JP2001319381A5 - スタンパの製造方法及び光ディスクの製造方法 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｒｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項３】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｐ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項４】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｍｇ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項５】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｒ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項６】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項７】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｓｉ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項８】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｔｉ元素を５０重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項９】 レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、
前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｇ元素を５０重量パーセント未満の範囲で添加したものであることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１０】 前記レジスト膜パターニング工程においては、電子ビームによりレジスト膜が露光されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法。
【請求項１１】 前記レジスト膜形成工程において形成されるレジスト膜は電子吸引基を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法。
【請求項１２】 前記電鋳工程においては、前記電極上に、ニッケルからなる金属層を電鋳により形成することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法。
【請求項１３】 前記電鋳工程においては、前記電極上に、ニッケル合金からなる金属層を電鋳により形成することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法。
【請求項１４】 請求項１から１３のいずれか一項に記載のスタンパの製造方法と、
前記製造されたスタンパにおけるパターニング側に対して樹脂を射出成型する射出成型工程と、
を備えることを特徴とする光ディスクの製造方法。

本発明は、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応によってスタンパの品質を劣化させることがなく、良好なＳ／Ｎ比を得ることができるスタンパの製造方法及び当該製造方法により製造されたスタンパを用いた光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｒｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項２に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項３に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｐ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項４に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｍｇ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項５に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｃｒ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項６に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｕ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項７に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｓｉ元素を２５重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項８に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ｔｉ元素を５０重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

上記の課題を解決するために、請求項９に記載の発明は、レジスト膜形成工程と、レジスト膜パターニング工程と、電極形成工程と、電鋳工程と、を含み、光ディスク製造用のスタンパを製造するスタンパの製造方法において、前記電極形成工程においてレジスト膜上に形成される電極は、Ｎｉ元素を主成分とするとともに、Ａｇ元素を５０重量パーセント未満の範囲で添加したものであるように構成される。

以上説明したように、本願によれば、電極３の材料中のＮｉと、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が効果的に防止され、また、平坦性に優れる電極３を形成することができるため、良好なＳ／Ｎ比を有する光ディスクを得ることができる。