JPS58150148A - スタンパ−の製造方法 - Google Patents
スタンパ−の製造方法Info
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- JPS58150148A JPS58150148A JP2590282A JP2590282A JPS58150148A JP S58150148 A JPS58150148 A JP S58150148A JP 2590282 A JP2590282 A JP 2590282A JP 2590282 A JP2590282 A JP 2590282A JP S58150148 A JPS58150148 A JP S58150148A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は光デイスクメモリーに利用されるアクリル基
材またはガラス基材からなるディスク原盤にトラッキン
グ用の案内溝および再生用の凹凸をスタンパｉを利用し
て作成するために必要なスタンパ−の製造方法に関する
。
材またはガラス基材からなるディスク原盤にトラッキン
グ用の案内溝および再生用の凹凸をスタンパｉを利用し
て作成するために必要なスタンパ−の製造方法に関する
。
従来のスタンパ−の製造方法は、第１図感二示すよう（
二基板Ｉのラッカーにカットして滑Ｑ３をつけル（ａｌ
Ｅ１図（り ）、このカットしたラッカー盤にニッケル
電着（二必要な電導性を付与する目的で銀鏡反応を応用
した銀を、還元する方法！−よって０．３〜１．０μｍ
の厚さの銀層の被膜層を付着させる（第１図（ｂ））。
二基板Ｉのラッカーにカットして滑Ｑ３をつけル（ａｌ
Ｅ１図（り ）、このカットしたラッカー盤にニッケル
電着（二必要な電導性を付与する目的で銀鏡反応を応用
した銀を、還元する方法！−よって０．３〜１．０μｍ
の厚さの銀層の被膜層を付着させる（第１図（ｂ））。
この銀層ａ３の上Ｉ：イニシャル電着として２−３Ａ／
ｄｙ低電流密度で２〜３μｍのニッケル電着したのち、
１（ＩＡ／ｄ−の高電流密度によって２５０〜３５０呻
のニッケル電着して、マスターとなる；ツケル層Ｉを得
る（第１図（Ｃ））。このよう１ニジて得られたニッケ
ル電着層Ｉをラッカー盤Ｑｌ）から分離してマスターａ
棒を得る（第１図（ｄ））。このマスタ一層Ｑ４１”−
はラッカー盤から銀被膜層がマスター表面に分離されて
付着してくるのでＮＨ４ＱＨと）１．０゜のエツチング
液で銀被膜ｕ３のみをエツチングしてマスターａ◆を得
て（第１図（ｅ））。このマスター０祷をそのｔｔスタ
ンパ−にするときは、マスターａ番の表面（′−クロム
電着してスタンパ−〇を作成している（第１図（ｆ））
。
ｄｙ低電流密度で２〜３μｍのニッケル電着したのち、
１（ＩＡ／ｄ−の高電流密度によって２５０〜３５０呻
のニッケル電着して、マスターとなる；ツケル層Ｉを得
る（第１図（Ｃ））。このよう１ニジて得られたニッケ
ル電着層Ｉをラッカー盤Ｑｌ）から分離してマスターａ
棒を得る（第１図（ｄ））。このマスタ一層Ｑ４１”−
はラッカー盤から銀被膜層がマスター表面に分離されて
付着してくるのでＮＨ４ＱＨと）１．０゜のエツチング
液で銀被膜ｕ３のみをエツチングしてマスターａ◆を得
て（第１図（ｅ））。このマスター０祷をそのｔｔスタ
ンパ−にするときは、マスターａ番の表面（′−クロム
電着してスタンパ−〇を作成している（第１図（ｆ））
。
しかる（＝このようにして作成されたスタンノ（−にお
いては、二゛ツケル電着する前に導電性を付与する目的
で銀被膜をつけ、後処理でスタンノく−からこの銀をエ
ツチングＣ二より除去することから原盤からの転写性が
悪くなる欠点を有し、かつこの銀のエツチングのプロセ
スの再現性が問題となることが多い。またこのように作
成されて転写されたスタンパ−の表向はニッケル面であ
るので腐食されることから０．２〜１０μｍの厚さのク
ロム電着ｕｉｔ一つけるが、このクロムをつけることに
よや微細パターンの精度が更に急くなるという欠点を有
する。
いては、二゛ツケル電着する前に導電性を付与する目的
で銀被膜をつけ、後処理でスタンノく−からこの銀をエ
ツチングＣ二より除去することから原盤からの転写性が
悪くなる欠点を有し、かつこの銀のエツチングのプロセ
スの再現性が問題となることが多い。またこのように作
成されて転写されたスタンパ−の表向はニッケル面であ
るので腐食されることから０．２〜１０μｍの厚さのク
ロム電着ｕｉｔ一つけるが、このクロムをつけることに
よや微細パターンの精度が更に急くなるという欠点を有
する。
し発明の目的〕
この発明は、上述の従来スタンパ−の欠点を改良する丸
めになされ友もので、微細パターンの転写性およびレプ
リカ性に優れ、かつ耐摩耗性と耐食性も優れたスタンパ
−を作成すること目的とするＯ ［発明の概要］ この発明は、フォトレジストまたは低融点金属の反応膜
付原盤：ニレーザ露光して深さ０．０５〜Ｑ、ｌ ｇ。
めになされ友もので、微細パターンの転写性およびレプ
リカ性に優れ、かつ耐摩耗性と耐食性も優れたスタンパ
−を作成すること目的とするＯ ［発明の概要］ この発明は、フォトレジストまたは低融点金属の反応膜
付原盤：ニレーザ露光して深さ０．０５〜Ｑ、ｌ ｇ。
幅がα２〜１．０μｍからなりピッチが２〜２．５μｍ
の間隙からなる溝または凹凸をつけ、この微細パターン
をもつ原盤表面にニッケル電着法によってスタンパ一層
を形成することを特徴とする。
の間隙からなる溝または凹凸をつけ、この微細パターン
をもつ原盤表面にニッケル電着法によってスタンパ一層
を形成することを特徴とする。
本発明Ｃ：よれば転写性、耐摩耗性及び耐食性に優れた
スタンパ−を製造することができる。
スタンパ−を製造することができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第２
図１−示すようにガラス基板−〇にフォトレジストまた
は低融点金属の反応膜を厚さ００５〜α１μｍを設け、
この被膜をレーザ露光する方法によって溝または凹凸を
つけて微細パターン層＠を形成する。このようにシて形
成された微細パターン層（２）の上にニッケル電着する
九〇の導電性を付与する目的で、金または金とニッケル
の合金をスパック−蒸着または電子ビーム蒸着醇の真空
蒸着の手段を用いてニッケル電着に必要か厚さ５００−
１５０ＯＡ−に蒸着して導電性膜（至）を得る（第２図
（ａ））。
図１−示すようにガラス基板−〇にフォトレジストまた
は低融点金属の反応膜を厚さ００５〜α１μｍを設け、
この被膜をレーザ露光する方法によって溝または凹凸を
つけて微細パターン層＠を形成する。このようにシて形
成された微細パターン層（２）の上にニッケル電着する
九〇の導電性を付与する目的で、金または金とニッケル
の合金をスパック−蒸着または電子ビーム蒸着醇の真空
蒸着の手段を用いてニッケル電着に必要か厚さ５００−
１５０ＯＡ−に蒸着して導電性膜（至）を得る（第２図
（ａ））。
ここで導電性ｗｌＡ（至）は、金又は金−ニッケル合金
の題ｆｌＩｔ−ストライク電着液で２５０〜７５０人の
厚さく′：。
の題ｆｌＩｔ−ストライク電着液で２５０〜７５０人の
厚さく′：。
’４＊して導゛屹性膜の（ハ）厚さを５００〜１５００
Ａにすることによって、ニッケル電着液との濡れ性を改
善している。ここで金と金−ニッケル合金の導電性膜［
有］の比較をすると、導電性（二関しては同郷であるが
金−ニッケル合金膜の方が硬くなることから耐Ｊ１に粍
性の点から有利となる。しかし金−ニッケル合金のニッ
ケル含装置は耐食性の点からは上限は２０Ｗ積に限定さ
れる。
Ａにすることによって、ニッケル電着液との濡れ性を改
善している。ここで金と金−ニッケル合金の導電性膜［
有］の比較をすると、導電性（二関しては同郷であるが
金−ニッケル合金膜の方が硬くなることから耐Ｊ１に粍
性の点から有利となる。しかし金−ニッケル合金のニッ
ケル含装置は耐食性の点からは上限は２０Ｗ積に限定さ
れる。
このようにして得られた導電性膜（ハ）の上にニッケル
電着法によ妙厚さ２５０〜３００μｍのニッケル層（ロ
）を形成する（第２図（ｂ））。このニック゛ル層（至
）を原盤Ｑυから分離しレジスト剥離液を用いてレジメ
ト＠を除去して微細パターンが転写された表向の金また
は金−ニッケル合金膜（至）とニッケル層（至）からな
るスタンパ−を得るー（第２図（Ｃ））。ここで上述の
ニッケル電着は１０Ａ／ｄ−以上の高’ｌ流密度で操作
して高速゛罐着によって行なわれ、金または金−ニッケ
ル合金の５００−１６０ＯＡの厚さの導゛鑞性膜層−と
ニッケル電着層（至）の界面で相互拡散し７て強固（二
密着して硬くなる。これは高電流密度のニッケル電着（
二よって金または金−ニッケル導電性被膜（ハ）とニッ
ケル電着層（至）の界面で温度が上がって相互拡散する
ことに起因する。従ってこうして得られたニッケル電着
層（財）をレジスト原盤Ｑυから分離するとニッケル電
着層（ハ）（ニレジスト■が残るので！ のレジスト剥離液をもちいてレジスト＠を除去すれば、
原盤の微細パターンから再現性よく転写された表面を有
する金または金−ニッケル合金膜□□□と、ニッケル電
着層（至）からなるスタンパ−を得ることができる。従
ってこのようにし、て得られスタンパ−は、原盤からの
優れ九転写性と再現性を有シフ、耐摩耗性と副食性も併
せてもち、従来のスタンパ−に比べて大幅に優れている
。特（−従来のスタンパ−は鋏の導電性被膜は、原盤か
らニッケル電着を分離して得だスタンパ−に付着してい
る鍛膜をＮＨ，ＯＨとＨ２Ｏ，のエツチングで除去する
ので原盤からの転写性が悪くなり、このスタンパ−の耐
摩耗性と耐食性の点からさらにパターン上にりロム電着
を０３〜１．０μｍの厚さに電着することからパター／
のｌ［を悪くしていたが、本発明ではこのような問題は
全くない。
電着法によ妙厚さ２５０〜３００μｍのニッケル層（ロ
）を形成する（第２図（ｂ））。このニック゛ル層（至
）を原盤Ｑυから分離しレジスト剥離液を用いてレジメ
ト＠を除去して微細パターンが転写された表向の金また
は金−ニッケル合金膜（至）とニッケル層（至）からな
るスタンパ−を得るー（第２図（Ｃ））。ここで上述の
ニッケル電着は１０Ａ／ｄ−以上の高’ｌ流密度で操作
して高速゛罐着によって行なわれ、金または金−ニッケ
ル合金の５００−１６０ＯＡの厚さの導゛鑞性膜層−と
ニッケル電着層（至）の界面で相互拡散し７て強固（二
密着して硬くなる。これは高電流密度のニッケル電着（
二よって金または金−ニッケル導電性被膜（ハ）とニッ
ケル電着層（至）の界面で温度が上がって相互拡散する
ことに起因する。従ってこうして得られたニッケル電着
層（財）をレジスト原盤Ｑυから分離するとニッケル電
着層（ハ）（ニレジスト■が残るので！ のレジスト剥離液をもちいてレジスト＠を除去すれば、
原盤の微細パターンから再現性よく転写された表面を有
する金または金−ニッケル合金膜□□□と、ニッケル電
着層（至）からなるスタンパ−を得ることができる。従
ってこのようにし、て得られスタンパ−は、原盤からの
優れ九転写性と再現性を有シフ、耐摩耗性と副食性も併
せてもち、従来のスタンパ−に比べて大幅に優れている
。特（−従来のスタンパ−は鋏の導電性被膜は、原盤か
らニッケル電着を分離して得だスタンパ−に付着してい
る鍛膜をＮＨ，ＯＨとＨ２Ｏ，のエツチングで除去する
ので原盤からの転写性が悪くなり、このスタンパ−の耐
摩耗性と耐食性の点からさらにパターン上にりロム電着
を０３〜１．０μｍの厚さに電着することからパター／
のｌ［を悪くしていたが、本発明ではこのような問題は
全くない。
次に仁の発明の具体例について詳細に説明する。
厚さｌＯ踵で直径３５０厘からなるクロムつきガラス基
板Ｑυの表面にスピンコード法により厚さ００７μｍの
ポジ型レジストを塗布したフォトレジスト原盤を作成す
る。このようにして得たフォトレジスト原盤にレーザ露
光して感光させたのち、現象液でエツチングするフォト
レジストプロセス法によって深さα０７μｍｌ！０．５
μｍでピッチ２．０μｍの溝をつけた微細パターン層（
２）を設ける。
板Ｑυの表面にスピンコード法により厚さ００７μｍの
ポジ型レジストを塗布したフォトレジスト原盤を作成す
る。このようにして得たフォトレジスト原盤にレーザ露
光して感光させたのち、現象液でエツチングするフォト
レジストプロセス法によって深さα０７μｍｌ！０．５
μｍでピッチ２．０μｍの溝をつけた微細パターン層（
２）を設ける。
次に微細パターン層（２）の上にニッケル電着するため
に必要な導電性を付与する目的で、真空度を２Ｘ１０
ＴＯｒｒにして電子ビーム蒸着法により金を最初に２Ａ
／ｓｅｃの蒸着速度で１００Ａの厚さ５；蒸着したのち
、連続してＩＯＡ／ｓｅｃ ＃着速度で厚さ９００Ａ蒸
増して厚さ１００ＯＡの金の導電性膜（至）を得る。こ
の金から成る導゛畦性膜（２）は細孔がなく、微細パタ
ーン層（１！υによく順応する層であって密着性が優れ
たものである。
に必要な導電性を付与する目的で、真空度を２Ｘ１０
ＴＯｒｒにして電子ビーム蒸着法により金を最初に２Ａ
／ｓｅｃの蒸着速度で１００Ａの厚さ５；蒸着したのち
、連続してＩＯＡ／ｓｅｃ ＃着速度で厚さ９００Ａ蒸
増して厚さ１００ＯＡの金の導電性膜（至）を得る。こ
の金から成る導゛畦性膜（２）は細孔がなく、微細パタ
ーン層（１！υによく順応する層であって密着性が優れ
たものである。
このようにして得られ友金の導電性膜（ハ）のついた微
細パターンを有するフォトレジスト原盤にニッケル電着
する。このニッケル電着方法は次にあげるスルファオン
酸ニッケル浴を基本にしてニッケル電着を行なった。
細パターンを有するフォトレジスト原盤にニッケル電着
する。このニッケル電着方法は次にあげるスルファオン
酸ニッケル浴を基本にしてニッケル電着を行なった。
スルフアミノ酸ニッケル ６００Ｖｔ硼
酸 ３０９／１臭化ニツケル ５７
／ｌ ビット防止剤 １ｍ／／／ ＰＨ４，Ｑ±０．２ 浴 温 ５０℃〜５５℃このスルフ
アミノ酸ニッケル浴によるニッケル電着方法は、金の導
電性膜（至）をつけた微細パターンを有するフォトレジ
スト原盤を電着浴槽内の回転陰極支持体に取り付け、陽
極にはデボラライズニッケルを使用し、回転陰極と陽極
間に電着浴中の液をポンプによって噴射する方式である
。まずニッケル電着はイニシャル電着として２〜４Ａ／
ｄｎ？の゛電流密度で５ＩＪｍの厚さに電着したのち、
連続してｌＱＡ／ｄｍ” ｆ二′＠直密度を上げて２
５０μｍの厚さになるまで電着して、ニッケル電着層＠
を得る。この；ツケル罐着中の浴温は始動時５０℃とし
て終了時は５５℃まで上昇する。このよう（二して得ら
れたニッケル電着層＠をガラス原盤から分離してスタン
パ−を作成するが、このニッケル電着層＠はガラス原盤
Ｑυとレジス） ＱＪ間から分離し７てニッケル電着層
（ハ）情にレジストが付着しているのでスタンパ−の機
能Ｆレジスト（２）を除去する必曹がある。
酸 ３０９／１臭化ニツケル ５７
／ｌ ビット防止剤 １ｍ／／／ ＰＨ４，Ｑ±０．２ 浴 温 ５０℃〜５５℃このスルフ
アミノ酸ニッケル浴によるニッケル電着方法は、金の導
電性膜（至）をつけた微細パターンを有するフォトレジ
スト原盤を電着浴槽内の回転陰極支持体に取り付け、陽
極にはデボラライズニッケルを使用し、回転陰極と陽極
間に電着浴中の液をポンプによって噴射する方式である
。まずニッケル電着はイニシャル電着として２〜４Ａ／
ｄｎ？の゛電流密度で５ＩＪｍの厚さに電着したのち、
連続してｌＱＡ／ｄｍ” ｆ二′＠直密度を上げて２
５０μｍの厚さになるまで電着して、ニッケル電着層＠
を得る。この；ツケル罐着中の浴温は始動時５０℃とし
て終了時は５５℃まで上昇する。このよう（二して得ら
れたニッケル電着層＠をガラス原盤から分離してスタン
パ−を作成するが、このニッケル電着層＠はガラス原盤
Ｑυとレジス） ＱＪ間から分離し７てニッケル電着層
（ハ）情にレジストが付着しているのでスタンパ−の機
能Ｆレジスト（２）を除去する必曹がある。
このレジスト（２）の除去はレジスト剥離液を用いて行
ないフォトレジスト原盤の微細パターンが転写された我
国を有した金の導電性膜（至）とニッケル電着層（至）
かし成るスタンパ−を作成する。このスタンパ−の表向
からの断面硬度をマイクロピッカー硬度針によって測定
した結果、第３図中の曲線Ａの如き結果が得られた。比
較のため従来の製造方法のニッケルスタンパ−の硬さ曲
線をＢに示す。
ないフォトレジスト原盤の微細パターンが転写された我
国を有した金の導電性膜（至）とニッケル電着層（至）
かし成るスタンパ−を作成する。このスタンパ−の表向
からの断面硬度をマイクロピッカー硬度針によって測定
した結果、第３図中の曲線Ａの如き結果が得られた。比
較のため従来の製造方法のニッケルスタンパ−の硬さ曲
線をＢに示す。
第３図の曲線から明らなようにこの発明の金のついたニ
ッケルスタンバ−は表ｄＩＪｅさがマイクロビッカース
硬さで４００以上であり、従来のニッケルスタンバ−に
比べて硬いことから、耐摩耗性の点で優れていることが
判る。この理由は前述のように金とニッケルが電着中に
相互拡散して金−ニッケル合金ができること（二よる。
ッケルスタンバ−は表ｄＩＪｅさがマイクロビッカース
硬さで４００以上であり、従来のニッケルスタンバ−に
比べて硬いことから、耐摩耗性の点で優れていることが
判る。この理由は前述のように金とニッケルが電着中に
相互拡散して金−ニッケル合金ができること（二よる。
これは電着中の陽極側で発熱することからも説明できる
。
。
次に耐食性について従来のクロム付ニッケルスタンパ−
とこの本例の全村スタンパ−の塩水噴務試験による耐食
性の比較を第４図に示す。第４図中の曲線Ｃはとの発明
の全村スタンパ−を、曲線りは従来のクロム付スタンパ
−の１食性の曲線を示す。この曲線から明らかなよう（
二、この発明の全村スタンバ−の耐食性は、従来のクロ
ム付スタンパ−と比べ大幅に向上していることがわかる
。
とこの本例の全村スタンパ−の塩水噴務試験による耐食
性の比較を第４図に示す。第４図中の曲線Ｃはとの発明
の全村スタンパ−を、曲線りは従来のクロム付スタンパ
−の１食性の曲線を示す。この曲線から明らかなよう（
二、この発明の全村スタンバ−の耐食性は、従来のクロ
ム付スタンパ−と比べ大幅に向上していることがわかる
。
また転写性１；ついて走査型電子顕微鏡で、この発明の
全村スタンパ−の表面を観察したところ、フォトレジス
ト原盤の微細パターンと同じ深さＱ、Ｑ５Ｐ、ＩＩα５
μｍでピッチ２０μｍのが再曳性良く転写されていた。
全村スタンパ−の表面を観察したところ、フォトレジス
ト原盤の微細パターンと同じ深さＱ、Ｑ５Ｐ、ＩＩα５
μｍでピッチ２０μｍのが再曳性良く転写されていた。
このようにこの本発明５二よるスタンパ−は転写性と耐
摩性および耐食性の点で従来のスタンパ−゛ に比べ
優れていることが明らかになった。
摩性および耐食性の点で従来のスタンパ−゛ に比べ
優れていることが明らかになった。
本発明は上述の実施例（−限定されるものではなく、次
のような実施例本考えられる。すなわち厚さ１０ａｍで
直径３５０ｍからなるクロムつきガラス基板０１）の表
面にテルルをメタン中で反応性スパッター蒸着してテル
ル−カンボン（Ｔｅ −Ｃ）を厚さ０．０７μ蟻着して
Ｔｅ−ｃ原盤を作成する。このようにして得たＴｅ−ｃ
原盤にレーザ筒先して深さ０．０７μｍ幅０５μｍでピ
ッチ２０μｍの溝又はふくらまして凹凸をつけた微細パ
ターン層（至）を設ける。以下前述の実施例と同様な方
で金の導電性皮膜（至）をつけてニッケル電着する方法
によって、前述の実施例と同じ特性のスタンパ−を得る
仁とができる。
のような実施例本考えられる。すなわち厚さ１０ａｍで
直径３５０ｍからなるクロムつきガラス基板０１）の表
面にテルルをメタン中で反応性スパッター蒸着してテル
ル−カンボン（Ｔｅ −Ｃ）を厚さ０．０７μ蟻着して
Ｔｅ−ｃ原盤を作成する。このようにして得たＴｅ−ｃ
原盤にレーザ筒先して深さ０．０７μｍ幅０５μｍでピ
ッチ２０μｍの溝又はふくらまして凹凸をつけた微細パ
ターン層（至）を設ける。以下前述の実施例と同様な方
で金の導電性皮膜（至）をつけてニッケル電着する方法
によって、前述の実施例と同じ特性のスタンパ−を得る
仁とができる。
また金の導゛罐性１Ｉ（２）を金の代りに金−ニッケル
合金の導電膜に変えて前述の２つの実施例と同じ特性の
スタンパ−を得ることもできる。このときの金−ニッケ
ル合金導電膜は、ニッケルの含有麓２Ｑｗｔ％が耐食性
の点から上限であり、この金−ニッケル合金導電膜（至
）はスタバッター蒸着で形成する方法が望ましい。
合金の導電膜に変えて前述の２つの実施例と同じ特性の
スタンパ−を得ることもできる。このときの金−ニッケ
ル合金導電膜は、ニッケルの含有麓２Ｑｗｔ％が耐食性
の点から上限であり、この金−ニッケル合金導電膜（至
）はスタバッター蒸着で形成する方法が望ましい。
第１図は従来のスタンパ−製造方法を説明するための断
面略図、第２図はこの発明のスタンパ−製造方法を説明
するための断面略図、第３図は従来方法とこの発明方法
で作成したスタンパ−の硬さを示す図、第４図は従来方
法とこの発明方法で作成したスタンパ−の塩水噴霧試験
法による耐食性を示す図である。 ２１・・・基 板 ２１・・・パターン２３・
・・金属２４・・・ニッケル
面略図、第２図はこの発明のスタンパ−製造方法を説明
するための断面略図、第３図は従来方法とこの発明方法
で作成したスタンパ−の硬さを示す図、第４図は従来方
法とこの発明方法で作成したスタンパ−の塩水噴霧試験
法による耐食性を示す図である。 ２１・・・基 板 ２１・・・パターン２３・
・・金属２４・・・ニッケル
Claims (1)
- 基板上にフォトレジストまたは低融点金属反応膜が形成
され九原盤に微細パターンを形成し、こうして形成され
た微細パターンを有する原盤の表向に金を主成分とする
被膜層を形成し、その後この被膜層の表向にニッケル電
着法によりスタンパ一層を形成したのち、このスタンパ
一層を前記原盤から分離することを特徴とするスタンパ
−の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590282A JPS58150148A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | スタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590282A JPS58150148A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | スタンパ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150148A true JPS58150148A (ja) | 1983-09-06 |
Family
ID=12178713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2590282A Pending JPS58150148A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | スタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150148A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
| US5900160A (en) * | 1993-10-04 | 1999-05-04 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
| US6180239B1 (en) | 1993-10-04 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing on surfaces and derivative articles |
| EP1154421A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Pioneer Corporation | Production method for optical disc |
| EP1156138A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-21 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
| US6368838B1 (en) | 1993-10-04 | 2002-04-09 | President And Fellows Of Havard College | Adhering cells to cytophilic islands separated by cytophobic regions to form patterns and manipulate cells |
| US6776094B1 (en) | 1993-10-04 | 2004-08-17 | President & Fellows Of Harvard College | Kit For Microcontact Printing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665341A (en) * | 1979-10-17 | 1981-06-03 | Rca Corp | Recordinggmedium for optical recording and regeneration |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2590282A patent/JPS58150148A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5665341A (en) * | 1979-10-17 | 1981-06-03 | Rca Corp | Recordinggmedium for optical recording and regeneration |
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| US7067306B2 (en) | 1993-10-04 | 2006-06-27 | President & Fellows Of Harvard College | Device containing cytophilic islands that adhere cells separated by cytophobic regions |
| US5900160A (en) * | 1993-10-04 | 1999-05-04 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
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| US7993905B2 (en) | 1993-10-04 | 2011-08-09 | President And Fellows Of Harvard College | Device containing cytophilic islands that adhere cells separated by cytophobic regions |
| US6368838B1 (en) | 1993-10-04 | 2002-04-09 | President And Fellows Of Havard College | Adhering cells to cytophilic islands separated by cytophobic regions to form patterns and manipulate cells |
| US7875197B2 (en) | 1993-10-04 | 2011-01-25 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
| US6776094B1 (en) | 1993-10-04 | 2004-08-17 | President & Fellows Of Harvard College | Kit For Microcontact Printing |
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| EP1764797A3 (en) * | 2000-05-12 | 2008-11-19 | Pioneer Corporation | Production method for optical disc |
| EP1156138A3 (en) * | 2000-05-12 | 2004-07-14 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
| EP1156138A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-21 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
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