JPH06103535A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06103535A JPH06103535A JP24757192A JP24757192A JPH06103535A JP H06103535 A JPH06103535 A JP H06103535A JP 24757192 A JP24757192 A JP 24757192A JP 24757192 A JP24757192 A JP 24757192A JP H06103535 A JPH06103535 A JP H06103535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- magnetic head
- etching
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】優れた信頼性と高いパターン精度を兼ね備えた
電極を有する薄膜磁気ヘッドと、その製造方法を提供す
る。 【構成】ＭＲヘッドの電極膜を、Ｗから成る低抵抗層
と、Ｎｂから成る密着層で構成する。また、この多層膜
を、フッ素系ガスプラズマを用いた反応性エッチング法
でエッチングし、パターン作製する。 【効果】密着力が大きい電極膜が得られる。また、ＭＲ
センサ部分にダメージを与えずに、高精度なエッチング
電極パターンが作製できる。
電極を有する薄膜磁気ヘッドと、その製造方法を提供す
る。 【構成】ＭＲヘッドの電極膜を、Ｗから成る低抵抗層
と、Ｎｂから成る密着層で構成する。また、この多層膜
を、フッ素系ガスプラズマを用いた反応性エッチング法
でエッチングし、パターン作製する。 【効果】密着力が大きい電極膜が得られる。また、ＭＲ
センサ部分にダメージを与えずに、高精度なエッチング
電極パターンが作製できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドとその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置の記録密度を増加させるた
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されてい
る。このＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜センサ部分に
電流を流すため、電極膜パターンが必要である。この電
極膜パターンに要求される特性として、電気抵抗が小
さいこと、センサ部分や他の部分との密着力が高く、
かつ磁気記録媒体との摺動面に露出しても、信頼性に優
れていること、電極間隔でトラック密度やオフトラッ
ク特性が決められる場合が多いため、精度良くパターン
作製できること、等が挙げられる。
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されてい
る。このＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜センサ部分に
電流を流すため、電極膜パターンが必要である。この電
極膜パターンに要求される特性として、電気抵抗が小
さいこと、センサ部分や他の部分との密着力が高く、
かつ磁気記録媒体との摺動面に露出しても、信頼性に優
れていること、電極間隔でトラック密度やオフトラッ
ク特性が決められる場合が多いため、精度良くパターン
作製できること、等が挙げられる。
【０００３】この電極膜の膜構成として、これまで以下
のような例が提案されている。
のような例が提案されている。
【０００４】例えば、特開平2−68706号公報には、タン
グステン薄膜と、その上部もしくは下部に設けたチタ
ン，クロム，タンタル，ジルコニウム，ハフニウム，チ
タン−タングステン合金から成るＭＲヘッドの電極膜が
開示されている。
グステン薄膜と、その上部もしくは下部に設けたチタ
ン，クロム，タンタル，ジルコニウム，ハフニウム，チ
タン−タングステン合金から成るＭＲヘッドの電極膜が
開示されている。
【０００５】また、特開平3−268372 号公報には、接着
層としてモリブデンを用いたＭＲヘッドの電極膜が開示
されている。
層としてモリブデンを用いたＭＲヘッドの電極膜が開示
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記いずれ
の公知例でも、電極パターンの作製方法については具体
的な記述が見られず、上記の材料を用いて、電気抵抗や
信頼性などを改善した場合でも、精度良くＭＲヘッドを
作製する方法に関しては、何ら知見が得られなかった。
の公知例でも、電極パターンの作製方法については具体
的な記述が見られず、上記の材料を用いて、電気抵抗や
信頼性などを改善した場合でも、精度良くＭＲヘッドを
作製する方法に関しては、何ら知見が得られなかった。
【０００７】本発明の目的は、これらの欠点を克服し
て、高精度なパターン作製が可能である電極膜を有する
薄膜磁気ヘッドと、その製造方法を提供することにあ
る。
て、高精度なパターン作製が可能である電極膜を有する
薄膜磁気ヘッドと、その製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、少なくとも磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電
流を供給する電極膜とを有し、磁気媒体上に記録された
情報を再生する薄膜磁気ヘッドにおいて、電極膜が、フ
ッ素ラジカルもしくはフッ素イオンを含むプラズマを用
いた反応性エッチング法でパターン作製できる材料から
成ることを特徴としている。
は、少なくとも磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電
流を供給する電極膜とを有し、磁気媒体上に記録された
情報を再生する薄膜磁気ヘッドにおいて、電極膜が、フ
ッ素ラジカルもしくはフッ素イオンを含むプラズマを用
いた反応性エッチング法でパターン作製できる材料から
成ることを特徴としている。
【０００９】一般に、電極膜パターンの作製方法として
は、ウェットエッチング法，イオンミリング法，リフト
オフ法，プラズマによる反応性エッチング法等が挙げら
れるが、パターン精度を向上させるには、マスク材との
選択比を大きくできる反応性エッチング法を用いるのが
望ましい。特に、ＭＲヘッドの場合、電極エッチング後
に下地表面に現われるセンサ部分がエッチングダメージ
を受けると、ヘッド特性が変わってしまうため、下地と
のエッチング選択比をも充分に考慮しなければならな
い。
は、ウェットエッチング法，イオンミリング法，リフト
オフ法，プラズマによる反応性エッチング法等が挙げら
れるが、パターン精度を向上させるには、マスク材との
選択比を大きくできる反応性エッチング法を用いるのが
望ましい。特に、ＭＲヘッドの場合、電極エッチング後
に下地表面に現われるセンサ部分がエッチングダメージ
を受けると、ヘッド特性が変わってしまうため、下地と
のエッチング選択比をも充分に考慮しなければならな
い。
【００１０】このため、エッチングガスは、金属膜のエ
ッチングに実績があり、かつ腐食性の塩素イオンを残さ
ないフッ素系ガスを用いるのが望ましい。しかし、公知
例に挙げられた金属膜のうち、タングステンはフッ素系
ガスでエッチングできるが、チタン，クロム，タンタ
ル，ジルコニウム，ハフニウム，チタン−タングステン
合金，モリブデンは、フッ素系ガスによる反応性エッチ
ング法では、エッチング速度が小さいか、もしくは実質
的にほとんどエッチングされないため、高精度なパター
ン作製が困難である。
ッチングに実績があり、かつ腐食性の塩素イオンを残さ
ないフッ素系ガスを用いるのが望ましい。しかし、公知
例に挙げられた金属膜のうち、タングステンはフッ素系
ガスでエッチングできるが、チタン，クロム，タンタ
ル，ジルコニウム，ハフニウム，チタン−タングステン
合金，モリブデンは、フッ素系ガスによる反応性エッチ
ング法では、エッチング速度が小さいか、もしくは実質
的にほとんどエッチングされないため、高精度なパター
ン作製が困難である。
【００１１】発明者らは、検討の結果、密着膜として優
れた特性を示すニオブが、フッ素系ガスによりエッチン
グできることを見出し、これを適用して、信頼性とパタ
ーン精度を両立できる電極膜構成を実現した。すなわ
ち、本発明は、電極膜が、タングステン及びニオブのい
ずれか、もしくは両方から成ることを特徴とする。
れた特性を示すニオブが、フッ素系ガスによりエッチン
グできることを見出し、これを適用して、信頼性とパタ
ーン精度を両立できる電極膜構成を実現した。すなわ
ち、本発明は、電極膜が、タングステン及びニオブのい
ずれか、もしくは両方から成ることを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、電極膜が、タングステン
から成る低抵抗部分と、その低抵抗部分の上部または下
部のいずれか、もしくは両方に存在するニオブから成る
密着層部分とを含むことを特徴とする。これは、通常の
タングステン膜は多孔性で応力が大きいため、タングス
テン膜単独では密着力が小さい場合が多いからである。
から成る低抵抗部分と、その低抵抗部分の上部または下
部のいずれか、もしくは両方に存在するニオブから成る
密着層部分とを含むことを特徴とする。これは、通常の
タングステン膜は多孔性で応力が大きいため、タングス
テン膜単独では密着力が小さい場合が多いからである。
【００１３】また、本発明は、電極膜が、タングステン
及びニオブを含む合金から成ることを特徴とする。
及びニオブを含む合金から成ることを特徴とする。
【００１４】一方、このように、下地であるセンサ部分
とのエッチング選択比を考慮した場合は、磁気抵抗効果
膜の電極に接している側に、フッ素ラジカルもしくはフ
ッ素イオンを含むプラズマを用いた反応性エッチング法
では実質的にほとんどエッチングされない膜を設けるこ
とが望ましい。この膜は、クロム，チタン，ニッケル，
鉄，コバルトのいずれか、もしくは少なくとも一つを含
む合金を用いるのが望ましい。
とのエッチング選択比を考慮した場合は、磁気抵抗効果
膜の電極に接している側に、フッ素ラジカルもしくはフ
ッ素イオンを含むプラズマを用いた反応性エッチング法
では実質的にほとんどエッチングされない膜を設けるこ
とが望ましい。この膜は、クロム，チタン，ニッケル，
鉄，コバルトのいずれか、もしくは少なくとも一つを含
む合金を用いるのが望ましい。
【００１５】この膜は、上記のように、エッチングのス
トッパ膜として特に１層設けても良いし、また磁気抵抗
効果膜にバイアスを印加するためのソフト膜やシャント
膜と兼用にしても良い。さらに、ヘッド特性を損なわな
いかぎり、磁気抵抗効果膜自身で、このストッパ膜を兼
用しても良い。
トッパ膜として特に１層設けても良いし、また磁気抵抗
効果膜にバイアスを印加するためのソフト膜やシャント
膜と兼用にしても良い。さらに、ヘッド特性を損なわな
いかぎり、磁気抵抗効果膜自身で、このストッパ膜を兼
用しても良い。
【００１６】また、本発明の実施例には示さないが、上
記の特徴を持つＭＲヘッドに、記録用の誘導型磁気ヘッ
ドを積層して、記録再生を行なうデュアル型薄膜磁気ヘ
ッドを作製しても良い。
記の特徴を持つＭＲヘッドに、記録用の誘導型磁気ヘッ
ドを積層して、記録再生を行なうデュアル型薄膜磁気ヘ
ッドを作製しても良い。
【００１７】一方、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、電極膜パターンの作製工程として、この構成を有
する電極膜を成膜する工程と、続いてその電極膜の上部
に、マスク材パターンを作製する工程と、フッ素ラジカ
ルもしくはフッ素イオンを含むプラズマを用いた反応性
エッチング法で、そのマスク材パターンを電極膜に転写
して電極パターンを作製する工程とを含むことを特徴と
する。
では、電極膜パターンの作製工程として、この構成を有
する電極膜を成膜する工程と、続いてその電極膜の上部
に、マスク材パターンを作製する工程と、フッ素ラジカ
ルもしくはフッ素イオンを含むプラズマを用いた反応性
エッチング法で、そのマスク材パターンを電極膜に転写
して電極パターンを作製する工程とを含むことを特徴と
する。
【００１８】電極膜の成膜方法は、スパッタリングや蒸
着等の方法を用いることができる。また、マスク材は、
フッ素ラジカルもしくはフッ素イオンを含むプラズマ
で、反応性エッチング速度が小さい材料として、例え
ば、ポジ型のホトレジストやスパッタカーボン膜（酸素
プラズマでパターン作製できる）、他の金属膜（イオン
ミリングでパターン作製できる）などを用いることがで
きる。
着等の方法を用いることができる。また、マスク材は、
フッ素ラジカルもしくはフッ素イオンを含むプラズマ
で、反応性エッチング速度が小さい材料として、例え
ば、ポジ型のホトレジストやスパッタカーボン膜（酸素
プラズマでパターン作製できる）、他の金属膜（イオン
ミリングでパターン作製できる）などを用いることがで
きる。
【００１９】
【作用】表１に、ＳＦ6 ガスプラズマを用いた反応性イ
オンエッチングによる、種々の金属とポジ型ホトレジス
トのエッチング速度を示す。
オンエッチングによる、種々の金属とポジ型ホトレジス
トのエッチング速度を示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】平行平板型エッチング装置を用い、ガス圧
力は１０Ｐａで一定とした。
力は１０Ｐａで一定とした。
【００２２】この図から、タングステンとニオブのエッ
チング速度が大きく、本発明の電極材料として好ましい
ことがわかる。これは、タングステンとニオブのフッ化
物の沸点が比較的低く気化しやすいこと、かつ、フッ化
物の標準生成エネルギが大きく生成しやすいこと等が原
因と考えられる。
チング速度が大きく、本発明の電極材料として好ましい
ことがわかる。これは、タングステンとニオブのフッ化
物の沸点が比較的低く気化しやすいこと、かつ、フッ化
物の標準生成エネルギが大きく生成しやすいこと等が原
因と考えられる。
【００２３】一方、クロムやパーマロイのエッチング速
度はほとんど０であり、実質的にエッチングされない。
このため、エッチングストッパは、これらの膜が適して
いることがわかる。
度はほとんど０であり、実質的にエッチングされない。
このため、エッチングストッパは、これらの膜が適して
いることがわかる。
【００２４】また、ホトレジストのエッチング速度は、
タングステンやニオブの約１／３から１／４であり、ホ
トレジストをマスク材として用いると、タングステン及
びニオブから成る電極が、精度良くエッチング作製でき
る。
タングステンやニオブの約１／３から１／４であり、ホ
トレジストをマスク材として用いると、タングステン及
びニオブから成る電極が、精度良くエッチング作製でき
る。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は、本発明の一実施例としての薄膜磁気ヘッド
の構造を表わす正面図（磁気記録媒体との対向面から見
た図）である。
る。図１は、本発明の一実施例としての薄膜磁気ヘッド
の構造を表わす正面図（磁気記録媒体との対向面から見
た図）である。
【００２６】それぞれ、セラミック基板１０１，下地膜
としてのアルミナ膜１０２，下部シールドとしてのＮｉ
Ｆｅ膜１０３，下部ギャップとしてのアルミナ膜１０
４，磁区制御膜としてのＦｅＭｎ膜１０５，磁気抵抗効
果膜としてのＮｉＦｅ膜１０６，シャントバイアス膜と
してのＴａ膜１０７，ソフトバイアス膜としてのＦｅＮ
ｉＣｒ膜１０８，電極膜としてのＷ膜１０９，電極膜の
上下に設けた密着膜としてのＮｂ膜１１０，上部ギャッ
プとしてのアルミナ膜１１１，上部シールドとしてのＮ
ｉＦｅ膜１１２，保護膜としてのアルミナ膜１１３を表
わしている。電極パターン１０９及び１１０は、ＳＦ6
スを用いた反応性イオンエッチング法で作製し、精度良
く形成できた。また、Ｎｂ膜１１０が密着力を増加させ
たため、ヘッド作製中の電極膜剥離不良は発生しなかっ
た。
としてのアルミナ膜１０２，下部シールドとしてのＮｉ
Ｆｅ膜１０３，下部ギャップとしてのアルミナ膜１０
４，磁区制御膜としてのＦｅＭｎ膜１０５，磁気抵抗効
果膜としてのＮｉＦｅ膜１０６，シャントバイアス膜と
してのＴａ膜１０７，ソフトバイアス膜としてのＦｅＮ
ｉＣｒ膜１０８，電極膜としてのＷ膜１０９，電極膜の
上下に設けた密着膜としてのＮｂ膜１１０，上部ギャッ
プとしてのアルミナ膜１１１，上部シールドとしてのＮ
ｉＦｅ膜１１２，保護膜としてのアルミナ膜１１３を表
わしている。電極パターン１０９及び１１０は、ＳＦ6
スを用いた反応性イオンエッチング法で作製し、精度良
く形成できた。また、Ｎｂ膜１１０が密着力を増加させ
たため、ヘッド作製中の電極膜剥離不良は発生しなかっ
た。
【００２７】図２は、本発明の一実施例としての薄膜磁
気ヘッドの製造方法を表わす工程断面図である。それぞ
れ、ヘッドを磁気記録媒体との対向面から見た正面図を
表わしている。また、簡単のため、図１中に示したセラ
ミック基板１０１，下部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１
０３，下部ギャップとしてのアルミナ膜１０４，磁区制
御膜としてのＦｅＭｎ膜１０５，上部ギャップとしての
アルミナ膜１１１，上部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１
１２は、図２中では省略し、本発明に関連する磁気抵抗
効果膜と電極部分のみを描いてある。
気ヘッドの製造方法を表わす工程断面図である。それぞ
れ、ヘッドを磁気記録媒体との対向面から見た正面図を
表わしている。また、簡単のため、図１中に示したセラ
ミック基板１０１，下部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１
０３，下部ギャップとしてのアルミナ膜１０４，磁区制
御膜としてのＦｅＭｎ膜１０５，上部ギャップとしての
アルミナ膜１１１，上部シールドとしてのＮｉＦｅ膜１
１２は、図２中では省略し、本発明に関連する磁気抵抗
効果膜と電極部分のみを描いてある。
【００２８】まず、図２（ａ）に示したように、下地膜
１０２上に、磁気抵抗効果膜としてのＮｉＦｅ膜１０
６，シャントバイアス膜としてのＴａ膜１０７，ソフト
バイアス膜としてのＦｅＮｉＣｒ膜１０８，エッチング
ストッパ膜としてのＣｒ膜201の合計４層膜を成膜し、
センサパターンを作製した後、電極膜として、Ｎｂ（厚
さ２０ｎｍ）／Ｗ(０.３μｍ）／Ｎｂ（２０ｎｍ）の３
層膜２０２を成膜した。続いて、図２（ｂ）に示したよ
うに、ポジ型ホトレジストパターン２０３（１μｍ）を
作製した。次に、ＣＦ4＋５％Ｏ2混合ガスを用いた反応
性イオンエッチング法で電極膜２０２をエッチングし、
図２（ｃ）に示したように、電極パターンを作製した。
エッチング条件は、ガス圧力６Ｐａ、投入電力１００Ｗ
とした。この時、電極膜２０２の下部にエッチングスト
ッパ用Ｃｒ膜２０１があるため、エッチングによってセ
ンサ部分がダメージを受けることが無く、優れた再生特
性を維持することができた。また、ＷとＮｂのエッチン
グ速度が大きく、ホトレジストに対するエッチング選択
比が大きいため、得られた電極のパターン精度は３σで
±０.３μｍ となり、高精度加工が実現できた。その
後、ホトレジスト203を除去し、図２（ｄ）に示す構造
の薄膜磁気ヘッドを得た。
１０２上に、磁気抵抗効果膜としてのＮｉＦｅ膜１０
６，シャントバイアス膜としてのＴａ膜１０７，ソフト
バイアス膜としてのＦｅＮｉＣｒ膜１０８，エッチング
ストッパ膜としてのＣｒ膜201の合計４層膜を成膜し、
センサパターンを作製した後、電極膜として、Ｎｂ（厚
さ２０ｎｍ）／Ｗ(０.３μｍ）／Ｎｂ（２０ｎｍ）の３
層膜２０２を成膜した。続いて、図２（ｂ）に示したよ
うに、ポジ型ホトレジストパターン２０３（１μｍ）を
作製した。次に、ＣＦ4＋５％Ｏ2混合ガスを用いた反応
性イオンエッチング法で電極膜２０２をエッチングし、
図２（ｃ）に示したように、電極パターンを作製した。
エッチング条件は、ガス圧力６Ｐａ、投入電力１００Ｗ
とした。この時、電極膜２０２の下部にエッチングスト
ッパ用Ｃｒ膜２０１があるため、エッチングによってセ
ンサ部分がダメージを受けることが無く、優れた再生特
性を維持することができた。また、ＷとＮｂのエッチン
グ速度が大きく、ホトレジストに対するエッチング選択
比が大きいため、得られた電極のパターン精度は３σで
±０.３μｍ となり、高精度加工が実現できた。その
後、ホトレジスト203を除去し、図２（ｄ）に示す構造
の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、低い電気抵抗と優れた
信頼性、及び高いパターン精度を兼ね備えた電極パター
ンを有するＭＲヘッドが実現できた。また、センサ部分
にダメージを与えること無く、高精度な電極パターンを
作製するための薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とができた。
信頼性、及び高いパターン精度を兼ね備えた電極パター
ンを有するＭＲヘッドが実現できた。また、センサ部分
にダメージを与えること無く、高精度な電極パターンを
作製するための薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とができた。
【図１】本発明の実施例としての薄膜磁気ヘッドの構造
を表わす断面図。
を表わす断面図。
【図２】本発明の実施例としての薄膜磁気ヘッドの製造
工程を表わす断面図。
工程を表わす断面図。
１０１…セラミック基板、１０２，１０４，１１１，１
１３…アルミナ膜、１０３，１０６，１１２…ＮｉＦｅ
膜、１０５…ＦｅＭｎ膜、１０７…Ｔａ膜、１０８…Ｆ
ｅＮｉＣｒ膜、１０９…Ｗ膜、１１０…Ｎｂ膜。
１３…アルミナ膜、１０３，１０６，１１２…ＮｉＦｅ
膜、１０５…ＦｅＭｎ膜、１０７…Ｔａ膜、１０８…Ｆ
ｅＮｉＣｒ膜、１０９…Ｗ膜、１１０…Ｎｂ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦田 栄次 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 府山 盛明 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に
電流を供給する電極膜とを含み、磁気媒体上に記録され
た情報を再生する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記電極膜が、フッ素ラジカルもしくはフッ素イオンを
含むプラズマを用いた反応性エッチング法でパターン作
製できる材料から成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に
電流を供給する電極膜とを含み、磁気媒体上に記録され
た情報を再生する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記電極膜が、タングステン及びニオブのいずれか、も
しくは両方から成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】請求項２において、前記電極膜が、タング
ステンから成る低抵抗部分と、該低抵抗部分の上部また
は下部のいずれか、もしくは両方に存在するニオブから
成る密着層部分とを含む薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】請求項２において、前記電極膜が、タング
ステン及びニオブを含む合金から成る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、前記
磁気抵抗効果膜の前記電極に接している側に、フッ素ラ
ジカルもしくはフッ素イオンを含むプラズマを用いた反
応性エッチング法では実質的にほとんどエッチングされ
ない膜が存在している薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】請求項５において、前記エッチングされな
い膜が、クロム，チタン，ニッケル，鉄，コバルトのい
ずれか、もしくは少なくとも一つを含む合金から成るこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】請求項２，３または４において、磁気抵抗
効果膜パターンと、前記磁気抵抗効果膜パターンに電流
を供給する電極膜パターンとを有し、磁気媒体上に記録
された情報を再生する薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る前記電極膜パターンの作製工程として、前記電極膜を
成膜する工程と、前記電極膜の上部に、マスク材パター
ンを作製する工程と、フッ素ラジカルもしくはフッ素イ
オンを含むプラズマを用いた反応性エッチング法で、前
記マスク材パターンを前記電極膜に転写する工程とを含
むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24757192A JPH06103535A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24757192A JPH06103535A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103535A true JPH06103535A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17165482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24757192A Pending JPH06103535A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001396A1 (fr) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Fujitsu Limited | Tete magnetoresistive et dispositif de reproduction d'informations |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24757192A patent/JPH06103535A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001396A1 (fr) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Fujitsu Limited | Tete magnetoresistive et dispositif de reproduction d'informations |
| US6493197B2 (en) | 1999-06-29 | 2002-12-10 | Fujitsu Limited | Magneto-resistance effect type head and information reproducing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100243822B1 (ko) | 자기 저항 변환기 및 그 제조 방법 | |
| US6972935B2 (en) | Current-in-plane magnetoresistive sensor with longitudinal biasing layer having a nonmagnetic oxide central region and method for fabrication of the sensor | |
| JP3258940B2 (ja) | 電気的軟隣接層を有する軟隣接層磁気抵抗センサ素子 | |
| JP3635504B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置 | |
| JP2720806B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH06103535A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH06349031A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2613876B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3475148B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2751696B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3169595B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| US6433969B1 (en) | Compound magnetoresistive head and method for manufacturing same | |
| JP2861080B2 (ja) | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 | |
| KR100203612B1 (ko) | 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법 | |
| JP2000090420A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置 | |
| JPH06267031A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 | |
| KR20040047663A (ko) | 스핀 밸브 헤드 및 자기 기록 장치 | |
| JPH06111245A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3603739B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2004014578A (ja) | 磁気抵抗効果膜、スピンバルブ再生ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3085367B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
| JPH11175915A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH02301010A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2008204588A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH103613A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |