JPH03142731A - 光ディスクの作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光ディスクの作製方法に関し、特にＧｅ５ｂ
Ｔｅ系またはＩｎ５ｅＰｂ系合金材料からなるターゲッ
ト材を用いて耐湿性および耐酸化性に富む記録膜を形成
する点に特徴をもつ光ディスクの作製方法に関するもの
である。

［従来技術］ 光ディスクは、基板と記録膜とから構成されている。

記録膜の材料としては、Ｔｅ、Ｔｅ−Ｉｎ。

Ｔｅ−８ｅ等のＴｅ系の金属または合金が好んで用いら
れるが、ＴｅやＩｎは湿度の高い空気中において、金属
表面が酸化されるという問題点を有していた。

そのため、Ｓｅを加えることにより耐酸化性の向上を図
り、さらにその安定化を図るためにＩｎ。

５ｎＳＰｂ、Ｓｂ、Ｂｉ等の金属元素を少量添加するこ
となどが行われていた。

また、一般的な穴形成による記録方法に使用される記録
膜は、 ω低融点であること； ■低熱伝導率を有すること； ■高い光吸収率を有すること； ■ビット形状の良好なものであること、等の特性を持つ
ことが望まれるため、これらの要求を満たす記録膜とす
るために種々改良の努力がなされてきた。

［発明が解決しようとする課題］ 上述のように、従来技術で得られた記録膜は主として、
Ｔｅ５Ｉｎｓ　Ｓｅ等の金属膜を用いているが、これら
は通常水や酸素に弱い性質を有するため、耐湿性あるい
は耐酸化性という面で問題があり、何らかの手段でこれ
らの耐湿性や耐酸化性の向上を図ることが求められてい
た。

〔課題を解決するための手段および作用］本発明者等は
斯る課題を解決するため鋭意研究したところ、従来通り
のＴｅ系あるいはＩｎ系金属材料を用いる記録膜であっ
ても、ある種の特定の元素の配合によって優れた耐湿性
および耐酸化性を有する記録膜とすることができること
を見い出し本発明を達成することができた。

すなわち本発明の一つの目的は、光デイスク基板上にタ
ーゲット材を用いて記録膜を形成することからなる光デ
ィスクの作製方法において、ターゲット材としてＧｅｘ
ＳｂｙＴｅｚ　　（ｘ、ｙ、ｚ〉０）の組成を持つ合金
からなる基本材料に、Ｐｂ、Ｇａ５Ｚｎ５　Ｂ　ｉおよ
びＡｇからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を
添加したものを使用することにより耐湿性および耐酸化
性に富む記録膜が得られるようにしたことを特徴とする
光ディスクの作製方法を提供することである。

本発明のもう一つの目的は、上記光ディスクの作製方法
において、ｔｎｘ’　ｓｅｙ／　Ｐｂｚ’（ｘ’　＊　
　ｙ’　＋　　ｚ’　＞０）の組成を持つ合金からなる
基本材料に、Ｇａ５Ｚｎ５Ｂ　ｉおよびＡｇからなる群
より選ばれた少なくとも１種の金属を添加したものを使
用することにより耐湿性および耐酸化性に富む記録膜が
得られるようにしたことを特徴とする光ディスクの作製
方法を提供することである。

本発明法において、使用できる支持体としての基板は透
明であることが好ましく、材質的にはガラスなどの無機
材料またはポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、
ポリメタクリレートなどのポリマー、あるいはこれらの
変性ポリマーコポリマー、ブレンドなどの有機材料が挙
げられる。すなわちこれらの無機または有機材料からな
るフィルムまたはシートが基板として好都合に使用でき
る。

これらの基板上に記録膜を形成する手段としては、各金
属あるいは合金成分をそれぞれ別個の蒸着用ボートある
いはエレクトロンビーム蒸着るつぼに置き、混合蒸着ま
たは混合スパッタリングさせる方法や、金属あるいは合
金との混合ペレットを用いて行う抵抗加熱方式、エレク
トロンビーム蒸着方式、イオンブレーティング方式など
の各種薄膜形成方法を用いることができる。本明細書に
示す実例では、スパッタリング法を用いて記録膜を形成
した。

