JP4050859B2 - スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4050859B2 JP4050859B2 JP2000139385A JP2000139385A JP4050859B2 JP 4050859 B2 JP4050859 B2 JP 4050859B2 JP 2000139385 A JP2000139385 A JP 2000139385A JP 2000139385 A JP2000139385 A JP 2000139385A JP 4050859 B2 JP4050859 B2 JP 4050859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- electrode
- forming
- stamper
- electroforming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2537—Optical discs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S425/00—Plastic article or earthenware shaping or treating: apparatus
- Y10S425/81—Sound record
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜、およびこのような電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクは、スタンパと呼ばれる光ディスク原盤を用いて量産される。図８は従来のスタンパの製造方法を示す図である。まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上にスピンコート等によりフォトレジスト膜１０２を形成した後、図８（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１０２をレーザビームにより露光して潜像１０２ａを形成する。次いで、フォトレジスト膜１０２を現像して、図８（ｃ）に示すような溝部１０２ｂを有するパターンを形成する。次に、図８（ｄ）に示すように、スパッタリング法、蒸着法等を用いてフォトレジスト膜１０２およびガラス基板１０１の表面にニッケル薄膜１０３を形成する。その後、図８（ｅ）に示すように、ニッケル薄膜１０３を電極として用いてニッケル薄膜１０３表面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層１０４を形成する。そして、図８（ｆ）に示すように、ニッケル層１０４をガラス基板１０１から剥離した後、図８（ｆ）においてニッケル層１０４の上面を研磨するなどして、スタンパ１０４Ａが得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
光ディスクに対しては、更なる高記録密度化が要求されている。今後予想される直径１２ｃｍのディスクに対して数十ＧＢ以上の記録容量を確保するような高記録密度化の要求に応えるためには、上記のようにレーザビームを用いたレーザビームカッティングでは対応できず、レーザビームカッティングに代わる方法として電子ビームを用いる電子ビームカッティングが注目されている。電子ビームカッティングによれば、従来のレーザビームカッティングに比べて、高精細なパターンを形成することが可能となる。
【０００４】
しかし、電子ビームカッティングを行うためには、レジスト材料の電子吸収感度を向上させる必要があり、レジスト材料中に塩素、イオウ、あるいはフッ素等の電子吸引基等が導入される。ところが、ニッケル電鋳を施す際に、レジスト材料中の電子吸引基とニッケル薄膜とが反応してニッケル薄膜が損傷を受け、スタンパの品質が劣化するという問題があることが判明した。
【０００５】
本発明は、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応によってスタンパの品質を劣化させることがなく、良好なＳ／Ｎ比を得ることができるスタンパの製造方法及び当該製造方法により製造されたスタンパを用いた光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＲｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項２に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＣｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項３に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＰ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項４に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＭｇ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１０】
上記の課題を解決するために、請求項５に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＣｒ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１１】
上記の課題を解決するために、請求項６に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＡｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１２】
上記の課題を解決するために、請求項７に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＳｉ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１３】
上記の課題を解決するために、請求項８に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント以下のＴｉ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１４】
上記の課題を解決するために、請求項９に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント以下のＡｇ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図７を参照して、本発明の光ディスクの製造方法の実施形態について説明する。図１は光ディスク製造用スタンパを製造する工程を示す断面図、図２はこの工程の詳細を示す図である。
【００２７】
まず、図１（ａ）および図２に示すように、ガラス基板１を研磨、洗浄した後、ガラス基板１上にスピンコート等により電子ビーム用の電子線レジスト膜２を形成する。次に、電子線レジスト膜２をプリベークし、図１（ｂ）に示すように、電子線レジスト膜２を電子ビームにより露光して潜像２ａを形成する（図２における「信号記録」）。次いで、電子線レジスト膜２を現像して、図１（ｃ）に示すような溝部２ｂを形成した後、電子線レジスト膜２のポストベークを行う。
【００２８】
次に、図１（ｄ）に示すように、スパッタリング法、蒸着法あるいは無電解メッキにより、電子線レジスト膜２およびガラス基板１の表面にニッケル合金薄膜３を形成する。ニッケル合金薄膜の材料については後述する。
【００２９】
その後、図１（ｅ）に示すように、ニッケル合金薄膜３を電極として用いてニッケル合金薄膜３表面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層４を形成する。そして、図１（ｆ）に示すように、ニッケル層４をガラス基板１から剥離した後、図１（ｆ）においてニッケル層４の上面を研磨するなどして、マスタースタンパ４Ａが得られる。なお、ニッケル層４に代えて、ニッケル合金層を電鋳により形成し、剥離したニッケル合金層をスタンパとして使用してもよい。
【００３０】
図２に示すように、マスタースタンパ４Ａに対して、再度、電鋳によりニッケルを付着させることにより形状が反転したサブマスタスタンパが得られる。サブマスタスタンプに対して、さらに電鋳によりニッケルを付着させることによりマスタースタンパと同一形状のベビースタンパが得られる。さらにベビースタンパの形状を転写して新たなスタンパを作成してもよい。
【００３１】
図３は、マスタースタンパ４Ａやベビースタンパを用いて光ディスクを製造する工程を示している。図３に示すように、スタンパを型として用いて射出形成を行った後、反射膜、保護膜などを形成し、光ディスクが製造される。なお、図３の工程は通常の製造工程と同一であるため、詳細説明は省略する。
【００３２】
ニッケル合金薄膜３の材料としては、Ｎｉ元素を主成分とし、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇのうち少なくとも１種類以上の元素を５０重量パーセント未満の範囲、さらに好ましくは、２５重量パーセント未満の範囲で添加したニッケル合金を用いる。本実施形態では、上記元素が添加されたＮｉ合金を用いてニッケル合金薄膜３を形成することにより、電鋳によりニッケル層４を形成する際におけるニッケル合金薄膜３の損傷を防止することができる。
【００３３】
ニッケル合金薄膜３の材料に、Ｐ、Ｍｇ、Ｓｉのうち少なくとも１種類以上の元素が添加されており、これらの元素が２５重量パーセント未満の添加量である場合には、少なくとも４００〜５００℃程度まで加熱しないときにはこれらの元素は主成分であるＮｉと反応しない。このため、Ｐ、Ｍｇ、あるいはＳｉは薄膜の状態ではＮｉ粒子の界面に析出し、不活性雰囲気下以外の環境下では酸素と結合して酸化する。この場合、Ｎｉを主成分とする合金薄膜の状態では、添加されたＰ、Ｍｇ、あるいはＳｉの酸化膜はＮｉ粒界のみならず、薄膜表面にも析出される。このため、薄膜表面に析出された表面酸化膜が不導体となり、外部からの活性な金属あるいは非金属と、Ｎｉとの反応に対してのバリア材となって、Ｎｉ合金としての耐候性を向上させていることが確認された。しかし、添加元素であるＰ、Ｍｇ、あるいはＳｉは、酸素と結合し易いと同時に、その他の活性な非金属元素とも結合し易いため、添加量が過剰な場合には、逆に耐候性を低下させてしまう。したがって、Ｐ、Ｍｇ、あるいはＳｉ各々の添加量としては、Ｐについては２０重量パーセント未満が適当と考えられ、一方Ｍｇ及びＳｉについては２５重量パーセント未満の添加量が適当と考えられる。
【００３４】
同様に、Ｎｉを主成分としてＴｉを添加する場合には、やはり高温雰囲気下において加熱しつつ反応させて化合物を形成する場合を除き、ＴｉはＮｉ粒子の粒界に析出される。このようなＴｉを添加したＮｉ合金では不導体は形成されないが、Ｔｉが塩素に対して安定であるため、Ｎｉ粒子への活性元素の侵出あるいは化学反応を抑制する作用があるため、Ｎｉ粒子に対する化学反応が防止されるものと考えられる。
【００３５】
また、ＮｉにＣｕあるいはＡｕを添加した合金では、安定して完全に固溶されることが確認されている。この場合、ＣｕあるいはＡｕのいずれの添加元素においても耐塩素性に富んでおり、固溶化することでＮｉと原子的に結合されて主成分であるＮｉの結晶構造に歪みを形成する。このＮｉ固溶合金では、添加元素に依存して塩素との結合性が緩和されるため、塩素に対して、例えばあらゆる状況下でも安定という状態にはならないものの、塩素に対しての化学反応性を鈍化させる。実験によれば、このような固溶体では塩化が確認されなかった。
【００３６】
さらに、ＮｉにＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒを添加する場合には、特定の添加量では固溶し、少なくとも１０重量パーセント未満の添加時には固溶して、ＣｕあるいはＡｕを添加した場合の固溶体と同様の状態となることが確認された。Ｒｕ、Ａｇ、あるいはＣｒのそれぞれが１０重量パーセントを超過して添加され、固溶限界を超えると、添加量全体が固溶されずに固溶粒子の粒界にＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒが析出される。しかし、この場合においても純Ｎｉと比較して耐塩化性が向上することが確認された。
【００３７】
また、ＮｉにＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒのうち少なくとも１種類の元素を添加した合金薄膜は、耐塩化性を向上させるだけでなく、薄膜の平坦化をも向上させる。薄膜の平坦化は、この合金薄膜を用いて形成されたスタンパを使用して製造された光ディスクの再生時の信号特性により確認できた。添加されたＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒが固溶される場合には、主成分であるＮｉの結晶格子に歪みを与えて薄膜の粒子を微細化することが確認されている。さらに固溶限界を超えた組成で構成されたＮｉ合金では、固溶されたＮｉ固溶合金粒子の粒成長を抑制する可能性があるとともに、粒界に存在する添加元素の固溶されない添加成分が応力緩和を助長する効果があるものと考えられる。
【００３８】
なお、本実施形態に述べた組成のニッケル合金は、純Ｎｉと同様、展延性や加工性に富みながら、耐塩化性、耐臭化性を有するものであり、塩素や臭素と反応し易いという純Ｎｉの性質上、従来制限されていた用途および応用技術への適用を可能とするものである。
【００３９】
−実施例−
ＮｉおよびＲｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇの各添加金属のスパッタリングターゲットを用意し、これらのＮｉおよび所定の元素のスパッタリングターゲットをＲＦマグネトロンスパッタリング装置に装着して石英基板上に薄膜を形成した。スパッタリングターゲットは直径３ｉｎｃｈ（７．６２ｃｍ）、厚み５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｍｍとした。Ｎｉおよび所定の元素のスパッタリングターゲットへのＲＦ投入電力によって各金属原子の放出量を制御しながら、２つの金属を同時に基板上に堆積させた。成膜条件としては、到達真空度が３×１０-5Ｐａ、成膜時のガス圧は０．７〜１Ｐａである。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗの間で合金の組成に応じて変化させた。このようにして、Ｎｉ−Ｒｕ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、およびＮｉ−Ａｇ合金の薄膜を基板上に形成した。各合金におけるＲｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、ＴｉおよびＡｇの各添加金属の添加量として１、５、１０、２０および２５重量パーセントの５種類のものが作成された。また、リファレンスとして、同一の装置により純Ｎｉ薄膜を基板上に形成した（図４および図５参照）。
【００４０】
上記方法によって薄膜の堆積された石英基板を塩化ナトリウム水溶液中に浸して所定時間放置したときの経時変化の有無等を図４および図５に示す。塩化ナトリウム水溶液に含有される塩化ナトリウムは５体積パーセントであり、水溶液は加熱することなく常温で約９６時間石英基板を浸漬した。経時変化は約９６時間放置後の薄膜の状態を目視で観察するとともに、薄膜の反射率等の光学特性を分光光度計により検査することで薄膜の表面状態の変異を確認した。
