JP2920389B2 - 光ディスク用記録膜の形成方法 - Google Patents
光ディスク用記録膜の形成方法Info
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- JP2920389B2 JP2920389B2 JP1259541A JP25954189A JP2920389B2 JP 2920389 B2 JP2920389 B2 JP 2920389B2 JP 1259541 A JP1259541 A JP 1259541A JP 25954189 A JP25954189 A JP 25954189A JP 2920389 B2 JP2920389 B2 JP 2920389B2
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- recording film
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光ディスク用記録膜の形成方法に関し、特
にGeTeIn系またはInSbPb系合金材料からなるターゲット
材を用いて耐湿性および耐酸化性に富む記録膜を形成す
ることに関するものである。
にGeTeIn系またはInSbPb系合金材料からなるターゲット
材を用いて耐湿性および耐酸化性に富む記録膜を形成す
ることに関するものである。
［従来技術］ 光ディスクは、基板と記録膜とから構成されている。
記録膜の材料としては、Te、Te−In、Te−Se等のTe系
の金属または合金が好んで用いられるが、TeやInは湿度
の高い空気中において、金属表面が酸化されるという問
題点を有していた。
の金属または合金が好んで用いられるが、TeやInは湿度
の高い空気中において、金属表面が酸化されるという問
題点を有していた。
そのため、Seを加えることにより耐酸化性の向上を図
り、さらにその安定化を図るためにIn、Sn、Pb、Sb、Bi
等の金属元素を少量添加することなどが行われていた。
り、さらにその安定化を図るためにIn、Sn、Pb、Sb、Bi
等の金属元素を少量添加することなどが行われていた。
また、一般的な穴形成による記録方法に使用される記
録膜は、 （１）低融点であること； （２）低熱伝導率を有すること； （３）高い光吸収率を有すること； （４）ビット形状の良好なものであること、 等の極性を持つことが望まれるため、これらの要求を満
たす記録膜とするために種々改良の努力がなされてき
た。
録膜は、 （１）低融点であること； （２）低熱伝導率を有すること； （３）高い光吸収率を有すること； （４）ビット形状の良好なものであること、 等の極性を持つことが望まれるため、これらの要求を満
たす記録膜とするために種々改良の努力がなされてき
た。
［発明が解決しようとする課題］ 上述のように、従来技術で得られた記録膜は主とし
て、Te、In、Se等の金属膜を用いているが、これらは通
常水や酸素に弱い性質を有するため、耐湿性あるいは耐
酸化性という面で問題があり、何らかの手段でこれらの
耐湿性や耐酸化性の向上を図ることが求められていた。
て、Te、In、Se等の金属膜を用いているが、これらは通
常水や酸素に弱い性質を有するため、耐湿性あるいは耐
酸化性という面で問題があり、何らかの手段でこれらの
耐湿性や耐酸化性の向上を図ることが求められていた。
［課題を解決するための手段および作用］ 本発明者等は斯る課題を解決するため鋭意研究したと
ころ、従来通りのTe系あるいはIn系金属材料を用いる記
録膜であっても、ある種の特定の元素の配合によって優
れた耐湿性および耐酸化性を有する記録膜とすることが
できることを見い出し本発明を達成することができた。
ころ、従来通りのTe系あるいはIn系金属材料を用いる記
録膜であっても、ある種の特定の元素の配合によって優
れた耐湿性および耐酸化性を有する記録膜とすることが
できることを見い出し本発明を達成することができた。
すなわち本発明の一つの目的は、光ディスク基板上
に、ターゲット材を用いて記録膜を形成する方法におい
て、ターゲット材としてGexTeyInz（ｘ、ｙ、ｚ＞０）
にPb、Ga、Zn、BiおよびAgからなる群より選ばれる少な
くとも１種の金属を添加した均一な合金を使用すること
により、直接温水に漬けて行う耐久性試験に耐えて耐湿
性および耐酸化性に富む記録膜を得ることを特徴とする
光ディスク用記録膜の形成方法を提供することである。
に、ターゲット材を用いて記録膜を形成する方法におい
て、ターゲット材としてGexTeyInz（ｘ、ｙ、ｚ＞０）
にPb、Ga、Zn、BiおよびAgからなる群より選ばれる少な
くとも１種の金属を添加した均一な合金を使用すること
により、直接温水に漬けて行う耐久性試験に耐えて耐湿
性および耐酸化性に富む記録膜を得ることを特徴とする
光ディスク用記録膜の形成方法を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、光ディスク基板上に、タ
ーゲット材を用いて記録膜を形成する方法において、タ
ーゲット材としてInｘ′Sbｙ′Pbｚ′（ｘ′、ｙ′、
ｚ′＞０）にGa、Zn、BiおよびAgからなる群より選ばれ
る少なくとも１種の金属を添加した均一な合金を使用す
ることにより、直接温水に漬けて行う耐久性試験に耐え
て耐湿性および耐酸化性に富む記録膜を得ることを特徴
