JPH07114712A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH07114712A JPH07114712A JP26082293A JP26082293A JPH07114712A JP H07114712 A JPH07114712 A JP H07114712A JP 26082293 A JP26082293 A JP 26082293A JP 26082293 A JP26082293 A JP 26082293A JP H07114712 A JPH07114712 A JP H07114712A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果材を用いる薄膜磁気ヘッドにお
いて、該磁気抵抗効果材に電流を流すリード導体部の比
抵抗を小さくして熱雑音を解決し、かつパターン精度に
優れたリード導体部を有する薄膜磁気ヘッドを得ること
を目的とする。 【構成】 リード導体４を３層構造とし、ＭＲ素子１に
接する側にＣｒ層２、その上部に順にＡｕ層３、Ｔｉ層
３０（あるいはＴａ層）で構成することで、リード導体
４とその上部の絶縁層８ｃとの付着強度を上げるための
熱処理を廃止し、抵抗値の低い、かつＴｉ（Ｔａ）層を
マスク代わりとしてエッチングすることで、パターン精
度の優れたリード導体を得る。
いて、該磁気抵抗効果材に電流を流すリード導体部の比
抵抗を小さくして熱雑音を解決し、かつパターン精度に
優れたリード導体部を有する薄膜磁気ヘッドを得ること
を目的とする。 【構成】 リード導体４を３層構造とし、ＭＲ素子１に
接する側にＣｒ層２、その上部に順にＡｕ層３、Ｔｉ層
３０（あるいはＴａ層）で構成することで、リード導体
４とその上部の絶縁層８ｃとの付着強度を上げるための
熱処理を廃止し、抵抗値の低い、かつＴｉ（Ｔａ）層を
マスク代わりとしてエッチングすることで、パターン精
度の優れたリード導体を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に使
用する薄膜磁気ヘッドの構造と製造方法に関するもので
ある。
用する薄膜磁気ヘッドの構造と製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野においては、高密度
記録化に伴い、狭トラック化、マルチチャンネル化され
た薄膜磁気ヘッドが必要になってきている。特にオーデ
ィオやビデオ製品のデジタル化に伴って、民生機器分野
にまで薄膜磁気ヘッドが進出しようとしており、高密度
化に適した磁気抵抗効果（以下ＭＲとする）材料を用い
て電磁変換するＭＲヘッドが搭載されつつある。
記録化に伴い、狭トラック化、マルチチャンネル化され
た薄膜磁気ヘッドが必要になってきている。特にオーデ
ィオやビデオ製品のデジタル化に伴って、民生機器分野
にまで薄膜磁気ヘッドが進出しようとしており、高密度
化に適した磁気抵抗効果（以下ＭＲとする）材料を用い
て電磁変換するＭＲヘッドが搭載されつつある。
【０００３】以下に従来の磁気ヘッド及びその製造方法
について説明する。図３（ａ）は従来のヨーク型ＭＲヘ
ッドのＭＲ素子周辺の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
のＸ−Ｘ’断面図を示すものである。図３（ａ）（ｂ）
において１１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子で
ある。１２はＣｒ層、１３はＡｕ層であり、Ｃｒ層１２
とＡｕ層１３でリード導体１４及びバーバーポール１５
を形成している。１６は磁性ヨーク層である。１７はバ
イアス導体である。１８ａ、１８ｂ、１８ｃは絶縁層で
あり、１９は保護層である。２０は磁性基板である。
について説明する。図３（ａ）は従来のヨーク型ＭＲヘ
ッドのＭＲ素子周辺の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
のＸ−Ｘ’断面図を示すものである。図３（ａ）（ｂ）
において１１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子で
ある。１２はＣｒ層、１３はＡｕ層であり、Ｃｒ層１２
とＡｕ層１３でリード導体１４及びバーバーポール１５
を形成している。１６は磁性ヨーク層である。１７はバ
イアス導体である。１８ａ、１８ｂ、１８ｃは絶縁層で
あり、１９は保護層である。２０は磁性基板である。
【０００４】まず、従来ヘッドの構成について説明す
る。磁性基板２０に絶縁層１８ａを介してＡｕ等の金属
からなるバイアス導体１７が配置され、さらに絶縁層１
８ｂを介してＭＲ素子１１が配置される。このＭＲ素子
１１の一部に直接接触するようにリード導体１４とバー
バーポール１５が配置される。さらに絶縁層１８ｃを介
して、磁性ヨーク１６が配置され、保護層１９で覆われ
た構成をしている。
る。磁性基板２０に絶縁層１８ａを介してＡｕ等の金属
からなるバイアス導体１７が配置され、さらに絶縁層１
８ｂを介してＭＲ素子１１が配置される。このＭＲ素子
１１の一部に直接接触するようにリード導体１４とバー
バーポール１５が配置される。さらに絶縁層１８ｃを介
して、磁性ヨーク１６が配置され、保護層１９で覆われ
た構成をしている。
【０００５】図３に示す磁気ヘッドの製造方法は次のよ
うになる。磁性基板２０に絶縁層１８ａとバイアス導体
１７をスパッタ等で順次成膜する。次にフォトリソグラ
フィ技術及びエッチング技術を用いて所定形状を形成す
る。次に絶縁層１８ｂを成膜後同様に所定形状に形成し
た後、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜後所定形状に形
成して、ＭＲ素子１１を作成する。次にリード導体１４
及びバーバーポール１５の作成について図４（ａ）のＹ
−Ｙ’断面図を用いて説明する。図４（ｂ）に示すよう
に、ＭＲ素子１１作成後Ｃｒ層１２及びＡｕ層１３を成
膜する。図４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ
技術によりレジスト３１を必要形状に形成後、図４
（ｄ）に示すようにケミカルエッチング技術を用いてＡ
ｕ層１３を必要形状にエッチングする。次に図４（ｅ）
に示すようにＣｒのケミカルエッチングによりＣｒ層１
２を必要形状に形成することで、リード導体１４及びバ
ーバーポール１５を形成することができる。次に図４
（ｆ）に示すように、レジスト３１を除去した後、絶縁
層１８ｃを成膜し、図４（ｇ）に示すように、Ａｕ層１
３と絶縁層１８ｃの付着強度を上げるために熱処理し、
Ｃｒ層１２からのＣｒの拡散層１２’をＡｕ層１３と絶
縁層１８ｃの境界面にまで発生させる。その後図３
（ｂ）に示すように、絶縁層１８ｃを所定形状に形成す
る。次に軟磁性材料を成膜して所定形状に形成して磁性
ヨーク１６を得る。次に保護膜１９を形成することで薄
膜磁気ヘッドの薄膜工程を完成する。
うになる。磁性基板２０に絶縁層１８ａとバイアス導体
１７をスパッタ等で順次成膜する。次にフォトリソグラ
フィ技術及びエッチング技術を用いて所定形状を形成す
る。次に絶縁層１８ｂを成膜後同様に所定形状に形成し
た後、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜後所定形状に形
成して、ＭＲ素子１１を作成する。次にリード導体１４
及びバーバーポール１５の作成について図４（ａ）のＹ
−Ｙ’断面図を用いて説明する。図４（ｂ）に示すよう
に、ＭＲ素子１１作成後Ｃｒ層１２及びＡｕ層１３を成
膜する。図４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ
技術によりレジスト３１を必要形状に形成後、図４
（ｄ）に示すようにケミカルエッチング技術を用いてＡ
ｕ層１３を必要形状にエッチングする。次に図４（ｅ）
に示すようにＣｒのケミカルエッチングによりＣｒ層１
２を必要形状に形成することで、リード導体１４及びバ
ーバーポール１５を形成することができる。次に図４
（ｆ）に示すように、レジスト３１を除去した後、絶縁
層１８ｃを成膜し、図４（ｇ）に示すように、Ａｕ層１
３と絶縁層１８ｃの付着強度を上げるために熱処理し、
Ｃｒ層１２からのＣｒの拡散層１２’をＡｕ層１３と絶
縁層１８ｃの境界面にまで発生させる。その後図３
（ｂ）に示すように、絶縁層１８ｃを所定形状に形成す
る。次に軟磁性材料を成膜して所定形状に形成して磁性
ヨーク１６を得る。次に保護膜１９を形成することで薄
膜磁気ヘッドの薄膜工程を完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来構成では、リード導体のＡｕ層とその上部の絶縁層と
の密着性を確保するために、Ｃｒ層からのＣｒの熱拡散
を利用していた。したがって、リード導体の抵抗がＡｕ
単体に比べて大きくなる。リード導体の抵抗がある値よ
り大きくなると、動作時に発熱が増え、ＭＲ素子の温度
上昇を加速させ、信号再生時に熱雑音発生の原因とな
る。また、拡散度合いによって、絶縁層との付着強度が
不安定となり、剥離や強度不足が発生する。パターン形
成時においても、Ａｕ層のケミカルエッチングの際にレ
ジストとの密着性にもばらつきがあり、サイドエッチン
グの進行度合いによりパターン精度ばらつきが大きくな
る。以上に示すような、従来例ではいくつかの問題点を
有していた。
来構成では、リード導体のＡｕ層とその上部の絶縁層と
の密着性を確保するために、Ｃｒ層からのＣｒの熱拡散
を利用していた。したがって、リード導体の抵抗がＡｕ
単体に比べて大きくなる。リード導体の抵抗がある値よ
り大きくなると、動作時に発熱が増え、ＭＲ素子の温度
上昇を加速させ、信号再生時に熱雑音発生の原因とな
る。また、拡散度合いによって、絶縁層との付着強度が
不安定となり、剥離や強度不足が発生する。パターン形
成時においても、Ａｕ層のケミカルエッチングの際にレ
ジストとの密着性にもばらつきがあり、サイドエッチン
グの進行度合いによりパターン精度ばらつきが大きくな
る。以上に示すような、従来例ではいくつかの問題点を
有していた。
【０００７】本発明は、これらの問題点を解決するもの
で、現状よりも抵抗値が小さく、熱処理も不要であり、
パターニング精度に優れたリード導体を持つ磁気ヘッド
とその製造方法を提供することを目的とする。
で、現状よりも抵抗値が小さく、熱処理も不要であり、
パターニング精度に優れたリード導体を持つ磁気ヘッド
とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の磁気ヘッドは、磁気抵抗効果材に電流を流
すリード導体部が３層構造を成し、前記磁気抵抗効果材
に接触する第１の層がＣｒ（クロム）、該Ｃｒ層の上の
第２層がＡｕ（金）、該Ａｕ層の上の第３層がＴｉ（チ
タン）あるいはＴａ（タンタル）で構成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドである。また、本発明の磁
気ヘッドの製造方法は、所定の形状にパターニングされ
た磁気抵抗効果材（ＭＲ素子）の上に真空蒸着やスパッ
タ等により、第１層にＣｒ、第２層にＡｕ、第３層にＴ
ｉ、あるいはＴａの順で３層導体膜を成膜する工程
（イ）、フォトリソグラフィ（ロ）、イオンミリング等
ドライエッチングを用いて前記３層導体膜の該第２層
（Ａｕ）の途中までエッチングする工程（ハ）、ＫＩ
（ヨウ化カリ）とＩ2（ヨウ素）等からなるＡｕのエッ
チング液を用いて残存する前記第２層（Ａｕ）をエッチ
ングする工程（ニ）、フェリシアン化カリ等からなるＣ
ｒのエッチング液を用いて前記第１層（Ｃｒ）をエッチ
ングする工程（ホ）とを含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド製造方法である。
に、本発明の磁気ヘッドは、磁気抵抗効果材に電流を流
すリード導体部が３層構造を成し、前記磁気抵抗効果材
に接触する第１の層がＣｒ（クロム）、該Ｃｒ層の上の
第２層がＡｕ（金）、該Ａｕ層の上の第３層がＴｉ（チ
タン）あるいはＴａ（タンタル）で構成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドである。また、本発明の磁
気ヘッドの製造方法は、所定の形状にパターニングされ
た磁気抵抗効果材（ＭＲ素子）の上に真空蒸着やスパッ
タ等により、第１層にＣｒ、第２層にＡｕ、第３層にＴ
ｉ、あるいはＴａの順で３層導体膜を成膜する工程
（イ）、フォトリソグラフィ（ロ）、イオンミリング等
ドライエッチングを用いて前記３層導体膜の該第２層
（Ａｕ）の途中までエッチングする工程（ハ）、ＫＩ
（ヨウ化カリ）とＩ2（ヨウ素）等からなるＡｕのエッ
チング液を用いて残存する前記第２層（Ａｕ）をエッチ
ングする工程（ニ）、フェリシアン化カリ等からなるＣ
ｒのエッチング液を用いて前記第１層（Ｃｒ）をエッチ
ングする工程（ホ）とを含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド製造方法である。
【０００９】
【作用】この構成及び製造方法によって、従来であれば
熱処理によってＣｒをＡｕ層に拡散させることで絶縁層
との付着力を強化していたが、本発明の３層構造では、
ＴｉあるいはＴａが絶縁層とＡｕの付着強度を上げるた
め、熱処理が不要となる。したがって、リード導体膜の
抵抗を小さくすることができる。また、ケミカルエッチ
ングの時に、ＴｉあるいはＴａがマスクとなるために、
Ａｕ層のサイドエッチングが少なくパターン精度も向上
することができる。
熱処理によってＣｒをＡｕ層に拡散させることで絶縁層
との付着力を強化していたが、本発明の３層構造では、
ＴｉあるいはＴａが絶縁層とＡｕの付着強度を上げるた
め、熱処理が不要となる。したがって、リード導体膜の
抵抗を小さくすることができる。また、ケミカルエッチ
ングの時に、ＴｉあるいはＴａがマスクとなるために、
Ａｕ層のサイドエッチングが少なくパターン精度も向上
することができる。
【００１０】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１１】図１（ａ）は本実施例１のヨーク型ＭＲヘ
ッドのＭＲ素子周辺の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）
のＸ−Ｘ’断面図を示すものである。図１（ａ）（ｂ）
において１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子であ
る。２はＣｒ層、３はＡｕ層、３０はＴｉ層であり、Ｃ
ｒ層２とＡｕ層３及びＴｉ層３０でリード導体４及びバ
ーバーポール５を形成している。６は磁性ヨーク層であ
る。７はバイアス導体である。８ａ、８ｂ、８ｃは絶縁
層であり、９は保護層である。１０は磁性基板である。
ッドのＭＲ素子周辺の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）
のＸ−Ｘ’断面図を示すものである。図１（ａ）（ｂ）
において１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子であ
る。２はＣｒ層、３はＡｕ層、３０はＴｉ層であり、Ｃ
ｒ層２とＡｕ層３及びＴｉ層３０でリード導体４及びバ
ーバーポール５を形成している。６は磁性ヨーク層であ
る。７はバイアス導体である。８ａ、８ｂ、８ｃは絶縁
層であり、９は保護層である。１０は磁性基板である。
【００１２】まず、実施例１のヘッドの構成について説
明する。磁性基板１０に絶縁層８ａを介してＡｕ等の金
属からなるバイアス導体７が配置され、さらに絶縁層８
ｂを介してＭＲ素子１が配置される。このＭＲ素子１の
一部に直接接触するようにリード導体４とバーバーポー
ル５が配置される。さらに絶縁層８ｃを介して、磁性ヨ
ーク６が配置され、保護層９で覆われた構成をしてい
る。
明する。磁性基板１０に絶縁層８ａを介してＡｕ等の金
属からなるバイアス導体７が配置され、さらに絶縁層８
ｂを介してＭＲ素子１が配置される。このＭＲ素子１の
一部に直接接触するようにリード導体４とバーバーポー
ル５が配置される。さらに絶縁層８ｃを介して、磁性ヨ
ーク６が配置され、保護層９で覆われた構成をしてい
る。
【００１３】図１に示す磁気ヘッドの製造方法は次のよ
うになる。図２（ａ）はリード導体部形成時の平面図、
図２（ｂ）から（ｆ）は図２（ａ）のＹ−Ｙ’断面図で
ある。図２（ｂ）に示すように、磁性基板１０に絶縁層
８ａとバイアス導体７をスパッタ等で順次成膜する。次
にフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて
所定形状を形成する。次に絶縁層８ｂを成膜後同様に所
定形状に形成した後、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜
後所定形状に形成して、ＭＲ素子１を作成する。ＭＲ素
子１作製後Ｃｒ層２、Ａｕ層３及びＴｉ層３０を成膜す
る。図２（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術
によりレジスト３１を必要形状に形成後、図２（ｄ)に
示すようにイオンミリング等のドライエッチング技術を
用いてＡｕ層３を途中まで必要形状にエッチングする。
次に図２（ｅ）に示すようにＡｕ及びＣｒのケミカルエ
ッチングによりＡｕ層３の残存膜及びＣｒ層２を必要形
状に形成することで、リード導体４及びバーバーポール
５を形成することができる。次に図２（ｆ）に示すよう
に、レジスト３１を除去した後、絶縁層８ｃを成膜す
る。その後図１（ｂ）に示すように、絶縁層８ｃを所定
形状に形成する。次に軟磁性材料を成膜して所定形状に
形成して磁性ヨーク６を得る。次に保護膜９を形成する
ことで実施例１の薄膜磁気ヘッドの薄膜工程は完成す
る。
うになる。図２（ａ）はリード導体部形成時の平面図、
図２（ｂ）から（ｆ）は図２（ａ）のＹ−Ｙ’断面図で
ある。図２（ｂ）に示すように、磁性基板１０に絶縁層
８ａとバイアス導体７をスパッタ等で順次成膜する。次
にフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて
所定形状を形成する。次に絶縁層８ｂを成膜後同様に所
定形状に形成した後、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜
後所定形状に形成して、ＭＲ素子１を作成する。ＭＲ素
子１作製後Ｃｒ層２、Ａｕ層３及びＴｉ層３０を成膜す
る。図２（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術
によりレジスト３１を必要形状に形成後、図２（ｄ)に
示すようにイオンミリング等のドライエッチング技術を
用いてＡｕ層３を途中まで必要形状にエッチングする。
次に図２（ｅ）に示すようにＡｕ及びＣｒのケミカルエ
ッチングによりＡｕ層３の残存膜及びＣｒ層２を必要形
状に形成することで、リード導体４及びバーバーポール
５を形成することができる。次に図２（ｆ）に示すよう
に、レジスト３１を除去した後、絶縁層８ｃを成膜す
る。その後図１（ｂ）に示すように、絶縁層８ｃを所定
形状に形成する。次に軟磁性材料を成膜して所定形状に
形成して磁性ヨーク６を得る。次に保護膜９を形成する
ことで実施例１の薄膜磁気ヘッドの薄膜工程は完成す
る。
【００１４】本実施例による磁気ヘッドと従来ヘッドの
比較を（表１）に示す。
比較を（表１）に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】この（表１）から明らかなように、本実施
例による磁気ヘッドは、Ｃｒ・Ａｕ・Ｔｉの比抵抗が小
さくできるため、リード導体部の抵抗が小さくなる。し
たがって、動作時のＭＲの発熱による熱摺動ノイズは従
来例に比べて１０ｄＢ改善できる。また、サイドエッチ
ングの低減・ばらつきの安定化も得ることができる。
例による磁気ヘッドは、Ｃｒ・Ａｕ・Ｔｉの比抵抗が小
さくできるため、リード導体部の抵抗が小さくなる。し
たがって、動作時のＭＲの発熱による熱摺動ノイズは従
来例に比べて１０ｄＢ改善できる。また、サイドエッチ
ングの低減・ばらつきの安定化も得ることができる。
【００１７】以上のように本実施例によれば、リード導
体部をＣｒ・Ａｕ・Ｔｉの３層構造にすることにより、
その上部絶縁層との密着を熱処理することなく確保する
ことができ、リード導体部の抵抗値が下がり、熱雑音の
低減をはかることができる。また、本実施例のドライエ
ッチングとケミカルエッチングの併用した製造方法とＡ
ｕとＴｉがマスク代わりとなることで、大幅にパターニ
ング寸法精度の向上をはかることができる。
体部をＣｒ・Ａｕ・Ｔｉの３層構造にすることにより、
その上部絶縁層との密着を熱処理することなく確保する
ことができ、リード導体部の抵抗値が下がり、熱雑音の
低減をはかることができる。また、本実施例のドライエ
ッチングとケミカルエッチングの併用した製造方法とＡ
ｕとＴｉがマスク代わりとなることで、大幅にパターニ
ング寸法精度の向上をはかることができる。
【００１８】（実施例２）また、第２の実施例について
は、実施例１と構造・製造法は同じで、３層構造（Ｃｒ
層・Ａｕ層・Ｔｉ層）のＴｉ層の代わりにＴａ層とし
た。（図示せず）この場合においても、実施例１とほぼ
同等の効果を得ることができ、熱雑音・パターン精度と
もに改善した。ただ、実施例１と比べてＴａを用いた実
施例２の場合比抵抗はさらに小さい値となり、２．９μ
Ω・ｃｍとなった。
は、実施例１と構造・製造法は同じで、３層構造（Ｃｒ
層・Ａｕ層・Ｔｉ層）のＴｉ層の代わりにＴａ層とし
た。（図示せず）この場合においても、実施例１とほぼ
同等の効果を得ることができ、熱雑音・パターン精度と
もに改善した。ただ、実施例１と比べてＴａを用いた実
施例２の場合比抵抗はさらに小さい値となり、２．９μ
Ω・ｃｍとなった。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明は、磁気テープ上の
信号を磁気抵抗効果により再生し、磁気抵抗効果材と該
磁気抵抗効果材に電流を流すリード導体部よりなる薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記リード導体部が３層構造そを
成し、前記磁気抵抗効果材に接触する第１の層がＣｒ
（クロム）、該Ｃｒ層の上の第２層がＡｕ（金）、該Ａ
ｕ層の上の第３層がＴｉ（チタン）あるいはＴａ（タン
タル）で構成することにより、リード導体部の抵抗値が
小さいため熱雑音が小さく、その上パターン精度に優れ
た構成能・高歩留まりの優れた磁気ヘッドを実現するも
のである。
信号を磁気抵抗効果により再生し、磁気抵抗効果材と該
磁気抵抗効果材に電流を流すリード導体部よりなる薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記リード導体部が３層構造そを
成し、前記磁気抵抗効果材に接触する第１の層がＣｒ
（クロム）、該Ｃｒ層の上の第２層がＡｕ（金）、該Ａ
ｕ層の上の第３層がＴｉ（チタン）あるいはＴａ（タン
タル）で構成することにより、リード導体部の抵抗値が
小さいため熱雑音が小さく、その上パターン精度に優れ
た構成能・高歩留まりの優れた磁気ヘッドを実現するも
のである。
【図１】本発明の第１の実施例における磁気ヘッドの平
面及び断面図
面及び断面図
【図２】第１の実施例における磁気ヘッド製造方法の各
工程の説明図
工程の説明図
【図３】従来の磁気ヘッドの平面及び断面図
【図４】従来の磁気ヘッド製造方法の各工程の説明図
１、１１ ＭＲ素子 ２、１２ Ｃｒ層 ３、１３ Ａｕ層 ４、１４ リード導体 ５、１５ バーバーポール ６、１６ 磁性ヨーク ７、１７ バイアス導体 ８ａ、８ｂ、８ｃ、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ 絶縁層 ９、１９ 保護膜 １０ 磁性基板 １２’ Ｃｒ拡散層 ３０ Ｔｉ層 ３１ レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富岡 辰行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気テープ上の信号を磁気抵抗効果によ
り再生し、磁気抵抗効果材と該磁気抵抗効果材に電流を
流すリード導体部よりなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記リード導体部が３層構造を成し、前記磁気抵抗効果材
に接触する第１の層がＣｒ（クロム）、該Ｃｒ層の上の
第２層がＡｕ（金）、該Ａｕ層の上の第３層がＴｉ（チ
タン）あるいはＴａ（タンタル）で構成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 所定の形状にパターニングされた磁気抵
抗効果材（ＭＲ素子）の上に真空蒸着やスパッタ等によ
り、第１層にＣｒ、第２層にＡｕ、第３層にＴｉ、ある
いはＴａの順で３層導体膜を成膜する工程（イ）、フォ
トリソグラフィ技術を用いて前記３層導体膜の上に必要
形状にレジストパターンを作成する工程（ロ）、イオン
ミリング等ドライエッチングを用いて前記３層導体膜の
該第２層（Ａｕ）の途中までエッチングする工程
（ハ）、Ａｕのケミカルエッチング液を用いて残存する
前記第２層（Ａｕ）をエッチングする工程（ニ）、Ｃｒ
のエッチング液を用いて前記第１層（Ｃｒ）をエッチン
グする工程（ホ）とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26082293A JP2814893B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26082293A JP2814893B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114712A true JPH07114712A (ja) | 1995-05-02 |
| JP2814893B2 JP2814893B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=17353249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26082293A Expired - Fee Related JP2814893B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814893B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828532A (en) * | 1996-10-24 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Getter layer lead structure for eliminating resistance increase phenomena and embrittlement and method for making the same |
| US5883764A (en) * | 1997-10-03 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having multi-layered refractory metal conductor leads |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP26082293A patent/JP2814893B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828532A (en) * | 1996-10-24 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Getter layer lead structure for eliminating resistance increase phenomena and embrittlement and method for making the same |
| US5883764A (en) * | 1997-10-03 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having multi-layered refractory metal conductor leads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2814893B2 (ja) | 1998-10-27 |
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