
Ｎ比が５ｄＢ以上向上していることが判る。このこと
は、Ｎｉ−５ｗｔ％Ｒｕの薄膜の平坦性が純Ｎｉの薄膜
よりも優れており、光ディスク原盤の製造に用いる材料
として、優れた適性を有していることを示している。
るディスクノイズ測定方法を示す図、図７はその測定結
果を示す図である。図６に示すように、ガラス基板１１
上にレジスト層１２を設け、さらにその上に電極材料と
しての純ＮｉおよびＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕからなる薄膜１
３をそれぞれ形成することで、被測定原盤を作成してい
る。図７に示すように、薄膜１３を反射層として用い、
被測定原盤を線速度３ｍ／ｓで回転させながらガラス基
板１１の側からレンズ１４を介して光ビームを照射し、
レジスト層１２と薄膜１３との界面からの反射光を受光
した。この反射光のうち、ノイズ成分となる１ＭＨｚ成
分のレベルを測定した結果を図７に示している。図７に
示すように、薄膜１３の材料として純Ｎｉを用いた場合
のディスクノイズは−７４．３ｄＢ、薄膜１３の材料と
してＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕを用いた場合のディスクノイズ
は−７９．７ｄＢである。したがって、Ｎｉ−５ｗｔ％
Ｒｕを用いた場合は純Ｎｉを用いる場合と比較してＳ／
Ｎ比が５ｄＢ以上向上していることが判る。このこと
は、Ｎｉ−５ｗｔ％Ｒｕの薄膜の平坦性が純Ｎｉの薄膜
よりも優れており、光ディスク原盤の製造に用いる材料
として、優れた適性を有していることを示している。
【００４４】なお、本願明細書において、「電極から剥
離した金属層をスタンパとして用いて樹脂を射出成形す
る」ことは、図２に示すように電極から剥離した金属層
（マスタースタンパ）から新たなスタンパ（ベビースタ
ンパ等）を製造し、この新たなスタンパを用いて樹脂を
射出成形する場合を含む概念である。
離した金属層をスタンパとして用いて樹脂を射出成形す
る」ことは、図２に示すように電極から剥離した金属層
（マスタースタンパ）から新たなスタンパ（ベビースタ
ンパ等）を製造し、この新たなスタンパを用いて樹脂を
射出成形する場合を含む概念である。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、電極材料中のＮｉと、
レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応が抑制され
るので、スタンパの品質の劣化が効果的に防止され、良
好なＳ／Ｎ比を有する光ディスクを得ることができる。
レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応が抑制され
るので、スタンパの品質の劣化が効果的に防止され、良
好なＳ／Ｎ比を有する光ディスクを得ることができる。
【図１】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用
スタンパを製造する工程を示す図であり、（ａ）はレジ
ストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像を形成
した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を示す断
面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す
断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示す断面
図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
スタンパを製造する工程を示す図であり、（ａ）はレジ
ストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像を形成
した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を示す断
面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す
断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示す断面
図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
【図２】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用
スタンパを製造する工程の詳細を示す図。
スタンパを製造する工程の詳細を示す図。
【図３】光ディスク製造用スタンパを用いて光ディスク
を製造する工程を示す図。
を製造する工程を示す図。
【図４】純Ｎｉ薄膜およびＮｉ合金薄膜の塩化ナトリウ
ム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を
示す図。
ム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を
示す図。
【図５】Ｎｉ合金薄膜の塩化ナトリウム水溶液に対する
耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
【図６】光ディスクのミラー部再生信号によるディスク
ノイズ測定方法を示す図。
ノイズ測定方法を示す図。
【図７】ディスクノイズの測定結果を示す図。
【図８】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用
スタンパを製造する従来の工程を示す図であり、（ａ）
はレジストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像
を形成した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を
示す断面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態
を示す断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示
す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
スタンパを製造する従来の工程を示す図であり、（ａ）
はレジストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像
を形成した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を
示す断面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態
を示す断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示
す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
１ 基板 ２ レジスト膜 ３ ニッケル合金薄膜（電極） ４ ニッケル層（金属層） ４Ａ スタンパ
フロントページの続き (72)発明者 飯田 哲哉 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 上野 崇 東京都豊島区南大塚２丁目37番５号 株式 会社フルヤ金属内 Ｆターム(参考） 4F202 AH79 AJ02 CA11 CB01 CD12 CK41 5D121 BB01 BB21 CA01 CA07 CB01 CB06 CB07 DD05
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 前記電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｒｕ元
素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであ
ることを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 前記電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｕ元
素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであ
ることを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項３】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｐ元素を２５重量パ
ーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴と
する光ディスクの製造方法。 - 【請求項４】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｍｇ元素を２５重量
パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴
とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項５】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｒ元素を２５重量
パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴
とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項６】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｕ元素を２５重量
パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴
とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項７】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｓｉ元素を２５重量
パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴
とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項８】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｔｉ元素を５０重量
パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴
とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項９】 基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記基板上のレジスト膜を電子ビームカッティングによ
りパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジスト膜上に電極を形成する
