JP3686573B2 - スタンパ形成用電極材料およびスタンパ形成用薄膜 - Google Patents
スタンパ形成用電極材料およびスタンパ形成用薄膜 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜、およびこのような電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料に関する。
【0002】
【従来の技術】
CDやDVD等の光ディスクは、スタンパと呼ばれる光ディスク原盤を用いて量産される。図8は従来のスタンパの製造方法を示す図である。まず、図8(a)に示すように、ガラス基板101上にスピンコート等によりフォトレジスト膜102を形成した後、図8(b)に示すように、フォトレジスト膜102をレーザビームにより露光して潜像102aを形成する。次いで、フォトレジスト膜102を現像して、図8(c)に示すような溝部102bを有するパターンを形成する。次に、図8(d)に示すように、スパッタリング法、蒸着法等を用いてフォトレジスト膜102およびガラス基板101の表面にニッケル薄膜103を形成する。その後、図8(e)に示すように、ニッケル薄膜103を電極として用いてニッケル薄膜103表面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層104を形成する。そして、図8(f)に示すように、ニッケル層104をガラス基板101から剥離した後、図8(f)においてニッケル層104の上面を研磨するなどして、スタンパ104Aが得られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
光ディスクに対しては、更なる高記録密度化が要求されている。今後予想される直径12cmのディスクに対して数十GB以上の記録容量を確保するような高記録密度化の要求に応えるためには、上記のようにレーザビームを用いたレーザビームカッティングでは対応できず、レーザビームカッティングに代わる方法として電子ビームを用いる電子ビームカッティングが注目されている。電子ビームカッティングによれば、従来のレーザビームカッティングに比べて、高精細なパターンを形成することが可能となる。
【0004】
しかし、電子ビームカッティングを行うためには、レジスト材料の電子吸収感度を向上させる必要があり、レジスト材料中に塩素、イオウ、あるいはフッ素等の電子吸引基等が導入される。ところが、ニッケル電鋳を施す際に、レジスト材料中の電子吸引基とニッケル薄膜とが反応してニッケル薄膜が損傷を受け、スタンパの品質が劣化するという問題があることが判明した。
【0005】
本発明は、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応によってスタンパの品質を劣化させることのないスタンパ形成用薄膜、およびこのような電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Ru元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0007】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。また、平坦性に優れる電極(3)を形成することができるため、光ディスクのS/N比を向上させることができる。
【0008】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Cu元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0009】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0010】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、P元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0011】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0012】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Mg元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0013】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0014】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Cr元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0015】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。また、平坦性に優れる電極を形成することができるため、光ディスクのS/N比を向上させることができる。
【0016】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Au元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0017】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0018】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Si元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0019】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0020】
本発明のスタンパ形成用電極材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Ti元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0021】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0022】
本発明のスタンパ形成材料は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、Ni元素を主成分とするとともに、Ag元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0023】
このスタンパ形成用電極材料によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。また、平坦性に優れる電極(3)を形成することができるため、光ディスクのS/N比を向上させることができる。
【0024】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Ru元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0025】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。また、平坦性に優れる電極(3)を形成することができるため、光ディスクのS/N比を向上させることができる。
【0026】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Cu元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0027】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0028】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、P元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0029】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0030】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Mg元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0031】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0032】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Cr元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0033】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。また、平坦性に優れる電極(3)を形成することができるため、光ディスクのS/N比を向上させることができる。
【0034】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Au元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0035】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0036】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Si元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0037】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0038】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Ti元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0039】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。
【0040】
本発明のスタンパ形成用薄膜は、パターニングされたレジスト材料(2)の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極(3)として用いられるスタンパ形成用薄膜において、Ni元素を主成分とするとともに、Ag元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とする。
【0041】
このスタンパ形成用薄膜によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料(2)に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が防止される。また、平坦性に優れる電極(3)を形成することができるため、光ディスクのS/N比を向上させることができる。
【0042】
なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【0043】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図7を参照して、本発明のスタンパ形成用薄膜の実施形態について説明する。図1は本実施形態のスタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する工程を示す断面図、図2はこの工程の詳細を示す図である。
【0044】
まず、図1(a)および図2に示すように、ガラス基板1を研磨、洗浄した後、ガラス基板1上にスピンコート等により電子ビーム用の電子線レジスト膜2を形成する。次に、電子線レジスト膜2をプリベークし、図1(b)に示すように、電子線レジスト膜2を電子ビームにより露光して潜像2aを形成する(図2における「信号記録」)。次いで、電子線レジスト膜2を現像して、図1(c)に示すような溝部2bを形成した後、電子線レジスト膜2のポストベークを行う。
【0045】
次に、図1(d)に示すように、スパッタリング法、蒸着法あるいは無電解メッキにより、電子線レジスト膜2およびガラス基板1の表面にニッケル合金薄膜3を形成する。ニッケル合金薄膜の材料については後述する。
【0046】
その後、図1(e)に示すように、ニッケル合金薄膜3を電極として用いてニッケル合金薄膜3表面にニッケル電鋳を施すことにより、ニッケル層4を形成する。そして、図1(f)に示すように、ニッケル層4をガラス基板1から剥離した後、図1(f)においてニッケル層4の上面を研磨するなどして、マスタースタンパ4Aが得られる。なお、ニッケル層4に代えて、ニッケル合金層を電鋳により形成し、剥離したニッケル合金層をスタンパとして使用してもよい。
【0047】
図2に示すように、マスタースタンパ4Aに対して、再度、電鋳によりニッケルを付着させることにより形状が反転したサブマスタスタンパが得られる。サブマスタスタンプに対して、さらに電鋳によりニッケルを付着させることによりマスタースタンパと同一形状のベビースタンパが得られる。
【0048】
図3は、マスタースタンパ4Aやベビースタンパを用いて光ディスクを製造する工程を示している。図3に示すように、スタンパを用いて射出形成を行った後、反射膜、保護膜などを形成し、光ディスクが製造される。なお、図3の工程は通常の製造工程と同一であるため、詳細説明は省略する。
【0049】
ニッケル合金薄膜3の材料としては、Ni元素を主成分とし、Ru、Cu、P、Mg、Cr、Au、Si、Ti、Agのうち少なくとも1種類以上の元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したニッケル合金を用いる。本実施形態では、上記元素が添加されたNi合金を用いてニッケル合金薄膜3を形成することにより、電鋳によりニッケル層4を形成する際におけるニッケル合金薄膜3の損傷を防止することができる。
【0050】
ニッケル合金薄膜3の材料に、P、Mg、Siのうち少なくとも1種類以上の元素が添加されており、これらの元素が25重量パーセント未満の添加量である場合には、少なくとも400〜500℃程度まで加熱しないときにはこれらの元素は主成分であるNiと反応しない。このため、P、Mg、あるいはSiは薄膜の状態ではNi粒子の界面に析出し、不活性雰囲気下以外の環境下では酸素と結合して酸化する。この場合、Niを主成分とする合金薄膜の状態では、添加されたP、Mg、あるいはSiの酸化膜はNi粒界のみならず、薄膜表面にも析出される。このため、薄膜表面に析出された表面酸化膜が不導体となり、外部からの活性な金属あるいは非金属と、Niとの反応に対してのバリア材となって、Ni合金としての耐候性を向上させていることが確認された。しかし、添加元素であるP、Mg、あるいはSiは、酸素と結合し易いと同時に、その他の活性な非金属元素とも結合し易いため、添加量が過剰な場合には、逆に耐候性を低下させてしまう。したがって、25重量パーセント未満の添加量が適当と考えられる。
【0051】
同様に、Niを主成分としてTiを添加する場合には、やはり高温雰囲気下において加熱しつつ反応させて化合物を形成する場合を除き、TiはNi粒子の粒界に析出される。このようなTiを添加したNi合金では不導体は形成されないが、Tiが塩素に対して安定であるため、Ni粒子への活性元素の侵出あるいは化学反応を抑制する作用があるため、Ni粒子に対する化学反応が防止されるものと考えられる。
【0052】
また、NiにCuあるいはAuを添加した合金では、安定して完全に固溶されることが確認されている。この場合、CuあるいはAuのいずれの添加元素においても耐塩素性に富んでおり、固溶化することでNiと原子的に結合されて主成分であるNiの結晶構造に歪みを形成する。このNi固溶合金では、添加元素に依存して塩素との結合性が緩和されるため、塩素に対して、例えばあらゆる状況下でも安定という状態にはならないものの、塩素に対しての化学反応性を鈍化させる。実験によれば、このような固溶体では塩化が確認されなかった。
【0053】
さらに、NiにRu、Ag、あるいはCrを添加する場合には、特定の添加量では固溶し、少なくとも10重量パーセント未満の添加時には固溶して、CuあるいはAuを添加した場合の固溶体と同様の状態となることが確認された。Ru、Ag、あるいはCrのそれぞれが10重量パーセントを超過して添加され、固溶限界を超えると、添加量全体が固溶されずに固溶粒子の粒界にRu、Ag、あるいはCrが析出される。しかし、この場合においても純Niと比較して耐塩化性が向上することが確認された。
【0054】
また、NiにRu、Ag、あるいはCrのうち少なくとも1種類の元素を添加した合金薄膜は、耐塩化性を向上させるだけでなく、薄膜の平坦化をも向上させる。薄膜の平坦化は、この合金薄膜を用いて形成されたスタンパを使用して製造された光ディスクの再生時の信号特性により確認できた。添加されたRu、Ag、あるいはCrが固溶される場合には、主成分であるNiの結晶格子に歪みを与えて薄膜の粒子を微細化することが確認されている。さらに固溶限界を超えた組成で構成されたNi合金では、固溶されたNi固溶合金粒子の粒成長を抑制する可能性があるとともに、粒界に存在する添加元素の固溶されない添加成分が応力緩和を助長する効果があるものと考えられる。
【0055】
なお、本実施形態に述べた組成のニッケル合金は、純Niと同様、展延性や加工性に富みながら、耐塩化性、耐臭化性を有するものであり、塩素や臭素と反応し易いという純Niの性質上、従来制限されていた用途および応用技術への適用を可能とするものである。
【0056】
−実施例−
NiおよびRu、Cu、P、Mg、Cr、Au、Si、Ti、Agの各添加金属のスパッタリングターゲットを用意し、これらのNiおよび所定の元素のスパッタリングターゲットをRFマグネトロンスパッタリング装置に装着して石英基板上に薄膜を形成した。スパッタリングターゲットは直径3inch(7.62cm)、厚み5mmであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約90mmとした。Niおよび所定の元素のスパッタリングターゲットへのRF投入電力によって各金属原子の放出量を制御しながら、2つの金属を同時に基板上に堆積させた。成膜条件としては、到達真空度が3×10-5Pa、成膜時のガス圧は0.7〜1Paである。また、RF投入電力は100〜500Wの間で合金の組成に応じて変化させた。このようにして、Ni−Ru合金、Ni−Cu合金、Ni−P合金、Ni−Mg合金、Ni−Cr合金、Ni−Au合金、Ni−Si合金、Ni−Ti合金、およびNi−Ag合金の薄膜を基板上に形成した。各合金におけるRu、Cu、P、Mg、Cr、Au、Si、TiおよびAgの各添加金属の添加量として1、5、10、20および25重量パーセントの5種類のものが作成された。また、リファレンスとして、同一の装置により純Ni薄膜を基板上に形成した(図4および図5参照)。
【0057】
上記方法によって薄膜の堆積された石英基板を塩化ナトリウム水溶液中に浸して所定時間放置したときの経時変化の有無等を図4および図5に示す。塩化ナトリウム水溶液に含有される塩化ナトリウムは5体積パーセントであり、水溶液は加熱することなく常温で約96時間石英基板を浸漬した。経時変化は約96時間放置後の薄膜の状態を目視で観察するとともに、薄膜の反射率等の光学特性を分光光度計により検査することで薄膜の表面状態の変異を確認した。
【0058】
その結果、純Niでは、塩化ナトリウム水溶液に浸漬したところ、塩化反応によって端部が黒色化した。また、高温耐湿加速試験の結果、端部が黒色化するとともに、薄膜の剥離が観察された。
【0059】
これに対して、Ni−Ru合金、Ni−Cu合金、Ni−P合金、Ni−Mg合金、Ni−Cr合金、Ni−Au合金、Ni−Si合金、Ni−Ti合金、およびNi−Ag合金では、全体として塩化反応が抑制されるとともに、高温耐湿加速試験による変化も抑制された。但し、Ni−25wt%Ru、Ni−25wt%Cu、Ni−25wt%Mg、Ni−25wt%Cr、Ni−25wt%Au、Ni−25wt%Siでは、塩化ナトリウム水溶液に浸漬した結果、端部における若干の黒色化が確認された。他の合金薄膜については変化が認められなかった。また、Ni−20wt%Ru、Ni−25wt%Ru、Ni−20wt%Cu、Ni−25wt%Cu、Ni−20wt%P、Ni−25wt%P、Ni−25wt%Cr、Ni−25wt%Siでは、高温耐湿加速試験の結果、端部における若干の黒色化が確認された。
【0060】
図6は光ディスクのミラー部再生信号によるディスクノイズ測定方法を示す図、図7はその測定結果を示す図である。図6に示すように、ガラス基板11上にレジスト層12を設け、さらにその上に電極材料としての純NiおよびNi−5wt%Ruからなる薄膜13をそれぞれ形成することで、被測定原盤を作成している。図7に示すように、薄膜13を反射層として用い、被測定原盤を線速度3m/sで回転させながらガラス基板11の側からレンズ14を介して光ビームを照射し、レジスト層12と薄膜13との界面からの反射光を受光した。この反射光のうち、ノイズ成分となる1MHz成分のレベルを測定した結果を図7に示している。図7に示すように、薄膜13の材料として純Niを用いた場合のディスクノイズは−74.3dB、薄膜13の材料としてNi−5wt%Ruを用いた場合のディスクノイズは−79.7dBである。したがって、Ni−5wt%Ruを用いた場合は純Niを用いる場合と比較してS/N比が5dB以上向上していることが判る。このことは、Ni−5wt%Ruの薄膜の平坦性が純Niの薄膜よりも優れており、光ディスク原盤の製造に用いる材料として、優れた適性を有していることを示している。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、電極材料中のNiと、レジスト材料に含まれる電子吸引基との反応が抑制されるので、スタンパの品質の劣化が効果的に防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する工程を示す図であり、(a)はレジストを塗布した状態を示す断面図、(b)は潜像を形成した状態を示す断面図、(c)は現像後の状態を示す断面図、(d)はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す断面図、(e)はニッケル層を形成した状態を示す断面図、(f)はスタンパを示す断面図。
【図2】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する工程の詳細を示す図。
【図3】光ディスク製造用スタンパを用いて光ディスクを製造する工程を示す図。
【図4】純Ni薄膜およびNi合金薄膜の塩化ナトリウム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
【図5】Ni合金薄膜の塩化ナトリウム水溶液に対する耐性および高温耐湿加速試験の結果を示す図。
【図6】光ディスクのミラー部再生信号によるディスクノイズ測定方法を示す図。
【図7】ディスクノイズの測定結果を示す図。
【図8】スタンパ形成用薄膜を用いて光ディスク製造用スタンパを製造する従来の工程を示す図であり、(a)はレジストを塗布した状態を示す断面図、(b)は潜像を形成した状態を示す断面図、(c)は現像後の状態を示す断面図、(d)はニッケル合金薄膜を形成した状態を示す断面図、(e)はニッケル層を形成した状態を示す断面図、(f)はスタンパを示す断面図。
【符号の説明】
1 基板
2 レジスト膜(レジスト材料)
3 ニッケル合金薄膜(電極)
4 ニッケル層
4A スタンパ
Claims (18)
- パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Ru元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Cu元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、P元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Mg元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Cr元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Au元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Si元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Ti元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極の材料として用いられるスタンパ形成用電極材料において、
Ni元素を主成分とするとともに、Ag元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用電極材料。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Ru元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Cu元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、P元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Mg元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Cr元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Au元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Si元素を25重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Ti元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。 - パターニングされたレジスト材料の表面に形成され、スタンパ材料を電鋳させるための電極として用いられるスタンパ形成用薄膜において、
Ni元素を主成分とするとともに、Ag元素を50重量パーセント未満の範囲で添加したことを特徴とするスタンパ形成用薄膜。
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