JPH04106742A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04106742A JPH04106742A JP22485090A JP22485090A JPH04106742A JP H04106742 A JPH04106742 A JP H04106742A JP 22485090 A JP22485090 A JP 22485090A JP 22485090 A JP22485090 A JP 22485090A JP H04106742 A JPH04106742 A JP H04106742A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光磁気記録媒体、特には透明基板表面に保護膜
を設けて化学的安定性、熱安定性、光透過性がすぐれて
おり、耐湿性か高く、硬くて機械的強度が大きいものと
した光磁気記録媒体に関するものである。
を設けて化学的安定性、熱安定性、光透過性がすぐれて
おり、耐湿性か高く、硬くて機械的強度が大きいものと
した光磁気記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
近年、情報化社会の進展に伴なって書換可能な光磁気メ
モリかン主目を集めており、この光ｌｉｆ！気言己録媒
体における透明基板としてはポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂などから作られたものが用いられてい
るが、こわらの基板は硬度、耐摩耗性、耐薬品性、耐水
性が悪くて傷つき易く、再生信号のＣ／Ｎも十分てない
という欠点がある。
モリかン主目を集めており、この光ｌｉｆ！気言己録媒
体における透明基板としてはポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂などから作られたものが用いられてい
るが、こわらの基板は硬度、耐摩耗性、耐薬品性、耐水
性が悪くて傷つき易く、再生信号のＣ／Ｎも十分てない
という欠点がある。
（発明が解決しようとする課題）
そのため、この種の光磁気記録媒体については透明基板
表面上に紫外線硬化性樹脂を塗布（スピンコード）シて
透明基板の保護膜とすることが行なわれているか、この
保護膜についてはさらに耐湿性、耐酸性がよく、機械的
強度、熱安定性、光透過性のすぐれたものか求められて
いる。
表面上に紫外線硬化性樹脂を塗布（スピンコード）シて
透明基板の保護膜とすることが行なわれているか、この
保護膜についてはさらに耐湿性、耐酸性がよく、機械的
強度、熱安定性、光透過性のすぐれたものか求められて
いる。
（課題を解決するための手段）
本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、パ一体膜、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、透明基板表面の入射側にＳｉ
Ｎ、ＳｉＣ，ＴｉＯ２、インジウムすず酸化物、または
Ｈを含むＳｉＮ、５ｉＣ１ＳｉＣＮあるいはＣａＦ２、
ＭｇＦ２からなる保護膜を設けてなることを特徴とする
ものである。
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、パ一体膜、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、透明基板表面の入射側にＳｉ
Ｎ、ＳｉＣ，ＴｉＯ２、インジウムすず酸化物、または
Ｈを含むＳｉＮ、５ｉＣ１ＳｉＣＮあるいはＣａＦ２、
ＭｇＦ２からなる保護膜を設けてなることを特徴とする
ものである。
すなわち、本発明者らは従来公知の紫外線硬化樹脂によ
る透明基板保護膜に代る新規な保護膜を開発すべく種々
検討した結果、この透明基板の保！膜ヲｓｉＮ、ＳｉＣ
、ＴｉＯ□、インジウムすず酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと略記する）またはＨを
含むＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮあるいはＣａＦ２、ＪＦ
２て作ると、１）従来公知の紫外線硬化性樹脂で作った
保護膜にくらべて剥離し難く、化学的安定性、熱安定性
、耐湿性、耐薬品性、機械的強度、硬度かすぐれており
、複屈折もないので、透明基板に対する保護効果の大き
い保護膜か得られる、２）このようにして作られた保護
膜は透明性にすぐれており、特に可視〜赤外領域で極め
て−高い透過性を有するということを見圧し、これらの
膜の形成方法についての研究を進めて本発明を完成させ
た。
る透明基板保護膜に代る新規な保護膜を開発すべく種々
検討した結果、この透明基板の保！膜ヲｓｉＮ、ＳｉＣ
、ＴｉＯ□、インジウムすず酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと略記する）またはＨを
含むＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮあるいはＣａＦ２、ＪＦ
２て作ると、１）従来公知の紫外線硬化性樹脂で作った
保護膜にくらべて剥離し難く、化学的安定性、熱安定性
、耐湿性、耐薬品性、機械的強度、硬度かすぐれており
、複屈折もないので、透明基板に対する保護効果の大き
い保護膜か得られる、２）このようにして作られた保護
膜は透明性にすぐれており、特に可視〜赤外領域で極め
て−高い透過性を有するということを見圧し、これらの
膜の形成方法についての研究を進めて本発明を完成させ
た。
以下にこれをさらに詳述する。
（作用）
本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に話電体膜、磁性
膜、反射膜を設けてなる光６５気記録媒体における透明
基板の保護膜を、その屈折率か基板に近いかあるいは同
等であるもの、あるいは膜厚屈折率を調節して任意の特
定波長での光の増幅反射率かＯとなるように設計した、
ＳｉＮ、ＳｉＣ，Ｔｉ０２ＩＴＯまたはＨを含むＳｉＮ
、ＳｉＣ、ＳｉＣＮあるいはＣａＦ２、ＭｇＦ２から作
られた膜としたものである。
膜、反射膜を設けてなる光６５気記録媒体における透明
基板の保護膜を、その屈折率か基板に近いかあるいは同
等であるもの、あるいは膜厚屈折率を調節して任意の特
定波長での光の増幅反射率かＯとなるように設計した、
ＳｉＮ、ＳｉＣ，Ｔｉ０２ＩＴＯまたはＨを含むＳｉＮ
、ＳｉＣ、ＳｉＣＮあるいはＣａＦ２、ＭｇＦ２から作
られた膜としたものである。
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたポリカーボネート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に、ますＳｉＮ、ＳｉＣまたはＨを含む
ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮからなるパ一体膜２を膜厚２
００〜３，０００人で形成し、この上にＴｂ、Ｄｙ、Ｇ
ｄ、Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、Ｃｏ、Ｎ１などの遷
移金属元素からなる、例えばＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＤｙＦｅＣｏなどからなる非晶質金属膜としての磁
性＠３を膜厚２００〜１．０００人でスパッタリング法
で形成し、さらにこの上に上記パー体膜と同様の材質か
らなる誘電体＠４と、Ａｎ、Ｃｕ Ａｕ、Ａｇからな
る反射＠５を膜厚２０Ｄ 〜１．０００人で順次形成さ
せたものとすれはよいが、これは第２図に示したように
透明基板８の上に上記パー体膜９、磁性膜１０、上記話
τ体＠（保護層）１１を形成する三層構造としてもよく
、さらには透明基板上に磁性膜、上記パ一体膜、反射膜
を順次形成する三層構造としてもよい。これらはこの透
明基板１．８の光の入射側から光７．１３か入射される
と入射光７は反射膜５て反射され、入射光１３は磁性膜
１０で反射される。
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたポリカーボネート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に、ますＳｉＮ、ＳｉＣまたはＨを含む
ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮからなるパ一体膜２を膜厚２
００〜３，０００人で形成し、この上にＴｂ、Ｄｙ、Ｇ
ｄ、Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、Ｃｏ、Ｎ１などの遷
移金属元素からなる、例えばＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＤｙＦｅＣｏなどからなる非晶質金属膜としての磁
性＠３を膜厚２００〜１．０００人でスパッタリング法
で形成し、さらにこの上に上記パー体膜と同様の材質か
らなる誘電体＠４と、Ａｎ、Ｃｕ Ａｕ、Ａｇからな
る反射＠５を膜厚２０Ｄ 〜１．０００人で順次形成さ
せたものとすれはよいが、これは第２図に示したように
透明基板８の上に上記パー体膜９、磁性膜１０、上記話
τ体＠（保護層）１１を形成する三層構造としてもよく
、さらには透明基板上に磁性膜、上記パ一体膜、反射膜
を順次形成する三層構造としてもよい。これらはこの透
明基板１．８の光の入射側から光７．１３か入射される
と入射光７は反射膜５て反射され、入射光１３は磁性膜
１０で反射される。
本発明の光磁気記録媒体て；まこの透明基板表面の入射
側に第１図、第２図に示したように保護膜６．１２か設
けられるのであるが、この保護膜６．１２はＳｉ！１．
ＳｉＣ１丁ノ０２．１丁０また；まＨを含むＳｉＮＳａ
ｃ、５ｔＣＮあるいはＣａＦ２、 ＪＦ、て作られたも
のとされる。この保護膜６．１２の成膜は公知のスパッ
タリング法、化学的気相成長法または真空基若法で行え
ばよいが、この膜の厚さは１００〜２０．０００人の範
囲、好ましくは２００〜３．０００人のものとすればよ
い。
側に第１図、第２図に示したように保護膜６．１２か設
けられるのであるが、この保護膜６．１２はＳｉ！１．
ＳｉＣ１丁ノ０２．１丁０また；まＨを含むＳｉＮＳａ
ｃ、５ｔＣＮあるいはＣａＦ２、 ＪＦ、て作られたも
のとされる。この保護膜６．１２の成膜は公知のスパッ
タリング法、化学的気相成長法または真空基若法で行え
ばよいが、この膜の厚さは１００〜２０．０００人の範
囲、好ましくは２００〜３．０００人のものとすればよ
い。
また、このようにしで成膜ざねた保護膜を形成する５１
〜、ＳｉＣ，Ｈを含むＳｉＪ ＳｉＣ、ＳｉＣＮにおけ
るＳｉ：Ｎ、Ｓｉ：Ｃ，Ｓｉ：ＣＮのモル比は７０：３
０〜３０ニア０の範囲とすることがよいし、このＨを含
むＳｉＮ、５ｉＣ１ＳｉＣＮはモル比で２〜５０％のＨ
を含むものとすることがよく、このＳｉＮ、ＳｉＣ，Ｔ
ｉｅ２．１７０、またはＨを含むＳｉＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ
ＣＮあるいはＣａＦ２、ＭｇＦ２で形成される保護膜は
その屈折率が１，５０未満では十分なエンハンス効果が
期待できず、この屈折率を２．５０より大きくしようと
すると透過率および膜質の低下がもたらされて機械的強
度や耐久性に悪影響が及ぼされるので、これは屈折率が
１．５０〜２．５０の範囲のものとすることかよいか、
そのためには成膜条件によって各元素の組成比を調節し
て屈折率をこの範囲内に設定することかよい。
〜、ＳｉＣ，Ｈを含むＳｉＪ ＳｉＣ、ＳｉＣＮにおけ
るＳｉ：Ｎ、Ｓｉ：Ｃ，Ｓｉ：ＣＮのモル比は７０：３
０〜３０ニア０の範囲とすることがよいし、このＨを含
むＳｉＮ、５ｉＣ１ＳｉＣＮはモル比で２〜５０％のＨ
を含むものとすることがよく、このＳｉＮ、ＳｉＣ，Ｔ
ｉｅ２．１７０、またはＨを含むＳｉＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ
ＣＮあるいはＣａＦ２、ＭｇＦ２で形成される保護膜は
その屈折率が１，５０未満では十分なエンハンス効果が
期待できず、この屈折率を２．５０より大きくしようと
すると透過率および膜質の低下がもたらされて機械的強
度や耐久性に悪影響が及ぼされるので、これは屈折率が
１．５０〜２．５０の範囲のものとすることかよいか、
そのためには成膜条件によって各元素の組成比を調節し
て屈折率をこの範囲内に設定することかよい。
（実施例）
つきに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例、比較例
ポリカーホネート樹脂基板上に誘電体膜としてのＳｉＣ
：Ｈ＠を厚さ１，１００人に形成し、その上にアルゴン
カス圧７ｍトール、高周波電力２００ Ｗという条イ牛
のスパッタリングン去で厚さ２００人のＴｂＦｅ磁性膜
と厚さ３００人のＨを含むＳｉＣ膜、厚さ５００人のア
ルミニウム反射膜を順次形成して光磁気記録媒体を作り
、このものの最適記録パワーを測定したところ、５．５
ｍＷであった。
：Ｈ＠を厚さ１，１００人に形成し、その上にアルゴン
カス圧７ｍトール、高周波電力２００ Ｗという条イ牛
のスパッタリングン去で厚さ２００人のＴｂＦｅ磁性膜
と厚さ３００人のＨを含むＳｉＣ膜、厚さ５００人のア
ルミニウム反射膜を順次形成して光磁気記録媒体を作り
、このものの最適記録パワーを測定したところ、５．５
ｍＷであった。
ついで、この光磁気記録媒体を１０個用意し、このＡに
はその透明基板の光の入射側に紫外線硬化性樹脂を塗布
（スピンコード）シて保護膜を形成し、このＢ−Ｊには
その透明基板の光の入射側にＳｉＣ：Ｈ２、ＳｉＣ，Ｓ
ｉＮ、５ｉＣＮ：Ｈ，ＳｉＮ：Ｈ，Ｔｉｅ２、ＴＴＯ１
ＭｇＦ２およびＣａＦ２の膜をスパッタリング法で＠厚
２．０００ 人に成膜して保護膜を形成させ、このＡ〜
Ｊの８５℃、８５％ＲＨにおける耐久性をしらべたとこ
ろ、第３図に示したとおりの結果が得られ、本発明によ
るものは従来法によるＡのものにくらべて耐久性にすぐ
れたものであることが確認された。
はその透明基板の光の入射側に紫外線硬化性樹脂を塗布
（スピンコード）シて保護膜を形成し、このＢ−Ｊには
その透明基板の光の入射側にＳｉＣ：Ｈ２、ＳｉＣ，Ｓ
ｉＮ、５ｉＣＮ：Ｈ，ＳｉＮ：Ｈ，Ｔｉｅ２、ＴＴＯ１
ＭｇＦ２およびＣａＦ２の膜をスパッタリング法で＠厚
２．０００ 人に成膜して保護膜を形成させ、このＡ〜
Ｊの８５℃、８５％ＲＨにおける耐久性をしらべたとこ
ろ、第３図に示したとおりの結果が得られ、本発明によ
るものは従来法によるＡのものにくらべて耐久性にすぐ
れたものであることが確認された。
（発明の効果）
本発明は光磁気記録媒体に関するもので、これは前記し
たように光の入射側に置かれる透明基板上に誘電体膜、
磁性膜、反射膜を設けた光磁気ＨＣｕ媒体において、こ
の透明基板表面の入射側にＳｉＮ、ＳｉＣ，Ｔｉｅ２、
ｒＴＯマタハＨヲ含ムＳｉＮ、５ｉＣ１ＳｉＣＮあるい
はＣａＦ２、ＭｇＦ ２からなる保護膜を設けてなるこ
とを特徴とするものであるが、これによれば化学的安定
性、熱安定性にすぐれていて、耐湿性か高く、硬くて機
械的強度が大きく、ざらには光透過性にすぐれた光磁気
記録媒体を容易に得ることができるという有利性が与え
られる。
たように光の入射側に置かれる透明基板上に誘電体膜、
磁性膜、反射膜を設けた光磁気ＨＣｕ媒体において、こ
の透明基板表面の入射側にＳｉＮ、ＳｉＣ，Ｔｉｅ２、
ｒＴＯマタハＨヲ含ムＳｉＮ、５ｉＣ１ＳｉＣＮあるい
はＣａＦ２、ＭｇＦ ２からなる保護膜を設けてなるこ
とを特徴とするものであるが、これによれば化学的安定
性、熱安定性にすぐれていて、耐湿性か高く、硬くて機
械的強度が大きく、ざらには光透過性にすぐれた光磁気
記録媒体を容易に得ることができるという有利性が与え
られる。
第１図、第２図は光磁気記録媒体をの構成図、第３図は
実施例、比較例における光磁気記録媒体Ａ−Ｊの８５℃
、８５％Ｒ）Ｉにおける耐久性試験結果グラフを示した
ものである。 図中の符号 １ ８ ・ ・ ３ １０ ・ ６ １２ ・ ・透明基板 １１・・・誘電体膜（Ｎ） ・・磁性膜 ５・・・反射膜 ・・透明基板表面の保護膜 特許出願人 信越化学工業株式会社
実施例、比較例における光磁気記録媒体Ａ−Ｊの８５℃
、８５％Ｒ）Ｉにおける耐久性試験結果グラフを示した
ものである。 図中の符号 １ ８ ・ ・ ３ １０ ・ ６ １２ ・ ・透明基板 １１・・・誘電体膜（Ｎ） ・・磁性膜 ５・・・反射膜 ・・透明基板表面の保護膜 特許出願人 信越化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光の入射側に置かれる透明基板上に、誘電体膜、磁
性膜、反射膜を設けて成る光磁気記録媒体において、透
明基板表面の入射側にＳｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＯ＿２、イ
ンジウムすず酸化物、またはＨを含むＳｉＮ、ＳｉＣ、
ＳｉＣＮ、あるいはＣａＦ＿２、ＭｇＦ＿２からなる保
護膜を設けてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、ＳｉＮまたはＳｉＣからなる膜材料のＳｉ：Ｎまた
はＳｉ：Ｃのモル比が７０：３０〜３０：７０である請
求項１に記載した光磁気記録媒体。 ３、Ｈ含むＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮからなる非晶質材
料がモル％として２〜５０％のＨを含むものである請求
項１に記載した光磁気記録媒体。 ４、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＯ＿２、インジウムすず酸化
物またはＨを含むＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮあるいはＣ
ａＦ＿２、ＭｇＦ＿２からなる膜材料が屈折率（ｎ）１
．５０〜２．５０のものである請求項１に記載した光磁
気記録媒体。 ５、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＴｉＯ＿２、インジウムすず酸化
物またはＨを含むＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮあるいはＣ
ａＦ＿２、ＭｇＦ＿２からなる膜材料がスパッタリング
法、化学的気相成長法または真空蒸着法によって形成さ
れてなるものである請求項１に記載した光磁気記録媒体
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22485090A JPH04106742A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 光磁気記録媒体 |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP22485090A JPH04106742A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 光磁気記録媒体 |
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Family
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Family Applications (1)
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1991
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Also Published As
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