工程と、 前記電極上に電鋳により金属層を形成する工程と、 前記電極から剥離した前記金属層をスタンパとして用い
て樹脂を射出成形する工程と、を備え、 Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｇ元素を５０重量
パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴
とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項１０】 前記金属層はニッケルからなることを
特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光ディ
スクの製造方法。 - 【請求項１１】 前記金属層はニッケル合金からなるこ
とを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光
ディスクの製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139385A JP4050859B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 |
| EP06125573A EP1764797A3 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Production method for optical disc |
| TW090111252A TW509938B (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Production method for optical disc |
| KR1020010025864A KR100597554B1 (ko) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | 광디스크의 제조 방법 |
| EP01111579A EP1154421A3 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Production method for optical disc |
| CNB011169184A CN1174403C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-12 | 光盘的生产方法 |
| US09/853,676 US6695987B2 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-14 | Production method for optical disc |
| HK02106089.7A HK1044618B (zh) | 2000-05-12 | 2002-08-20 | 光盤的生產方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139385A JP4050859B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001319381A true JP2001319381A (ja) | 2001-11-16 |
| JP2001319381A5 JP2001319381A5 (ja) | 2006-07-27 |
| JP4050859B2 JP4050859B2 (ja) | 2008-02-20 |
Family
ID=18646840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000139385A Expired - Fee Related JP4050859B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6695987B2 (ja) |
| EP (2) | EP1154421A3 (ja) |
| JP (1) | JP4050859B2 (ja) |
| KR (1) | KR100597554B1 (ja) |
| CN (1) | CN1174403C (ja) |
| HK (1) | HK1044618B (ja) |
| TW (1) | TW509938B (ja) |
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| WO2004095445A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Pioneer Corporation | スタンパ、およびその製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7066234B2 (en) | 2001-04-25 | 2006-06-27 | Alcove Surfaces Gmbh | Stamping tool, casting mold and methods for structuring a surface of a work piece |
| JP3656591B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2005-06-08 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体製造用スタンパの製造方法および光学記録媒体の製造方法 |
| TW590999B (en) * | 2002-08-28 | 2004-06-11 | Alliance Fiber Optic Prod Inc | Mold for producing array optical fiber substrate with V-shaped grooves and method for producing the same |
| US20050221112A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Daewoong Suh | Microtools for package substrate patterning |
| JP2009277335A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-26 | Fujifilm Corp | スタンパの製造方法およびスタンパを用いた光情報記録媒体の製造方法 |
| CN102016651B (zh) * | 2008-06-06 | 2013-05-22 | 夏普株式会社 | 防反射膜和具备防反射膜的光学元件、压模和压模的制造方法以及防反射膜的制造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5835742A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体円盤の製作に用いられるスタンパの製作法 |
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| JPS59193560A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Daicel Chem Ind Ltd | 回転記録体用スタンパ−及びその製造法 |
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-
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- 2000-05-12 JP JP2000139385A patent/JP4050859B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-11 EP EP01111579A patent/EP1154421A3/en not_active Withdrawn
- 2001-05-11 KR KR1020010025864A patent/KR100597554B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-11 TW TW090111252A patent/TW509938B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-11 EP EP06125573A patent/EP1764797A3/en not_active Withdrawn
- 2001-05-12 CN CNB011169184A patent/CN1174403C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-14 US US09/853,676 patent/US6695987B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2002-08-20 HK HK02106089.7A patent/HK1044618B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK1044618B (zh) | 2005-07-15 |
| EP1154421A2 (en) | 2001-11-14 |
| KR100597554B1 (ko) | 2006-07-06 |
| US6695987B2 (en) | 2004-02-24 |
| JP4050859B2 (ja) | 2008-02-20 |
| EP1764797A3 (en) | 2008-11-19 |
| HK1044618A1 (en) | 2002-10-25 |
| EP1764797A2 (en) | 2007-03-21 |
| TW509938B (en) | 2002-11-11 |
| KR20010104288A (ko) | 2001-11-24 |
| US20010050444A1 (en) | 2001-12-13 |
| CN1338739A (zh) | 2002-03-06 |
| EP1154421A3 (en) | 2006-06-07 |
| CN1174403C (zh) | 2004-11-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060608 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060608 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071130 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207 Year of fee payment: 6 |
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