JPS594767B2

JPS594767B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPS594767B2
Application number: JP15144975A
Authority: JP
Inventors: 謙二金井; 伸征紙中; 紀台能知; 登野村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1975-12-17
Filing date: 1975-12-17
Publication date: 1984-01-31
Also published as: JPS5274326A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は薄膜磁気ヘッドの製造法に係わるもの１０であ
つて、その目的は磁気ヘッドの記録媒体摺接面において
樹脂層を可能な限り最小にし、良好な摺接面を有する薄
膜磁気ヘッドを提供することにある。

一般に薄膜磁気ヘッドは第１図に示すように多１５層構
造をとり、最終的にヘッドを仕上げ、記録媒体摺接面を
みると第２図に示すような状態を呈す。

即ち保持板８で圧接して樹脂接着すると、凹部に極めて
多量の樹脂層Ｔが入りこみ、記録媒体摺接面に樹脂層Ｔ
が露呈することとなる。このため一’）０般に極めて
硬度が小さい樹脂層７は記録媒体との摺接によつて摩耗
が進行し、その結果削りとられた一部の樹脂がヘッド前
面に付着したり、保持板８、保護層６の端部がくずれる
等の現象が生じ、記録媒体に傷をつけたり短波長記録再
生の場合はフ５その結果生じる分離損失が問題となる
。第１図で示した薄膜磁気ヘッドは比較的簡単な構造を
示しており、第２図で示すところの絶縁層２、４、保護
層６は示していない。このような場合でも第２図に示す
ように記録媒体摺接面におい９０て凹凸部があり、さら
に複雑な構成の薄膜磁気ヘッドではより複雑な多層構造
をとるため、通常の構成方法によつては凹凸部が生じる
ことはさけられない。第１図および第２図は単巻型薄膜
磁気ヘッドの基本的な従来例を示しており、フエライト
ノ５Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａｔ−Ｆｅ−Ｓｉ合金等の磁性
体、もしくはガラス、Ｓｉ等の非磁性体の上部にＦｅ一
Ｎｉ合金、Ａｔ−Ｆｅ−Ｓｉ合金等を蒸着（真空蒸）１
−着、電着、スパツタリング等の生成手段によつて）し
たものを基板１とし、必要に応じ絶縁層２を生成し、そ
の上部にＣＵ，ＡＵ，Ａｔ等の導体層３が所定のパター
ンに形成され、さらに絶縁層４、Ｆｅ−Ｎｌ合金等の磁
性層５が形成され、さらに上部には保護層６が形成され
た後、ガラス等の非磁性体の保持板８と樹脂接着される
。

薄膜磁気ヘツドの場合、磁性体層５の磁気的特性の劣化
、絶縁層２，４の熱による歪が原因となる絶縁不良、そ
れによる導体層３等の断線等の問題のため出来るだけ熱
サイクルを避けるのが望ましく、また特に各層が生成さ
れた後、高温で処理することは実際的な方法ではない。
このため保持板８を接着する方法としては比較的、低温
で処理が可能な樹脂を用いるのが一般的であり、硬度の
大きいガラス等でガラス接着するのは処理温度力塙温に
な〜り、今までのところ用いられていない。一方、この
ような薄膜磁気ヘツドのテープ走行結果をみるに、凸部
であつて保持板８と圧接されている部分９は樹脂層の流
入が極めて少なく、長時間のテープ走行に対しても損傷
が非常に少ないことが判つた。

しかし、凹部であつて樹脂層７が多い部分１０では樹脂
層の摩耗、流れが激しく、その周辺に削りとられた樹脂
が強固にこびりついていたり、その周辺部分の保持板８
、保護層６、磁性層５等の端部の損傷等がおこることが
わかつた。本発明は上記のような問題を解決する薄膜磁
気ヘツド、およびその製造方法を提供するものである。

以下図面とともに本発明の詳細について述べる。

なお、第１図と共通の素子には共通の番号を付している
。第３図に示すように基板１上に順次、絶縁層２、導体
層３、絶縁層４を形成する。次に前記絶縁層４と別の物
質の絶縁層１１を蒸着し、レジスト１２を塗布する。こ
の時絶縁層１１の厚さＴ２は前記導体層の厚みｔ１と同
じであることが必要である。ついでこのレジストとして
ネガレジストを使用する時は前記導体層３を形成した際
使用したホトマスクと逆のパターンのホトマスクを使用
すれば、レジスト１２の所定の部分１３が露光され、該
部分１３は所定の液で除去される。この場合、レジスト
として、ポジレジストを使用する時は前記導体層３を形
成した際使用したホトマスクが使用出来、露光後、所定
の液により同様に所定の部分のレジスト１３が除去され
る。ついで前記絶縁層１１を適当なエツチング液により
腐蝕、残つているレジストを剥離する。この様子が第４
図に示されている。ここでわかるように絶縁層１１のエ
ツチング液が絶縁層４を浸さないことが必要、もしくは
それらのエツチング速度に大きな違いがあることが必要
となる。例えば絶縁層４としてＳｌＯ絶縁層１１として
ＳｉＯ２を用いた場合、ＮＨ４Ｆ（４０ｔ）＋Ｈ２Ｏ（
６０ＣＣ）＋ＨＦ（２０ＣＣ）のエツチング液を用いる
と、ＳｉＯ２に対するエツチング速度を１とした時、Ｓ
ｉＯに対しては約０．１という実験結果が得られた。こ
のようにあるエツチング液に対して極めて遅いエツチン
グ速度を有する、ないしはほとんど腐蝕されない第１の
物質を絶縁層４として用い、必然的に段差部が生じた導
体層３上を前記絶縁層４でまず覆い、比較的エツチング
速度の早い第２の物質を絶縁層１１として更に覆うこと
によつて、第１、第２の物質の絶縁層４，１１のエツチ
ング速度の差を利用して、ほマ段差部がない表面を得る
ことが可能となる。導体層３の形成の際の端部での傾斜
、即ちエツチングフアクタ一およびその後の絶縁層４，
１１の蒸着の方法によつて程度の違いはあるが、絶縁層
１１の所定の部分をエツチングする際、若干、導体層３
の端部付近で凹部１４が出来るが、これも面積的には極
めて小さい。次に、磁性層５が形成された後、上述した
と同様の方法によつて第１、第２の物質の絶縁層６，１
５を蒸着する。

この場合も第２の物質の絶縁層１５の厚みＴ４は磁性層
５の厚みＴ３と同じであることが必要である。ついでレ
ジスト１６が塗布され、第２の物質の絶縁層１５のうち
、磁性層５の上部がエツチングされる。その様子が第５
図に示されている。この結果、保持板８を樹脂接着する
際、基板１に形成された層の表面は少なくとも記録媒体
摺接面側ではほマ凹凸部がない平面であり、樹脂層７が
露呈する部分が著しく少なくなる。なお、上記実施例に
おいては単巻型薄膜磁気ヘツドによつて説明したが、磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド等についても一般に段差部
が生じるため本発明が応用されることは自明である。さ
らに詳しく述べると、本発明のように第２の物質の絶縁
層１１，１５を露光、エツチングする際、凹凸部を生ぜ
しめる層（上述の例では導体層３、磁性層５）を形成す
る際使用するホトマスクと同一のものか（ポジレジスト
の場合）、逆のパターンのホトマスク（ネガレジストの
場合）を使用することが出来る。

但し、この場合は第１の物質の絶縁層４，６がそれぞれ
導体層３、磁性層５を完全に蔽うことが出来るかどうか
で導体層３、磁性層５の材質を決める必要がある。即ち
、完全に蔽うことができない構成の場合には、第２の物
質の絶縁層１１，１５のためのエツチング液で導体層３
、磁性層５がエツチングされないことが必要となつてく
る。上述の構成の単巻型薄膜磁気ヘツドでは外部回路と
の接続のため、導体層３の脚部の一部は露出させておく
必要があり、第１の物質の絶縁層４で完全に蔽つてはい
けない。従つて導体層３としては第２の物質の絶縁層１
１として上述のようにＳｉＯ２を用いた時はそのエツチ
ング液によつて腐蝕されない。Ａｕ等の物質を使用する
ことが必要となる。しかし、絶縁層６は磁性層５を完全
に蔽つても支障がないため、このような点を配慮する必
要はない。また、さらに、第２の物質である絶縁層１１
を露光、エツチングする場合、記録媒体摺接面近傍のみ
、導体層３と同じパターンの部分をエツチングするとい
つた新たなホトマスクを用いれば、導体層３としてはそ
の物質の選択はさらに自由度がひろがる。また、上述し
た方法では二回、第２の物質である絶縁層１１，１５を
エツチングして樹脂層の露呈を極めて少なくしたが、第
６図に示すように絶縁層１１は省略し導体層３の上部の
絶縁層１５をエツチングすることによつても、従来例と
比較すれば樹脂層７の露出が少ないヘツドが実現出来る
。以上のように本発明によれば、あるエツチング液に対
してエツチング速度の異なる第１および第２の物質を絶
縁層として用いることにより、ある層によつて少くとも
記録媒体摺接面側に段差部が生じた時、その上部にエツ
チング速度の遅い第１の物質の絶縁層を形成し、さらに
上部に前記層の厚みと同じ厚みのエツチング速度の早い
第２の物質を形成した後、前記層と同じパターンで前記
第２の物質をエツチングし、凹凸の極めて少ない面を得
ることが可能となる。

このため、本発明によれば記録媒体摺接面で樹脂層の露
呈している部分が従来例に比較して非常に少ない薄膜磁
気ヘツドを実現出来、樹脂層の欠落、摩耗そして、それ
に伴う周辺の層、あるいは保持板の端部の損傷を防ぐた
め、周辺の層の流れがなく、又記録媒体摺接面での面ア
レが少なく、記録媒体面を損うこともない。そして記録
再生時における空隙損失の少ない長寿命の磁気ヘツドを
提供することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の薄膜磁気ヘツドの斜視図、第２図は従
来例の薄膜磁気ヘツドの記録媒体摺接面の様子を示す正
面図、第３図および第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの
製造工程の途中段階を示す断面図、第５図は本発明の薄
膜磁気ヘツドの記録媒体摺接面の様子を示す正面図、第
６図は本発明の別の実施例を示す薄膜磁気ヘツドの記録
媒体摺接面の様子を示す正面図である。１・・・・・・基板、２・・・・・・絶縁層、３・・・
・・・導体層、４・・・・・・絶縁層、１１・・・・・
・絶縁層、１２・・・・・・フオトレジスト。

Claims

【特許請求の範囲】１少なくとも記録媒体摺接面側で薄膜磁気ヘッドの構
成要素を基板上に多層膜面で形成し、前記基板面上にお
ける凹凸面を第１の絶縁層で覆い、さらに前記第１の絶
縁層の上を第２の絶縁層で覆い、前記凹凸面の凸部に相
当する部分の前記第２の絶縁層をエッチングし、前記多
層膜面を略平面にすることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。２少なくとも記録媒体摺接面側で薄膜磁気ヘッドの構
成要素を基板上に多層膜面で形成し、前記基板面上にお
ける凹凸面を第１の絶縁層で覆い、さらに前記第１の絶
縁層の上を、前記第１の絶縁層よりエッチングされやす
い第２の絶縁層で覆い、前記凹凸面の凸部に相当する部
分の前記第２の絶縁層をエッチングし、前記多層膜面を
略平面にすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。