【００４１】
その結果、純Ｎｉでは、塩化ナトリウム水溶液に浸漬したところ、塩化反応によって端部が黒色化した。また、高温耐湿加速試験の結果、端部が黒色化するとともに、薄膜の剥離が観察された。
【００４２】
これに対して、Ｎｉ−Ｒｕ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、およびＮｉ−Ａｇ合金では、全体として塩化反応が抑制されるとともに、高温耐湿加速試験による変化も抑制された。但し、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｍｇ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ａu、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓｉでは、塩化ナトリウム水溶液に浸漬した結果、端部における若干の黒色化が確認された。他の合金薄膜については変化が認められなかった。また、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓｉでは、高温耐湿加速試験の結果、端部における若干の黒色化が確認された。
【００４３】
図６は光ディスクのミラー部再生信号によるディスクノイズ測定方法を示す図、図７はその測定結果を示す図である。図６に示すように、ガラス基板１１上にレジスト層１２を設け、さらにその上に電極材料としての純ＮｉおよびＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕからなる薄膜１３をそれぞれ形成することで、被測定原盤を作成している。図７に示すように、薄膜１３を反射層として用い、被測定原盤を線速度３ｍ／ｓで回転させながらガラス基板１１の側からレンズ１４を介して光ビームを照射し、レジスト層１２と薄膜１３との界面からの反射光を受光した。この反射光のうち、ノイズ成分となる１ＭＨｚ成分のレベルを測定した結果を図７に示している。図７に示すように、薄膜１３の材料として純Ｎｉを用いた場合のディスクノイズは−７４．３ｄＢ、薄膜１３の材料としてＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕを用いた場合のディスクノイズは−７９．７ｄＢである。したがって、Ｎｉ−５ｗｔ％Ｒｕを用いた場合は純Ｎｉを用いる場合と比較してＳ／Ｎ比が５ｄＢ以上向上していることが判る。このことは、Ｎｉ−５ｗｔ％Ｒｕの薄膜の平坦性が純Ｎｉの薄膜よりも優れており、光ディスク原盤の製造に用いる材料として、優れた適性を有していることを示している。
【００４４】
なお、本願明細書において、「電極から剥離した金属層をスタンパとして用いて樹脂を射出成形する」ことは、図２に示すように電極から剥離した金属層（マスタースタンパ）から新たなスタンパ（ベビースタンパ等）を製造し、この新たなスタンパを用いて樹脂を射出成形する場合を含む概念である。
【００４５】
以上説明したように、本願によれば、電極３の材料中のＮｉと、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が効果的に防止され、また、平坦性に優れる電極３を形成することができるため、良好なＳ／Ｎ比を有する光ディスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する工程を示す図であり、（ａ）はレジストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像を形成した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を示す断面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
【図２】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する工程の詳細を示す図。
【図３】光ディスク製造用スタンパを用いて光ディスクを製造する工程を示す図。
【図４】純Ｎｉ薄膜およびＮｉ合金薄膜の塩化ナトリウム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
【図５】Ｎｉ合金薄膜の塩化ナトリウム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
【図６】光ディスクのミラー部再生信号によるディスクノイズ測定方法を示す図。
【図７】ディスクノイズの測定結果を示す図。
【図８】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する従来の工程を示す図であり、（ａ）はレジストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像を形成した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を示す断面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
【符号の説明】
１ 基板
２ レジスト膜
３ ニッケル合金薄膜（電極）
４ ニッケル層（金属層）
４Ａ スタンパ
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜、およびこのような電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクは、スタンパと呼ばれる光ディスク原盤を用いて量産される。図８は従来のスタンパの製造方法を示す図である。まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上にスピンコート等によりフォトレジスト膜１０２を形成した後、図８（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１０２をレーザビームにより露光して潜像１０２ａを形成する。次いで、フォトレジスト膜１０２を現像して、図８（ｃ）に示すような溝部１０２ｂを有するパターンを形成する。次に、図８（ｄ）に示すように、スパッタリング法、蒸着法等を用いてフォトレジスト膜１０２およびガラス基板１０１の表面にニッケル薄膜１０３を形成する。その後、図８（ｅ）に示すように、ニッケル薄膜１０３を電極として用いてニッケル薄膜１０３表面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層１０４を形成する。そして、図８（ｆ）に示すように、ニッケル層１０４をガラス基板１０１から剥離した後、図８（ｆ）においてニッケル層１０４の上面を研磨するなどして、スタンパ１０４Ａが得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
光ディスクに対しては、更なる高記録密度化が要求されている。今後予想される直径１２ｃｍのディスクに対して数十ＧＢ以上の記録容量を確保するような高記録密度化の要求に応えるためには、上記のようにレーザビームを用いたレーザビームカッティングでは対応できず、レーザビームカッティングに代わる方法として電子ビームを用いる電子ビームカッティングが注目されている。電子ビームカッティングによれば、従来のレーザビームカッティングに比べて、高精細なパターンを形成することが可能となる。
【０００４】
しかし、電子ビームカッティングを行うためには、レジスト材料の電子吸収感度を向上させる必要があり、レジスト材料中に塩素、イオウ、あるいはフッ素等の電子吸引基等が導入される。ところが、ニッケル電鋳を施す際に、レジスト材料中の電子吸引基とニッケル薄膜とが反応してニッケル薄膜が損傷を受け、スタンパの品質が劣化するという問題があることが判明した。
【０００５】
本発明は、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応によってスタンパの品質を劣化させることがなく、良好なＳ／Ｎ比を得ることができるスタンパの製造方法及び当該製造方法により製造されたスタンパを用いた光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＲｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項２に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＣｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項３に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＰ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項４に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＭｇ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１０】
上記の課題を解決するために、請求項５に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＣｒ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１１】
上記の課題を解決するために、請求項６に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＡｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１２】
上記の課題を解決するために、請求項７に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＳｉ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１３】
上記の課題を解決するために、請求項８に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント以下のＴｉ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００１４】
上記の課題を解決するために、請求項９に記載の発明は、電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント以下のＡｇ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、を含む。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図７を参照して、本発明の光ディスクの製造方法の実施形態について説明する。図１は光ディスク製造用スタンパを製造する工程を示す断面図、図２はこの工程の詳細を示す図である。
【００２７】
まず、図１（ａ）および図２に示すように、ガラス基板１を研磨、洗浄した後、ガラス基板１上にスピンコート等により電子ビーム用の電子線レジスト膜２を形成する。次に、電子線レジスト膜２をプリベークし、図１（ｂ）に示すように、電子線レジスト膜２を電子ビームにより露光して潜像２ａを形成する（図２における「信号記録」）。次いで、電子線レジスト膜２を現像して、図１（ｃ）に示すような溝部２ｂを形成した後、電子線レジスト膜２のポストベークを行う。
【００２８】
次に、図１（ｄ）に示すように、スパッタリング法、蒸着法あるいは無電解メッキにより、電子線レジスト膜２およびガラス基板１の表面にニッケル合金薄膜３を形成する。ニッケル合金薄膜の材料については後述する。
【００２９】
その後、図１（ｅ）に示すように、ニッケル合金薄膜３を電極として用いてニッケル合金薄膜３表面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層４を形成する。そして、図１（ｆ）に示すように、ニッケル層４をガラス基板１から剥離した後、図１（ｆ）においてニッケル層４の上面を研磨するなどして、マスタースタンパ４Ａが得られる。なお、ニッケル層４に代えて、ニッケル合金層を電鋳により形成し、剥離したニッケル合金層をスタンパとして使用してもよい。
【００３０】
図２に示すように、マスタースタンパ４Ａに対して、再度、電鋳によりニッケルを付着させることにより形状が反転したサブマスタスタンパが得られる。サブマスタスタンプに対して、さらに電鋳によりニッケルを付着させることによりマスタースタンパと同一形状のベビースタンパが得られる。さらにベビースタンパの形状を転写して新たなスタンパを作成してもよい。
【００３１】
図３は、マスタースタンパ４Ａやベビースタンパを用いて光ディスクを製造する工程を示している。図３に示すように、スタンパを型として用いて射出形成を行った後、反射膜、保護膜などを形成し、光ディスクが製造される。なお、図３の工程は通常の製造工程と同一であるため、詳細説明は省略する。
【００３２】
ニッケル合金薄膜３の材料としては、Ｎｉ元素を主成分とし、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇのうち少なくとも１種類以上の元素を５０重量パーセント未満の範囲、さらに好ましくは、２５重量パーセント未満の範囲で添加したニッケル合金を用いる。本実施形態では、上記元素が添加されたＮｉ合金を用いてニッケル合金薄膜３を形成することにより、電鋳によりニッケル層４を形成する際におけるニッケル合金薄膜３の損傷を防止することができる。
【００３３】
ニッケル合金薄膜３の材料に、Ｐ、Ｍｇ、Ｓｉのうち少なくとも１種類以上の元素が添加されており、これらの元素が２５重量パーセント未満の添加量である場合には、少なくとも４００〜５００℃程度まで加熱しないときにはこれらの元素は主成分であるＮｉと反応しない。このため、Ｐ、Ｍｇ、あるいはＳｉは薄膜の状態ではＮｉ粒子の界面に析出し、不活性雰囲気下以外の環境下では酸素と結合して酸化する。この場合、Ｎｉを主成分とする合金薄膜の状態では、添加されたＰ、Ｍｇ、あるいはＳｉの酸化膜はＮｉ粒界のみならず、薄膜表面にも析出される。このため、薄膜表面に析出された表面酸化膜が不導体となり、外部からの活性な金属あるいは非金属と、Ｎｉとの反応に対してのバリア材となって、Ｎｉ合金としての耐候性を向上させていることが確認された。しかし、添加元素であるＰ、Ｍｇ、あるいはＳｉは、酸素と結合し易いと同時に、その他の活性な非金属元素とも結合し易いため、添加量が過剰な場合には、逆に耐候性を低下させてしまう。したがって、Ｐ、Ｍｇ、あるいはＳｉ各々の添加量としては、Ｐについては２０重量パーセント未満が適当と考えられ、一方Ｍｇ及びＳｉについては２５重量パーセント未満の添加量が適当と考えられる。
【００３４】
同様に、Ｎｉを主成分としてＴｉを添加する場合には、やはり高温雰囲気下において加熱しつつ反応させて化合物を形成する場合を除き、ＴｉはＮｉ粒子の粒界に析出される。このようなＴｉを添加したＮｉ合金では不導体は形成されないが、Ｔｉが塩素に対して安定であるため、Ｎｉ粒子への活性元素の侵出あるいは化学反応を抑制する作用があるため、Ｎｉ粒子に対する化学反応が防止されるものと考えられる。
【００３５】
また、ＮｉにＣｕあるいはＡｕを添加した合金では、安定して完全に固溶されることが確認されている。この場合、ＣｕあるいはＡｕのいずれの添加元素においても耐塩素性に富んでおり、固溶化することでＮｉと原子的に結合されて主成分であるＮｉの結晶構造に歪みを形成する。このＮｉ固溶合金では、添加元素に依存して塩素との結合性が緩和されるため、塩素に対して、例えばあらゆる状況下でも安定という状態にはならないものの、塩素に対しての化学反応性を鈍化させる。実験によれば、このような固溶体では塩化が確認されなかった。
【００３６】
さらに、ＮｉにＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒを添加する場合には、特定の添加量では固溶し、少なくとも１０重量パーセント未満の添加時には固溶して、ＣｕあるいはＡｕを添加した場合の固溶体と同様の状態となることが確認された。Ｒｕ、Ａｇ、あるいはＣｒのそれぞれが１０重量パーセントを超過して添加され、固溶限界を超えると、添加量全体が固溶されずに固溶粒子の粒界にＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒが析出される。しかし、この場合においても純Ｎｉと比較して耐塩化性が向上することが確認された。
【００３７】
また、ＮｉにＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒのうち少なくとも１種類の元素を添加した合金薄膜は、耐塩化性を向上させるだけでなく、薄膜の平坦化をも向上させる。薄膜の平坦化は、この合金薄膜を用いて形成されたスタンパを使用して製造された光ディスクの再生時の信号特性により確認できた。添加されたＲｕ、Ａｇ、あるいはＣｒが固溶される場合には、主成分であるＮｉの結晶格子に歪みを与えて薄膜の粒子を微細化することが確認されている。さらに固溶限界を超えた組成で構成されたＮｉ合金では、固溶されたＮｉ固溶合金粒子の粒成長を抑制する可能性があるとともに、粒界に存在する添加元素の固溶されない添加成分が応力緩和を助長する効果があるものと考えられる。
【００３８】
なお、本実施形態に述べた組成のニッケル合金は、純Ｎｉと同様、展延性や加工性に富みながら、耐塩化性、耐臭化性を有するものであり、塩素や臭素と反応し易いという純Ｎｉの性質上、従来制限されていた用途および応用技術への適用を可能とするものである。
【００３９】
−実施例−
ＮｉおよびＲｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇの各添加金属のスパッタリングターゲットを用意し、これらのＮｉおよび所定の元素のスパッタリングターゲットをＲＦマグネトロンスパッタリング装置に装着して石英基板上に薄膜を形成した。スパッタリングターゲットは直径３ｉｎｃｈ（７．６２ｃｍ）、厚み５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｍｍとした。Ｎｉおよび所定の元素のスパッタリングターゲットへのＲＦ投入電力によって各金属原子の放出量を制御しながら、２つの金属を同時に基板上に堆積させた。成膜条件としては、到達真空度が３×１０-5Ｐａ、成膜時のガス圧は０．７〜１Ｐａである。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗの間で合金の組成に応じて変化させた。このようにして、Ｎｉ−Ｒｕ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、およびＮｉ−Ａｇ合金の薄膜を基板上に形成した。各合金におけるＲｕ、Ｃｕ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、ＴｉおよびＡｇの各添加金属の添加量として１、５、１０、２０および２５重量パーセントの５種類のものが作成された。また、リファレンスとして、同一の装置により純Ｎｉ薄膜を基板上に形成した（図４および図５参照）。
【００４０】
上記方法によって薄膜の堆積された石英基板を塩化ナトリウム水溶液中に浸して所定時間放置したときの経時変化の有無等を図４および図５に示す。塩化ナトリウム水溶液に含有される塩化ナトリウムは５体積パーセントであり、水溶液は加熱することなく常温で約９６時間石英基板を浸漬した。経時変化は約９６時間放置後の薄膜の状態を目視で観察するとともに、薄膜の反射率等の光学特性を分光光度計により検査することで薄膜の表面状態の変異を確認した。
【００４１】
その結果、純Ｎｉでは、塩化ナトリウム水溶液に浸漬したところ、塩化反応によって端部が黒色化した。また、高温耐湿加速試験の結果、端部が黒色化するとともに、薄膜の剥離が観察された。
【００４２】
これに対して、Ｎｉ−Ｒｕ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｍｇ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、およびＮｉ−Ａｇ合金では、全体として塩化反応が抑制されるとともに、高温耐湿加速試験による変化も抑制された。但し、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｍｇ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ａu、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓｉでは、塩化ナトリウム水溶液に浸漬した結果、端部における若干の黒色化が確認された。他の合金薄膜については変化が認められなかった。また、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｒｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｕ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｐ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｃｒ、Ｎｉ−２５ｗｔ％Ｓｉでは、高温耐湿加速試験の結果、端部における若干の黒色化が確認された。
【００４３】
図６は光ディスクのミラー部再生信号によるディスクノイズ測定方法を示す図、図７はその測定結果を示す図である。図６に示すように、ガラス基板１１上にレジスト層１２を設け、さらにその上に電極材料としての純ＮｉおよびＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕからなる薄膜１３をそれぞれ形成することで、被測定原盤を作成している。図７に示すように、薄膜１３を反射層として用い、被測定原盤を線速度３ｍ／ｓで回転させながらガラス基板１１の側からレンズ１４を介して光ビームを照射し、レジスト層１２と薄膜１３との界面からの反射光を受光した。この反射光のうち、ノイズ成分となる１ＭＨｚ成分のレベルを測定した結果を図７に示している。図７に示すように、薄膜１３の材料として純Ｎｉを用いた場合のディスクノイズは−７４．３ｄＢ、薄膜１３の材料としてＮｉ−５ｗｔ％Ｒｕを用いた場合のディスクノイズは−７９．７ｄＢである。したがって、Ｎｉ−５ｗｔ％Ｒｕを用いた場合は純Ｎｉを用いる場合と比較してＳ／Ｎ比が５ｄＢ以上向上していることが判る。このことは、Ｎｉ−５ｗｔ％Ｒｕの薄膜の平坦性が純Ｎｉの薄膜よりも優れており、光ディスク原盤の製造に用いる材料として、優れた適性を有していることを示している。
【００４４】
なお、本願明細書において、「電極から剥離した金属層をスタンパとして用いて樹脂を射出成形する」ことは、図２に示すように電極から剥離した金属層（マスタースタンパ）から新たなスタンパ（ベビースタンパ等）を製造し、この新たなスタンパを用いて樹脂を射出成形する場合を含む概念である。
【００４５】
以上説明したように、本願によれば、電極３の材料中のＮｉと、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が効果的に防止され、また、平坦性に優れる電極３を形成することができるため、良好なＳ／Ｎ比を有する光ディスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する工程を示す図であり、（ａ）はレジストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像を形成した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を示す断面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
【図２】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する工程の詳細を示す図。
【図３】光ディスク製造用スタンパを用いて光ディスクを製造する工程を示す図。
【図４】純Ｎｉ薄膜およびＮｉ合金薄膜の塩化ナトリウム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
【図５】Ｎｉ合金薄膜の塩化ナトリウム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
【図６】光ディスクのミラー部再生信号によるディスクノイズ測定方法を示す図。
【図７】ディスクノイズの測定結果を示す図。
【図８】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する従来の工程を示す図であり、（ａ）はレジストを塗布した状態を示す断面図、（ｂ）は潜像を形成した状態を示す断面図、（ｃ）は現像後の状態を示す断面図、（ｄ）はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す断面図、（ｅ）はニッケル層を形成した状態を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
【符号の説明】
１ 基板
２ レジスト膜
３ ニッケル合金薄膜（電極）
４ ニッケル層（金属層）
４Ａ スタンパ
Claims (12)
- 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＲｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＣｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２０重量パーセント未満のＰ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＭｇ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＣｒ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＡｕ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント未満のＳｉ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント以下のＴｉ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 電子吸引基が含まれるレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記形成されたレジスト膜を電子ビームカッティング法を用いてパターニングするパターニング工程と、
Ｎｉ元素を主成分とすると共に、２５重量パーセント以下のＡｇ元素が添加された電極を、前記パターニングされたレジスト膜上に形成する電極形成工程と、
前記形成された電極上に、スタンパとしての電鋳材料を電鋳する電鋳工程と、
を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 前記電鋳材料はニッケルであることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法。
- 前記電鋳材料はニッケル合金であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法。
- 請求項１から１１のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法と、
前記製造されたスタンパにおけるパターニング側に対して樹脂を射出成型する射出成型工程と、
を備えることを特徴とする光ディスクの製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139385A JP4050859B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 |
| EP06125573A EP1764797A3 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Production method for optical disc |
| TW090111252A TW509938B (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Production method for optical disc |
| EP01111579A EP1154421A3 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Production method for optical disc |
| KR1020010025864A KR100597554B1 (ko) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | 광디스크의 제조 방법 |
| CNB011169184A CN1174403C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-12 | 光盘的生产方法 |
| US09/853,676 US6695987B2 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-14 | Production method for optical disc |
| HK02106089.7A HK1044618B (zh) | 2000-05-12 | 2002-08-20 | 光盤的生產方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139385A JP4050859B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001319381A JP2001319381A (ja) | 2001-11-16 |
| JP2001319381A5 JP2001319381A5 (ja) | 2006-07-27 |
| JP4050859B2 true JP4050859B2 (ja) | 2008-02-20 |
Family
ID=18646840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000139385A Expired - Fee Related JP4050859B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6695987B2 (ja) |
| EP (2) | EP1154421A3 (ja) |
| JP (1) | JP4050859B2 (ja) |
| KR (1) | KR100597554B1 (ja) |
| CN (1) | CN1174403C (ja) |
| HK (1) | HK1044618B (ja) |
| TW (1) | TW509938B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7066234B2 (en) | 2001-04-25 | 2006-06-27 | Alcove Surfaces Gmbh | Stamping tool, casting mold and methods for structuring a surface of a work piece |
| JP3656591B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2005-06-08 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体製造用スタンパの製造方法および光学記録媒体の製造方法 |
| TW590999B (en) * | 2002-08-28 | 2004-06-11 | Alliance Fiber Optic Prod Inc | Mold for producing array optical fiber substrate with V-shaped grooves and method for producing the same |
| EP1617428A4 (en) * | 2003-04-18 | 2008-08-20 | Pioneer Corp | PUNCHING AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US20050221112A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Daewoong Suh | Microtools for package substrate patterning |
| JP2009277335A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-26 | Fujifilm Corp | スタンパの製造方法およびスタンパを用いた光情報記録媒体の製造方法 |
| US8758589B2 (en) * | 2008-06-06 | 2014-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Antireflection film, optical element comprising antireflection film, stamper, process for producing stamper, and process for producing antireflection film |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835742A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体円盤の製作に用いられるスタンパの製作法 |
| JPS58150148A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-09-06 | Toshiba Corp | スタンパ−の製造方法 |
| JPS59193560A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Daicel Chem Ind Ltd | 回転記録体用スタンパ−及びその製造法 |
| JPS59222593A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-14 | Toshiba Corp | 成形用金型の製造方法 |
| JPS61214247A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Maxell Ltd | 記録媒体用スタンパの製造方法 |
| JP2646533B2 (ja) * | 1986-10-22 | 1997-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光メモリー用スタンパの製造方法 |
| JPS63112841A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-17 | Seiko Epson Corp | 光デイスク用スタンパの製造方法 |
| JPS63253551A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Seiko Epson Corp | 光デイスクマスタリングプロセスにおける導体化膜 |
| JPS63266058A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Seiko Epson Corp | 光デイスク用スタンパの製造方法 |
| JPH01251448A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 光ディスク成形金型 |
| JPH02292028A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-03 | Hitachi Maxell Ltd | 光デイスク用スタンパ |
| CA2056307C (en) * | 1990-11-28 | 1997-09-16 | Hitoshi Isono | Method of manufacturing a stamper |
| US5756130A (en) * | 1993-05-20 | 1998-05-26 | Hitaci Maxell, Ltd. | Stamper for producing recording medium |
| EP0648850B1 (en) * | 1993-09-20 | 1997-08-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Nickel-based alloy |
| DE19612329A1 (de) * | 1996-03-28 | 1997-10-02 | Leybold Ag | Verfahren zur Herstellung einer zum Einsetzen in eine Spritzgießform bestimmten Masterabformung |
| US5851251A (en) * | 1996-05-17 | 1998-12-22 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Manufacturing methods of optical disc and blank master |
| JPH10312584A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Toshiba Emi Ltd | ディスク用金属原盤の製造方法 |
| JPH11333884A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-12-07 | Nikon Corp | スタンパ―の製造方法 |
| US6207247B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-03-27 | Nikon Corporation | Method for manufacturing a molding tool used for sustrate molding |
| JPH11328748A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-30 | Tdk Corp | ディスク原盤 |
| JP3686573B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2005-08-24 | パイオニア株式会社 | スタンパ形成用電極材料およびスタンパ形成用薄膜 |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000139385A patent/JP4050859B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-11 TW TW090111252A patent/TW509938B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-11 EP EP01111579A patent/EP1154421A3/en not_active Withdrawn
- 2001-05-11 KR KR1020010025864A patent/KR100597554B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-11 EP EP06125573A patent/EP1764797A3/en not_active Withdrawn
- 2001-05-12 CN CNB011169184A patent/CN1174403C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-14 US US09/853,676 patent/US6695987B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-20 HK HK02106089.7A patent/HK1044618B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1154421A3 (en) | 2006-06-07 |
| US20010050444A1 (en) | 2001-12-13 |
| EP1764797A2 (en) | 2007-03-21 |
| CN1174403C (zh) | 2004-11-03 |
| TW509938B (en) | 2002-11-11 |
| HK1044618A1 (en) | 2002-10-25 |
| US6695987B2 (en) | 2004-02-24 |
| EP1764797A3 (en) | 2008-11-19 |
| HK1044618B (zh) | 2005-07-15 |
| KR20010104288A (ko) | 2001-11-24 |
| JP2001319381A (ja) | 2001-11-16 |
| CN1338739A (zh) | 2002-03-06 |
| KR100597554B1 (ko) | 2006-07-06 |
| EP1154421A2 (en) | 2001-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3686573B2 (ja) | スタンパ形成用電極材料およびスタンパ形成用薄膜 | |
| JP2000109943A (ja) | 薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体 | |
| JP4050859B2 (ja) | スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 | |
| JP2008135090A (ja) | レジスト、これを用いた光ディスク用スタンパの製造方法、及び光ディスク用スタンパ | |
| JP4638015B2 (ja) | 薄膜形成用スパッタリングターゲット材、それを用いて形成されて成る薄膜及び光学記録媒体 | |
| JP2735569B2 (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JPH0373438A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH05290408A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP4431287B2 (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| JP4755680B2 (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP4431286B2 (ja) | スタンパ形成用電極材料及びスタンパ形成用薄膜 | |
| FR2630570A1 (fr) | Matrice pour la fabrication de disques optiques | |
| JP2002230848A (ja) | スタンパ形成用電極材料及びスタンパ形成用薄膜 | |
| JP3173177B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2002230849A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| TW201021040A (en) | Data storage media containing carbon and metal layers | |
| JPH02148429A (ja) | 光ディスク | |
| JPS62119746A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2003067983A (ja) | スタンパーおよびその製造方法 | |
| JP2003027158A (ja) | 光記録ディスク反射膜形成用金合金 | |
| JP2005314761A (ja) | 光ディスク用スタンパーの基板作製方法及び電鋳物 | |
| JPH0729210A (ja) | 光ディスク | |
| JPH0725208B2 (ja) | 情報記録用媒体 | |
| JPH06267117A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JPS62148291A (ja) | 光学式情報記録担体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060608 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060608 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070313 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070508 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070705 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071113 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071130 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |