JPH05159373A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH05159373A JPH05159373A JP3350298A JP35029891A JPH05159373A JP H05159373 A JPH05159373 A JP H05159373A JP 3350298 A JP3350298 A JP 3350298A JP 35029891 A JP35029891 A JP 35029891A JP H05159373 A JPH05159373 A JP H05159373A
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- JP
- Japan
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- information recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐久性に優れ、且つ、Ｃ／Ｎ比の良好な光情
報記録媒体を提供する。 【構成】 基板１上に順次積層された記録層３および有
機樹脂保護層５を備え、且つ、該記録層３に隣接した耐
熱保護層２を少なくとも１層備えた光情報記録媒体にお
いて、該耐熱保護層２が、Siよりも融点の高い窒化物、
炭化物、酸化物、硫化物のうちの少なくとも１種以上の
化合物と、低アルカリガラスとの混合物により形成され
ている。また、使用する光ビームの波長に対する耐熱保
護層２の屈折率が 1.8以上である。
報記録媒体を提供する。 【構成】 基板１上に順次積層された記録層３および有
機樹脂保護層５を備え、且つ、該記録層３に隣接した耐
熱保護層２を少なくとも１層備えた光情報記録媒体にお
いて、該耐熱保護層２が、Siよりも融点の高い窒化物、
炭化物、酸化物、硫化物のうちの少なくとも１種以上の
化合物と、低アルカリガラスとの混合物により形成され
ている。また、使用する光ビームの波長に対する耐熱保
護層２の屈折率が 1.8以上である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体に関す
る。より詳細には、本発明は、レーザ光により情報の書
込みおよび／または読み出しを行う光情報記録媒体のう
ちで、特に記録層に隣接した耐熱保護層を具備する光情
報記録媒体の新規な構成に関する。
る。より詳細には、本発明は、レーザ光により情報の書
込みおよび／または読み出しを行う光情報記録媒体のう
ちで、特に記録層に隣接した耐熱保護層を具備する光情
報記録媒体の新規な構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、急速に処理量の増加した情報に対
してその保存技術の確立が緊急且つ不可避な課題となっ
ている。レーザ光を利用した各種の光記録媒体は、この
ような課題の解決に最も相応しいものとして注目されて
いる。即ち、光記録媒体は、一般に高密度な情報記録が
可能であり、更に、従来の磁気記録媒体と異なり記録情
報が電磁障害に強く、大量の複製が可能である等の優れ
た特徴を有している。
してその保存技術の確立が緊急且つ不可避な課題となっ
ている。レーザ光を利用した各種の光記録媒体は、この
ような課題の解決に最も相応しいものとして注目されて
いる。即ち、光記録媒体は、一般に高密度な情報記録が
可能であり、更に、従来の磁気記録媒体と異なり記録情
報が電磁障害に強く、大量の複製が可能である等の優れ
た特徴を有している。
【０００３】上述のような光情報記録媒体における記録
層の構成としては、相変化による反射率の変化により情
報を記録再生する相変化型と磁気光学効果を利用して記
録再生する光磁気型とが主流をなしている。
層の構成としては、相変化による反射率の変化により情
報を記録再生する相変化型と磁気光学効果を利用して記
録再生する光磁気型とが主流をなしている。
【０００４】ところで、上述のような光情報記録媒体に
おいて、その記録層に隣接して、いわゆる耐熱保護層を
設けることが提案されている。その主な目的は以下のよ
うなものである。 書込みあるいは読み出し用のレーザ光による加熱に
より、プラスチック等により形成された基板が損傷を受
けることを防止する。 酸化等により記録層が腐食劣化することを防止す
る。 記録層の物理的な変形を防止する。 エンハンス効果によりＣ／Ｎ比を改善する。
おいて、その記録層に隣接して、いわゆる耐熱保護層を
設けることが提案されている。その主な目的は以下のよ
うなものである。 書込みあるいは読み出し用のレーザ光による加熱に
より、プラスチック等により形成された基板が損傷を受
けることを防止する。 酸化等により記録層が腐食劣化することを防止す
る。 記録層の物理的な変形を防止する。 エンハンス効果によりＣ／Ｎ比を改善する。
【０００５】耐熱保護層の材料としてはエンハンス効果
によりＣ／Ｎ比を向上させるために屈折率が基板材料よ
りも高く、高融点で熱膨張率が小さいものが用いられ、
一般にSiＯ、SiＮ、AlＮやZnＳ等の酸化物、窒化物、硫
化物が用いられている。
によりＣ／Ｎ比を向上させるために屈折率が基板材料よ
りも高く、高融点で熱膨張率が小さいものが用いられ、
一般にSiＯ、SiＮ、AlＮやZnＳ等の酸化物、窒化物、硫
化物が用いられている。
【０００６】しかしながら、既に提案されている材料に
より形成した耐熱保護層を備えた光情報記録媒体では、
以下のような問題が発生することが指摘されている。 記録および消去の繰り返し回数が多くなると耐熱保
護層自体が変形して、返ってＣ／Ｎ比が劣化する。 高温高湿環境下での耐久試験によると、反射膜の腐
食や保護膜の割れ等により耐熱保護層にピンホールが発
生する。
より形成した耐熱保護層を備えた光情報記録媒体では、
以下のような問題が発生することが指摘されている。 記録および消去の繰り返し回数が多くなると耐熱保
護層自体が変形して、返ってＣ／Ｎ比が劣化する。 高温高湿環境下での耐久試験によると、反射膜の腐
食や保護膜の割れ等により耐熱保護層にピンホールが発
生する。
【０００７】そこで、上述のような問題を解決するため
に、更に、耐熱保護層の材料を、SiＯ2 、BaＯ、Ｂ2 Ｏ
3 、Al2 Ｏ3 等の混合物である低アルカリガラスとする
ことが提案されている。
に、更に、耐熱保護層の材料を、SiＯ2 、BaＯ、Ｂ2 Ｏ
3 、Al2 Ｏ3 等の混合物である低アルカリガラスとする
ことが提案されている。
【０００８】即ち、低アルカリガラスは混合物であるた
めに非常に緻密で、熱膨張率は小さく、熱的安定性にも
優れているので、記録／消去の繰り返し回数が多くなっ
ても変形等が生じない。また、化学的にも安定で、酸化
や割れ等も生じ難い。
めに非常に緻密で、熱膨張率は小さく、熱的安定性にも
優れているので、記録／消去の繰り返し回数が多くなっ
ても変形等が生じない。また、化学的にも安定で、酸化
や割れ等も生じ難い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、耐熱保護層
の材料として低アルカリガラスを使用するとＣ／Ｎ比が
劣化するという新たな問題が指摘されており、耐熱保護
層としての機能と高いＣ／Ｎ比とを両立できるような材
料は未だ知られていない。
の材料として低アルカリガラスを使用するとＣ／Ｎ比が
劣化するという新たな問題が指摘されており、耐熱保護
層としての機能と高いＣ／Ｎ比とを両立できるような材
料は未だ知られていない。
【００１０】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、保護層としての機能の高い低アルカリガラス
を用い、且つ、Ｃ／Ｎ比の低下が少ない耐熱保護層を備
えた新規な光情報記録媒体を提供することをその目的と
している。
を解決し、保護層としての機能の高い低アルカリガラス
を用い、且つ、Ｃ／Ｎ比の低下が少ない耐熱保護層を備
えた新規な光情報記録媒体を提供することをその目的と
している。
【００１１】
【問題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
基板上に順次積層された記録層および有機樹脂保護層を
備え、且つ、該記録層に隣接した耐熱保護層を少なくと
も１層備えた光情報記録媒体において、該耐熱保護層
が、Siよりも融点の高い窒化物、炭化物、酸化物、硫化
物の内の少なくとも１種以上の化合物と、低アルカリガ
ラスとの混合物により形成されていることを特徴とする
光情報記録媒体が提供される。また、本発明の好ましい
一態様に従うと、使用する光ビームの波長に対する前記
耐熱保護層の屈折率が、 1.8以上であることを特徴とす
る光情報記録媒体が提供される。
基板上に順次積層された記録層および有機樹脂保護層を
備え、且つ、該記録層に隣接した耐熱保護層を少なくと
も１層備えた光情報記録媒体において、該耐熱保護層
が、Siよりも融点の高い窒化物、炭化物、酸化物、硫化
物の内の少なくとも１種以上の化合物と、低アルカリガ
ラスとの混合物により形成されていることを特徴とする
光情報記録媒体が提供される。また、本発明の好ましい
一態様に従うと、使用する光ビームの波長に対する前記
耐熱保護層の屈折率が、 1.8以上であることを特徴とす
る光情報記録媒体が提供される。
【００１２】
【作用】本発明に係る光情報記録媒体は、特定の化合物
と低アルカリガラスとの混合物により形成された屈折率
の高い耐熱保護層を具備している点にその主要な特徴が
ある。
と低アルカリガラスとの混合物により形成された屈折率
の高い耐熱保護層を具備している点にその主要な特徴が
ある。
【００１３】即ち、本発明に係る光情報記録媒体におい
て、その耐熱保護層を形成する材料は、下記の２種類の
化合物の混合物である。 耐熱保護層がSiの融点以上の高融点の窒化物、炭化
物、酸化物、硫化物のうちの少なくとも１種以上の化合
物、 低アルカリガラス、
て、その耐熱保護層を形成する材料は、下記の２種類の
化合物の混合物である。 耐熱保護層がSiの融点以上の高融点の窒化物、炭化
物、酸化物、硫化物のうちの少なくとも１種以上の化合
物、 低アルカリガラス、
【００１４】ここで使用される高融点の化合物は、例え
ば基板材料としてプラスチック基板を用いた場合に、Ｚ
／ＡＤ試験によってもブリスター（水膨れ）等が発生し
ないように、基板との密着力が強いものであることが必
須である。具体的には、Nb、Zr、Mo、Ta、Ti、Cr、Si、
Zn、Al等の窒化物、炭化物、酸化物、硫化物を例示する
ことができる。
ば基板材料としてプラスチック基板を用いた場合に、Ｚ
／ＡＤ試験によってもブリスター（水膨れ）等が発生し
ないように、基板との密着力が強いものであることが必
須である。具体的には、Nb、Zr、Mo、Ta、Ti、Cr、Si、
Zn、Al等の窒化物、炭化物、酸化物、硫化物を例示する
ことができる。
【００１５】また、上記化合物と混合する低アルカリガ
ラスとしては、記録層および反射層の腐食を防止すると
いう観点から、Li、Na、Ｋ、Rb、Cs等のアルカリ金属の
含有率が、アルカリ金属酸化物に換算して１重量％未満
であることが好ましく、SiＯ2 、BaＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Al2
Ｏ3 等を主成分としている。ここで、基板等との熱膨張
率のマッチング等を考慮すると、低アルカリガラスは、
SiＯ2 が30〜70重量％、BaＯが10〜40重量％、Ｂ2 Ｏ3
が５〜25重量％、Al2 Ｏ3 が５〜15重量％となるような
組成を有することが好ましい。
ラスとしては、記録層および反射層の腐食を防止すると
いう観点から、Li、Na、Ｋ、Rb、Cs等のアルカリ金属の
含有率が、アルカリ金属酸化物に換算して１重量％未満
であることが好ましく、SiＯ2 、BaＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Al2
Ｏ3 等を主成分としている。ここで、基板等との熱膨張
率のマッチング等を考慮すると、低アルカリガラスは、
SiＯ2 が30〜70重量％、BaＯが10〜40重量％、Ｂ2 Ｏ3
が５〜25重量％、Al2 Ｏ3 が５〜15重量％となるような
組成を有することが好ましい。
【００１６】以上のような高融点化合物および低アルカ
リガラスの混合物は、その混合比を適切に設定すること
により、 1.8以上の高い屈折率を実現することができ
る。従って、充分なＣ／Ｎ比を実現することができる。
また、前述のように、腐食や変形の防止という点では、
低アルカリガラスは優れた特性を有しており、理想的な
機能を有する耐熱保護層が実現される。
リガラスの混合物は、その混合比を適切に設定すること
により、 1.8以上の高い屈折率を実現することができ
る。従って、充分なＣ／Ｎ比を実現することができる。
また、前述のように、腐食や変形の防止という点では、
低アルカリガラスは優れた特性を有しており、理想的な
機能を有する耐熱保護層が実現される。
【００１７】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１８】
【実施例】図１は本発明を適用することができる光情報
記録媒体の具体的な構成例を示す図である。
記録媒体の具体的な構成例を示す図である。
【００１９】同図に示すように、この光情報記録媒体
は、基板１上に順次積層された、耐熱保護層２、記録層
３、耐熱保護層２、反射層４および有機樹脂保護膜５を
備えている。
は、基板１上に順次積層された、耐熱保護層２、記録層
３、耐熱保護層２、反射層４および有機樹脂保護膜５を
備えている。
【００２０】ここで、基板１としては、特に材料コスト
の観点から、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタク
リレート樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフ
ィン樹脂等の透明プラスチック材が用いられるが、ガラ
ス基板を使用することもできる。尚、基板は、一般にデ
ィスク状であるが、カード状やドラム状のものに対して
も本発明を適用することができる。
の観点から、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタク
リレート樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフ
ィン樹脂等の透明プラスチック材が用いられるが、ガラ
ス基板を使用することもできる。尚、基板は、一般にデ
ィスク状であるが、カード状やドラム状のものに対して
も本発明を適用することができる。
【００２１】また、記録層３の材料としては、相変化に
より屈折率あるいは消衰係数が大きく変化し、かつ相変
化が可逆的で記録消去可能な材料や光磁気記録材料のよ
うにカー効果、ファラデー効果を用いて記録消去可能な
材料が用いられる。具体的には、相変化型の材料として
TeGeSb、TeGeSn、TeSb、TeSeSn、InSe、InSbTe、InSb、
InSbSe等を、光磁気型としてTbFeCo、NdDyFeCo、TbDyFe
Co、TbFe、TbCo等をそれぞれ例示することができる。
より屈折率あるいは消衰係数が大きく変化し、かつ相変
化が可逆的で記録消去可能な材料や光磁気記録材料のよ
うにカー効果、ファラデー効果を用いて記録消去可能な
材料が用いられる。具体的には、相変化型の材料として
TeGeSb、TeGeSn、TeSb、TeSeSn、InSe、InSbTe、InSb、
InSbSe等を、光磁気型としてTbFeCo、NdDyFeCo、TbDyFe
Co、TbFe、TbCo等をそれぞれ例示することができる。
【００２２】更に、図１に示すように、記録層３よりも
上層に、金属により形成した反射層４を設けることも好
ましい。ここで使用される反射層４の材料としては、A
u、Al、Ag、Ni、Cr等を主成分とした金属を例示するこ
とができる。
上層に、金属により形成した反射層４を設けることも好
ましい。ここで使用される反射層４の材料としては、A
u、Al、Ag、Ni、Cr等を主成分とした金属を例示するこ
とができる。
【００２３】尚、耐熱保護層２、記録層３、反射層４
は、いずれも各材料の薄膜として形成することができ、
具体的な成膜方法としては、蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法を例示する
ことができる。
は、いずれも各材料の薄膜として形成することができ、
具体的な成膜方法としては、蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法を例示する
ことができる。
【００２４】〔作製例１〕φ 130mmポリカーボネート樹
脂製スパイラル溝付きディスク基板を使用して、本発明
に係る光情報記録媒体を、相変化型光ディスクとして実
際に作製した。
脂製スパイラル溝付きディスク基板を使用して、本発明
に係る光情報記録媒体を、相変化型光ディスクとして実
際に作製した。
【００２５】上記基板上に、低アルカリガラスと窒化ニ
オブ（融点2846Ｋ）との混合物により耐熱保護層を形成
した。低アルカリガラスとしては、 SiＯ2 ：49.2重量％、 BaＯ ：25.0重量％、 Ｂ2Ｏ3：14.5重量％、 Al2Ｏ3：10.9重量％、 Na2 Ｏ： 0.2重量％未満、 Ｋ2 Ｏ： 0.1重量％未満 なる組成を有するコーニング社製＃7059を使用した。こ
の低アルカリガラスと窒化ニオブのターゲットとを用い
て、一旦５×10-7Torrまで排気したチャンバ内に４ｍTo
rrのアルゴンガスを導入し、２元同時ＲＦスパッタ法に
より耐熱保護層を成膜した。得られた耐熱保護層の厚さ
は1200Åであり、その屈折率ｎは 2.1であった。
オブ（融点2846Ｋ）との混合物により耐熱保護層を形成
した。低アルカリガラスとしては、 SiＯ2 ：49.2重量％、 BaＯ ：25.0重量％、 Ｂ2Ｏ3：14.5重量％、 Al2Ｏ3：10.9重量％、 Na2 Ｏ： 0.2重量％未満、 Ｋ2 Ｏ： 0.1重量％未満 なる組成を有するコーニング社製＃7059を使用した。こ
の低アルカリガラスと窒化ニオブのターゲットとを用い
て、一旦５×10-7Torrまで排気したチャンバ内に４ｍTo
rrのアルゴンガスを導入し、２元同時ＲＦスパッタ法に
より耐熱保護層を成膜した。得られた耐熱保護層の厚さ
は1200Åであり、その屈折率ｎは 2.1であった。
【００２６】続いて、TeGeSb（組成比60：12：28原子
％）なる組成を有する厚さ 250Åの相変化型の記録層
と、Alによる厚さ 500Åの反射層とをそれぞれＤＣスパ
ッタ法により成膜した。最後に、スピンコート法により
塗布した紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）
を紫外線照射により硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形
成して光ディスクとして完成させた。
％）なる組成を有する厚さ 250Åの相変化型の記録層
と、Alによる厚さ 500Åの反射層とをそれぞれＤＣスパ
ッタ法により成膜した。最後に、スピンコート法により
塗布した紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）
を紫外線照射により硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形
成して光ディスクとして完成させた。
【００２７】以上のようにして作製した光ディスクの中
心から60mmの位置に、波長 830nmの半導体レーザを用い
て、記録／再生／消去のサイクルを繰り返し、記録時の
反射率の変化を検出することによりＣ／Ｎ比を測定し
た。尚、処理サイクルは、1800rpm で回転する光ディス
クに対して、周波数 3.7ＭHz、duty22％の反復信号を、
消去パワー８ｍｗ、記録パワー14ｍＷ、読み出しパワー
１ｍＷという条件で行った。
心から60mmの位置に、波長 830nmの半導体レーザを用い
て、記録／再生／消去のサイクルを繰り返し、記録時の
反射率の変化を検出することによりＣ／Ｎ比を測定し
た。尚、処理サイクルは、1800rpm で回転する光ディス
クに対して、周波数 3.7ＭHz、duty22％の反復信号を、
消去パワー８ｍｗ、記録パワー14ｍＷ、読み出しパワー
１ｍＷという条件で行った。
【００２８】初期値とのＣ／Ｎ比の変化を表１に示す。
また、ＺＡＤサイクルテスト（ＪＩＳ Ｃ0028）を10サ
イクル行ない、ブリスターや膜の割れの発生を観察した
が、ブリスターや膜の割れは全く起こっていなかった。
また、ＺＡＤサイクルテスト（ＪＩＳ Ｃ0028）を10サ
イクル行ない、ブリスターや膜の割れの発生を観察した
が、ブリスターや膜の割れは全く起こっていなかった。
【００２９】〔比較例１〕耐熱保護層を、作製例１で使
用したものと同じ低アルカリガラス（コーニング社製＃
7059）のみにより形成したことを除いては、作製例１と
全く同じ仕様の光ディスクを作製した。低アルカリガラ
スのみにより形成された耐熱保護層の屈折率は1.53であ
った。
用したものと同じ低アルカリガラス（コーニング社製＃
7059）のみにより形成したことを除いては、作製例１と
全く同じ仕様の光ディスクを作製した。低アルカリガラ
スのみにより形成された耐熱保護層の屈折率は1.53であ
った。
【００３０】この光ディスクについても、作製例１と同
じ条件でＣ／Ｎ比の変化を測定した。測定結果は、表１
に併せて示す。また、作製例１と同じ条件でＺＡＤサイ
クルテストを行なった結果、直径約 100μｍのブリスタ
ーが若干発生していた。
じ条件でＣ／Ｎ比の変化を測定した。測定結果は、表１
に併せて示す。また、作製例１と同じ条件でＺＡＤサイ
クルテストを行なった結果、直径約 100μｍのブリスタ
ーが若干発生していた。
【００３１】〔比較例２〕作製例１で使用したものと同
じディスク基板上に、まず、低アルカリガラス（コーニ
ング社製＃7059）のターゲットと硫化鉛（融点1387Ｋ）
のターゲットとを用いた２元同時ＲＦスパッタ法によ
り、厚さ1200Åの耐熱保護層1200Åを成膜した。成膜条
件は、作製例１と同じとした。続いて、作製例１と同じ
材料と方法で記録層を形成した。
じディスク基板上に、まず、低アルカリガラス（コーニ
ング社製＃7059）のターゲットと硫化鉛（融点1387Ｋ）
のターゲットとを用いた２元同時ＲＦスパッタ法によ
り、厚さ1200Åの耐熱保護層1200Åを成膜した。成膜条
件は、作製例１と同じとした。続いて、作製例１と同じ
材料と方法で記録層を形成した。
【００３２】次に、上記耐熱保護層と同じ材料および方
法で、低アルカリガラスと硫化鉛との混合物からなる厚
さ 400Åの耐熱保護層を成膜した後、Alによる反射層
と、紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）によ
る保護層とを、それぞれ作製例１と同じ方法で形成し
た。
法で、低アルカリガラスと硫化鉛との混合物からなる厚
さ 400Åの耐熱保護層を成膜した後、Alによる反射層
と、紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）によ
る保護層とを、それぞれ作製例１と同じ方法で形成し
た。
【００３３】この光ディスクについても、作製例１と同
じ条件でＣ／Ｎ比の変化を測定した。測定結果は、表１
に併せて示す。また、作製例１と同じ条件でＺＡＤサイ
クルテストを行なった結果、直径約 100μｍのブリスタ
ーが若干発生していた。
じ条件でＣ／Ｎ比の変化を測定した。測定結果は、表１
に併せて示す。また、作製例１と同じ条件でＺＡＤサイ
クルテストを行なった結果、直径約 100μｍのブリスタ
ーが若干発生していた。
【００３４】
【表１】
【００３５】〔作製例２〕φ 130mmポリカーボネート樹
脂製スパイラル溝付きディスク基板を使用して、本発明
に係る光情報記録媒体を、光磁気ディスクとして実際に
作製した。
脂製スパイラル溝付きディスク基板を使用して、本発明
に係る光情報記録媒体を、光磁気ディスクとして実際に
作製した。
【００３６】上記基板上に、低アルカリガラスと酸化タ
ンタル（融点2073Ｋ）との混合物により耐熱保護層を形
成した。低アルカリガラスとしては、コーニング社製＃
7059を使用した。この低アルカリガラスと酸化タンタル
のターゲットとを用いて、一旦５×10-7Torrまで排気し
たチャンバ内に４ｍTorrのアルゴンガスを導入し、２元
同時ＲＦスパッタ法により耐熱保護層を成膜した。得ら
れた耐熱保護層の厚さは1200Åであり、その屈折率ｎは
2.1であった。
ンタル（融点2073Ｋ）との混合物により耐熱保護層を形
成した。低アルカリガラスとしては、コーニング社製＃
7059を使用した。この低アルカリガラスと酸化タンタル
のターゲットとを用いて、一旦５×10-7Torrまで排気し
たチャンバ内に４ｍTorrのアルゴンガスを導入し、２元
同時ＲＦスパッタ法により耐熱保護層を成膜した。得ら
れた耐熱保護層の厚さは1200Åであり、その屈折率ｎは
2.1であった。
【００３７】続いて、TbFeCo（組成比23：65：12原子
％）なる組成を有する厚さ 250Åの相変化型の記録層を
ＤＣスパッタ法により成膜した後、上記の方法と同じ操
作で厚さ 400Åの耐熱保護層を再び形成した。次に、Al
による厚さ 500Åの反射層をＤＣスパッタ法により成膜
した。最後に、スピンコート法により塗布した紫外線硬
化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−101 ）を紫外線照射に
より硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形成して光ディス
クとして完成させた。
％）なる組成を有する厚さ 250Åの相変化型の記録層を
ＤＣスパッタ法により成膜した後、上記の方法と同じ操
作で厚さ 400Åの耐熱保護層を再び形成した。次に、Al
による厚さ 500Åの反射層をＤＣスパッタ法により成膜
した。最後に、スピンコート法により塗布した紫外線硬
化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−101 ）を紫外線照射に
より硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形成して光ディス
クとして完成させた。
【００３８】以上のようにして作製した光ディスクの中
心から60mmの位置に、波長 830nmの半導体レーザを用い
て、カー回転角の変化による信号光量の変化を検出して
Ｃ／Ｎ比を測定した。尚、処理サイクルは、1800rpm で
回転する光ディスクに対して、周波数 3.7ＭHz、duty22
％の反復信号を、記録パワー８ｍＷ、読み出しパワー１
ｍＷという条件で行った。
心から60mmの位置に、波長 830nmの半導体レーザを用い
て、カー回転角の変化による信号光量の変化を検出して
Ｃ／Ｎ比を測定した。尚、処理サイクルは、1800rpm で
回転する光ディスクに対して、周波数 3.7ＭHz、duty22
％の反復信号を、記録パワー８ｍＷ、読み出しパワー１
ｍＷという条件で行った。
【００３９】測定したＣ／Ｎ比の初期値を表２に示す。
また、80℃85％ＲＨ、1000時間の耐久試験後のＣ／Ｎ比
も測定し、測定結果を表２に併せて示す。更に、耐久試
験後のピンホールの発生を観察したが、ピンホールは全
く発生していなかった。
また、80℃85％ＲＨ、1000時間の耐久試験後のＣ／Ｎ比
も測定し、測定結果を表２に併せて示す。更に、耐久試
験後のピンホールの発生を観察したが、ピンホールは全
く発生していなかった。
【００４０】〔比較例３〕作製例２と同じディスク基板
を使用し、シリコンターゲットを用いて厚さ1200Åの窒
化シリコン（屈折率2.1 ）の耐熱保護層を形成した。即
ち、５×10-7torrまで排気したチャンバに、アルゴンガ
スと窒素との混合ガス（５：１）を４ｍtorrまで導入し
てＲＦ反応スパッタ法により成膜した。
を使用し、シリコンターゲットを用いて厚さ1200Åの窒
化シリコン（屈折率2.1 ）の耐熱保護層を形成した。即
ち、５×10-7torrまで排気したチャンバに、アルゴンガ
スと窒素との混合ガス（５：１）を４ｍtorrまで導入し
てＲＦ反応スパッタ法により成膜した。
【００４１】続いて、作製例２と同じ材料および方法に
より、TbFeCo（組成比23：65：12原子％）からなる厚さ
250Åの記録層を形成した後、再びＲＦ反応スパッタ法
で窒化シリコンからなる耐熱保護層を 400Å成膜し、次
いでAlからなる厚さ 500Åの反射層をＤＣスパッタ法に
より成膜した。最後に、スピンコート法により塗布した
紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）を紫外線
照射により硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形成して光
ディスクとして完成させた。
より、TbFeCo（組成比23：65：12原子％）からなる厚さ
250Åの記録層を形成した後、再びＲＦ反応スパッタ法
で窒化シリコンからなる耐熱保護層を 400Å成膜し、次
いでAlからなる厚さ 500Åの反射層をＤＣスパッタ法に
より成膜した。最後に、スピンコート法により塗布した
紫外線硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）を紫外線
照射により硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形成して光
ディスクとして完成させた。
【００４２】こうして作製した光ディスクについて、作
製例２と同じ方法および条件でＣ／Ｎ比を測定した。測
定結果は表２に併せて示す。また、作製例２と同様に、
耐久試験後のピンホールの発生を観察したところ、ピン
ホールが若干発生すると共に、溝に沿って割れが若干発
生していることが確認された。
製例２と同じ方法および条件でＣ／Ｎ比を測定した。測
定結果は表２に併せて示す。また、作製例２と同様に、
耐久試験後のピンホールの発生を観察したところ、ピン
ホールが若干発生すると共に、溝に沿って割れが若干発
生していることが確認された。
【００４３】〔比較例４〕作製例２と同じディスク基板
を使用して、ソーダ石灰ガラスと酸化タンタル（融点20
73Ｋ）との混合物により耐熱保護層を形成した。ソーダ
石灰ガラスは、 SiＯ2 ：72重量％、 Al2Ｏ3：１重量％、 MgＯ ：３重量％、 Na2 Ｏ：14重量％、 CaＯ ：10重量％ なる組成を有していた。
を使用して、ソーダ石灰ガラスと酸化タンタル（融点20
73Ｋ）との混合物により耐熱保護層を形成した。ソーダ
石灰ガラスは、 SiＯ2 ：72重量％、 Al2Ｏ3：１重量％、 MgＯ ：３重量％、 Na2 Ｏ：14重量％、 CaＯ ：10重量％ なる組成を有していた。
【００４４】ソーダ石灰ガラスのターゲットと酸化タン
タルのターゲットとを使用し、一旦５×10-7Torrまで排
気したチャンバ内に４ｍTorrのアルゴンガスを導入し、
２元同時ＲＦスパッタ法により耐熱保護層を成膜した。
得られた耐熱保護層の厚さは1200Åであり、その屈折率
ｎは 2.1であった。
タルのターゲットとを使用し、一旦５×10-7Torrまで排
気したチャンバ内に４ｍTorrのアルゴンガスを導入し、
２元同時ＲＦスパッタ法により耐熱保護層を成膜した。
得られた耐熱保護層の厚さは1200Åであり、その屈折率
ｎは 2.1であった。
【００４５】続いて、作製例２と同じ材料および方法に
よりTbFeCo（組成比23：65：12原子％）からなる厚さ 2
50Åの記録層を形成した後、再び２元同時ＲＦスパッタ
法により、ソーダ石灰ガラスおよび酸化タンタルの混合
物からなる耐熱保護層を 400Å成膜し、次いでAlからな
る厚さ 500Åの反射層をＤＣスパッタ法により成膜し
た。最後に、スピンコート法により塗布した紫外線硬化
性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）を紫外線照射により
硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形成して光ディスクと
して完成させた。
よりTbFeCo（組成比23：65：12原子％）からなる厚さ 2
50Åの記録層を形成した後、再び２元同時ＲＦスパッタ
法により、ソーダ石灰ガラスおよび酸化タンタルの混合
物からなる耐熱保護層を 400Å成膜し、次いでAlからな
る厚さ 500Åの反射層をＤＣスパッタ法により成膜し
た。最後に、スピンコート法により塗布した紫外線硬化
性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−17）を紫外線照射により
硬化させ、厚さ５μｍの保護層を形成して光ディスクと
して完成させた。
【００４６】こうして作製した光ディスクについて、作
製例２と同じ方法および条件でＣ／Ｎ比を測定した。測
定結果は表２に併せて示す。また、作製例２と同様に耐
久試験後のピンホールの発生を観察したところ多数のピ
ンホールが発生していた。
製例２と同じ方法および条件でＣ／Ｎ比を測定した。測
定結果は表２に併せて示す。また、作製例２と同様に耐
久試験後のピンホールの発生を観察したところ多数のピ
ンホールが発生していた。
【００４７】
【表２】
【００４８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に従
う光情報記録媒体は、その独自の構成の耐熱保護層に特
徴がある。即ち、本発明に係る光情報記録媒体の耐熱保
護層は、記録層や反射層の腐食を効果的に防止し、且
つ、繰り返し使用によるそれ自体の変形や劣化が少ない
という低アルカリガラスの特徴に加えて、屈折率が高
く、Ｃ／Ｎ比の劣化も極めて少ない。
う光情報記録媒体は、その独自の構成の耐熱保護層に特
徴がある。即ち、本発明に係る光情報記録媒体の耐熱保
護層は、記録層や反射層の腐食を効果的に防止し、且
つ、繰り返し使用によるそれ自体の変形や劣化が少ない
という低アルカリガラスの特徴に加えて、屈折率が高
く、Ｃ／Ｎ比の劣化も極めて少ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明を適用することができる光情報記録媒体の
具体的な構成例を示す図である。
具体的な構成例を示す図である。
１ 基板 ２ 耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 反射層 ５ 有機樹脂保護膜
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に順次積層された記録層および有機
樹脂保護層を備え、且つ、該記録層に隣接した耐熱保護
層を少なくとも１層備えた光情報記録媒体において、 該耐熱保護層が、Siよりも融点の高い窒化物、炭化物、
酸化物、硫化物のうちの少なくとも１種以上の化合物
と、低アルカリガラスとの混合物により形成されている
ことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載された光情報記録媒体にお
いて、使用する光ビームの波長に対する前記耐熱保護層
の屈折率が、 1.8以上であることを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載された光情
報記録媒体において、前記耐熱保護層が、Nb、Zr、Mo、
Ta、Ti、Cr、Si、ZnまたはAlの炭化物、酸化物または硫
化物を少なくとも１種含むことを特徴とする光情報記録
媒体。 - 【請求項４】請求項１から請求項３までのいずれか１項
に記載された光情報記録媒体において、前記耐熱保護層
が、SiＯ2 、BaＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Al2 Ｏ3 を主成分とし、
アルカリ金属酸化物に換算したアルカリ金属の含有量が
１重量％未満である低アルカリガラスを含むことを特徴
とする光情報記録媒体。 - 【請求項５】請求項４に記載された光情報記録媒体にお
いて、前記耐熱保護層が、 SiＯ2 ：30〜70重量％、 BaＯ ：10〜40重量％、 Ｂ2Ｏ3：５〜25重量％、 Al2Ｏ3：５〜15重量％: なる組成を主成分とする低アルカリガラスを含むことを
特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項６】請求項１から請求項５までのいずれか１項
に記載された光情報記録媒体において、前記基板が、ポ
リカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、
エポキシ樹脂およびアモルファスポリオレフィン樹脂を
含む透明プラスチック材料から選択された材料により形
成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3350298A JPH05159373A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3350298A JPH05159373A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159373A true JPH05159373A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18409551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3350298A Pending JPH05159373A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6761950B2 (en) | 2001-12-07 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6881466B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| WO2006109534A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP3350298A patent/JPH05159373A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6761950B2 (en) | 2001-12-07 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6881466B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| WO2006109534A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
| US7897231B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |