JPH09115111A - パターニングされた金属層形成方法 - Google Patents
パターニングされた金属層形成方法Info
- Publication number
- JPH09115111A JPH09115111A JP8200243A JP20024396A JPH09115111A JP H09115111 A JPH09115111 A JP H09115111A JP 8200243 A JP8200243 A JP 8200243A JP 20024396 A JP20024396 A JP 20024396A JP H09115111 A JPH09115111 A JP H09115111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- forming
- layers
- metal layer
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 234
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/17—Construction or disposition of windings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上にパターニングされた金属層を形成す
るための改善された方法を提供する。 【解決手段】 基板（１００）の上面が絶縁層からなる
前記基板の上面上に第１および第２シード層（３０３，
３０４）を順次に被着し、前記第２シード層（３０４）
の上面上にパターニングされたマスク層（３０５）を形
成して、前記第２シード層の選択された部分を露出させ
た後、前記第２シード層の前記選択された部分の上面上
に金属層（３０６）を電気鍍金して、金属層の上面上に
第１および第２保護層を順次に被着させ、パターニング
されたマスク層を除去した後、金属層の下部にある該当
部分を除いた第１および第２シード層を完全に除去し
て、前記パターニングされた金属層を形成する時まで、
前記基板をドライエッチングして前記パターニングされ
た金属層を形成する。
るための改善された方法を提供する。 【解決手段】 基板（１００）の上面が絶縁層からなる
前記基板の上面上に第１および第２シード層（３０３，
３０４）を順次に被着し、前記第２シード層（３０４）
の上面上にパターニングされたマスク層（３０５）を形
成して、前記第２シード層の選択された部分を露出させ
た後、前記第２シード層の前記選択された部分の上面上
に金属層（３０６）を電気鍍金して、金属層の上面上に
第１および第２保護層を順次に被着させ、パターニング
されたマスク層を除去した後、金属層の下部にある該当
部分を除いた第１および第２シード層を完全に除去し
て、前記パターニングされた金属層を形成する時まで、
前記基板をドライエッチングして前記パターニングされ
た金属層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関
し、特に、ドライエッチング法を用いてパターニングさ
れた金属層を形成する方法に関する。
し、特に、ドライエッチング法を用いてパターニングさ
れた金属層を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、薄膜磁気ヘッドは磁気テ
ープの信号を再生、記録及び消去するに広く用いられ
る。図１は、従来技術による代表的な薄膜磁気ヘッド１
１１を表す線図的な断面図である。薄膜磁気ヘッド１１
１は基板１００上に形成された第１の下部磁性コア１０
１と、前記第１の下部磁性コア１０１の上面と前記基板
１００の上側面上の一部分に形成された第２の下部磁性
コア１０２と、前記第２下部磁性コア１０２の上側面上
に部分的に被着されている第１の絶縁層１０４と、前記
第１絶縁層１０４の上側面上に被着されており、金属導
電体からなるパターニングされたコイル層１０８と、前
記パターニングされたコイル層１０８と前記第１絶縁層
１０４の一部分を覆っている第２の絶縁層１０７と、こ
の第２の絶縁層１０７上に形成されており、前記第２の
下部磁性コア１０２の一部分と、前記第２の絶縁層１０
７が覆われていない前記第１絶縁層１０４の一部分を覆
う上部磁性コア１０６とを含む。また、前記第２の下部
磁性コア１０２は、前記第１の下部磁性コア１０１上に
段差を有して形成されているため、その上に順次に形成
された前記各層も段差を有することになり、その結果、
段差領域１０９が生じる。
ープの信号を再生、記録及び消去するに広く用いられ
る。図１は、従来技術による代表的な薄膜磁気ヘッド１
１１を表す線図的な断面図である。薄膜磁気ヘッド１１
１は基板１００上に形成された第１の下部磁性コア１０
１と、前記第１の下部磁性コア１０１の上面と前記基板
１００の上側面上の一部分に形成された第２の下部磁性
コア１０２と、前記第２下部磁性コア１０２の上側面上
に部分的に被着されている第１の絶縁層１０４と、前記
第１絶縁層１０４の上側面上に被着されており、金属導
電体からなるパターニングされたコイル層１０８と、前
記パターニングされたコイル層１０８と前記第１絶縁層
１０４の一部分を覆っている第２の絶縁層１０７と、こ
の第２の絶縁層１０７上に形成されており、前記第２の
下部磁性コア１０２の一部分と、前記第２の絶縁層１０
７が覆われていない前記第１絶縁層１０４の一部分を覆
う上部磁性コア１０６とを含む。また、前記第２の下部
磁性コア１０２は、前記第１の下部磁性コア１０１上に
段差を有して形成されているため、その上に順次に形成
された前記各層も段差を有することになり、その結果、
段差領域１０９が生じる。
【０００３】図２Ａ〜図２Ｄには、図１に示された前記
第１絶縁層１０４上に前記パターニングされたコイル層
１０８を形成する代表的な従来技術による方法を示した
線図的断面図が示されている。説明の便宜のため、前記
段差領域１０９の近くに位置した前記パターニングされ
たコイル層１０８の一部分が図２〜図２Ｄに示されてい
る。図２に示すように、第１および第２シード層２０５
と２０６とが順次に前記第１絶縁層１０４上に被着され
ている。前記第２シード層２０６は前記パターニングさ
れたコイル層１０８を構成する物質に似ている物質から
なり、前記第１シード層２０５は前記第１絶縁層１０４
と前記第２シード層２０６との間の接着力を強化するた
めの物質からなる。例えば、前記パターニングされたコ
イル層１０８が金（Ａｕ）からなる場合、前記第１シー
ド層２０５はチタニウム（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）
からなり、前記第２シード層２０６は金（Ａｕ）からな
る。図２Ｂに示す次の工程においては、フォトレジスト
層２０７が前記第２シード層２０６上に被着された後、
その一部分がフォトリソグラフィーにより除去すること
によって、前記第２シード層２０６の選択された部分を
露出させる。前記パターニングされたコイル層１０８は
電気めっき法を用いて例えば、金（Ａｕ）のような適当
な物質で、前記フォトレジスト層２０７の一部分が除去
された該当部分を、満たすことにより形成される。その
後、前記第２シード層２０６の残りの部分は、図２Ｃに
示すように、残っている前記フォトレジスト層２０７を
除去することによって完全に露出される。その次、前記
第１および第２シード層２０５及び２０６は、前記第１
絶縁層１０４と前記パターニングされたコイル層１０８
との間にある部分を除いて、図２Ｄに示すように、適当
なエッチング溶液を用いて除去される。前記シード層を
除去するに際し、代表的に、湿式エッチング法が用いら
れる。前記シード層をドライエッチング法で除去すれ
ば、傾斜した段差領域１０９の下側に前記シード層の残
留物質が残存するためである。これは、前記段差領域１
０９におけるエッチング方向に沿った前記シード層の最
大厚さが通常、平坦領域１１０の厚さより大きいためで
ある。
第１絶縁層１０４上に前記パターニングされたコイル層
１０８を形成する代表的な従来技術による方法を示した
線図的断面図が示されている。説明の便宜のため、前記
段差領域１０９の近くに位置した前記パターニングされ
たコイル層１０８の一部分が図２〜図２Ｄに示されてい
る。図２に示すように、第１および第２シード層２０５
と２０６とが順次に前記第１絶縁層１０４上に被着され
ている。前記第２シード層２０６は前記パターニングさ
れたコイル層１０８を構成する物質に似ている物質から
なり、前記第１シード層２０５は前記第１絶縁層１０４
と前記第２シード層２０６との間の接着力を強化するた
めの物質からなる。例えば、前記パターニングされたコ
イル層１０８が金（Ａｕ）からなる場合、前記第１シー
ド層２０５はチタニウム（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）
からなり、前記第２シード層２０６は金（Ａｕ）からな
る。図２Ｂに示す次の工程においては、フォトレジスト
層２０７が前記第２シード層２０６上に被着された後、
その一部分がフォトリソグラフィーにより除去すること
によって、前記第２シード層２０６の選択された部分を
露出させる。前記パターニングされたコイル層１０８は
電気めっき法を用いて例えば、金（Ａｕ）のような適当
な物質で、前記フォトレジスト層２０７の一部分が除去
された該当部分を、満たすことにより形成される。その
後、前記第２シード層２０６の残りの部分は、図２Ｃに
示すように、残っている前記フォトレジスト層２０７を
除去することによって完全に露出される。その次、前記
第１および第２シード層２０５及び２０６は、前記第１
絶縁層１０４と前記パターニングされたコイル層１０８
との間にある部分を除いて、図２Ｄに示すように、適当
なエッチング溶液を用いて除去される。前記シード層を
除去するに際し、代表的に、湿式エッチング法が用いら
れる。前記シード層をドライエッチング法で除去すれ
ば、傾斜した段差領域１０９の下側に前記シード層の残
留物質が残存するためである。これは、前記段差領域１
０９におけるエッチング方向に沿った前記シード層の最
大厚さが通常、平坦領域１１０の厚さより大きいためで
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記第１およ
び第２シード層２０５と２０６とを湿式エッチング法に
より除去する場合、前記パターニングされたコイル層１
０８の一部分と前記第１および第２のシード層２０５及
び２０６とも、前記エッチング溶液の等方性エッチング
特性のため除去されて、図２Ｄに示すように、好ましく
ない周縁形状２０９と２１０とが生じる。この好ましく
ない周縁形状２０９及び２１０は前記パターニングされ
たコイル層１０８の特性劣化をもたらす恐れがあり、前
記第２絶縁層１０７の内部に孔隙を発生させて、薄膜磁
気ヘッド１１１の特性を悪化させてしまう。
び第２シード層２０５と２０６とを湿式エッチング法に
より除去する場合、前記パターニングされたコイル層１
０８の一部分と前記第１および第２のシード層２０５及
び２０６とも、前記エッチング溶液の等方性エッチング
特性のため除去されて、図２Ｄに示すように、好ましく
ない周縁形状２０９と２１０とが生じる。この好ましく
ない周縁形状２０９及び２１０は前記パターニングされ
たコイル層１０８の特性劣化をもたらす恐れがあり、前
記第２絶縁層１０７の内部に孔隙を発生させて、薄膜磁
気ヘッド１１１の特性を悪化させてしまう。
【０００５】従って、本発明の主な目的は、金属導電体
層の周縁形状をそのまま維持し得る、絶縁層上にパター
ニングされたコイル層を形成する方法を提供することで
ある。
層の周縁形状をそのまま維持し得る、絶縁層上にパター
ニングされたコイル層を形成する方法を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、基板上にパターニングされた金属層を形成するに
際し、前記基板の上側面に第１層を被着する工程と、前
記第１の層の上にパターニングされたマスク層を形成し
て、前記第１の層の選択された部分を露出させる工程
と、前記第１の層の選択された部分上に第２及び第３層
を順次に形成する工程と、前記パターニングされたマス
ク層を除去する工程と、前記第１の層の、基板の上側面
と前記第２層の間にある部分以外の部分を除去して、前
記第２の層と前記第１の層の前記選択された部分を有す
るパターニングされた金属層を形成する工程とを含むこ
とを特徴とするパターニングされた金属層の形成方法が
提供される。
めに、基板上にパターニングされた金属層を形成するに
際し、前記基板の上側面に第１層を被着する工程と、前
記第１の層の上にパターニングされたマスク層を形成し
て、前記第１の層の選択された部分を露出させる工程
と、前記第１の層の選択された部分上に第２及び第３層
を順次に形成する工程と、前記パターニングされたマス
ク層を除去する工程と、前記第１の層の、基板の上側面
と前記第２層の間にある部分以外の部分を除去して、前
記第２の層と前記第１の層の前記選択された部分を有す
るパターニングされた金属層を形成する工程とを含むこ
とを特徴とするパターニングされた金属層の形成方法が
提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例につ
いて図面を参照しながら詳しく説明する。図３Ａ〜Ｆに
は、本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドを製造する
において、絶縁層上にパターニングされたコイル層を形
成するための順次の製造工程を示す線図的断面図であ
る。以下で説明する全ての厚さは、ドライエッチング
中、エチャントが作用するエッチング方向と一致する垂
直方向に沿って測定した。図３Ａに示すように、各々厚
さａ１とａ２を有する第１および第２のシード層３０３
と３０４は絶縁層１０４の上面上に順次に被着される。
前記第１絶縁層１０４とその下側の各層は従来技術で形
成されるが、当該下部層は基板１００上に形成された第
１の下部磁性コア１０１とその上に形成された第２下部
磁性コア１０２は、図３Ａに示すように平坦領域１１０
と段差領域１０９を有する段差形状を形成している。前
記段差領域１０９の下方から上方へ傾斜する段差形状の
ために、前記段差領域１０９における第１および第２の
シード層３０３及び３０４の最大厚さｂ１とｂ２とは、
各々前記平坦領域１１０における前記第１および第２シ
ード層３０３と３０４の厚さａ１とａ２より大きい。通
常、前記シード層３０３と３０４とは熱蒸着方法やスパ
ッタリング法のような周知の方法により被着される。し
かし、当該特性を発揮し得る他のいかなる被着技術も用
いられ得る。前記第２シード層３０４はパターニングさ
れたコイル層３０６の構成物質と類似な特性を有する物
質からなり、前記第１シード層３０３は前記第１絶縁層
１０４と前記第２シード層３０４の間の接着力を強化さ
せ得る物質からなる。例えば、前記パターニングされた
コイル層３０６がＡｕからなる場合、前記第２シード層
３０４はＡｕまたはパラジウム（Ｐｄ）で構成され、前
記第１シード層３０３はＴｉやＣｒのような物質から構
成される。
いて図面を参照しながら詳しく説明する。図３Ａ〜Ｆに
は、本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドを製造する
において、絶縁層上にパターニングされたコイル層を形
成するための順次の製造工程を示す線図的断面図であ
る。以下で説明する全ての厚さは、ドライエッチング
中、エチャントが作用するエッチング方向と一致する垂
直方向に沿って測定した。図３Ａに示すように、各々厚
さａ１とａ２を有する第１および第２のシード層３０３
と３０４は絶縁層１０４の上面上に順次に被着される。
前記第１絶縁層１０４とその下側の各層は従来技術で形
成されるが、当該下部層は基板１００上に形成された第
１の下部磁性コア１０１とその上に形成された第２下部
磁性コア１０２は、図３Ａに示すように平坦領域１１０
と段差領域１０９を有する段差形状を形成している。前
記段差領域１０９の下方から上方へ傾斜する段差形状の
ために、前記段差領域１０９における第１および第２の
シード層３０３及び３０４の最大厚さｂ１とｂ２とは、
各々前記平坦領域１１０における前記第１および第２シ
ード層３０３と３０４の厚さａ１とａ２より大きい。通
常、前記シード層３０３と３０４とは熱蒸着方法やスパ
ッタリング法のような周知の方法により被着される。し
かし、当該特性を発揮し得る他のいかなる被着技術も用
いられ得る。前記第２シード層３０４はパターニングさ
れたコイル層３０６の構成物質と類似な特性を有する物
質からなり、前記第１シード層３０３は前記第１絶縁層
１０４と前記第２シード層３０４の間の接着力を強化さ
せ得る物質からなる。例えば、前記パターニングされた
コイル層３０６がＡｕからなる場合、前記第２シード層
３０４はＡｕまたはパラジウム（Ｐｄ）で構成され、前
記第１シード層３０３はＴｉやＣｒのような物質から構
成される。
【０００８】図３Ｂに示すように、その次の工程におい
て、例えばフォトレジスト層から成るマスク層３０５を
第２シード層３０４上に形成した後、その一部分を前記
第２シード層３０４を露出させるために、従来のフォト
リソグラフィー技術を用いて選択的に除去する。前記パ
ターニングされたコイル層３０６は例えば、電気めっき
法のような方法を用いて、例えば、金（Ａｕ）で前記マ
スク層３０５が除去された部分を満たすことにより形成
される。次の工程において、厚さが各々ｃ１及びｃ２で
あり、各々第１および第２のシード層３０３と３０４の
構成物質と類似または同一の材料から成る第１および第
２の保護層３０７と３０８を、例えば前記第１および第
２シード層３０３と３０４を形成するに用いられた方法
と同一の方法により、前記パターニングされたコイル層
３０６の上面上に順次に被着する。
て、例えばフォトレジスト層から成るマスク層３０５を
第２シード層３０４上に形成した後、その一部分を前記
第２シード層３０４を露出させるために、従来のフォト
リソグラフィー技術を用いて選択的に除去する。前記パ
ターニングされたコイル層３０６は例えば、電気めっき
法のような方法を用いて、例えば、金（Ａｕ）で前記マ
スク層３０５が除去された部分を満たすことにより形成
される。次の工程において、厚さが各々ｃ１及びｃ２で
あり、各々第１および第２のシード層３０３と３０４の
構成物質と類似または同一の材料から成る第１および第
２の保護層３０７と３０８を、例えば前記第１および第
２シード層３０３と３０４を形成するに用いられた方法
と同一の方法により、前記パターニングされたコイル層
３０６の上面上に順次に被着する。
【０００９】その後、前記パターニングされたコイル層
３０６で被覆されていない第２シード層３０４の一部分
は、図３Ｃに示すように、残っている前記マスク層３０
５を除去することによって露出される。その後、前記第
１および第２の保護層３０７と３０８及び、前記第１絶
縁層１０４と前記パターニングされたコイル層３０６の
間にある部分を除いた前記第１および第２のシード層３
０３と３０４は、例えば、異方性エッチングである塩素
プラズマ反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のようなド
ライエッチング法により除去することによって、図３Ｄ
に示す構造を形成する。
３０６で被覆されていない第２シード層３０４の一部分
は、図３Ｃに示すように、残っている前記マスク層３０
５を除去することによって露出される。その後、前記第
１および第２の保護層３０７と３０８及び、前記第１絶
縁層１０４と前記パターニングされたコイル層３０６の
間にある部分を除いた前記第１および第２のシード層３
０３と３０４は、例えば、異方性エッチングである塩素
プラズマ反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のようなド
ライエッチング法により除去することによって、図３Ｄ
に示す構造を形成する。
【００１０】パターニングされたコイル層３０６で被覆
されていない前記第１および第２のシード層３０３と３
０４の前記選択された部分を完全に除去するためには、
前記パターニングされたコイル層３０６の上面に形成さ
れた前記第１および第２保護層３０７と３０８を各々平
坦領域１１０における第１および第２シード層３０３と
３０４よりも１〜５倍厚くすることが必要である。
されていない前記第１および第２のシード層３０３と３
０４の前記選択された部分を完全に除去するためには、
前記パターニングされたコイル層３０６の上面に形成さ
れた前記第１および第２保護層３０７と３０８を各々平
坦領域１１０における第１および第２シード層３０３と
３０４よりも１〜５倍厚くすることが必要である。
【００１１】前記第１および第２保護層３０７と３０８
が、各々ａ１及びａ２より厚い厚さを有する理由を説明
すれば次の通りである。図３Ａに示すように、前記段差
領域１０９を有する前記第１絶縁層１０４の上面上に前
記第１および第２シード層３０３と３０４を形成する
際、前記段差領域１０９における前記第１および第２シ
ード層３０３と３０４の最大厚さｂ１とｂ２は、各々前
記第１および第２のシード層３０３と３０４を形成する
被着方法と前記段差領域１０９の勾配の程度に依存し、
各々前記平坦領域１１０における前記第１および第２の
シード層３０３と３０４の当該厚さａ１及びａ２よりも
大きい。前記第１および第２の保護層３０７と３０８の
厚さｃ１とｃ２が平坦領域１１０における第１および第
２シード層３０３と３０４の厚さａ１とａ２と互いに同
一の場合、前記ドライエッチング法を用いた前記第１お
よび第２の保護層３０７と３０８の完全な除去は、前記
平坦領域１１０における前記第１および第２シード層３
０３と３０４を完全に除去することになるが、前記段差
領域１０９における前記シード層を完全に除去すること
ができない。この理由は、第１および第２のシード層３
０３と３０４の前記段差領域１０９における最大厚さｂ
１とｂ２は、各々前記平坦領域１１０における前記第１
および第２シード層３０３と３０４の厚さａ１とａ２よ
り厚く、前記ドライエッチングは図３Ｃの矢印で表示し
たように、垂直方向にだけ行なわれるためである。
が、各々ａ１及びａ２より厚い厚さを有する理由を説明
すれば次の通りである。図３Ａに示すように、前記段差
領域１０９を有する前記第１絶縁層１０４の上面上に前
記第１および第２シード層３０３と３０４を形成する
際、前記段差領域１０９における前記第１および第２シ
ード層３０３と３０４の最大厚さｂ１とｂ２は、各々前
記第１および第２のシード層３０３と３０４を形成する
被着方法と前記段差領域１０９の勾配の程度に依存し、
各々前記平坦領域１１０における前記第１および第２の
シード層３０３と３０４の当該厚さａ１及びａ２よりも
大きい。前記第１および第２の保護層３０７と３０８の
厚さｃ１とｃ２が平坦領域１１０における第１および第
２シード層３０３と３０４の厚さａ１とａ２と互いに同
一の場合、前記ドライエッチング法を用いた前記第１お
よび第２の保護層３０７と３０８の完全な除去は、前記
平坦領域１１０における前記第１および第２シード層３
０３と３０４を完全に除去することになるが、前記段差
領域１０９における前記シード層を完全に除去すること
ができない。この理由は、第１および第２のシード層３
０３と３０４の前記段差領域１０９における最大厚さｂ
１とｂ２は、各々前記平坦領域１１０における前記第１
および第２シード層３０３と３０４の厚さａ１とａ２よ
り厚く、前記ドライエッチングは図３Ｃの矢印で表示し
たように、垂直方向にだけ行なわれるためである。
【００１２】理論的に、ＲＩＥ工程中、第１および第２
の保護層３０７と３０８の厚さが、各々段差領域１０９
における第１および第２のシード層３０３と３０４の最
大厚さと同一の場合、前記第１および第２のシード層３
０３と３０４の完全な除去は、前記第１および第２の保
護層３０７と３０８が完全に除去される時達成され、そ
の逆の場合も同様である。しかし、実際に、ＲＩＥ工程
の後、前記段差領域１０９の下部にエッチングされてい
ない第１および第２シード層３０３と３０４が残ってい
る場合もある。従って、当該シード層を完全に除去する
ために、第１および第２保護層３０７と３０８の厚さｃ
１とｃ２の１０％乃至２０％に該当する剰余厚さが各々
第１および第２の保護層３０７と３０８に残存形成され
ることもできる。
の保護層３０７と３０８の厚さが、各々段差領域１０９
における第１および第２のシード層３０３と３０４の最
大厚さと同一の場合、前記第１および第２のシード層３
０３と３０４の完全な除去は、前記第１および第２の保
護層３０７と３０８が完全に除去される時達成され、そ
の逆の場合も同様である。しかし、実際に、ＲＩＥ工程
の後、前記段差領域１０９の下部にエッチングされてい
ない第１および第２シード層３０３と３０４が残ってい
る場合もある。従って、当該シード層を完全に除去する
ために、第１および第２保護層３０７と３０８の厚さｃ
１とｃ２の１０％乃至２０％に該当する剰余厚さが各々
第１および第２の保護層３０７と３０８に残存形成され
ることもできる。
【００１３】従って、各第１および第２の保護層３０７
と３０８は、ｃ１とｃ２とが各々ｂ１とｂ２の１．１乃
至１．２倍になるように形成される。その結果、前記第
１および第２の保護層３０７と３０８は、平坦領域１１
０における各第１および第２のシード層３０３と３０４
の厚さより１乃至５倍厚い厚さを有することになる。
と３０８は、ｃ１とｃ２とが各々ｂ１とｂ２の１．１乃
至１．２倍になるように形成される。その結果、前記第
１および第２の保護層３０７と３０８は、平坦領域１１
０における各第１および第２のシード層３０３と３０４
の厚さより１乃至５倍厚い厚さを有することになる。
【００１４】絶縁層１０４は、絶縁性材料から成る第１
絶縁層１０４のドライエッチング速度が、金属から成る
第１および第２シード層３０３と３０４のドライエッチ
ング速度よりもずっと遅いため、第１および第２シード
層３０３と３０４のドライエッチング中、顕著な影響を
受けることではないという点に注目しなければならな
い。また、前記段差領域１０９の下側のシード層を完全
に除去するために、該当する保護層を用いず所望の厚さ
より厚いパターニングされたコイル層を形成することは
好ましくない。なぜならば、パターニングされたコイル
層３０６のドライエッチング速度は、シード層の速度よ
りずっと速いため、エッチング速度の差を補償するため
には、はるかに厚いパターニングされ厚さのコイル層が
必要であるためである。
絶縁層１０４のドライエッチング速度が、金属から成る
第１および第２シード層３０３と３０４のドライエッチ
ング速度よりもずっと遅いため、第１および第２シード
層３０３と３０４のドライエッチング中、顕著な影響を
受けることではないという点に注目しなければならな
い。また、前記段差領域１０９の下側のシード層を完全
に除去するために、該当する保護層を用いず所望の厚さ
より厚いパターニングされたコイル層を形成することは
好ましくない。なぜならば、パターニングされたコイル
層３０６のドライエッチング速度は、シード層の速度よ
りずっと速いため、エッチング速度の差を補償するため
には、はるかに厚いパターニングされ厚さのコイル層が
必要であるためである。
【００１５】本発明は前記薄膜磁気ヘッドの一実施例と
を参考にして記述されているが、前述したパターニング
されたコイル層の形成方法は、他の薄膜製造工程にも適
用され得ることは当業者であれば明白であるだろう。ま
た、本明細書に記載した特許請求の範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の変更を加え得ることは勿論であ
る。
を参考にして記述されているが、前述したパターニング
されたコイル層の形成方法は、他の薄膜製造工程にも適
用され得ることは当業者であれば明白であるだろう。ま
た、本明細書に記載した特許請求の範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の変更を加え得ることは勿論であ
る。
【００１６】
【発明の効果】従って、本発明によれば基板上にパター
ニングされたコイル層を形成するに際し、コイル層の周
縁形態を変化させることなくシード層を除去することに
よって、基板の性能を向上させることができる。
ニングされたコイル層を形成するに際し、コイル層の周
縁形態を変化させることなくシード層を除去することに
よって、基板の性能を向上させることができる。
【００１７】本発明では、段差を有する基板上に金属層
を形成し、異方性エッチングにより金属層をパターニン
グすると共に、金属層上に形成した保護層のエッチング
方向の厚さをエッチングにより除去される層のエッチン
グ方向の厚さにほぼ等しくなるように設定しているの
で、基板とパターニングされた金属層との間に介在する
層が過剰にエッチングされるのが防止される。
を形成し、異方性エッチングにより金属層をパターニン
グすると共に、金属層上に形成した保護層のエッチング
方向の厚さをエッチングにより除去される層のエッチン
グ方向の厚さにほぼ等しくなるように設定しているの
で、基板とパターニングされた金属層との間に介在する
層が過剰にエッチングされるのが防止される。
【図１】従来技術による代表的な薄膜磁気ヘッドを表す
線図的断面図である。
線図的断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は図１に示された薄膜磁気ヘッ
ド１１１において、パターニングされたコイル層を形成
する代表的な従来技術による方法を示す線図的断面図で
ある。
ド１１１において、パターニングされたコイル層を形成
する代表的な従来技術による方法を示す線図的断面図で
ある。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の一実施例による、パ
ターニングされたコイル層を形成する方法を示す概略断
面図である。
ターニングされたコイル層を形成する方法を示す概略断
面図である。
１００ 基板 １０１ 第１下部磁性コア １０２ 第２下部磁性コア １０４ 第１絶縁層 １０６ 上面磁性コア １０７ 第２絶縁層 １０８ パターニングされたコイル層 １０９ 段差領域 １１０ 平坦領域 １１１ 薄膜磁気ヘッド ２０５ 第１シード層 ２０６ 第２シード層 ２０７ フォトレジスト層 ２０８ パターニングされたコイル層 ２０９ 好ましくない周縁形状 ２１０ 好ましくない周縁形状 ３０３ 第１シード層 ３０４ 第２シード層 ３０５ パターニングされたマスク層 ３０６ パターニングされたコイル層 ３０７ 第１保護層 ３０８ 第２保護層 ａ１ 平坦領域における第１シード層の厚さ ａ２ 平坦領域における第２シード層の厚さ ｂ１ 段差領域における第１シード層の最大垂直厚さ ｂ２ 段差領域における第２シード層の最大垂直厚さ ｃ１ 第１保護層の厚さ ｃ２ 第２保護層の厚さ
Claims (20)
- 【請求項１】 基板上にパターニングされた金属層を形
成するに際し、 前記基板の上側面上に第１の層を被着する第１工程と、 前記第１の層上にパターニングされたマスク層を形成し
て、前記第１の層の選択された部分を露出させる第２工
程と、 前記第１層の選択された部分上に第２及び第３の層を順
次形成する第３工程と、 前記パターニングされたマスク層を除去する第４工程
と、 前記第１の送の、基板の上側面と前記第２の層との間に
介在する部分以外の部分を除去して、前記第２の層と前
記第１の層の前記選択された部分とを含むパターニング
された金属層を形成する第５工程とを含むことを特徴と
するパターニングされた金属層の形成方法。 - 【請求項２】 前記基板の上側面は、絶縁物質からなる
請求項１に記載のパターニングされた金属層の形成方
法。 - 【請求項３】 前記第１の層は、前記基板の上側面上に
順次に形成された第１および第２の金属層を含むことを
特徴とする請求項２に記載のパターニングされた金属層
の形成方法。 - 【請求項４】 前記第２の層は、金属物質から成ること
を特徴とする請求項３に記載のパターニングされた金属
層の形成方法。 - 【請求項５】 前記第３の層は、前記第２の層上に順次
に形成された金属材料から成る、第１および第２保護層
を含むことを特徴とする請求項４に記載のパターニング
された金属層の形成方法。 - 【請求項６】 前記第１および第２の保護層は、各々前
記第１および第２の金属層の構成物質のような物質から
なることを特徴とする請求項５に記載のパターニングさ
れた金属層の形成方法。 - 【請求項７】 前記基板の上側面が、平坦領域と段差領
域とを有する段差の表面形態を備えることを特徴とする
請求項６に記載のパターニングされた金属層の形成方
法。 - 【請求項８】 前記第１および第２の保護層の厚さは、
前記平坦領域の上面に垂直であるエッチング領域に沿っ
て測定された前記段差領域における第１および第２金属
層の最大垂直厚さより各々等しいか又はそれよりも大き
いことを特徴とする請求項７に記載のパターニングされ
た金属層の形成方法。 - 【請求項９】 前記第１および第２の保護層の厚さは、
前記エッチング方向に沿って測定された第１および第２
金属層の最大垂直厚さの１．１倍乃至１．２倍であるこ
とを特徴とする請求項８に記載のパターニングされた金
属層の形成方法。 - 【請求項１０】 前記第１および第２の保護層の厚さ
は、各々前記第１および第２の金属層の厚さの１倍乃至
５倍であることを特徴とする請求項９に記載のパターニ
ングされた金属層の形成方法。 - 【請求項１１】 前記第５工程は、ドライエッチング法
を用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のパ
ターニングされた金属層の形成方法。 - 【請求項１２】 前記ドライエッチング法に用いられる
エチャントは、前記基板の前記上面のエッチング速度が
前記第１および第２の金属層のエッチング速度より遅い
特性を有することを特徴とする請求項１１に記載のパタ
ーニングされた金属層形成方法。 - 【請求項１３】 前記第２層は、Ａｕから成り、前記第
１の金属層はＴｉまたはＣｒとからなり、前記第２の金
属層はＡｕまたはＰａから成ることを特徴とする請求項
１２に記載のパターニングされた金属層の形成方法。 - 【請求項１４】 前記パターニングされたマスク層は、
フォトレジストからなり、フォトリソグラフィーにより
準備されることを特徴とする請求項１３に記載のパター
ニングされた金属層の形成方法。 - 【請求項１５】 薄膜磁気ヘッドを製造するに用いるた
めの、基板の上面が段差の表面形態を有する絶縁材料か
ら成る前記基板の前記上側面上にパターニングされたコ
イル層を形成する方法において、 前記基板の前記上側面上に第１および第２のシード層を
順次に被着する第１工程と、 前記第２シード層の上側面上にパターニングされたマス
ク層を形成して、前記第２のシード層の選択された部分
を露出させる第２工程と、 前記第２シード層の選択された部分の上側面上に金属層
を電気めっきする第３工程と、 前記金属層の上側面上に第１および第２の保護層を順次
に被着する第４工程と、 前記パターニングされたマスク層を除去する第５工程
と、 前記第５工程で形成された基板をドライエッチングして
前記第１及び第２のシード送の、前記金属層の下側にあ
る部分以外の部分を完全に除去して、パターニングされ
た金属層を形成する第６工程とを含むことを特徴とする
パターニングされた金属層の形成方法。 - 【請求項１６】 前記各第１および第２保護層が、前記
第１および第２シード層の構成物質と同じ物質から成る
請求項１５に記載のパターニングされた金属層の形成方
法。 - 【請求項１７】 前記第１および第２の保護層の厚さ
は、前記ドライエッチング方向に沿って測定された第１
および第２シード層の最大厚さに等しいか又はそれより
大きいことを特徴とする請求項１６に記載のパターニン
グされた金属層の形成方法。 - 【請求項１８】 前記ドライエッチング法は、前記絶縁
物質に対するエッチング速度が前記第１および第２シー
ド層のエッチング速度より遅くなるドライエッチング法
により行われることを特徴とする請求項１７に記載のパ
ターニングされた金属層の形成方法。 - 【請求項１９】 前記ドライエッチング法が、塩素プラ
ズマ反応性イオンエッチングにより行われることを特徴
とする請求項１８に記載のパターニングされた金属層の
形成方法。 - 【請求項２０】 前記金属層はＡｕから成り、前記第１
シード層はＴｉまたはＣｒから成り、前記第２シード層
がＡｕまたはＰｄから成ることを特徴とする請求項１９
に記載のパターニングされた金属層形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR95-33571 | 1995-09-30 | ||
| KR1019950033571A KR0170949B1 (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 메탈층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115111A true JPH09115111A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=19428979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8200243A Pending JPH09115111A (ja) | 1995-09-30 | 1996-07-30 | パターニングされた金属層形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5846441A (ja) |
| JP (1) | JPH09115111A (ja) |
| KR (1) | KR0170949B1 (ja) |
| CN (1) | CN1177169A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433960B2 (en) | 1998-03-31 | 2002-08-13 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| US7041595B2 (en) | 1999-08-27 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a barrier seed layer with graded nitrogen composition |
| KR20230029408A (ko) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | 주식회사 선익시스템 | 가공면 보호층 및 이를 이용한 실리콘 마스크 제조방법 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495019B1 (en) | 2000-04-19 | 2002-12-17 | Agere Systems Inc. | Device comprising micromagnetic components for power applications and process for forming device |
| US6621660B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-09-16 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic head |
| US6573177B1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-06-03 | Macronix International Co., Ltd. | Protection layer to prevent under-layer damage during deposition |
| KR20030089562A (ko) * | 2002-05-16 | 2003-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
| US7426780B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-09-23 | Enpirion, Inc. | Method of manufacturing a power module |
| US7462317B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-12-09 | Enpirion, Inc. | Method of manufacturing an encapsulated package for a magnetic device |
| US8631560B2 (en) | 2005-10-05 | 2014-01-21 | Enpirion, Inc. | Method of forming a magnetic device having a conductive clip |
| US8139362B2 (en) | 2005-10-05 | 2012-03-20 | Enpirion, Inc. | Power module with a magnetic device having a conductive clip |
| US8701272B2 (en) | 2005-10-05 | 2014-04-22 | Enpirion, Inc. | Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip |
| US7688172B2 (en) | 2005-10-05 | 2010-03-30 | Enpirion, Inc. | Magnetic device having a conductive clip |
| US7952459B2 (en) * | 2007-09-10 | 2011-05-31 | Enpirion, Inc. | Micromagnetic device and method of forming the same |
| US8133529B2 (en) | 2007-09-10 | 2012-03-13 | Enpirion, Inc. | Method of forming a micromagnetic device |
| US8018315B2 (en) | 2007-09-10 | 2011-09-13 | Enpirion, Inc. | Power converter employing a micromagnetic device |
| US7955868B2 (en) | 2007-09-10 | 2011-06-07 | Enpirion, Inc. | Method of forming a micromagnetic device |
| US7920042B2 (en) | 2007-09-10 | 2011-04-05 | Enpirion, Inc. | Micromagnetic device and method of forming the same |
| US8692532B2 (en) | 2008-04-16 | 2014-04-08 | Enpirion, Inc. | Power converter with controller operable in selected modes of operation |
| US8686698B2 (en) * | 2008-04-16 | 2014-04-01 | Enpirion, Inc. | Power converter with controller operable in selected modes of operation |
| US9246390B2 (en) | 2008-04-16 | 2016-01-26 | Enpirion, Inc. | Power converter with controller operable in selected modes of operation |
| US8541991B2 (en) | 2008-04-16 | 2013-09-24 | Enpirion, Inc. | Power converter with controller operable in selected modes of operation |
| US8153473B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-04-10 | Empirion, Inc. | Module having a stacked passive element and method of forming the same |
| US8339802B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-12-25 | Enpirion, Inc. | Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same |
| US8266793B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-09-18 | Enpirion, Inc. | Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same |
| US9054086B2 (en) | 2008-10-02 | 2015-06-09 | Enpirion, Inc. | Module having a stacked passive element and method of forming the same |
| US8698463B2 (en) | 2008-12-29 | 2014-04-15 | Enpirion, Inc. | Power converter with a dynamically configurable controller based on a power conversion mode |
| US9548714B2 (en) | 2008-12-29 | 2017-01-17 | Altera Corporation | Power converter with a dynamically configurable controller and output filter |
| US9202480B2 (en) * | 2009-10-14 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), LLC. | Double patterning hard mask for damascene perpendicular magnetic recording (PMR) writer |
| US8867295B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-10-21 | Enpirion, Inc. | Power converter for a memory module |
| CN103339291B (zh) * | 2011-02-09 | 2015-07-08 | 大日本印刷株式会社 | 具有镀金层的不锈钢基板和对不锈钢基板的形成部分镀金图案的方法 |
| US9792935B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-10-17 | Seagate Technology Llc | Magnetic devices with variable overcoats |
| US9509217B2 (en) | 2015-04-20 | 2016-11-29 | Altera Corporation | Asymmetric power flow controller for a power converter and method of operating the same |
| US10049689B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-08-14 | Seagate Technology Llc | Methods of forming magnetic devices with variable overcoats |
| JP6319505B1 (ja) * | 2017-09-08 | 2018-05-09 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法 |
| CN113371675A (zh) * | 2020-02-25 | 2021-09-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种原子气室及其制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794621U (ja) * | 1980-11-27 | 1982-06-10 | ||
| JPH05159221A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 薄膜ヘッドおよびその製造方法 |
| US5544774A (en) * | 1994-08-26 | 1996-08-13 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method of eliminating pole recession in a thin film magnetic head |
-
1995
- 1995-09-30 KR KR1019950033571A patent/KR0170949B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-07-24 US US08/685,645 patent/US5846441A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-30 JP JP8200243A patent/JPH09115111A/ja active Pending
- 1996-08-02 CN CN96106986A patent/CN1177169A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433960B2 (en) | 1998-03-31 | 2002-08-13 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| US7041595B2 (en) | 1999-08-27 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a barrier seed layer with graded nitrogen composition |
| KR20230029408A (ko) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | 주식회사 선익시스템 | 가공면 보호층 및 이를 이용한 실리콘 마스크 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0170949B1 (ko) | 1999-03-30 |
| US5846441A (en) | 1998-12-08 |
| KR970018238A (ko) | 1997-04-30 |
| CN1177169A (zh) | 1998-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09115111A (ja) | パターニングされた金属層形成方法 | |
| US6451514B1 (en) | Method for formation of upper magnetic pole layer of thin film magnetic head, method of forming miniature block pattern with high aspect ratio on bottom part of step on surface with step, and thin film magnetic head | |
| US4550353A (en) | Thin-film magnetic head and method for fabricating the same | |
| EP0383739B1 (en) | Method for making thin film magnetic head | |
| US6861177B2 (en) | Method of forming a read sensor using a lift-off mask having a hardmask layer and a release layer | |
| JPH09139386A (ja) | 非平面層の平坦化方法 | |
| US5407530A (en) | Method of preparing fine conductive pattern | |
| JPH0380410A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2535819B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH09138910A (ja) | メタル層をパターニングする方法 | |
| JPH0227508A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS5838851B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの作製方法 | |
| JP2564284B2 (ja) | 薄膜コイルの製造方法 | |
| JPS5864616A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| KR100256073B1 (ko) | 박막 자기헤드의 자성층 식각방법 | |
| JPH03156712A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2982634B2 (ja) | 水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2703760B2 (ja) | 導電体パターンの形成方法 | |
| JPH0548245A (ja) | 薄膜電極パターン形成方法 | |
| JPS594767B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6039813A (ja) | 薄膜コイルの形成方法 | |
| JPH04285710A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH10289415A (ja) | Ｍｒヘッドの作製方法 | |
| JPH06237136A (ja) | 電子部品素子の製造方法 | |
| JPH07114712A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |