JPH04192134A

JPH04192134A - 光磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH04192134A
Application number: JP32380190A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Tawara; 俵　好夫; Katsushi Tokunaga; 徳永　勝志; Yoshimasa Shimizu; 清水　佳昌; Arata Sakaguchi; 阪口　新; Masaki Ejima; 正毅江島; Kunio Fukuda; 邦夫福田
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1990-11-27
Filing date: 1990-11-27
Publication date: 1992-07-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は光磁気記録媒体の製造方法、特には再生信号の
Ｃ／Ｎが大きく、記録感度が高く、化学的安定性、熱安
定性に優れて、かつ歩留りが高い、光磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。

［従来の技術］近年、情報化社会の進展に伴い書換可能な光磁気メモリ
が注目を集めている。この光磁気記録媒体に用いられる
透明基板としては、ポリカーボネート（ｐｃ）、ポリオ
レフィンなどがあるが、これらの基板は硬度、耐摩耗性
、耐薬品性、耐水性が悪いし、基板が傷つきやすく、再
生信号のＣ／Ｎが十分でないという欠点がある。

そのため、この種の光磁気記録媒体については従来公知
の、透明基板表面上に紫外線硬化性樹脂を塗布（スピン
コード）シ、透明基板の保護膜とすることが行われてい
る。

［発明が解決しようとする課題］上記の工程は透明基板上に８電体膜、磁性膜、反射膜を
有する光磁気記録媒体の製造方法において、上記の８電
体膜、磁性膜、反射膜をスパッタリング法で作製した後
に、成膜装置から記録媒体が成膜された透明基板を取り
出し、その透明基板の記録膜と反対側の基板表面に紫外
線硬化樹脂を塗布するものであるが、紫外線硬化樹脂を
塗布する際に透明基板にほこりや傷が付き、またこのほ
こりや傷のために紫外線硬化樹脂の塗布が不均一となる
ために、この記録媒体にはビット・エラー・レイトが大
きくなるという欠点があり、またこの保護膜については
更に耐湿、耐酸性が良く、機械的強度、熱安定性に優れ
、また、光透過性に優れるものかもとめられている。

［課題を解決するための手段］本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体の製造方法に関するもので、これは光の入射側
に置かれた透明基板上に、誘電体膜、磁性膜、反射膜を
有する光磁気記録媒体において、記録膜と反対側の透明
基板表面に保護膜を設ける際に、上記誘電体膜、磁性膜
、反射膜を作製した後、真空装置内の真空を破ることな
く（基板を空気にさらすことなく）、連続して上記保護
膜を作製することを特徴とするものである。

すなわち、本発明者らは再生信号のＣ／Ｎが大きく記録
感度が高く、化学的安定性に優れていてかつ生産歩留り
の高い光磁気記録媒体の製造方法を開発すべく種々検討
した結果、記録膜と反対側の透明基板表面の保護膜を、
誘電体膜、磁性膜、反射膜を作製した後、真空装置内に
おいて、真空を破ることなく連続してスパッタリング法
で上記保護膜を作製すれば１）真空を破らずに保護膜を
成膜するために記録膜と反対側の透明基板表面にゴミ、
はこりや傷がつかなくなる、２）この保護膜はスパッタ
リング法で成膜されるので従来のスピンコードによる保
護膜にくらべて剥離しにくく、機械的強度、硬度、化学
的安定性、熱安定性、耐湿性、耐薬品性にすぐれており
、複屈折もないので、基板保護効果の大きいものになる
、３）保護膜を連続的に作製できるので生産歩留りが従
来法にくらべて向上するということを見出すと共に、こ
の保護膜としては５ｉＮ、　ＢＮ、　ＳｊＣ，ＴｉＯ２
，ＪＴＤ　　（インジュウムすず酸化物）　、　ＺｎＯ
，Ｓｉｎ、、　ＣａＦ、。

ＭｇＦ、またはＨを含むＳｉＮ、　ＢＮ、　ＳｉＣ，５
ｉＣＮなどからなるものとすればこれらが光透過性のす
ぐれたもので、特に可視〜赤外領域で極めて高い透過性
を有するものであるから、媒体の記録感度が向上すると
いう有利性の与えられることを確認し、この保護膜の形
成方法などについての研究を進めて本発明を完成させた
。

