JPH04238131A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04238131A JPH04238131A JP1921091A JP1921091A JPH04238131A JP H04238131 A JPH04238131 A JP H04238131A JP 1921091 A JP1921091 A JP 1921091A JP 1921091 A JP1921091 A JP 1921091A JP H04238131 A JPH04238131 A JP H04238131A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法、特には再生信号のＣ／Ｎが大きく、記録感度が高く
、化学安定性・熱安定性に優れていて耐久性が高く、媒
体の反りが少なく、且つ歩留まりが高い、光磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。
法、特には再生信号のＣ／Ｎが大きく、記録感度が高く
、化学安定性・熱安定性に優れていて耐久性が高く、媒
体の反りが少なく、且つ歩留まりが高い、光磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報化社会の進展に伴い書き換え
可能な光磁気メモリが注目を集めている。この光磁気記
録媒体に用いられる透明基板としては、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）、ポリオレフィンなどがあるが、これらの基
板は硬度、耐摩耗性、耐薬品性、耐水性が悪いし、基板
が傷付き易く、再生信号のＣ／Ｎが十分でないという欠
点がある。そのため、この種の光磁気記録媒体について
は従来公知の、記録膜と反対側の透明基板表面に紫外線
硬化性樹脂を塗布（ハードコート）し、透明基板の保護
膜とすることが行なわれている。また、透明基板上の記
録媒体の耐摩耗性、耐薬品性、耐水性を向上し、傷を付
きにくくするため、保護膜として記録媒体の表面及び内
外周端部に磁界線硬化性樹脂を塗布（スピンコート）し
記録媒体の保護膜とすることも行なわれている。
可能な光磁気メモリが注目を集めている。この光磁気記
録媒体に用いられる透明基板としては、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）、ポリオレフィンなどがあるが、これらの基
板は硬度、耐摩耗性、耐薬品性、耐水性が悪いし、基板
が傷付き易く、再生信号のＣ／Ｎが十分でないという欠
点がある。そのため、この種の光磁気記録媒体について
は従来公知の、記録膜と反対側の透明基板表面に紫外線
硬化性樹脂を塗布（ハードコート）し、透明基板の保護
膜とすることが行なわれている。また、透明基板上の記
録媒体の耐摩耗性、耐薬品性、耐水性を向上し、傷を付
きにくくするため、保護膜として記録媒体の表面及び内
外周端部に磁界線硬化性樹脂を塗布（スピンコート）し
記録媒体の保護膜とすることも行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の工程は、透明基
板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する光磁気記録媒
体の製造方法において、上記の誘電体膜、磁性膜、反射
膜をスパッタリング法で作製した後に、成膜装置から記
録媒体が成膜された透明基板を取り出し、その透明基板
上の記録媒体の表面及び内外周端部に紫外線硬化性樹脂
を塗布（スピンコート）し、更に、その透明基板の記録
媒体と反対側の基板表面に紫外線硬化性樹脂を塗布（ハ
−ドコート）するものであるが、紫外線硬化性樹脂を記
録媒体の表面及び内外周端部と記録媒体と反対側の基板
表面に塗布する際に、１）記録媒体表面及び透明基板表
面にほこりや傷が付き、また、２）このほこりや傷のた
めに紫外線硬化性樹脂の塗布が不均一となってしまった
り、３）この紫外線硬化性樹脂の塗布に起因する光磁気
記録媒体全体の歪み、４）更に上記の紫外線硬化性樹脂
が記録媒体あるいは透明基板から剥離してしまうために
、この記録媒体にはビット・エラー・レートが大きくな
るという欠点があり、この２種類の保護膜については更
に耐湿・耐酸性がよく、機械的強度・熱安定性、基板材
料との密着性にすぐれ、また、光透過性に優れるものが
求められている。
板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する光磁気記録媒
体の製造方法において、上記の誘電体膜、磁性膜、反射
膜をスパッタリング法で作製した後に、成膜装置から記
録媒体が成膜された透明基板を取り出し、その透明基板
上の記録媒体の表面及び内外周端部に紫外線硬化性樹脂
を塗布（スピンコート）し、更に、その透明基板の記録
媒体と反対側の基板表面に紫外線硬化性樹脂を塗布（ハ
−ドコート）するものであるが、紫外線硬化性樹脂を記
録媒体の表面及び内外周端部と記録媒体と反対側の基板
表面に塗布する際に、１）記録媒体表面及び透明基板表
面にほこりや傷が付き、また、２）このほこりや傷のた
めに紫外線硬化性樹脂の塗布が不均一となってしまった
り、３）この紫外線硬化性樹脂の塗布に起因する光磁気
記録媒体全体の歪み、４）更に上記の紫外線硬化性樹脂
が記録媒体あるいは透明基板から剥離してしまうために
、この記録媒体にはビット・エラー・レートが大きくな
るという欠点があり、この２種類の保護膜については更
に耐湿・耐酸性がよく、機械的強度・熱安定性、基板材
料との密着性にすぐれ、また、光透過性に優れるものが
求められている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決することのできる光磁気記録媒体の製造方法に関
するもので、これは光の入射側に置かれた透明基板上に
誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する光磁気記録媒体の製
造方法において、上記の誘電体膜、磁性膜、反射膜、透
明保護膜を作製する際、真空装置内の真空を破ることな
く（基板と記録媒体を外気にさらすことなく）、上記の
記録媒体の表面及び内外周端部の保護膜と、記録媒体と
反対側の基板表面の保護膜をスパッタリング法で作製す
ることを特徴としたものである。
を解決することのできる光磁気記録媒体の製造方法に関
するもので、これは光の入射側に置かれた透明基板上に
誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する光磁気記録媒体の製
造方法において、上記の誘電体膜、磁性膜、反射膜、透
明保護膜を作製する際、真空装置内の真空を破ることな
く（基板と記録媒体を外気にさらすことなく）、上記の
記録媒体の表面及び内外周端部の保護膜と、記録媒体と
反対側の基板表面の保護膜をスパッタリング法で作製す
ることを特徴としたものである。
【０００５】すなわち、本発明者らは再生信号のＣ／Ｎ
が大きく記録感度が高く、化学的安定性に優れていて、
かつ生産歩留まりの高い光磁気記録媒体の製造方法を開
発すべく種々検討した結果、透明基板上に上記誘電体膜
、磁性膜、反射膜さらに磁性膜と反対側の基板表面と上
記の記録媒体の表面及び内外周端部に透明保護膜を作製
する際、真空装置内において、真空を破ることなくスパ
ッタリング法で上記の記録媒体の表面及び内外周端部の
保護膜と、記録媒体と反対側の基板表面の保護膜を作製
すれば、１）真空を破らずに保護膜を成膜するため、記
録媒体の内外周端部及び記録媒体と反対側の透明基板表
面のゴミ、ほこりや傷がつかなくなる、２）この２種類
の保護膜はスパッタリング法で成膜されるので従来の紫
外線硬化性樹脂による保護膜に比べて剥離しにくく、機
械的強度、硬度、化学的安定性、熱安定性、耐湿性、耐
薬品性にすぐれており、複屈折もないので、基板保護効
果の大きいものになる、３）２種類の保護膜を真空装置
内で成膜できるので生産歩留まりが従来の方法にくらべ
て向上する、４）記録媒体全体の歪みが少なくなるとい
うことを見いだした。
が大きく記録感度が高く、化学的安定性に優れていて、
かつ生産歩留まりの高い光磁気記録媒体の製造方法を開
発すべく種々検討した結果、透明基板上に上記誘電体膜
、磁性膜、反射膜さらに磁性膜と反対側の基板表面と上
記の記録媒体の表面及び内外周端部に透明保護膜を作製
する際、真空装置内において、真空を破ることなくスパ
ッタリング法で上記の記録媒体の表面及び内外周端部の
保護膜と、記録媒体と反対側の基板表面の保護膜を作製
すれば、１）真空を破らずに保護膜を成膜するため、記
録媒体の内外周端部及び記録媒体と反対側の透明基板表
面のゴミ、ほこりや傷がつかなくなる、２）この２種類
の保護膜はスパッタリング法で成膜されるので従来の紫
外線硬化性樹脂による保護膜に比べて剥離しにくく、機
械的強度、硬度、化学的安定性、熱安定性、耐湿性、耐
薬品性にすぐれており、複屈折もないので、基板保護効
果の大きいものになる、３）２種類の保護膜を真空装置
内で成膜できるので生産歩留まりが従来の方法にくらべ
て向上する、４）記録媒体全体の歪みが少なくなるとい
うことを見いだした。
【０００６】また、その際この保護膜としては、屈折率
が基板に近いかまたは同等、あるいは、膜厚・屈折率を
調節し、任意の特定波長での光の振幅反射率を０となる
ように設計した、ＳｉＮ，ＳｎＯ２ ，ＺｎＯ，Ｉｎ２
Ｏ３ ，ＳｎＯ２ −ＳｉＯ２ ，Ｉｎ２ Ｏ３ −
ＳｎＯ２ あるいはＨを含むＳｉＮなどからなるものと
すればこれらが光透過性のすぐれたもので、特に可視〜
赤外領域で極めて高い透過性を有するものであるから、
媒体の記録感度及びビット・エラー・レートが向上する
という有利性の与えられることを確認し、この保護膜の
形成方法などについての研究を進めて本発明を完成させ
た。なお、上記の記録媒体と反対側の基板表面の保護膜
は、透明基板表面に記録媒体を成膜中に、あるいはその
前後に成膜を行なってもかまわない。以下にこれをさら
に詳述する。
が基板に近いかまたは同等、あるいは、膜厚・屈折率を
調節し、任意の特定波長での光の振幅反射率を０となる
ように設計した、ＳｉＮ，ＳｎＯ２ ，ＺｎＯ，Ｉｎ２
Ｏ３ ，ＳｎＯ２ −ＳｉＯ２ ，Ｉｎ２ Ｏ３ −
ＳｎＯ２ あるいはＨを含むＳｉＮなどからなるものと
すればこれらが光透過性のすぐれたもので、特に可視〜
赤外領域で極めて高い透過性を有するものであるから、
媒体の記録感度及びビット・エラー・レートが向上する
という有利性の与えられることを確認し、この保護膜の
形成方法などについての研究を進めて本発明を完成させ
た。なお、上記の記録媒体と反対側の基板表面の保護膜
は、透明基板表面に記録媒体を成膜中に、あるいはその
前後に成膜を行なってもかまわない。以下にこれをさら
に詳述する。
【０００７】
【作用】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関するも
のである。本発明における光磁気記録媒体は、例えば図
１に示したようにトラッキングガイドグルーブが形成さ
れたポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィンなどか
らなる透明基板１の上にＳｉＮ，ＢＮまたはＨを含むＳ
ｉＮ等からなる誘電体膜２をスパッタリング法で膜厚１
００〜１６００Åに形成し、この誘電体膜２の上にＴｂ
Ｆｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅなどのようなアモル
ファス希土類元素と遷移金属元素とからなる磁性膜３を
スパッタリング法で膜厚１００〜８００Åに形成した後
、この磁性膜３の上に上記した誘電体膜２と同様の第２
の誘電体膜４を同じくスパッタリング法で膜厚１００〜
１６００Åで形成し、さらにこの第２の誘電体膜４の上
にＡｌ，Ａｕ，ＡｇまたはＣｕなどからなる反射膜５を
スパッタリング法で膜厚２００〜１０００Åに設けたも
の、または図２に示したように透明基板１０の上に上記
した誘電体膜１１、磁性膜１２、誘電体膜１３を設けた
ものとされるが、これはまた基板の上に磁性膜、誘電体
膜、反射膜を順次形成した３層構造体としてもよい。
のである。本発明における光磁気記録媒体は、例えば図
１に示したようにトラッキングガイドグルーブが形成さ
れたポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィンなどか
らなる透明基板１の上にＳｉＮ，ＢＮまたはＨを含むＳ
ｉＮ等からなる誘電体膜２をスパッタリング法で膜厚１
００〜１６００Åに形成し、この誘電体膜２の上にＴｂ
Ｆｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅなどのようなアモル
ファス希土類元素と遷移金属元素とからなる磁性膜３を
スパッタリング法で膜厚１００〜８００Åに形成した後
、この磁性膜３の上に上記した誘電体膜２と同様の第２
の誘電体膜４を同じくスパッタリング法で膜厚１００〜
１６００Åで形成し、さらにこの第２の誘電体膜４の上
にＡｌ，Ａｕ，ＡｇまたはＣｕなどからなる反射膜５を
スパッタリング法で膜厚２００〜１０００Åに設けたも
の、または図２に示したように透明基板１０の上に上記
した誘電体膜１１、磁性膜１２、誘電体膜１３を設けた
ものとされるが、これはまた基板の上に磁性膜、誘電体
膜、反射膜を順次形成した３層構造体としてもよい。
【０００８】また、これらの光磁気記録媒体では図示さ
れているように透明基板１，１０の光の入射側から光７
，１５が入射すると、光７は反射膜５で反射され、光１
５は磁性膜１２で反射されるが、これには透明基板１，
１０の上の記録媒体表面及び内外周端部に保護膜６，１
４及び記録媒体と反対側の基板表面に保護膜８，９が設
けられている。
れているように透明基板１，１０の光の入射側から光７
，１５が入射すると、光７は反射膜５で反射され、光１
５は磁性膜１２で反射されるが、これには透明基板１，
１０の上の記録媒体表面及び内外周端部に保護膜６，１
４及び記録媒体と反対側の基板表面に保護膜８，９が設
けられている。
【０００９】なお、本願において保護膜は透明基板上の
記録媒体の内外周縁部にも設けられるのであるが、この
透明基板は図４に示したように中心に基板回転用の開口
をもつド−ナツ状となっており、この上に記録媒体が積
層されたものであるので、この内周端部は図示されてい
るように中心開口周縁を指し、外周縁部とは基板の外周
周縁部を指すものである。
記録媒体の内外周縁部にも設けられるのであるが、この
透明基板は図４に示したように中心に基板回転用の開口
をもつド−ナツ状となっており、この上に記録媒体が積
層されたものであるので、この内周端部は図示されてい
るように中心開口周縁を指し、外周縁部とは基板の外周
周縁部を指すものである。
【００１０】本発明による光磁気記録媒体の製造方法は
この記録媒体の表面及び内外周端部の保護膜と、記録媒
体と反対側の基板表面の保護膜の形成方法に関するもの
であるが、これは透明基板上に上記誘電体膜、磁性膜、
反射膜さらに磁性膜と反対側の基板表面と上記の記録媒
体の表面及び内外周端部の透明保護膜を作製する際、こ
の真空装置内の真空を破ることなく記録媒体の表面及び
内外周端部の保護膜と、記録媒体と反対側の基板表面の
保護膜をスパッタリング法により形成させるものであり
、これによれば保護膜の形成が誘電体膜、磁性膜、反射
膜のスパッタリング法による形成時と同様の真空室で行
なわれるので、従来のスピンコートやハードコートの時
のように、１）透明基板に、ほこりや傷がつき、２）こ
のほこりや傷のためにこの保護膜が厚さの不均一なもの
になるという不利も解決されるという有利性が与えられ
る。
この記録媒体の表面及び内外周端部の保護膜と、記録媒
体と反対側の基板表面の保護膜の形成方法に関するもの
であるが、これは透明基板上に上記誘電体膜、磁性膜、
反射膜さらに磁性膜と反対側の基板表面と上記の記録媒
体の表面及び内外周端部の透明保護膜を作製する際、こ
の真空装置内の真空を破ることなく記録媒体の表面及び
内外周端部の保護膜と、記録媒体と反対側の基板表面の
保護膜をスパッタリング法により形成させるものであり
、これによれば保護膜の形成が誘電体膜、磁性膜、反射
膜のスパッタリング法による形成時と同様の真空室で行
なわれるので、従来のスピンコートやハードコートの時
のように、１）透明基板に、ほこりや傷がつき、２）こ
のほこりや傷のためにこの保護膜が厚さの不均一なもの
になるという不利も解決されるという有利性が与えられ
る。
【００１１】本発明による保護膜の形成は真空の保たれ
た真空装置内で行なわれるということからスパッタリン
グ法で行なうことがよいが、この保護膜形成材としては
屈折率が基板に近いかまたは同等、あるいは、膜厚・屈
折率を調節し、任意の特定波長での光の振幅反射率を０
となるように設計した、ＳｉＮ，ＳｎＯ２ ，ＺｎＯ，
Ｉｎ２ Ｏ３ ，ＳｎＯ２ −ＳｉＯ２ ，Ｉｎ２ Ｏ
３ −ＳｎＯ２ あるいはＨを含むＳｉＮなどからなる
ものとすればよい。このものは光透過性がすぐれており
、特に可視〜赤外領域では極めて高い透過性を有するの
で媒体の記録感度が向上するという有利性が与えられる
。
た真空装置内で行なわれるということからスパッタリン
グ法で行なうことがよいが、この保護膜形成材としては
屈折率が基板に近いかまたは同等、あるいは、膜厚・屈
折率を調節し、任意の特定波長での光の振幅反射率を０
となるように設計した、ＳｉＮ，ＳｎＯ２ ，ＺｎＯ，
Ｉｎ２ Ｏ３ ，ＳｎＯ２ −ＳｉＯ２ ，Ｉｎ２ Ｏ
３ −ＳｎＯ２ あるいはＨを含むＳｉＮなどからなる
ものとすればよい。このものは光透過性がすぐれており
、特に可視〜赤外領域では極めて高い透過性を有するの
で媒体の記録感度が向上するという有利性が与えられる
。
【００１２】しかし、屈折率を２．２より大きくしよう
とすると透過率及び膜質が低下し、機械的強度や耐久性
に悪影響が生ずるので、これは屈折率（ｎ）が１．４０
〜２．２０の範囲のものとすることがよく、従って、こ
れにはその成膜条件に応じて各元素の組成比を調節して
屈折率をこの範囲となるようにすればよいが、上記の記
録媒体と反対側の基板表面の保護膜は、透明基板表面に
記録媒体を成膜中に、あるいはその前後に成膜を行なっ
てもかまわない。なお、このものは従来の紫外線硬化性
樹脂よりもポリカーボネート，ポリオレフィン，ガラス
基板等の透明基板材料及びＡｌ，Ａｕ，ＡｇまたはＣｕ
等の金属薄膜との密着性に優れており、膜の剥離が無い
という有利性が与えられる。
とすると透過率及び膜質が低下し、機械的強度や耐久性
に悪影響が生ずるので、これは屈折率（ｎ）が１．４０
〜２．２０の範囲のものとすることがよく、従って、こ
れにはその成膜条件に応じて各元素の組成比を調節して
屈折率をこの範囲となるようにすればよいが、上記の記
録媒体と反対側の基板表面の保護膜は、透明基板表面に
記録媒体を成膜中に、あるいはその前後に成膜を行なっ
てもかまわない。なお、このものは従来の紫外線硬化性
樹脂よりもポリカーボネート，ポリオレフィン，ガラス
基板等の透明基板材料及びＡｌ，Ａｕ，ＡｇまたはＣｕ
等の金属薄膜との密着性に優れており、膜の剥離が無い
という有利性が与えられる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例をあげる。
実施例
ポリカーボネート基板上に誘電体膜としてＨを含むＳｉ
Ｎ：Ｈ膜を厚さ２００Åに形成し、この上に厚さ１７０
ÅのＴｂＦｅＣｏ磁性膜と厚さ５００Åの第２の誘電体
膜としてのＳｉＮ：Ｈ膜、さらに厚さ５００Åのアルミ
ニウム反射膜を順次スパッタリング法で形成して、光磁
気記録媒体５個作製した。ついでこの（ａ）にはその記
録媒体表面及び内外周端部と記録媒体と反対側の基板表
面に紫外線硬化性樹脂をそれぞれ１０〜２０μｍ、４〜
５μｍ塗布して保護膜を形成し、この（ｂ）〜（ｅ）に
は透明基板表面に上記記録媒体を成膜し、真空を破らず
にその記録媒体表面及び内外周端部と記録媒体と反対側
の基板表面に表１に示した成膜条件によるスパッタリン
グ法により、それぞれＳｉＮ，ＳｎＯ２ ，ＳｎＯ２
−ＳｉＯ２ ，ＳｉＮ−ＳｎＯ２ 保護膜を厚さ２，０
７４Åで形成させた。
Ｎ：Ｈ膜を厚さ２００Åに形成し、この上に厚さ１７０
ÅのＴｂＦｅＣｏ磁性膜と厚さ５００Åの第２の誘電体
膜としてのＳｉＮ：Ｈ膜、さらに厚さ５００Åのアルミ
ニウム反射膜を順次スパッタリング法で形成して、光磁
気記録媒体５個作製した。ついでこの（ａ）にはその記
録媒体表面及び内外周端部と記録媒体と反対側の基板表
面に紫外線硬化性樹脂をそれぞれ１０〜２０μｍ、４〜
５μｍ塗布して保護膜を形成し、この（ｂ）〜（ｅ）に
は透明基板表面に上記記録媒体を成膜し、真空を破らず
にその記録媒体表面及び内外周端部と記録媒体と反対側
の基板表面に表１に示した成膜条件によるスパッタリン
グ法により、それぞれＳｉＮ，ＳｎＯ２ ，ＳｎＯ２
−ＳｉＯ２ ，ＳｉＮ−ＳｎＯ２ 保護膜を厚さ２，０
７４Åで形成させた。
【００１４】次にこのようにして得られた光磁気記録媒
体についてそのビット・エラー・レートとＣ／Ｎを測定
したところ、表２に示したとおりの結果が得られ、これ
らの８０℃、８５％ＲＨにおける保磁力変化（耐久性）
を調べたところ、図３に示したような結果が得られたの
で、本発明の方法で保護膜を形成した光磁気記録媒体は
従来公知の紫外線硬化性樹脂の記録媒体表面及び内外周
端部と記録媒体と反対側の基板表面への塗布により得ら
れた光磁気記録媒体に比べて、記録感度、耐久性の優れ
たものになることがわかった。
体についてそのビット・エラー・レートとＣ／Ｎを測定
したところ、表２に示したとおりの結果が得られ、これ
らの８０℃、８５％ＲＨにおける保磁力変化（耐久性）
を調べたところ、図３に示したような結果が得られたの
で、本発明の方法で保護膜を形成した光磁気記録媒体は
従来公知の紫外線硬化性樹脂の記録媒体表面及び内外周
端部と記録媒体と反対側の基板表面への塗布により得ら
れた光磁気記録媒体に比べて、記録感度、耐久性の優れ
たものになることがわかった。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関
するもので、これは前記したように光の入射側に置かれ
た透明基板上に、誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する光
磁気記録媒体において、透明基板上に上記誘電体膜、磁
性膜、反射膜さらに磁性膜と反対側の基板表面と上記の
記録媒体の表面及び内外周端部に透明保護膜を作製する
際、真空装置内において真空を破ることなく、スパッタ
リング法により記録媒体と反対側の基板表面の保護膜及
び上記の記録媒体の表面及び内外周端部の保護膜を作製
することを特徴とするものであり、これはまたこの保護
膜を屈折率が基板に近いかまたは同等、あるいは、膜厚
・屈折率を調節し、任意の特定波長での光の振幅反射率
を０となるように設計した、ＳｉＮ，ＳｎＯ２，ＺｎＯ
，Ｉｎ２ Ｏ３ ，ＳｎＯ２ −ＳｉＯ２ ，Ｉｎ２
Ｏ３ −ＳｎＯ２ あるいはＨを含むＳｉＮを用いてな
るものであるが、これによれば再生信号のＣ／Ｎが大き
く、ビット・エラー・レートが小さく、記録感度も高く
、化学的安定性にすぐれた光磁気記録媒体を容易に、且
つ歩留まり高く製造することができるという有利性が与
えられる。
するもので、これは前記したように光の入射側に置かれ
た透明基板上に、誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する光
磁気記録媒体において、透明基板上に上記誘電体膜、磁
性膜、反射膜さらに磁性膜と反対側の基板表面と上記の
記録媒体の表面及び内外周端部に透明保護膜を作製する
際、真空装置内において真空を破ることなく、スパッタ
リング法により記録媒体と反対側の基板表面の保護膜及
び上記の記録媒体の表面及び内外周端部の保護膜を作製
することを特徴とするものであり、これはまたこの保護
膜を屈折率が基板に近いかまたは同等、あるいは、膜厚
・屈折率を調節し、任意の特定波長での光の振幅反射率
を０となるように設計した、ＳｉＮ，ＳｎＯ２，ＺｎＯ
，Ｉｎ２ Ｏ３ ，ＳｎＯ２ −ＳｉＯ２ ，Ｉｎ２
Ｏ３ −ＳｎＯ２ あるいはＨを含むＳｉＮを用いてな
るものであるが、これによれば再生信号のＣ／Ｎが大き
く、ビット・エラー・レートが小さく、記録感度も高く
、化学的安定性にすぐれた光磁気記録媒体を容易に、且
つ歩留まり高く製造することができるという有利性が与
えられる。
【図１】 光磁気記録媒体の構成図
【図２】 他の光磁気記録媒体の構成図
【図３】
実施例、比較例による光磁気記録媒体（ａ）〜（ｅ）の
８０℃，８５％ＲＨにおける耐久試験結果グラフ
実施例、比較例による光磁気記録媒体（ａ）〜（ｅ）の
８０℃，８５％ＲＨにおける耐久試験結果グラフ
【図４】 公知の光磁気記録媒体の平面図および断面
図
図
【符号の説明】
１，１０ 透明基板
２，４，１１，１３ 誘電体膜（層）３，１２ 磁
性膜 ５ 反射膜 ６，１４ 記録媒体表面及び内外周端部の保護膜８，
９ 記録媒体と反対側の基板表面の保護膜７，１５
光
性膜 ５ 反射膜 ６，１４ 記録媒体表面及び内外周端部の保護膜８，
９ 記録媒体と反対側の基板表面の保護膜７，１５
光
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射
膜を有し、磁性膜と反対側の基板表面と、透明基板上に
成膜された誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する記録媒体
の表面及び内外周端部に透明保護膜を有する光磁気記録
媒体の製造方法において、透明基板上に上記誘電体膜、
磁性膜、反射膜さらに磁性膜と反対側の基板表面と透明
基板上に成膜された誘電体膜、磁性膜、反射膜を有する
記録媒体の表面及び内外周端部の透明保護膜を作製する
際に、真空装置内において真空を破ることなく、上記の
記録媒体の表面及び内外周端部の保護膜と、記録媒体と
反対側の基板表面の保護膜を作製することを特徴とする
光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 保護膜がスパッタリング法で作製され
る請求項１に記載した光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 保護膜が膜材料としての、ＳｉＮ，Ｓ
ｎＯ２ ，ＺｎＯ，Ｉｎ２ Ｏ３ ，ＳｎＯ２ −Ｓｉ
Ｏ２ ，Ｉｎ２ Ｏ３ −ＳｎＯ２ あるいはＨを含む
ＳｉＮからなるものである請求項１に記載した光磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 膜材料の屈折率が基板に近いかまたは
同等、あるいは、膜厚・屈折率を調節し、任意の特定波
長での光の振幅反射率を０となるように設計した、屈折
率（ｎ）＝１．４０〜２．２０のものとされる請求項１
に記載した光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1921091A JPH04238131A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| EP19910403110 EP0488854A3 (en) | 1990-11-27 | 1991-11-19 | Method for the preparation of a magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1921091A JPH04238131A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04238131A true JPH04238131A (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=11993008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1921091A Pending JPH04238131A (ja) | 1990-11-27 | 1991-01-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04238131A (ja) |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP1921091A patent/JPH04238131A/ja active Pending
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