とする光ディスク用記録膜の形成方法を提供することで
ある。
ーゲット材を用いて記録膜を形成する方法において、タ
ーゲット材としてInｘ′Sbｙ′Pbｚ′（ｘ′、ｙ′、
ｚ′＞０）にGa、Zn、BiおよびAgからなる群より選ばれ
る少なくとも１種の金属を添加した均一な合金を使用す
ることにより、直接温水に漬けて行う耐久性試験に耐え
て耐湿性および耐酸化性に富む記録膜を得ることを特徴
とする光ディスク用記録膜の形成方法を提供することで
ある。
本発明法において、使用できる支持体としての基板は
透明であることが好ましく、材質的にはガラスなどの無
機材料またはポリエステル、ポリプロピレン、ポリカー
ボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレ
ン，ポリメタクリレートなどのポリマー、あるいはこれ
らの変性ポリマー、コポリマー、ブレンドなどの有機材
料が挙げられる。すなわちこれらの無機または有機材料
からなるフィルムまたはシートが基板として好都合に使
用できる。
透明であることが好ましく、材質的にはガラスなどの無
機材料またはポリエステル、ポリプロピレン、ポリカー
ボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレ
ン，ポリメタクリレートなどのポリマー、あるいはこれ
らの変性ポリマー、コポリマー、ブレンドなどの有機材
料が挙げられる。すなわちこれらの無機または有機材料
からなるフィルムまたはシートが基板として好都合に使
用できる。
これらの基板上に記録膜を形成する手段としては、各
金属あるいは合金成分をそれぞれ別個の蒸着用ボートあ
るいはエレクトロンビーム蒸着るつぼに置き、混合蒸着
または混合スパッタリングさせる方法や、金属あるいは
合金との混合ペレットを用いて行う抵抗加熱方式、エレ
クトロンビーム蒸着方式、イオンプレーティング方式な
どの各種薄膜形式方法を用いることができる。本明細書
に示す実例では、スパッタリング法を用いて記録膜を形
成した。
金属あるいは合金成分をそれぞれ別個の蒸着用ボートあ
るいはエレクトロンビーム蒸着るつぼに置き、混合蒸着
または混合スパッタリングさせる方法や、金属あるいは
合金との混合ペレットを用いて行う抵抗加熱方式、エレ
クトロンビーム蒸着方式、イオンプレーティング方式な
どの各種薄膜形式方法を用いることができる。本明細書
に示す実例では、スパッタリング法を用いて記録膜を形
成した。
記録膜を形成する材料として、従来用いられているTe
系またはIn系合金の改良品として、１つはGe−Te−Inか
らなる３次元合金を基本材料として、他の１つはIn−Sb
−Pbからなる３元系合金を基本材料として、前者にはP
b、Ga、Zn、BiおよびAgからなる群より選ばれる金属の
少なくとも１種を添加し、後者にはGa、Zn、BiおよびAg
からなる群より選ばれる金属の少なくとも１種を添加し
て安定化した３元系以上の合金からなるターゲット材を
用いることにより、耐湿性および耐酸化性の良好な記録
膜が得られることを本発明者等は多くの実験により確認
した。
系またはIn系合金の改良品として、１つはGe−Te−Inか
らなる３次元合金を基本材料として、他の１つはIn−Sb
−Pbからなる３元系合金を基本材料として、前者にはP
b、Ga、Zn、BiおよびAgからなる群より選ばれる金属の
少なくとも１種を添加し、後者にはGa、Zn、BiおよびAg
からなる群より選ばれる金属の少なくとも１種を添加し
て安定化した３元系以上の合金からなるターゲット材を
用いることにより、耐湿性および耐酸化性の良好な記録
膜が得られることを本発明者等は多くの実験により確認
した。
すなわち、上記のようにして得られた記録膜を有する
光ディスクは従来品に比較して耐湿性および耐酸化性に
優れ、長期間保存に向くことが確認されている。
光ディスクは従来品に比較して耐湿性および耐酸化性に
優れ、長期間保存に向くことが確認されている。
以下、実施例をもって詳細に説明する。
［実施例１］ 光ディスク用基板として、ポリカーボネートディスク
基板を用い、該基板上にGe:Te:In:Ag＝0.2:1:1:0.05
（原子比）からなるターゲット材を用いて、スパッタ法
で、パワー120W、アルゴンガス全圧５×10-3ton、時間
３分の条件下で成膜した。
基板を用い、該基板上にGe:Te:In:Ag＝0.2:1:1:0.05
（原子比）からなるターゲット材を用いて、スパッタ法
で、パワー120W、アルゴンガス全圧５×10-3ton、時間
３分の条件下で成膜した。
得られた光ディスクに、760nmの半導体レーザを用い
て、出力10mwでビット形成を行ったところ充分にビット
が形成でき、スペクトラムアラナイザーで1MHzのキャリ
ア信号を測定したところC/N比は40dBであった。
て、出力10mwでビット形成を行ったところ充分にビット
が形成でき、スペクトラムアラナイザーで1MHzのキャリ
ア信号を測定したところC/N比は40dBであった。
また、得られた光ディスクを50℃の水に１分間漬けた
後、検査したところ、記録膜の表面は不透明もしくは白
色がかった色に変化したが、基板のポリカーボネート側
から見ると金属光沢が見られた。
後、検査したところ、記録膜の表面は不透明もしくは白
色がかった色に変化したが、基板のポリカーボネート側
から見ると金属光沢が見られた。
［実施例２］ ターゲット材としてGe:Te:In:Pb＝0.4:1:1:0.01（原
子比）の配合比からなる４インチターゲット材を用い
て、実施例１と同様の方法で、光ディスクを作製した。
子比）の配合比からなる４インチターゲット材を用い
て、実施例１と同様の方法で、光ディスクを作製した。
得られた光ディスクを用いて、実施例１に示す方法で
検査したところ、C/N比は38dBであり、他の特性は実施
例１のものと同じであった。
検査したところ、C/N比は38dBであり、他の特性は実施
例１のものと同じであった。
［実施例３］ ターゲット材としてGe:Te:In:Bi＝1:1:1:0.01（原子
比）の配合比からなる４インチターゲット材を用いて、
実施例１と同様の手法で光ディスクを作製した。
比）の配合比からなる４インチターゲット材を用いて、
実施例１と同様の手法で光ディスクを作製した。
得られた光ディスクを用いて、実施例１に示す方法で
検査を行ったところ、C/N比は28dBであり、他の特性は
実施例１のものと同じであった。
検査を行ったところ、C/N比は28dBであり、他の特性は
実施例１のものと同じであった。
［比較例１］ 実施例に示すポリカーボネートディスク基板上に、Te
のみからなる４インチターゲット材を用いてスパッタ法
で記録膜を形成した。その他の成膜条件は実施例１と同
じにした。
のみからなる４インチターゲット材を用いてスパッタ法
で記録膜を形成した。その他の成膜条件は実施例１と同
じにした。
得れらた光ディスクに、760nmの半導体レーザを用い
て出力10mwでビット形成を行ったところ、充分にビット
形成ができ、スペクトラムアナライザーで1MHzのキャリ
ア信号について測定したところC/N比は35dBであった。
て出力10mwでビット形成を行ったところ、充分にビット
形成ができ、スペクトラムアナライザーで1MHzのキャリ
ア信号について測定したところC/N比は35dBであった。
また、得られた光ディスクを50℃の水に１分間漬けた
ものを検査したところ、記録膜の表面ばかりでなく、基
板のポリカーボネート側から見ても金属光沢は見られな
かった。
ものを検査したところ、記録膜の表面ばかりでなく、基
板のポリカーボネート側から見ても金属光沢は見られな
かった。
［実施例４］ 光ディスク用基板として、ポリカーボネートディスク
基板を用い、該基板上にIn:Sb:Pb＝1:0.5:0.1（原子
比）からなるターゲット材を用いて、スパッタ法で、パ
ワー120W、アルゴンガス全圧５×10-3ton、時間３分の
条件下で、膜厚約500Åの記録膜を成膜した。
基板を用い、該基板上にIn:Sb:Pb＝1:0.5:0.1（原子
比）からなるターゲット材を用いて、スパッタ法で、パ
ワー120W、アルゴンガス全圧５×10-3ton、時間３分の
条件下で、膜厚約500Åの記録膜を成膜した。
得られた光ディスクに、760nmの半導体レーザを用い
て、出力10mwでビット形成を行ったところ充分にビット
が形成でき、スペクトラムアナライザーで1MHzのキャリ
ア信号を測定したところC/N比は35dBであった。
て、出力10mwでビット形成を行ったところ充分にビット
が形成でき、スペクトラムアナライザーで1MHzのキャリ
ア信号を測定したところC/N比は35dBであった。
また、得られた光ディスクを50℃の水に１分間漬けた
ものを検査したところ、記録膜の表面はやや不透明もし
くは白色になったが、ポリカーボネート側から観察する
と金属光沢が見られた。
ものを検査したところ、記録膜の表面はやや不透明もし
くは白色になったが、ポリカーボネート側から観察する
と金属光沢が見られた。
［実施例５］ ターゲット材としてIn:Sb:Pb:Ag＝:1:0.3:0.05:0.1
（原子比）の配合比からなる４インチターゲット材を用
いて、実施例４と同様の手法で、光ディスクを作製し
た。
（原子比）の配合比からなる４インチターゲット材を用
いて、実施例４と同様の手法で、光ディスクを作製し
た。
得られた光ディスクを用いて、実施例１に示す方法で
検査したところ、C/N比は34dBであり、他の特性は実施
例４のものと同じであった。
検査したところ、C/N比は34dBであり、他の特性は実施
例４のものと同じであった。
［実施例６］ ターゲット材としてIn:Sb:Pb:Ag＝1:0.5:0.1:0.1（原
子比）の配合比からなる４インチターゲット材を用い
て、実施例４と同様の手法で光ディスクを作製した。
子比）の配合比からなる４インチターゲット材を用い
て、実施例４と同様の手法で光ディスクを作製した。
得れらた光ディスクを用いて、実施例４に示す方法で
検査を行ったところ、C/N比は35dBであり、他の特性は
実施例４のものと同じであった。
検査を行ったところ、C/N比は35dBであり、他の特性は
実施例４のものと同じであった。
［比較例２］ 実施例４に示すポリカーボネートディスク基板上に、
Inのみからなる４インチターゲット材を用いてスパッタ
法で記録膜を形成した。成膜条件は実施例３の場合と同
一とした。
Inのみからなる４インチターゲット材を用いてスパッタ
法で記録膜を形成した。成膜条件は実施例３の場合と同
一とした。
得られた光ディスクに、760nmの半導体レーザを用い
て出力10mwでビット形成を行ったところ、充分にビット
形成ができ、スペクトラムアナライザーで1MHzのキャリ
ア信号について測定したところC/N比は35dBであった。
て出力10mwでビット形成を行ったところ、充分にビット
形成ができ、スペクトラムアナライザーで1MHzのキャリ
ア信号について測定したところC/N比は35dBであった。
また、得られた光ディスクを50℃の水に１分間漬けた
ものを検査したところ、記録膜の表面ばかりでなく、基
板のポリカーボネート側から見ても金属光沢は見られな
かった。
ものを検査したところ、記録膜の表面ばかりでなく、基
板のポリカーボネート側から見ても金属光沢は見られな
かった。
これらの結果から、本発明に係る合金組成の記録膜を
有する光ディスクは、従来法で得られたものに比較する
とC/N比が少なくともほぼ同等である上に、耐湿性およ
び耐酸化性が顕著に優れていることが理解される。
有する光ディスクは、従来法で得られたものに比較する
とC/N比が少なくともほぼ同等である上に、耐湿性およ
び耐酸化性が顕著に優れていることが理解される。
［発明の効果］ 本発明に従って、記録膜を形成するターゲット材をTe
またはInを含む特定の３元系あるいは４元系以上の合金
から選ぶことによって、得られた記録膜が耐湿性および
耐酸化性に優れたものとなるようにすることができる。
またはInを含む特定の３元系あるいは４元系以上の合金
から選ぶことによって、得られた記録膜が耐湿性および
耐酸化性に優れたものとなるようにすることができる。
すなわち、本発明によれば、長期間保存のできる光デ
ィスクを安価に製造できるという効果がある。
ィスクを安価に製造できるという効果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉澤 秀二 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同和鉱業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−227167（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−283431（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−206924（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24
Claims (2)
- 【請求項１】光ディスク基板上に、ターゲット材を用い
て記録膜を形成する方法において、ターゲット材として
GexTeyInz（ｘ、ｙ、ｚ＞０）にPb、Ga、Zn、BiおよびA
gからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を添加
した均一な合金を使用することにより、記録膜を得るこ
とを特徴とする光ディスク用記録膜の形成方法。 - 【請求項２】光ディスク基板上に、ターゲット材を用い
て記録膜を形成する方法において、ターゲット材として
Inｘ′Sbｙ′Pbｚ′（ｘ′、ｙ′、ｚ′＞０）にGa、Z
n、BiおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも１種
の金属を添加した均一な合金を使用することにより、記
録膜を得ることを特徴とする光ディスク用記録膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259541A JP2920389B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光ディスク用記録膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259541A JP2920389B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光ディスク用記録膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03121888A JPH03121888A (ja) | 1991-05-23 |
| JP2920389B2 true JP2920389B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=17335541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1259541A Expired - Fee Related JP2920389B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光ディスク用記録膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920389B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006011285A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1259541A patent/JP2920389B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03121888A (ja) | 1991-05-23 |
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