JPH0562266A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0562266A JPH0562266A JP25477691A JP25477691A JPH0562266A JP H0562266 A JPH0562266 A JP H0562266A JP 25477691 A JP25477691 A JP 25477691A JP 25477691 A JP25477691 A JP 25477691A JP H0562266 A JPH0562266 A JP H0562266A
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- Japan
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- magneto
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- optical recording
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は基板の乾燥を行なわないで、高特
性の光磁気記録媒体を製造する方法の提供を目的とする
ものである。 【構成】 本発明による光磁気記録媒体の製造方法
は、プラスチック基板を用いた光磁気記録媒体の製造方
法において、基板の両側にSiN 膜を成膜した後、記録膜
を形成することを特徴とするものである。
性の光磁気記録媒体を製造する方法の提供を目的とする
ものである。 【構成】 本発明による光磁気記録媒体の製造方法
は、プラスチック基板を用いた光磁気記録媒体の製造方
法において、基板の両側にSiN 膜を成膜した後、記録膜
を形成することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法、特には基板の乾燥を行なうことなく、高特性の光磁
気記録媒体を製造する方法に関するものである。
法、特には基板の乾燥を行なうことなく、高特性の光磁
気記録媒体を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は通常プラスチックなど
からなる基材の上に第１の誘電体層、記録膜、第２誘電
体層、反射膜を順次形成することによって作られてお
り、この記録膜としては希土類と遷移金属の非晶質合金
が用いられているが、このものは化学的に活性であり、
酸化され易いものである。また、基板材料としてはポリ
カ−ボネ−ト樹脂（ＰＣ）などのプラスチックが用いら
れているが、これらの材料は通常の環境下で保管すると
吸湿性であることから大気中の湿気を吸収する。
からなる基材の上に第１の誘電体層、記録膜、第２誘電
体層、反射膜を順次形成することによって作られてお
り、この記録膜としては希土類と遷移金属の非晶質合金
が用いられているが、このものは化学的に活性であり、
酸化され易いものである。また、基板材料としてはポリ
カ−ボネ−ト樹脂（ＰＣ）などのプラスチックが用いら
れているが、これらの材料は通常の環境下で保管すると
吸湿性であることから大気中の湿気を吸収する。
【０００３】したがって、この基板に成膜する際にこれ
を真空にさらすと、これに含まれている水分が成膜室内
に放出され、この基板から放出された水分によって、記
録膜が酸化され、これによって反射率が変化するという
問題がある。
を真空にさらすと、これに含まれている水分が成膜室内
に放出され、この基板から放出された水分によって、記
録膜が酸化され、これによって反射率が変化するという
問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このため、良好な光磁
気記録媒体を製造するには、成膜を行なう前に、基板を
真空中に１〜２時間程度放置したり、80℃程度に加熱し
て基板に含まれている水分を予じめ放出させる工程（脱
ガス工程）が必要とされるのであるが、基板に含まれて
いる水分を十分に放出させるためには長時間の脱ガスが
必要で、光磁気記録媒体を製造する時間が長くなるし、
これには成膜装置とは別に専用の脱ガス室が必要になる
という不利がある。
気記録媒体を製造するには、成膜を行なう前に、基板を
真空中に１〜２時間程度放置したり、80℃程度に加熱し
て基板に含まれている水分を予じめ放出させる工程（脱
ガス工程）が必要とされるのであるが、基板に含まれて
いる水分を十分に放出させるためには長時間の脱ガスが
必要で、光磁気記録媒体を製造する時間が長くなるし、
これには成膜装置とは別に専用の脱ガス室が必要になる
という不利がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決した光磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
り、これはプラスチック基板を用いた光磁気記録媒体の
製造方法において、基板の両側にSiN 膜を成膜したの
ち、記録膜を形成することを特徴とするものである。
を解決した光磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
り、これはプラスチック基板を用いた光磁気記録媒体の
製造方法において、基板の両側にSiN 膜を成膜したの
ち、記録膜を形成することを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らは基板からの水分の
放出を防止して光磁気記録媒体を有利に製造する方法に
ついて種々検討した結果、これについてはプラスチック
基板のトラッキンググル−ブ面に第１のSiN 層、記録
膜、第２のSiN 層、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体
において、プラスチック基板の両側にSiN 層を形成する
と、トラッキンググル−ブ面と反対の側に成膜されたSi
N 層によって基板からの水分の放出が防止されることを
見出し、これによれば基板からの水分の放出がなくなる
ので成膜する前に基板について脱ガスを行なう必要はな
いし、記録膜の酸化も抑制されるので目的とする磁気記
録媒体を効率よく、しかも高特性のものとして得ること
ができることを確認して本発明を完成させた。以下にこ
れをさらに詳述する。
放出を防止して光磁気記録媒体を有利に製造する方法に
ついて種々検討した結果、これについてはプラスチック
基板のトラッキンググル−ブ面に第１のSiN 層、記録
膜、第２のSiN 層、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体
において、プラスチック基板の両側にSiN 層を形成する
と、トラッキンググル−ブ面と反対の側に成膜されたSi
N 層によって基板からの水分の放出が防止されることを
見出し、これによれば基板からの水分の放出がなくなる
ので成膜する前に基板について脱ガスを行なう必要はな
いし、記録膜の酸化も抑制されるので目的とする磁気記
録媒体を効率よく、しかも高特性のものとして得ること
ができることを確認して本発明を完成させた。以下にこ
れをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関するも
のであり、これはプラスチック基板からの水分の放出を
防止するためにプラスチック基板の両側にSiN 膜を成膜
したのち、記録膜を形成することを特徴とするものであ
る。
のであり、これはプラスチック基板からの水分の放出を
防止するためにプラスチック基板の両側にSiN 膜を成膜
したのち、記録膜を形成することを特徴とするものであ
る。
【０００８】光磁気記録媒体は図１に示したように、基
板のトラッキンググル−ブ面に第１のSiN 層、希土類と
遷移金属の非晶質合金からなる記録膜２、第２のSiN 層
３、Al合金などからなる反射膜４を順次積層することに
よって作られているが、本発明の光磁気記録媒体ではこ
の基板がポリカ−ボネ−ト樹脂などのプラスチック製の
ものとされており、この両面に図１に示したようにSiN
層１，５が形成されている。
板のトラッキンググル−ブ面に第１のSiN 層、希土類と
遷移金属の非晶質合金からなる記録膜２、第２のSiN 層
３、Al合金などからなる反射膜４を順次積層することに
よって作られているが、本発明の光磁気記録媒体ではこ
の基板がポリカ−ボネ−ト樹脂などのプラスチック製の
ものとされており、この両面に図１に示したようにSiN
層１，５が形成されている。
【０００９】ここに成膜されたプラスチック基板のトラ
ッキンググル−ブ側のSiN 層１は前記した第１のSiN 層
として用いられるものであるので、この膜厚は公知のも
のと同じものとすればよいが、このトラッキンググル−
ブと反対の側に形成されるSiN 層５は基板からの水分の
放出を防止する目的のものであり、この膜厚が厚すぎる
と基板表面での光の反射を大きくして再生および記録時
に必要なレ−ザ−の出力が大きくなって光磁気記録媒体
の記録感度を下げるおそれがあり、この膜厚を厚くする
と成膜時間が長くなって光磁気記録媒体の製造時間（タ
クトタイム）も長くなるし、この膜厚が薄すぎると基板
からの水分の放出を防止する効果が不十分となるので、
この膜厚は５nm以上、50nm以下とすることがよい。
ッキンググル−ブ側のSiN 層１は前記した第１のSiN 層
として用いられるものであるので、この膜厚は公知のも
のと同じものとすればよいが、このトラッキンググル−
ブと反対の側に形成されるSiN 層５は基板からの水分の
放出を防止する目的のものであり、この膜厚が厚すぎる
と基板表面での光の反射を大きくして再生および記録時
に必要なレ−ザ−の出力が大きくなって光磁気記録媒体
の記録感度を下げるおそれがあり、この膜厚を厚くする
と成膜時間が長くなって光磁気記録媒体の製造時間（タ
クトタイム）も長くなるし、この膜厚が薄すぎると基板
からの水分の放出を防止する効果が不十分となるので、
この膜厚は５nm以上、50nm以下とすることがよい。
【００１０】なお、このSiN 層の成膜は従来公知のスパ
ッタリング法などで行えばよく、これはこのプラスチッ
ク基板の両側に別々に成膜してもよいが、両面に同時に
成膜できるような成膜装置と基板保持機構を用いて行え
ば、両面のSiN 層を同時に成膜できるので、その製造時
間を短縮することができる。
ッタリング法などで行えばよく、これはこのプラスチッ
ク基板の両側に別々に成膜してもよいが、両面に同時に
成膜できるような成膜装置と基板保持機構を用いて行え
ば、両面のSiN 層を同時に成膜できるので、その製造時
間を短縮することができる。
【００１１】本発明による光磁気記録媒体の製造は、こ
のようにして基板両面にSiN 層を成膜したのち、そのト
ラッキンググル−ブ面側に成膜した第１のSiN 層１の上
に、通常公知の方法で記録膜２、第２のSiN 層３、反射
膜４を形成させることによって行えばよいが、この場合
にはプラスチック基板のトラッキンググル−ブ面と反対
の面にもSiN 層５が成膜されており、これにより基板か
らの水分の放出が防止されるので、記録膜を形成すると
きの記録膜の酸化が抑制され、したがって反射率が変化
することがなくなるので、特性のよい光磁気記録媒体が
得られるという有利性が与えられる。
のようにして基板両面にSiN 層を成膜したのち、そのト
ラッキンググル−ブ面側に成膜した第１のSiN 層１の上
に、通常公知の方法で記録膜２、第２のSiN 層３、反射
膜４を形成させることによって行えばよいが、この場合
にはプラスチック基板のトラッキンググル−ブ面と反対
の面にもSiN 層５が成膜されており、これにより基板か
らの水分の放出が防止されるので、記録膜を形成すると
きの記録膜の酸化が抑制され、したがって反射率が変化
することがなくなるので、特性のよい光磁気記録媒体が
得られるという有利性が与えられる。
【００１２】なお、本発明では前記したようにプラスチ
ック基板の両面にSiN 層が成膜されるのであるが、この
成膜前のプラスチック基板は通常の環境下に保管されて
いても大気中の湿分を吸収して水分を含有しているの
で、このプラスチックは通常使用前に十分脱ガスをする
必要があるのであるが、これはSiN 層の成膜によって水
分の放出が防止されているので、このものは事前に脱ガ
スする必要がなく、この脱ガス工程を省略することがで
き、したがって光磁気記録媒体の製造時間を短縮するこ
とができ、さらには脱ガス室も不要になるという有利性
が与えられる。
ック基板の両面にSiN 層が成膜されるのであるが、この
成膜前のプラスチック基板は通常の環境下に保管されて
いても大気中の湿分を吸収して水分を含有しているの
で、このプラスチックは通常使用前に十分脱ガスをする
必要があるのであるが、これはSiN 層の成膜によって水
分の放出が防止されているので、このものは事前に脱ガ
スする必要がなく、この脱ガス工程を省略することがで
き、したがって光磁気記録媒体の製造時間を短縮するこ
とができ、さらには脱ガス室も不要になるという有利性
が与えられる。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例、比較例１〜２ 直径86mm、 厚さ1.2mm のトラッキンググル−ブ付のポリ
カ−ボネ−ト樹脂基板の両面に、脱ガスを行なわないで
膜が30nmのSiN 層をスパッタリング法で成膜し、ついで
成膜室の真空を破らずにTbFeCoからなる膜厚16nmの記録
層、膜厚28nmの第２のSiN 層、膜厚40nmのAlからなる反
射層を順次成膜して光磁気記録媒体を作った。
カ−ボネ−ト樹脂基板の両面に、脱ガスを行なわないで
膜が30nmのSiN 層をスパッタリング法で成膜し、ついで
成膜室の真空を破らずにTbFeCoからなる膜厚16nmの記録
層、膜厚28nmの第２のSiN 層、膜厚40nmのAlからなる反
射層を順次成膜して光磁気記録媒体を作った。
【００１４】また、比較のために基板の脱ガスを行なわ
ず、この基板のトラッキンググル−ブ面側にSiN 層を成
膜し、この上に記録層、SiN 層、反射層を成膜して光磁
気記録媒体を作り（比較例１）、さらにこの基板を１×
10-6ト−ル以下の真空中で100分間放置して基板に含ま
れている水分を十分脱ガスしたのち、実施例と同じ方法
で基板の両側にSiN 膜を成膜し、さらにトラッキンググ
ル−ブ面側に記録層、SiN 層、反射層を成膜して光磁気
記録媒体を作った（比較例２）。
ず、この基板のトラッキンググル−ブ面側にSiN 層を成
膜し、この上に記録層、SiN 層、反射層を成膜して光磁
気記録媒体を作り（比較例１）、さらにこの基板を１×
10-6ト−ル以下の真空中で100分間放置して基板に含ま
れている水分を十分脱ガスしたのち、実施例と同じ方法
で基板の両側にSiN 膜を成膜し、さらにトラッキンググ
ル−ブ面側に記録層、SiN 層、反射層を成膜して光磁気
記録媒体を作った（比較例２）。
【００１５】ついで、この実施例、比較例１，２につい
てそれぞれ３枚づつの媒体を作製し、その反射率を測定
したところ、表１に示したとおりの結果が得られたこと
から、実施例により基板の両側にSiN 層を成膜したもの
はSiN 層を片側にしか成膜しなかった比較例１のものに
くらべて反射率が大きく、記録層の酸化が防止されてい
ること、また事前に十分に脱ガスした比較例２のものと
くらべても反射率に殆んど差のないことが確認された。
てそれぞれ３枚づつの媒体を作製し、その反射率を測定
したところ、表１に示したとおりの結果が得られたこと
から、実施例により基板の両側にSiN 層を成膜したもの
はSiN 層を片側にしか成膜しなかった比較例１のものに
くらべて反射率が大きく、記録層の酸化が防止されてい
ること、また事前に十分に脱ガスした比較例２のものと
くらべても反射率に殆んど差のないことが確認された。
【００１６】また、基板としてのポリカ−ボネ−ト基板
の屈折率は1.584であるが、ここに使用する光の波長を7
80nm とし、基板上のSiN 層（屈折率を2.0 とした）の
膜厚を変化させたときの光の透過率を計算したところ、
縦軸を光の透過率、横軸をSiN 層の膜厚値とすると図１
に示したとおりの結果が得られ、膜厚が50nm以上では透
過率が大きく低下することが判ったが、光の透過率が低
下すれば記録層に届くレ−ザ−光の量が減少するので媒
体の感度が低下すると考えられる。
の屈折率は1.584であるが、ここに使用する光の波長を7
80nm とし、基板上のSiN 層（屈折率を2.0 とした）の
膜厚を変化させたときの光の透過率を計算したところ、
縦軸を光の透過率、横軸をSiN 層の膜厚値とすると図１
に示したとおりの結果が得られ、膜厚が50nm以上では透
過率が大きく低下することが判ったが、光の透過率が低
下すれば記録層に届くレ−ザ−光の量が減少するので媒
体の感度が低下すると考えられる。
【００１７】なお、これにより記録層を成膜する前に基
板の両側にSiN 層を成膜すれば基板からの水分の放出に
より記録層の酸化が抑制されること、またこれによれば
脱ガス工程を省略できることが確認されたが、SiN 層の
厚さは水分の放出を防止するためには厚い方がよいが、5
0nm 以上では光の透過率が小さくなるので最大で50nmと
すべきであることも確認された。
板の両側にSiN 層を成膜すれば基板からの水分の放出に
より記録層の酸化が抑制されること、またこれによれば
脱ガス工程を省略できることが確認されたが、SiN 層の
厚さは水分の放出を防止するためには厚い方がよいが、5
0nm 以上では光の透過率が小さくなるので最大で50nmと
すべきであることも確認された。
【００１８】
【発明の効果】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関
するものであり、これは前記したようにプラスチック基
板を用いた光磁気記録媒体の製造方法にいて、基板の両
側にSiN 膜を成膜したのち、記録膜を形成することを特
徴とするものであるが、これによればプラスチック基板
の両側にSiN 層が成膜されており、トラッキンググル−
ブ面と反対の面に成膜されたSiN 層によって基板からの
水分の放出が防止されるので、トラッキンググル−ブ面
に成膜したSiN 層の上に成膜される記録膜が放出水分に
よって酸化されることがなくなり、したがって特性のす
ぐれた光磁気記録媒体が得られるし、この場合には事前
にプラスチック基板を脱ガスする必要がないので媒体の
製造時間を短縮することができ、さらには脱ガス室も不
要になるという有利性が与えられる。
するものであり、これは前記したようにプラスチック基
板を用いた光磁気記録媒体の製造方法にいて、基板の両
側にSiN 膜を成膜したのち、記録膜を形成することを特
徴とするものであるが、これによればプラスチック基板
の両側にSiN 層が成膜されており、トラッキンググル−
ブ面と反対の面に成膜されたSiN 層によって基板からの
水分の放出が防止されるので、トラッキンググル−ブ面
に成膜したSiN 層の上に成膜される記録膜が放出水分に
よって酸化されることがなくなり、したがって特性のす
ぐれた光磁気記録媒体が得られるし、この場合には事前
にプラスチック基板を脱ガスする必要がないので媒体の
製造時間を短縮することができ、さらには脱ガス室も不
要になるという有利性が与えられる。
【図１】光磁気記録媒体の構成図を示したものである。
【図２】光の透過率とSiN 層の膜厚値との関係図を示し
たものである。
たものである。
【表１】
フロントページの続き (72)発明者 清水 佳昌 神奈川県川崎市高津区坂戸100−１ 信越 化学工業株式会社コーポレートリサーチセ ンター内 (72)発明者 金子 英雄 神奈川県川崎市高津区坂戸100−１ 信越 化学工業株式会社コーポレートリサーチセ ンター内
Claims (3)
- 【請求項１】プラスチック基板を用いた光磁気記録媒体
の製造方法において、基板の両側にＳｉＮ膜を成膜した
後、記録膜を形成することを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項２】基板の記録膜が形成される面とは反対側に
成膜される透明誘電体膜の厚さが、５nm以上でかつ50nm
以下である請求項第１項記載の光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】基板をあらかじめ脱ガスする工程を経ずに
成膜を行う請求項第１項記載の光磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25477691A JPH0562266A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| EP92114190A EP0538583A1 (en) | 1991-09-05 | 1992-08-20 | Method for the preparation of magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25477691A JPH0562266A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562266A true JPH0562266A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17269728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25477691A Pending JPH0562266A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0538583A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0562266A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2880723B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1999-04-12 | ソニー株式会社 | 光磁気ディスク |
| CA2047163C (en) * | 1990-07-20 | 1995-05-16 | Kenji Ohta | Optical disk |
| JPH04106742A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0488854A3 (en) * | 1990-11-27 | 1992-11-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for the preparation of a magneto-optical recording medium |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP25477691A patent/JPH0562266A/ja active Pending
-
1992
- 1992-08-20 EP EP92114190A patent/EP0538583A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0538583A1 (en) | 1993-04-28 |
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