JPH06267031A - 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06267031A JPH06267031A JP5536893A JP5536893A JPH06267031A JP H06267031 A JPH06267031 A JP H06267031A JP 5536893 A JP5536893 A JP 5536893A JP 5536893 A JP5536893 A JP 5536893A JP H06267031 A JPH06267031 A JP H06267031A
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- Japan
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- film
- electrode
- magnetoresistive
- head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高いパターン精度と優れた絶縁耐圧とを兼ね備
えた電極を有するＭＲヘッドと、その製造方法を提供す
る。 【構成】ＭＲヘッドの電極端部を、ＭＲ膜に隣接する急
峻なテーパ部分と、ＭＲ膜から離れたゆるやかなテーパ
部分の２段テーパ形状とする。また、電極膜を２層構造
とし、反応性エッチングにおける横方向エッチング速度
の差を利用して、２段テーパ形状を作製する。 【効果】高精度なエッチング電極パターンが作製でき
る。また、磁気ギャップ膜のつきまわりが改善され、電
極／磁気シールド間の絶縁耐圧を大きくできる。
えた電極を有するＭＲヘッドと、その製造方法を提供す
る。 【構成】ＭＲヘッドの電極端部を、ＭＲ膜に隣接する急
峻なテーパ部分と、ＭＲ膜から離れたゆるやかなテーパ
部分の２段テーパ形状とする。また、電極膜を２層構造
とし、反応性エッチングにおける横方向エッチング速度
の差を利用して、２段テーパ形状を作製する。 【効果】高精度なエッチング電極パターンが作製でき
る。また、磁気ギャップ膜のつきまわりが改善され、電
極／磁気シールド間の絶縁耐圧を大きくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置、例え
ば、磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁
気抵抗効果ヘッドに係り、特に、高いパターン精度を有
し、磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法に関する。
ば、磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁
気抵抗効果ヘッドに係り、特に、高いパターン精度を有
し、磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置の記録密度を増加させるた
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜センサ部分に電流
を流すため、電極膜パターンが必要である。この電極膜
パターンの作製に当たっては、電極間隔でトラック密
度が決まるため、パターン精度を良くすること、電極
膜の上部に作製する磁気ギャップ膜のつきまわりを良く
して、電極／磁気シールド間の絶縁耐圧を大きく保つこ
と等の点に留意する必要がある。
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜センサ部分に電流
を流すため、電極膜パターンが必要である。この電極膜
パターンの作製に当たっては、電極間隔でトラック密
度が決まるため、パターン精度を良くすること、電極
膜の上部に作製する磁気ギャップ膜のつきまわりを良く
して、電極／磁気シールド間の絶縁耐圧を大きく保つこ
と等の点に留意する必要がある。
【０００３】この電極膜パターンの形状として、例え
ば、特開平4−143914 号公報には、テーパ部分を持つ電
極を含むＭＲヘッドの例が開示されている。
ば、特開平4−143914 号公報には、テーパ部分を持つ電
極を含むＭＲヘッドの例が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の公知例では、電
極端部がゆるやかなテーパ形状であるため、電極上部の
磁気ギャップのつきまわりは良いが、反面、電極間隔の
パターン精度が悪くなりやすかった。また、テーパ角度
を急峻にするとパターン精度は良くなるが、磁気ギャッ
プのつきまわりが悪化して絶縁耐圧が小さくなる問題が
あった。
極端部がゆるやかなテーパ形状であるため、電極上部の
磁気ギャップのつきまわりは良いが、反面、電極間隔の
パターン精度が悪くなりやすかった。また、テーパ角度
を急峻にするとパターン精度は良くなるが、磁気ギャッ
プのつきまわりが悪化して絶縁耐圧が小さくなる問題が
あった。
【０００５】本発明の目的は、これらの欠点を克服し
て、高精度な電極パターン作製と、高い電極／磁気シー
ルド間絶縁耐圧を両立したＭＲヘッドと、その製造方法
を提供することにある。
て、高精度な電極パターン作製と、高い電極／磁気シー
ルド間絶縁耐圧を両立したＭＲヘッドと、その製造方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＲヘッドは、
少なくとも磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と略す）と、
ＭＲ膜に電流を供給する電極膜とを有し、この電極膜の
端部がテーパ形状となっており、かつＭＲ膜に隣接する
側の電極膜の端部テーパ角度が、ＭＲ膜から離れた側の
電極膜の端部テーパ角度よりも急峻であることを特徴と
している。
少なくとも磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と略す）と、
ＭＲ膜に電流を供給する電極膜とを有し、この電極膜の
端部がテーパ形状となっており、かつＭＲ膜に隣接する
側の電極膜の端部テーパ角度が、ＭＲ膜から離れた側の
電極膜の端部テーパ角度よりも急峻であることを特徴と
している。
【０００７】本発明のＭＲヘッドは、電極膜の端部が、
ＭＲ膜側に隣接する第１テーパ部分と、ＭＲ膜から離れ
た側の第２テーパ部分とからなる２段テーパ構造となっ
ており、前記第１テーパ部分が前記第２テーパ部分より
も急峻であるのが望ましい。また、この第１テーパ部分
の高さは、第２テーパ部分の高さよりも小さいことが望
ましい。すなわち、言い替えれば、電極膜の全膜厚のう
ちで、ＭＲ膜側に近い第１テーパ部分に相当する膜厚
が、ＭＲ膜から離れた第２テーパ部分に相当する膜厚よ
りも小さいことが望ましい。これにより、優れた磁気ギ
ャップ膜のつきまわりが確保できる。
ＭＲ膜側に隣接する第１テーパ部分と、ＭＲ膜から離れ
た側の第２テーパ部分とからなる２段テーパ構造となっ
ており、前記第１テーパ部分が前記第２テーパ部分より
も急峻であるのが望ましい。また、この第１テーパ部分
の高さは、第２テーパ部分の高さよりも小さいことが望
ましい。すなわち、言い替えれば、電極膜の全膜厚のう
ちで、ＭＲ膜側に近い第１テーパ部分に相当する膜厚
が、ＭＲ膜から離れた第２テーパ部分に相当する膜厚よ
りも小さいことが望ましい。これにより、優れた磁気ギ
ャップ膜のつきまわりが確保できる。
【０００８】また、第１テーパ部分のテーパ角度は、Ｍ
Ｒヘッドのトラック幅精度を良くするために、４５度以
上９０度未満（できれば５０度以上７０度以下）である
ことが望ましい。一方、第２テーパ部分のテーパ角度
は、磁気ギャップ膜のつきまわりを良くするために、４
５度以下であることが望ましい。
Ｒヘッドのトラック幅精度を良くするために、４５度以
上９０度未満（できれば５０度以上７０度以下）である
ことが望ましい。一方、第２テーパ部分のテーパ角度
は、磁気ギャップ膜のつきまわりを良くするために、４
５度以下であることが望ましい。
【０００９】また、第１テーパ部分の高さが、電極膜に
隣接している磁気ギャップ膜の膜厚よりも小さいことが
望ましい。これにより、磁気ギャップ膜のつきまわりの
悪い第１テーパ部分で絶縁耐圧不良が発生しなくなる。
隣接している磁気ギャップ膜の膜厚よりも小さいことが
望ましい。これにより、磁気ギャップ膜のつきまわりの
悪い第１テーパ部分で絶縁耐圧不良が発生しなくなる。
【００１０】本発明のＭＲヘッドの製造方法は、電極膜
パターンの作製工程として、まずＭＲ膜パターン上に第
１金属膜を成膜する工程と、次いで第１金属膜上に第２
金属膜を成膜する工程と、第２金属膜上にエッチングマ
スクパターンを作製する工程と、その後、第２金属膜の
横方向エッチング速度が第１金属膜の横方向エッチング
速度よりも大きいエッチング条件で、第１及び第２金属
膜をエッチングする工程とを含むことを特徴としてい
る。
パターンの作製工程として、まずＭＲ膜パターン上に第
