JP2002230849A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極膜の耐腐食性を向上させ、その損傷を抑
制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることに
より、Ｓ／Ｎ比の向上が図られて品質を高度に維持した
光ディスクを製造することができる光ディスクの製造方
法を提供する。 【解決手段】 光ディスクを製造するためのスタンパ１
５は、原板１１の表面にレジスト膜１２を形成し、レジ
スト膜１２に電子ビームを照射して所定のパターンを形
成した後、このレジスト膜１２の表面に金属材料よりな
る電極膜１３を形成し、電極膜１３を電極として使用す
る電鋳法により電極膜１３の表面に金属層１４を積層さ
せ、その金属層１４を電極膜１３とともにレジスト膜１
２から剥離することにより形成される。前記電極膜１３
の金属材料には銅（Ｃｕ）元素を主成分とするととも
に、この銅（Ｃｕ）元素に銀（Ａｇ）元素及びチタン
（Ｔｉ）元素を添加したものが使用されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＤ（Ｃｏｍｐ
ａｃｔ Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（ＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓ
ａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等の光ディスクを、スタンパと
呼ばれる原盤を用いて製造する光ディスクの製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えばＣＤ等といった光ディスク
を製造する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、
その表面を研磨して平滑にしたガラス製の原板１０１
（発明者の言われる通りです。上記原盤と区別するため
に原板としました。）の表面にスピンコート等によりレ
ジスト膜１０２を形成する。次いで、このレジスト膜１
０２に対してパターニング処理が施される。パターニン
グ処理は、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜１０２
をレーザビームで露光し、潜像１０２ａを形成した後、
現像することにより行われる。すると、図３（ｃ）に示
すように、レジスト膜１０２の表面には複数の溝部より
なる凹パターン１０２ｂが形成される。

【０００３】パターニング処理が行われた後、図３
（ｄ）に示すように、レジスト膜１０２上には凹パター
ン１０２ｂの全体を被覆するように、金属材料よりなる
電極膜１０３がスパッタリング法、蒸着法等により形成
される。この電極膜１０３の金属材料には導電率が高
く、膜形成後に組成変化しづらいことから、ニッケル
（Ｎｉ）元素が単体で使用されており、その膜厚は均一
なものとなっている。その後、図３（ｅ）に示すよう
に、この電極膜１０３を電極として用いる電鋳法によ
り、電極膜１０３の表面にはＮｉ製の金属層１０４が積
層される。

【０００４】この後、図３（ｆ）に示すように、電極膜
１０３とともに金属層１０４をレジスト膜１０２の表面
から剥離させると、電極膜１０３及び金属層１０４が一
体となったスタンパ１０４ａが得られる。このスタンパ
１０４ａの表面には前記凹パターン１０２ｂとは逆転し
た形状となるように、複数の突部よりなる凸パターン１
０４ｂが転写されている。そして、スタンパ１０４ａを
成形型として使用し、凸パターン１０４ｂ側に合成樹脂
材料を射出することにより、その表面に前記凹パターン
１０２ｂと同一の凹パターンが複写された基板が形成さ
れ、この凹パターンを覆うように基板上に反射膜、保護
層等を積層することにより光ディスクが製造される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年の光ディスクに
は、例えばＣＤに対するＤＶＤ等のように、サイズを大
きくすることなく記憶容量を増大させるため、単位面積
当たりの記録密度をさらに高度化させることが課題とな
っている。このため、前述したパターニング処理におい
ては、レーザビームと比較して溝部をより幅狭とするこ
とができ、高精細な凹パターン１０２ｂを形成可能な電
子ビームが使用されるようになっている。そして、電子
ビームで露光を行う際には、レジスト膜１０２を形成す
るレジスト材料に塩素、硫黄、あるいはフッ素等の電子
吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基（これ以降、
電子吸引基として記載する）等が添加されることによ
り、レジスト膜１０２の電子吸収感度が向上されてい
る。

【０００６】ところが、上記のように電子吸収感度を向
上させたレジスト膜１０２を使用すると、電鋳法で電極
膜１０３上に金属層１０４を積層する際、電極膜１０３
は、その材料であるＮｉ元素が電子吸引性の元素又は電
子吸引基に対して反応し、変質する等して損傷するおそ
れがある。すると、スタンパ１０４ａは、この電極膜１
０３により凸パターン１０４ｂの表面部分が形成されて
いることから、損傷した電極膜１０３により凸パターン
１０４ｂの表面が荒れるという不具合を生じてしまう。
そして、このようなスタンパ１０４ａを使用して形成さ
れた基板には前記凹パターン１０２ｂが正確に複写され
ず、データ読取り時のノイズが大きくなり、Ｓ／Ｎ比
（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）が低
く、品質の低下した光ディスクが製造されてしまうとい
う問題があった。

【０００７】この発明は、このような従来技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、電極膜の耐腐食性を向上させ、その損傷を
抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすること
により、Ｓ／Ｎ比の向上が図られて品質を高度に維持し
た光ディスクを製造することができる光ディスクの製造
方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の光ディスクの製造方法の発明
は、原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レ
ジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成
するパターニング処理を施す工程と、前記パターニング
処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる
電極膜を形成する工程と、前記電極膜を電極として使用
する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、
その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してス
タンパを形成する工程と、前記スタンパを成形用の金型
として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程
と、前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光デ
ィスクを製造する工程とを備え、前記電極膜の金属材料
は、銅（Ｃｕ）元素を主成分とするとともに、この銅
（Ｃｕ）元素に少なくとも１種の他の元素を添加したも
のであることを特徴とするものである。

【０００９】請求項２に記載の光ディスクの製造方法の
発明は、請求項１に記載の発明において、前記他の元素
は、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）の少なくともいずれ
か１種であることを特徴とするものである。

【００１０】請求項３に記載の光ディスクの製造方法の
発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、
前記金属材料は、銀（Ａｇ）元素を含有するとともに、
その銀（Ａｇ）元素の含有率を１０重量パーセント以下
に設定したことを特徴とするものである。

【００１１】請求項４に記載の光ディスクの製造方法の
発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明
において、前記金属材料は、チタン（Ｔｉ）元素を含有
するとともに、そのチタン（Ｔｉ）元素の含有率を５.
０重量パーセント以下に設定したことを特徴とするもの
である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を、図
面に基づいて詳細に説明する。図２（ｂ）に示すよう
に、光ディスクを構成する基板２１は、合成樹脂である
透明なポリカーボネートにより円板状に形成され、その
上面には複数の微細な溝部よりなる凹パターン２１ａを
有している。基板２１の上部には、この凹パターン２１
ａの各溝部を被覆するようにアルミニウム製の薄膜より
なる反射膜２２が積層されている。さらに、反射膜２２
の上部には、紫外線硬化樹脂よりなる保護層２３が凹パ
ターン２１ａの各溝部を埋めつつ、さらに基板２１をそ
の全面に渡って被覆するように積層されており、この保
護層２３により凹パターン２１ａ及び反射膜２２の損傷
が防止されている。

【００１３】図２（ａ）に示すように、前記基板２１
は、後述する製造方法により成形された金属製のスタン
パ１５を使用して形成される。このスタンパ１５は、ニ
ッケル（Ｎｉ）製の金属層１４と、金属層１４の下面に
積層された金属材料よりなる電極膜１３とにより形成さ
れている。スタンパ１５の下面には基板２１の凹パター
ン２１ａとは逆転した形状をなし、複数の突部よりなる
凸パターン１６を有している。そして、前記基板２１を
射出成形する工程は、スタンパ１５を成形型として用
い、凸パターン１６を有する下面側にポリカーボネート
材料を射出して、ポリカーボネート材料が硬化した後、
スタンパ１５から離型させることにより行われる。ま
た、光ディスクを製造する工程は、射出成形された基板
２１にスパッタリング法、蒸着法等の方法により反射膜
２２を形成した後、反射膜２２上に保護層２３が形成さ
れる。

【００１４】次に、上記スタンパ１５を成形するための
製造方法について説明する。さて、スタンパ１５を成形
するための製造方法として、まず、図１（ａ）に示すよ
うに、原板１１上にレジスト膜１２を形成する工程につ
いて説明する。この工程は、その表面が研磨、洗浄され
て平滑面とされたガラス板又はシリコンウェハからなる
原板１１上にスピンコート法等により液状のレジスト材
料を均一な厚さとなるように塗布し、その後、プリベー
クすることにより行われる。すると、レジスト材料が加
熱乾燥されてレジスト膜１２が形成される。このレジス
ト材料には、例えば塩素、硫黄、フッ素等のような電子
吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基（これ以降、
電子吸引基として記載する）等が添加されているため、
形成されるレジスト膜１２は、その電子吸収感度が向上
されている。

【００１５】次いで、レジスト膜１２に対し、パターニ
ング処理を施す工程について説明する。この工程では、
まず、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜１２に対
し、その上面側から電子ビームが照射され、レジスト膜
１２が露光されることにより、レジスト膜１２の表面に
潜像１２ａが形成されて、データ信号の記録が行われ
る。この後、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜１２
が現像され、ポストベークされることにより潜像１２ａ
部分が除去されて、レジスト膜１２の上面に複数の溝部
よりなる凹パターン１２ｂが形成されることにより、レ
ジスト膜１２に対してパターニング処理が施される。

【００１６】続いて、図１（ｄ）に示すように、電極膜
１３を形成する工程について説明する。この工程は、ス
パッタリング法、蒸着法、無電界メッキ法等の方法によ
り、レジスト膜１２の上面に金属材料よりなる電極膜１
３が均一な膜厚となるように形成されることにより行わ
れる。この状態で電極膜１３には凹パターン１２ｂの形
状が正確に転写されている。

【００１７】最後に、スタンパ１５を形成する工程につ
いて説明する。この工程では、まず、図１（ｅ）に示す
ように、前記電極膜１３を電極として使用し、電鋳法を
施すことにより、電極膜１３の上面にＮｉ元素が堆積さ
れ、金属層１４が積層される。そして、金属層１４を電
極膜１３とともに、原板１１及びレジスト膜１２の表面
から剥離させることにより、図１（ｆ）に示すように、
金属層１４及び電極膜１３が一体となったスタンパ１５
が形成される。このスタンパ１５の下面には、凹パター
ン１２ｂの形状が正確に転写された電極膜１３により、
前記凹パターン１２ｂとは逆転した形状をなす複数の突
部より構成された凸パターン１６が形成されている。そ
して、このスタンパ１５を利用することにより、上述し
たように光ディスクの基板２１が射出形成される。

【００１８】なお、スタンパ１５を形成した以降の工程
として、上記の工程で得られるスタンパ１５をマスタス
タンパとし、凸パターン１６が形成された面上に電鋳法
を施すことにより、凹パターンを有するサブマスタスタ
ンパの形成を行ってもよい。この後、サブマスタスタン
パを利用してマスタスタンパと同一形状の複数のベビー
スタンパを形成し、これらベビースタンパを使用して光
ディスクの基板２１を射出形成してもよい。

【００１９】上記電極膜１３に使用する金属材料には、
導電率が高く、レジスト材料中の電子吸引性の元素又は
電子吸引基に対して化学反応を起こしにくいことから、
銅（Ｃｕ）を主成分とし、これに少なくとも１種の他の
元素を添加したものが使用される。なお、この明細書中
で主成分とは、金属材料のなかで含有量の最も多いもの
を指すものとする。前記他の元素には、電極膜１３の耐
腐食性を向上させるために、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔ
ｉ）の少なくともいずれか１種を選択することが好まし
い。また、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）以外に、他の
元素としてパラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａ
ｕ）の少なくともいずれか１種を選択することも可能で
ある。

【００２０】この実施形態の金属材料には、Ｃｕを主成
分とし、前に挙げた金属元素のうち、Ａｇ及びＴｉが添
加されたものが使用されている。このように材料にＡｇ
及びＴｉを添加した場合、電極膜１３の導電性を維持し
つつ、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又はそ
れらを電子吸引基として有する物質に対する耐腐食性の
向上を図ることができる。

【００２１】Ａｇを添加する場合、材料中におけるＡｇ
の含有率は、１０.０重量パーセント以下とすることが
好ましく、より好ましくは５.０重量パーセント以下で
ある。Ａｇを１０.０重量パーセントより多く含有する
と、その組成によってはＣｕ及びＴｉのそれぞれと固溶
体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質
が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかっ
たりするおそれがある。また、材料中におけるＴｉの含
有率は、５.０重量パーセント以下とすることが好まし
く、より好ましくは２.０重量パーセント以下であり、
さらに好ましくは１.０重量パーセント以下である。Ｔ
ｉを５.０重量パーセントより多く含有すると、その組
成によってはＣｕ及びＡｇと固溶体を形成しづらくなっ
たり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、
所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがあ
る。