記録膜を形成する材料として、従来用いられているＴｅ
系またはＩｎ系合金の改良品として、１つはＧｅ−３ｂ
−Ｔｅからなる３元系合金を基本材料として、他の１つ
はＩｎ−５ｅ−Ｐｂからなる３元系合金を基本材料とし
て、前者にはＰｂ１Ｇａｓ　Ｚｎ、ＢｉおよびＡｇから
なる群より選ばれる金属の少なくとも１種を添加し、後
者にはＧ　ａ　ＳＺ　ｎ　ｓ　Ｂ　ｉおよびＡｇからな
る群より選ばれる金属の少なくとも１種を添加して安定
化した３元系以上の合金からなるターゲット材を用いる
ことにより、耐湿性および耐酸化性の良好な記録膜が得
られることを本発明者等は多くの実験により確認した。

すなわち、上記のようにして得られた記録膜を有する光
ディスクは従来品に比較して耐湿性および耐酸化性に優
れ、長期間保存に向くことが確認されている。

以下、実施例をもって詳細に説明する。

［実施例１］ 光デイスク用基板として、ポリカーボネートディスク基
板を用い、該基板上にＧｅ　：　Ｓｂ　：Ｔｅ　：　Ａ
ｇ　−０，３：　０．５　：　ｌ　：　０．０５　　（
原子比）からなるターゲット材を用いて、スパッタ法で
、パワー１２０Ｗ、アルゴンガス全圧５　Ｘ　１０−”
ｔｏｒｒ、時間３分の条件下で成膜した。

得られた光ディスクに、７８０ｎａ＋の半導体レーザを
用いて、出力１０ｍｖでビット形成を行ったところ充分
にビットが形成でき、スペクトラムアナライザーでｌ　
ＭＨｚのキャリア信号を測定したところＣ／Ｎ比は３７
ｄＢであった。

また、得られた光ディスクを５０℃の水に１分間漬けた
後、検査したところ、記録膜の表面は不透明もしくは白
色がかった色に変化したが、基板のポリカーボネート側
から見ると金属光沢が見られた。

［実施例２］ ターゲット材としてＧｅ：Ｓｂ：Ｔｅ：Ｐｂ−０，３：
　０．２　：　１　：　０．０１　（原子比）の配合比
からなる４インチターゲット材を用いて、実施例１と同
様の方法で、光ディスクを作製した。

得られた光ディスクを用いて、実施例１に示す方法で検
査を行ったところ、Ｃ／Ｎ比は４０ｄＢであり、他の特
性は実施例１のものと同じであった。

［実施例３］ ターゲット材としてＧｅ：Ｓｂ：Ｔｅ：Ｂｉ　−０，１
：　０．５　：　ｌ　：　０．０１　（原子比）の配合
比からなる４インチターゲット材を用いて、実施例１と
同様の手法で光ディスクを作製した。

得られた光ディスクを用いて、実施例１に示す方法で検
査を行ったところ、Ｃ／Ｎ比は８５ｄＢであり、他の特
性は実施例１のものと同じであった。

〔比較例１］ 実施例に示すポリカーボネートディスク基板上に、Ｔｅ
のみからなる４インチターゲット材を用いてスパッタ法
で記録膜を形成した。その他の成膜条件は実施例１と同
じにした。

得られた光ディスクに、７８０ｎｍの半導体レーザを用
いて出力１０ｍｖでビット形成を行ったところ、充分に
ビット形成ができ、スペクトラムアナライザーでｌ　Ｍ
Ｈｚのキャリア信号について測定したところＣ／Ｎ比は
８５ｄＢであった。

また、得られた光ディスクを５０℃の水に１分間漬けた
ものを検査したところ、記録膜の表面ばかりでなく、基
板のポリカーボネート側から見ても金属光沢は見られな
かった。

［実施例４］ 光デイスク用基板として、ポリカーボネートディスク基
板を用い、該基板上にＩｎ：Ｓｅ：Ｐｂ−１：０．５：
０．１（原子比）からなるターゲット材を用いて、スパ
ッタ法で、パワー１２０Ｗ。

アルゴンガス全圧５　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒ、時間３分
の条件下で、膜厚約５００人の記録膜を成膜した。

得られた光ディスクに、７８０ｎｍの半導体レーザを用
いて、出力１ｈｖでビット形成を行ったところ充分にビ
ットが形成でき、スペクトラムアナライザーでＩ　ＭＨ
ｚのキャリア信号を測定したところＣ／Ｎ比は８５ｄＢ
であった。

また、得られた光ディスクを５０℃の水に１分間漬けた
ものを検査したところ、記録膜の表面はやや不透明もし
くは白色になったが、ポリカーボネート側から観察する
と金属光沢が見られた。

［実施例５］ ターゲット材としてＩｎ：Ｓｅ：Ｐｂ：Ａｇ−：１　：
　０．３　：　０．０５　：　０．１　（原子比）の配
合比からなる４インチターゲット材を用いて、実施例４
と同様の手法で、光ディスクを作製した。

得られた光ディスクを用いて、実施例１に示す方法で検
査を行ったところ、Ｃ／Ｎ比は３４ｄＢであり、他の特
性は実施例４のものと同じであった。

［実施例６］ ターゲット材としてＩｎ：Ｓｅ：Ｐｂ：Ａｇ−１：０．
５：０．１：０．１　　（原子比）の配合比からなる４
インチターゲット材を用いて、実施例４と同様の手法で
光ディスクを作製した。

得られた光ディスクを用いて、実施例４に示す方法で検
査を行ったところ、Ｃ／Ｎ比は８５ｄＢであり、他の特
性は実施例４のものと同じであった。

［比較例２］ 実施例４に示すポリカーボネートディスク基板上に、Ｉ
ｎのみからなる４インチターゲット材を用いてスパッタ
法で記録膜を形成した。成膜条件は実施例３の場合と同
一とした。

得られた光ディスクに、７Ｂ０ｎｍの半導体レーザを用
いて出力１０ａ＋ｗでビット形成を行ったところ、充分
にビット形成ができ、スペクトラムアナライザーでＩ　
ＭＨｚのキャリア信号について測定したところＣ／Ｎ比
は３５ｄＢであった。

また、得られた光ディスクを５０℃の水に１分間漬けた
ものを検査したところ、記録膜の表面ばかりでなく、基
板のポリカーボネート側から見ても金属光沢は見られな
かった。

これらの結果から、本発明に係る合金組成の記録膜を有
する光ディスクは、従来法で得られたものに比較すると
Ｃ／Ｎ比が少なくともほぼ同等である上に、耐湿性およ
び耐酸化性が顕著に優れていることが理解される。

［発明の効果］ 本発明に従って、記録膜を形成するターゲット材をＴｅ
またはＩｎを含む特定の３元系あるいは４元系以上の合
金から選ぶことによって、得られた記録膜が耐湿性およ
び耐酸化性に優れたものとなるようにすることができる
。

すなわち、本発明によれば、長期間保存のできる光ディ
スクを安価に製造できるという効果がある。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ディスク基板上に、ターゲット材を用いて記録
   膜を形成することからなる光ディスクの作製方法におい
   て、ターゲット材としてＧｅｘＳｂｙＴｅｚ（ｘ、ｙ、
   ｚ＞０）の組成をもつ合金からなる基本材料に、Ｐｂ、
   Ｇａ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｇからなる群より選ばれる少
   なくとも１種の金属を添加したものを使用することによ
   り、耐湿性および耐酸化性に富む記録膜が得られるよう
   にしたことを特徴とする光ディスクの作製方法。
2. （２）光ディスク基板上に、ターゲット材を用いて記録
   膜を形成することからなる光ディスクの作製方法におい
   て、ターゲット材としてＩｎｘ′Ｓｅｙ′Ｐｂｚ′（ｘ
   ′、ｙ′、ｚ′＞０）の組成を持つ合金からなる基本材
   料に、Ｇａ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｇからなる群より選ば
   れる少なくとも１種の金属を添加したものを使用するこ
   とにより、耐湿性および耐酸化性に富む記録膜が得られ
   るようにしたことを特徴とする光ディスクの作製方法。