以下にこれをさらに詳述する。

［作　用］本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関するものである
。

本発明における光磁気記録媒体は、例えば第１図に示し
たようにトラッキングガイドグループが形成されたポリ
カーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィンなどからなる透
明基板１の上にＳｉＮ。

ＳｉＣまたはＨを含むＳｉＮ、　ＳｉＣ，５ｉＣＮから
なる誘電体膜２をスパッタリング法で膜厚１００〜１，
６００人に形成し、この誘電体膜２の上にＴｂＦｅ、　
ＴｂＦａＣｏ。

ＧｄＴｂＦｅなとのようなアモルファス希土類元素と遷
移金属とからなる磁性膜３をスパッタリング法で膜厚１
００〜８００人に形成したのち、この磁性膜３の上に上
記した誘電体１１ｉ２と同様の第二の誘電体膜４を同じ
くスパッタリング法で膜厚１００〜１、ＨＯ人で形成し
、さらにこの第二の誘電体膜４の上にへオ、＾Ｕ、へｇ
またはＣｕなどからなる反射膜５をスパッタリング法で
膜厚２００〜１，０００人に設けたもの、または第２図
に示したように透明基板８の上に上記した誘電体膜９、
磁性膜１０、誘電体膜１１を設けたものとされるが、こ
れはまた透明基板の上に磁性膜、誘電体膜、反射膜を順
次形成した３層構造体としてもよい。これらの光磁気記
録媒体では図示されているように透明基板１．８の光の
入射側から光７．１３が入射すると、光７は反射膜５で
反射され、光１３’は磁性膜１０で反射されるが、これ
には透明基板１，８の記録膜と反対側の基板表面に保護
膜６．１２が設けられている。

本発明による光磁気記録媒体の製造はこの保護膜の形成
方法に関するものであるが、これは透明基板上に制電体
膜、磁性膜、反射膜をスパッタリング法で形成したのち
、この真空装置内の真空を破ることなく、連続して保護
膜を形成させるものであり、これによれば保護膜の形成
が８電体膜、磁性膜、反射膜のスパッタリング法による
形成時と同様の真空室で行なわれるので、従来のスピン
コード時のように透明基板にほこりや傷がつくことがな
くなるし、このほこりや傷のためにこの保ｉ！膜が厚さ
の不均一なものになるという不利が除かれ、したがって
得られる記録媒体のビット・エラー・レイトが大きくな
るという不利も解決されるという有利性が与えられる。

本発明による保護膜の形成は真空の保たれた真空装置内
で行なわれるということからスパッタリング法で行なう
ことがよいが、この保護膜形成材としては屈折率が基板
に近いかまたは同等、あるいは膜厚、屈折率を調節し、
任意の特定波長での光の振幅反射率を０となるように設
計したＳｉＮ。

ＢＮ、　ＳｉＣ，ＴｉＯ２，ＩＴｏ、　２ｎＯ，５ｉ０
２．　ＣａＦ、、　ＭｇＦ、またはＨを含むＳｉＮ、　
ＢＮ、　ＳｉＣ，５ｉＣＮなどからなるものとすればよ
い。このものは光透過性がすぐれており、特に可視〜赤
外９Ｂ域では極めて高い透過性を有するので媒体の記録
感度が向上するという有利性が与えられるけれども、屈
折率を１．９０より大きくしようとすると透過率および
膜質が低下するし、機械的強度や耐久性に悪影響が生ず
るので、これは屈折率（η）が１．４０〜１．９０の範
囲のものとすることがよく、したがってこれにはその成
膜条件に応じて各元素の組成比を調節して屈折率をこの
範囲となるようにすればよい。

［実施例］つぎに本発明の実施例をあげる。

実施例ポリカーボネート基板上に８電体膜としてＨを含むＳｉ
Ｎ：Ｈ膜を厚さ２００人に形成し、この上に厚さ１５０
　人のＴｂＦｅＣｏ磁性膜と厚さ５００　人の第二の話
電体服としてのＳｉＮ：Ｈ［、さらに厚さ５００人のア
ルミニウム反射膜を順次スパッタリング法で形成して第
１図に示した光磁気記録媒体を５旧作製した。

ついでこの（ａ）にはその記録媒体と反対側の基板表面
に紫外線硬化樹脂を塗布（スピンコード）して保ｉｉｉ
を形成し、この（ｂ）〜（ｅ）にはその記録媒体と反対
側の基板表面に、上記記録媒体を成膜したのち真空を破
らずに、第１表に示した成膜条件によるスパッタリング
法でＢＮ、　ＳＩＮ　　：　）Ｉ　。

ＳｉＣ：　Ｈ，５ｉＣＮ：　Ｈの保護膜を厚さ３．００
０人で形成させた。

つぎにこのようにして得られた光磁気記録媒体について
その記録パワーとＣ／Ｎを測定したところ、第２表に示
したとおりの結果が得られ、これらの８５℃、８５％Ｒ
Ｈにおける保磁力変化（耐久性）なしらべたところ第３
図に示したような結果が得られたので、本発明の方法で
保護膜を形成した光磁気記録媒体は従来公知の塗布（ス
ピンコード）により得られた光磁気記録媒体に比べて、
記録感度、耐久性のすぐれたものになることが確認され
た。

第１表第２表測定条件　　・回転数：　１８００ｒｐｍ、　（ｒ　＝
５０ｍｍ）’　Ｄｕｔｙ　：　３３．０％・周波数：　３．７０Ｍ）ＩＺ［発明の効果］本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関するもので、こ
れは前記したように光の入射側に置かれた透明基板上に
、誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する光磁気記録媒体に
おいて、記録膜と反対側の透明基板表面に保護膜を設け
る際に、上記誘電体膜、磁性膜、反射膜を作製した後、
真空装置内において真空を破ることなく、連続して上記
保護膜を作製することを特徴とするものであり、これは
またこの保！ｉｉ膜をＳｉＮ、　ＢＮ、　ＳｉＣ，Ｔｉ
１２．１丁０゜ＺｎＯ，５ｉｆｔ、　ＣａＦ２．　Ｍｇ
ＦｚまたはＨを含むＳｉＮ、　ＢＮ。

ＳｉＣ，５ｉＣＮを用いてなるとするものであるが、こ
れによれば再生信号のＣ／Ｎが大きく、記ｔＩ！感度も
高く、化学的安定性にすぐれた光磁気記録媒体を容易に
、かつ歩留り高く製造することができるという有利性が
与えられる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は光磁気記録媒体の構成図、第３図は実
施例、比較例による光磁気記録媒体（ａ）〜（ｅ）の８
５℃、８５％ＲＨにおける耐久性試験結果グラフを示し
たものである。１．８・・・透明基板２．４，９．１１・・・誘電体膜（層）３．１０・・・
磁性膜５・・・反射膜６．１２・・・透明基板表面の保護膜７．１３・・・光特許出願人　信越化学工業株式会社代理人・弁理士　山　本　亮　−レ軍第１図　　　　第２図 −　　　　　　　　　　　−今保持時間（ｈ）ひ）第３図

Claims

【特許請求の範囲】１、透明基板上に、誘電体膜、磁性膜、反射膜を有し、
磁性膜と反対側の基板表面に透明保護膜を有する光磁気
記録媒体の製造方法において、上記誘電体膜、磁性膜、
反射膜を作製した後、真空装置内の真空を破ることなく
、連続して上記保護膜を作製することを特徴とする光磁
気記録媒体の製造方法。２、保護膜が磁性膜と反対側の基板表面にスパッタリン
グ法で作製される請求項１に記載した光磁気記録媒体の
製造方法。３、保護膜が膜材料としてのＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｔ
ｉＯ＿２、インジュウムすず酸化物、ＺｎＯ、ＳｉＯ＿
２、ＣａＦ＿２、ＭｇＦ＿２あるいはＨを含むＳｉＮ、
ＢＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮからなるものである請求項１に
記載した光磁気記録媒体の製造方法。４、膜材料が屈折率（η）＝１．４０〜１．９０のもの
とされる請求項１に記載した光磁気記録媒体の製造方法
。