【００２２】前記の実施形態によって発揮される効果に
ついて、以下に記載する。 ・ 電極膜１３には、Ｃｕ、Ａｇ及びＴｉからなる金属
材料が用いられている。Ｃｕ、Ａｇ及びＴｉからなる金
属材料は、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又
は電子吸引基に対する耐腐食性が高いことから、電鋳法
によりＮｉ製の金属層１４を形成する際の電極膜１３の
変質等といった損傷を防止することができる。この電極
膜１３により凸パターン１６の表面が形成されたスタン
パ１５は、レジスト膜１２の凹パターン１２ｂが正確に
転写されたままの状態で、その表面を平滑面として維持
することができる。従って、このようなスタンパ１５を
使用して形成された光ディスクの基板２１は、レジスト
膜１２の凹パターン１２ｂが正確に複写された凹パター
ン２１ａを有するとともに、凹パターン２１ａを構成す
る各溝部の内面が平滑面となる。そして、光ディスクに
記録されたデータを読み取るための光学ピックアップか
ら照射されるレーザの乱反射が抑制されることから、Ｓ
／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉ
ｏ）が向上し、光ディスクの品質を高度に維持すること
ができる。

【００２３】・ さらに、金属材料中におけるＡｇの含
有率を１０.０重量パーセント以下に、Ｔｉの含有率を
５.０重量パーセント以下に設定することにより、電極
膜１３の耐腐食性のさらなる向上を図ることができる。

【００２４】

【実施例】以下、実施例を挙げ、前記実施形態をさらに
具体的に説明する。なお、この発明はそれらの実施例に
限定されるものではない。 （実施例１）石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用し
てＣｕ及びＡｇの２種からなる電極膜１３を形成した。
すなわち、Ｃｕ及びＡｇの２種のスパッタリングターゲ
ットを用意してＲＦスパッタ装置に装着し、各金属を同
時に基板上に堆積させてスパッタリングを行い、電極膜
１３を形成した。このとき、各金属の含有率は、各金属
原子の放出量を制御することにより調整し、この金属原
子の放出量の制御は、各スパッタリングターゲットへの
ＲＦ投入電力により行った。なお、スパッタリングター
ゲットのサイズは、直径７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、
厚み５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから
基板までの距離を約９０ｃｍとした。また、成膜条件
は、到達真空度を３×１０^-5Ｐａ、成膜時のガス圧を
０.７〜１.０Ｐａとした。また、ＲＦ投入電力は１００
〜５００Ｗとした。 （実施例２）Ｃｕ及びＴｉの２種のスパッタリングター
ゲットを用意し、実施例１と同様に各金属原子の放出量
を制御しながらスパッタリングを行い、電極膜１３を形
成した。 （実施例３）Ｃｕ、Ａｇ及びＴｉの３種のスパッタリン
グターゲットを用意し、実施例１と同様に各金属原子の
放出量を制御しながらスパッタリングを行い、電極膜１
３を形成した。 （比較例１）石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用し
てＣｕのみからなる電極膜１３を形成した。すなわち、
Ｃｕのスパッタリングターゲットを用意し、ＲＦスパッ
タ装置に装着し、スパッタリングを行って電極膜１３を
形成した。スパッタリングターゲットのサイズは、直径
７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、厚み５ｍｍであり、この
スパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０
ｃｍとした。成膜条件は、到達真空度を３×１０^-5Ｐ
ａ、成膜時のガス圧を０.７〜１.０Ｐａとした。また、
ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗとした。 （耐腐食性の評価）実施例１〜３及び比較例１で得られ
た電極膜１３を石英基板とともに、その濃度が５体積パ
ーセント（これ以降、ｖｏｌ％と記載する）の塩化ナト
リウム水溶液中に常温で浸し、所定時間放置した後、経
時変化の有無を評価した。測定結果を表１に示した。な
お、金属材料中における各金属元素の組成、つまり含有
率は、重量パーセント（これ以降、ｗｔ％と記載する）
で示した。経時変化の有無の評価は測定者の目視により
行い、測定時に電極膜１３の表面が全く変質しなかった
ものを○、表面が若干変質したものを△、表面が変質し
たものを×として評価した。また、塩化ナトリウム水溶
液を使用した理由は、任意で選択したレジスト材に塩素
およびナトリウム含有による腐食作用が懸念されたため
である。

【００２５】

【表１】 表１の結果より、実施例１及び実施例２においては、３
０分（これ以降、ｍｉｎと記載する）の浸漬で電極膜１
３の表面の一部が若干白く濁るように変質した。比較例
１においては、３０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面全
体が白く濁るように変質した。実施例３においては、３
０ｍｉｎの浸漬では表面が変質せず、６０ｍｉｎの浸漬
で電極膜１３の表面が白く濁るように変質した。

【００２６】実施例２と実施例３とを比較すると、Ｔｉ
の含有率が同じく５ｗｔ％であるにも係わらず、Ａｇの
有無により、実施例２よりも実施例３の耐腐食性が高い
ことが示された。このため、Ｃｕを主成分とする金属材
料にＡｇ及びＴｉの２種類を添加することにより、耐腐
食性が向上するとともに、Ｔｉの含有率は５．０ｗｔ％
以下に設定することが好ましいことが示された。

【００２７】実施例３において、Ａｇ及びＴｉの含有率
がそれぞれ１０ｗｔ％及び５ｗｔ％では、６０ｍｉｎの
浸漬で表面が変質するというように若干の不具合が生ず
ることが示された。そこで、以下に示す実施例では、電
極膜１３を作製するための最適な条件を求めた。 （実施例４〜１０）実施例１と同様に各金属原子の放出
量を制御しながらスパッタリングを行い、Ｔｉの含有率
を実施例４〜６では０．１ｗｔ％、実施例７〜１０では
０．５ｗｔ％とし、これに対してＡｇの含有率を変えな
がら実施例４〜１０の電極膜１３を形成した。そして、
各実施例で得られた電極膜１３を上記の耐腐食性の評価
と同様に評価した。測定結果を表２に示した。

【００２８】

【表２】 表２の結果より、実施例４〜８においては、３０ｍｉｎ
の浸漬で電極膜１３の表面が白く濁るように変質した。
実施例９及び実施例１０は、６０ｍｉｎの浸漬で電極膜
１３の表面が白く濁るように変質した。Ａｇの含有率が
１０ｗｔ％より高く設定された実施例５〜実施例８にお
いては、３０ｍｉｎの浸漬で表面が変質したことから、
Ａｇの含有率は１０ｗｔ％以下に設定することが好まし
いことが示された。

【００２９】一方、実施例４及び実施例９を比較する
と、Ａｇの含有率が同じく１０ｗｔ％であるにも係わら
ず、実施例４よりも実施例９の耐腐食性が高いことが示
された。このため、Ｃｕの含有率が９０ｗｔ％程度の場
合、Ａｇの含有率をＴｉの含有率と比較して２０倍前後
となるように設定することが好ましいことが示された。

【００３０】この結果を基にして、以下に示す実施例で
は、電極膜１３を作製するためのさらに最適な条件を求
めた。 （実施例１１〜１７）実施例１と同様に各金属原子の放
出量を制御しながらスパッタリングを行い、Ａｇの含有
率が１０ｗｔ％以下となるようにＡｇ及びＴｉの含有率
をそれぞれ変えながら実施例１１〜１７の電極膜１３を
形成した。そして、各実施例で得られた電極膜１３を上
記の耐腐食性の評価と同じく、濃度が５ｖｏｌ％の塩化
ナトリウム水溶液中に常温で浸し、電極膜１３の表面が
変質するまで放置し、変質するまでの時間を耐塩水時間
として測定してこれを評価した。なお、耐塩水時間の評
価においては、前に挙げた各実施例のうち、概ね良好な
耐腐食性を有することが示された実施例３、実施例９及
び実施例１０についても併せて評価した。測定結果を表
３に示した。

【００３１】

【表３】 表３の結果より、実施例３及び実施例９においては、４
０ｍｉｎの浸漬で電極膜１３の表面が変質することが示
された。実施例１０及び実施例１１においては、５０ｍ
ｉｎの浸漬で電極膜１３の表面が変質し、実施例３及び
実施例９よりも良好な耐腐食性を有することが示され
た。実施例１２〜１７においては、全ての実施例で耐塩
水時間が９０ｍｉｎ以上となり、さらに良好な耐腐食性
を有することが示された。なかでも、実施例１３、実施
例１４及び実施例１６においては、耐塩水時間が１８０
ｍｉｎであり、最も良好な耐腐食性を有することが示さ
れた。

【００３２】上記の結果のうち、実施例９及び実施例１
０を比較すると、Ｔｉの含有率が同じく０．５ｗｔ％で
あるにも係わらず、実施例９よりも実施例１０の耐腐食
性が高いことが示された。このため、Ａｇの含有率は、
５.０ｗｔ％以下に設定することがより好ましいことが
示された。また、Ａｇの含有率が５.０ｗｔ％以下であ
る実施例１１〜１３をそれぞれ比較すると、３つの実施
例の全てで耐塩水時間が５０ｍｉｎ以上であることか
ら、Ｔｉの含有率は、２.０ｗｔ％以下に設定すること
がより好ましいと考えられる。

【００３３】一方、実施例１０及び実施例１３を比較す
ると、両実施例ともにＴｉの含有率が０.５ｗｔ％であ
るにも係わらず、実施例１０よりも実施例１３の耐腐食
性が非常に高いことが示された。実施例１０ではＡｇの
含有率がＴｉの含有率と比較して１０倍、実施例１３で
は２倍に設定されている。このため、Ａｇの含有率をＴ
ｉの含有率と比較して２倍前後となるように設定するこ
とがより好ましいことが示された。

【００３４】Ａｇの含有率がＴｉの含有率の２倍前後が
好ましいという結果より、実施例１１〜１３を比較する
と、各実施例でそれぞれＡｇの含有率がＴｉの含有率と
比較して２倍であるにも係わらず、実施例１２及び実施
例１３は耐塩水時間が１００ｍｉｎを越えている。これ
より、Ｔｉの含有率は、１.０ｗｔ％以下に設定するこ
とがさらに好ましいと考えられる。この考察を基にＴｉ
の含有率が１.０ｗｔ％以下である実施例１４〜１６を
検討すると、実施例１４〜１６の全てが耐塩水時間が１
００ｍｉｎを越え、良好な耐腐食性を示すことから、Ｔ
ｉの含有率は、１.０ｗｔ％以下に設定することがさら
に好ましいことが示された。

【００３５】加えて、実施例１７において、Ａｇの含有
率がＴｉの含有率と比較して２倍であるにも係わらず、
耐塩水時間が９０ｍｉｎであるという結果が得られ、実
施例１２〜１６と比較して耐腐食性が低くなることが示
された。この結果と、実施例１３、実施例１４及び実施
例１６の結果とを併せると、主成分であるＣｕの含有率
を９７〜９９．５ｗｔ％に設定するとともに、Ａｇの含
有率がＴｉの含有率と比較して１．５〜４．５倍の範囲
内となるようにそれぞれの含有率を設定することでさら
に良好な耐食性を付与することができることが示され
た。

【００３６】なお、本実施形態は、次のように変更して
具体化することも可能である。 ・ 上記実施形態の光ディスクは、基板２１、反射膜２
２及び保護層２３をそれぞれ１層ずつ有するものであっ
たが、これに限定されず、例えば基板２１、反射膜２２
及び保護層２３をそれぞれ２層づつ有する光ディスクと
してもよい。

【００３７】さらに、実施形態又は実施例より把握でき
る技術的思想について記載する。 ・ 前記金属材料は、銀（Ａｇ）元素及びチタン（Ｔ
ｉ）元素を含有するとともに、銀（Ａｇ）元素の含有率
を５．０重量パーセント以下に、チタン（Ｔｉ）元素の
含有率を２.０重量パーセント以下に設定したことを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の光ディスクの製
造方法。このように構成した場合、スタンパを形成する
電極膜により良好な耐腐食性を付与することができる。

【００３８】・ 前記金属材料は、銀（Ａｇ）元素及び
チタン（Ｔｉ）元素を含有するとともに、銀（Ａｇ）元
素の含有率を５．０重量パーセント以下に、チタン（Ｔ
ｉ）元素の含有率を１.０重量パーセント以下に設定し
たことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光デ
ィスクの製造方法。このように構成した場合、スタンパ
を形成する電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与するこ
とができる。

【００３９】・ 前記金属材料は、銅（Ｃｕ）元素、銀
（Ａｇ）元素及びチタン（Ｔｉ）元素を含有し、合金材
料中における銅（Ｃｕ）元素の含有率を９７〜９９．５
重量パーセントにするとともに、銀（Ａｇ）元素の含有
率がチタン（Ｔｉ）元素の含有率と比較して１．５〜
４．５倍となるように設定したことを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の光ディスクの製造方法。このよ
うに構成した場合、スタンパを形成する電極膜にさらに
良好な耐腐食性を付与することができる。

【００４０】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、次のような効果を奏する。請求項１に記載の発明に
よれば、電極膜の耐腐食性を向上させ、形成されるスタ
ンパを高品質なものとすることにより、Ｓ／Ｎ比の向上
が図られて品質を高度に維持した光ディスクを製造する
ことができる。

【００４１】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加えて、電極膜に良好な耐腐食性
を付与することができる。請求項３に記載の発明によれ
ば、請求項１又は請求項２に記載の発明の効果に加え
て、電極膜により良好な耐腐食性を付与することができ
る。

【００４２】請求項４に記載の発明のによれば、請求項
１から請求項３のいずれかに記載の発明の効果に加え
て、電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）は実施形態の光ディスクの製造方法に
おいて、基材板上にレジスト膜を形成する工程を示す断
面図、（ｂ）はレジスト膜に潜像を形成する工程を示す
断面図、（ｃ）は潜像を現像する工程を示す断面図、
（ｄ）はレジスト膜上に電極膜を形成する工程を示す断
面図、（ｅ）は電鋳法により電極膜上に基材層を形成す
る工程を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。

【図２】 （ａ）はスタンパを使用して基板を形成する
工程を示す断面図、（ｂ）は光ディスクを示す断面図。

【図３】 （ａ）は従来の光ディスクの製造方法におい
て、基材板上にレジスト膜を形成する工程を示す断面
図、（ｂ）はレジスト膜に潜像を形成する工程を示す断
面図、（ｃ）は潜像を現像する工程を示す断面図、
（ｄ）はレジスト膜上に電極膜を形成する工程を示す断
面図、（ｅ）は電鋳法により電極膜上に基材層を形成す
る工程を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。

【符号の説明】

１１…原板、１２…レジスト膜、１３…電極膜、１４…
金属層、１５…スタンパ、２１…基板、２２…反射膜、
２３…保護層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 哲哉 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア 株式会社総合研究所内 (72)発明者 小田 伸浩 東京都豊島区南大塚２丁目37番５号 株式 会社フルヤ金属内 (72)発明者 上野 崇 東京都豊島区南大塚２丁目37番５号 株式 会社フルヤ金属内 Ｆターム(参考） 4F202 AA28 AH79 CA11 CB01 CD12 4K029 AA08 BA21 BC01 BD00 CA05 DC03 5D121 AA02 BB01 CB05 CB06 CB07 DD05

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 原板の表面にレジスト膜を形成する工程
   と、 前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターン
   を形成するパターニング処理を施す工程と、 前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に
   金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、 前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜
   の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜ととも
   にレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、 前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製
   の基板を射出成形する工程と、 前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディス
   クを製造する工程とを備え、 前記電極膜の金属材料は、銅（Ｃｕ）元素を主成分とす
   るとともに、この銅（Ｃｕ）元素に少なくとも１種の他
   の元素を添加したものであることを特徴とする光ディス
   クの製造方法。
2. 【請求項２】 前記他の元素は、銀（Ａｇ）及びチタン
   （Ｔｉ）の少なくともいずれか１種であることを特徴と
   する請求項１に記載の光ディスクの製造方法。
3. 【請求項３】 前記金属材料は、銀（Ａｇ）元素を含有
   するとともに、その銀（Ａｇ）元素の含有率を１０重量
   パーセント以下に設定したことを特徴とする請求項１又
   は請求項２に記載の光ディスクの製造方法。
4. 【請求項４】 前記金属材料は、チタン（Ｔｉ）元素を
   含有するとともに、そのチタン（Ｔｉ）元素の含有率を
   ５.０重量パーセント以下に設定したことを特徴とする
   請求項１から請求項３のいずれかに記載の光ディスクの
   製造方法。