１金属膜を成膜する工程と、次いで第１金属膜上に第２
金属膜を成膜する工程と、第２金属膜上にエッチングマ
スクパターンを作製する工程と、その後、第２金属膜の
横方向エッチング速度が第１金属膜の横方向エッチング
速度よりも大きいエッチング条件で、第１及び第２金属
膜をエッチングする工程とを含むことを特徴としてい
る。
【００１１】第１及び第２金属膜の望ましい種類はエッ
チング条件によってそれぞれ異なる。例えば、フッ素を
含むプラズマを用いてリアクティブイオンエッチングす
る場合、第１金属膜としてタングステン、タンタルもし
くはモリブデンを用い、第２金属膜としてニオブを用い
れば、プラズマの圧力や印加電力を最適化することによ
り、ニオブの横方向エッチング速度をタングステンやモ
リブデンよりも大きくすることができ、本発明の製造方
法を実現することができる。また、塩素を含むプラズマ
を用いてリアクティブイオンエッチングする場合、第１
金属膜として金もしくはクロムを用い、第２金属膜とし
てアルミニウムを用いれば、同様の製造方法を実現する
ことができる。
チング条件によってそれぞれ異なる。例えば、フッ素を
含むプラズマを用いてリアクティブイオンエッチングす
る場合、第１金属膜としてタングステン、タンタルもし
くはモリブデンを用い、第２金属膜としてニオブを用い
れば、プラズマの圧力や印加電力を最適化することによ
り、ニオブの横方向エッチング速度をタングステンやモ
リブデンよりも大きくすることができ、本発明の製造方
法を実現することができる。また、塩素を含むプラズマ
を用いてリアクティブイオンエッチングする場合、第１
金属膜として金もしくはクロムを用い、第２金属膜とし
てアルミニウムを用いれば、同様の製造方法を実現する
ことができる。
【００１２】また、エッチングマスクの材料に特に制限
は無いが、ホトレジストを用いれば製造工程が最も簡略
化できる。この際、ホトレジストパターンの端部をテー
パ形状に作製しておけば、エッチング条件を適当に選ぶ
ことにより、このテーパを金属膜に転写できるため、第
１金属膜パターンの端部テーパ形状を作製しやすい。ま
た、エッチング方法は、リアクティブイオンエッチング
やプラズマエッチングなどのドライエッチングの他に、
ウェットエッチング法を用いることも可能である。
は無いが、ホトレジストを用いれば製造工程が最も簡略
化できる。この際、ホトレジストパターンの端部をテー
パ形状に作製しておけば、エッチング条件を適当に選ぶ
ことにより、このテーパを金属膜に転写できるため、第
１金属膜パターンの端部テーパ形状を作製しやすい。ま
た、エッチング方法は、リアクティブイオンエッチング
やプラズマエッチングなどのドライエッチングの他に、
ウェットエッチング法を用いることも可能である。
【００１３】
【作用】本発明のヘッド構造を適用すれば、ＭＲヘッド
のトラック幅を決める部分では電極端部のテーパ角度が
大きいため、電極膜厚やエッチング時間などがばらつい
た場合でも電極間隔（トラック幅）の変動を小さく抑え
ることができる。また、電極の上端部ではテーパ角度が
ゆるやかなため、その上に磁気ギャップ膜をスパッタリ
ングした場合でも膜のつきまわりが良く、充分な絶縁耐
圧を確保することができる。
のトラック幅を決める部分では電極端部のテーパ角度が
大きいため、電極膜厚やエッチング時間などがばらつい
た場合でも電極間隔（トラック幅）の変動を小さく抑え
ることができる。また、電極の上端部ではテーパ角度が
ゆるやかなため、その上に磁気ギャップ膜をスパッタリ
ングした場合でも膜のつきまわりが良く、充分な絶縁耐
圧を確保することができる。
【００１４】また、本発明の製造方法を適用すれば、電
極膜をエッチングする時に、上端部の横方向エッチング
が速く進行し、上端部のテーパ角度が下端部に比べてゆ
るやかになるため、結果として本発明の２段テーパ構造
を持つ電極を簡単に作製することができる。
極膜をエッチングする時に、上端部の横方向エッチング
が速く進行し、上端部のテーパ角度が下端部に比べてゆ
るやかになるため、結果として本発明の２段テーパ構造
を持つ電極を簡単に作製することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は、本発明の一実施例としてのＭＲヘッドの構
造を表わす正面図（磁気記録媒体との対向面から見た
図）である。また図２は、従来のＭＲヘッドの構造の一
例を表わす正面図である。
る。図１は、本発明の一実施例としてのＭＲヘッドの構
造を表わす正面図（磁気記録媒体との対向面から見た
図）である。また図２は、従来のＭＲヘッドの構造の一
例を表わす正面図である。
【００１６】それぞれ、セラミック基板１０１，下地膜
としてのアルミナ膜１０２，下部シールドとしてのＮｉ
Ｆｅ膜１０３，下部ギャップとしてのアルミナ膜１０
４，ＭＲ膜としてのＮｉＦｅ膜１０５，電極膜としての
Ｗ膜１０６及びＮｂ膜１０７，上部ギャップとしてのア
ルミナ膜１０８，上部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１０
９，保護膜としてのアルミナ膜１１０を表わしている。
なお、図１中には示さないが、ＭＲ膜部分の上または下
に、バイアスを印加するためのシャント膜や永久磁石
膜，軟磁性膜等、あるいは磁区制御のための反強磁性膜
や永久磁石膜が存在している場合でも、本発明の効果は
損なわれない。
としてのアルミナ膜１０２，下部シールドとしてのＮｉ
Ｆｅ膜１０３，下部ギャップとしてのアルミナ膜１０
４，ＭＲ膜としてのＮｉＦｅ膜１０５，電極膜としての
Ｗ膜１０６及びＮｂ膜１０７，上部ギャップとしてのア
ルミナ膜１０８，上部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１０
９，保護膜としてのアルミナ膜１１０を表わしている。
なお、図１中には示さないが、ＭＲ膜部分の上または下
に、バイアスを印加するためのシャント膜や永久磁石
膜，軟磁性膜等、あるいは磁区制御のための反強磁性膜
や永久磁石膜が存在している場合でも、本発明の効果は
損なわれない。
【００１７】図１で、電極膜１０６及び１０７の端部
は、ＭＲ膜に近い側の第１テーパ部分２０１と上部シー
ルド１０９に近い側の第２テーパ部分２０２との２段テ
ーパ構造になっている。第１及び第２テーパ部分の角度
（ＭＲ膜面に対して）は、それぞれ６０度及び２０度で
ある。また、第１及び第２テーパ部分の高さ（テーパ部
分に相当する膜厚）は、それぞれ０.１μｍ及び０.１５
μｍである。
は、ＭＲ膜に近い側の第１テーパ部分２０１と上部シー
ルド１０９に近い側の第２テーパ部分２０２との２段テ
ーパ構造になっている。第１及び第２テーパ部分の角度
（ＭＲ膜面に対して）は、それぞれ６０度及び２０度で
ある。また、第１及び第２テーパ部分の高さ（テーパ部
分に相当する膜厚）は、それぞれ０.１μｍ及び０.１５
μｍである。
【００１８】図１及び図２を比較するとわかるように、
図２に示した従来例では、電極106の端部は単純なテー
パ構造であり、そのテーパ角度は６０度と急峻である。
このため、電極１０６の上端部では上部ギャップ膜１０
８のつきまわりが悪く、この部分のアルミナ膜厚は平坦
部の約半分しかない。その結果、電極１０６と上部シー
ルド１０９の距離が小さくなり、絶縁耐圧不良が発生し
た。
図２に示した従来例では、電極106の端部は単純なテー
パ構造であり、そのテーパ角度は６０度と急峻である。
このため、電極１０６の上端部では上部ギャップ膜１０
８のつきまわりが悪く、この部分のアルミナ膜厚は平坦
部の約半分しかない。その結果、電極１０６と上部シー
ルド１０９の距離が小さくなり、絶縁耐圧不良が発生し
た。
【００１９】これに対して、図１に示した本発明の実施
例では、電極上端部２０２の上部ギャップ膜厚は平坦部
の９０％以上あり、信頼性の高いＭＲヘッドが得られ
た。
例では、電極上端部２０２の上部ギャップ膜厚は平坦部
の９０％以上あり、信頼性の高いＭＲヘッドが得られ
た。
【００２０】図３は、本発明の一実施例としてのＭＲヘ
ッドの製造方法を表わす断面図である。それぞれ、ヘッ
ドを磁気記録媒体との対向面から見た正面図を表わして
いる。また、簡単のため、図１中に示したセラミック基
板１０１，下地膜としてのアルミナ膜１０２，下部シー
ルドとしてのＮｉＦｅ膜１０３，上部シールドとしての
ＮｉＦｅ膜１０９は、図３中では省略し、本発明に関連
するＭＲ膜と磁気ギャップ膜、電極部分のみを描いてあ
る。
ッドの製造方法を表わす断面図である。それぞれ、ヘッ
ドを磁気記録媒体との対向面から見た正面図を表わして
いる。また、簡単のため、図１中に示したセラミック基
板１０１，下地膜としてのアルミナ膜１０２，下部シー
ルドとしてのＮｉＦｅ膜１０３，上部シールドとしての
ＮｉＦｅ膜１０９は、図３中では省略し、本発明に関連
するＭＲ膜と磁気ギャップ膜、電極部分のみを描いてあ
る。
【００２１】まず図３（ａ）に示したように、下部ギャ
ップとしてのアルミナ膜１０４上に、ＭＲ膜としてのＮ
ｉＦｅ膜１０５を成膜し、センサパターンを作製した
後、電極膜としてＷ（２００ｎｍ）／Ｎｂ（５０ｎｍ）
の２層膜１０６及び１０７を成膜した。続いて、図３
(ｂ)に示したように、ポジ型ホトレジストパターン２０
３（１μｍ）を作製した。次に、ＳＦ4 ガスを用いた反
応性イオンエッチング法で電極膜１０６及び１０７をエ
ッチングし、図３（ｃ）に示したように電極パターンを
作製した。エッチング条件は、ガス圧力１０Ｐａ、投入
電力１００Ｗとした。この時、Ｎｂの等方的エッチング
が進行したため、Ｎｂの横方向エッチング速度がＷの２
倍以上となり、結果として図３（ｃ）に示したように、
２段テーパ構造を持つ電極端部形状が得られた。ＭＲ膜
１０５に近い側の第１テーパ部分の角度は５５度、第２
テーパ部分の角度は２５度であった。
ップとしてのアルミナ膜１０４上に、ＭＲ膜としてのＮ
ｉＦｅ膜１０５を成膜し、センサパターンを作製した
後、電極膜としてＷ（２００ｎｍ）／Ｎｂ（５０ｎｍ）
の２層膜１０６及び１０７を成膜した。続いて、図３
(ｂ)に示したように、ポジ型ホトレジストパターン２０
３（１μｍ）を作製した。次に、ＳＦ4 ガスを用いた反
応性イオンエッチング法で電極膜１０６及び１０７をエ
ッチングし、図３（ｃ）に示したように電極パターンを
作製した。エッチング条件は、ガス圧力１０Ｐａ、投入
電力１００Ｗとした。この時、Ｎｂの等方的エッチング
が進行したため、Ｎｂの横方向エッチング速度がＷの２
倍以上となり、結果として図３（ｃ）に示したように、
２段テーパ構造を持つ電極端部形状が得られた。ＭＲ膜
１０５に近い側の第１テーパ部分の角度は５５度、第２
テーパ部分の角度は２５度であった。
【００２２】こうして得られた電極のパターン精度は３
σで±０.３μｍ となり、高精度加工が実現できた。そ
の後、ホトレジスト２０３を除去し、上部ギャップとし
てのアルミナ膜１０８をスパッタリングして、図３
（ｄ）に示す構造のＭＲヘッドを得た。
σで±０.３μｍ となり、高精度加工が実現できた。そ
の後、ホトレジスト２０３を除去し、上部ギャップとし
てのアルミナ膜１０８をスパッタリングして、図３
（ｄ）に示す構造のＭＲヘッドを得た。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、高いパターン精度と優れ
た絶縁耐圧性を兼ね備えた電極を有するＭＲヘッドが実
現できた。また、電極端部の複雑な２段テーパ形状を、
簡単なエッチング法で作製するためのＭＲヘッドの製造
方法が実現できた。
た絶縁耐圧性を兼ね備えた電極を有するＭＲヘッドが実
現できた。また、電極端部の複雑な２段テーパ形状を、
簡単なエッチング法で作製するためのＭＲヘッドの製造
方法が実現できた。
【図１】本発明の実施例としてのＭＲヘッドの構造を表
わす正面図。
わす正面図。
【図２】従来例としてのＭＲヘッドの構造を表わす正面
図。
図。
【図３】本発明の実施例としての製造工程を表わす断面
図。
図。
１０１…セラミック基板、１０２，１０４，１０８，１
１０…アルミナ膜、１０３，１０５，１０９…ＮｉＦｅ
膜、１０６…Ｗ膜、１０７…Ｎｂ膜、２０１…第１テー
パ部分、２０２…第２テーパ部分、２０３…ホトレジス
ト。
１０…アルミナ膜、１０３，１０５，１０９…ＮｉＦｅ
膜、１０６…Ｗ膜、１０７…Ｎｂ膜、２０１…第１テー
パ部分、２０２…第２テーパ部分、２０３…ホトレジス
ト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 府山 盛明 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 由比藤 勇 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 秋元 一 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (7)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に
電流を供給する電極膜とを含み、磁気媒体上に記録され
た情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記電極膜の端部がテーパ形状となっており、前記磁気
抵抗効果膜側に隣接する側の前記電極膜の端部テーパ角
度が、前記磁気抵抗効果膜から離れた側の前記電極膜の
端部テーパ角度よりも急峻であることを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に
電流を供給する電極膜とを含み、磁気媒体上に記録され
た情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記電極膜の端部が、前記磁気抵抗効果膜側に隣接する
第１テーパ部分と、前記磁気抵抗効果膜から離れた側の
第２テーパ部分とからなる２段テーパ構造となってお
り、前記第１テーパ部分が前記第２テーパ部分よりも急
峻であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】請求項２において、前記第１テーパ部分の
高さが、前記第２テーパ部分の高さよりも小さい磁気抵
抗効果ヘッド。 - 【請求項４】請求項２において、前記第１テーパ部分の
テーパ角度が４５度以上９０度未満である磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項５】請求項２または４において、前記第２テー
パ部分のテーパ角度が４５度以下である磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項６】請求項２において、前記第１テーパ部分の
高さが、前記電極膜に隣接している磁気ギャップ膜の膜
厚よりも小さい磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項７】磁気抵抗効果膜パターンと、前記磁気抵抗
効果膜パターンに電流を供給する電極膜パターンとを有
し、磁気媒体上に記録された情報を再生する磁気抵抗効
果ヘッドの製造方法における前記電極膜パターンの作製
工程として、前記磁気抵抗効果膜パターン上に第１金属
膜を成膜する工程と、前記第１金属膜上に第２金属膜を
成膜する工程と、前記第２金属膜上にエッチングマスク
パターンを作製する工程と、前記第２金属膜の横方向エ
ッチング速度が前記第１金属膜の横方向エッチング速度
よりも大きいエッチング条件で、前記第１及び前記第２
金属膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5536893A JPH06267031A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5536893A JPH06267031A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267031A true JPH06267031A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12996548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5536893A Pending JPH06267031A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267031A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7403358B2 (en) | 2001-07-24 | 2008-07-22 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, magnetic head device, magnetic recording/reproducing device and method for fabricating a thin film magnetic head |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5536893A patent/JPH06267031A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7403358B2 (en) | 2001-07-24 | 2008-07-22 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, magnetic head device, magnetic recording/reproducing device and method for fabricating a thin film magnetic head |
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