JPH08138213A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH08138213A JPH08138213A JP6273272A JP27327294A JPH08138213A JP H08138213 A JPH08138213 A JP H08138213A JP 6273272 A JP6273272 A JP 6273272A JP 27327294 A JP27327294 A JP 27327294A JP H08138213 A JPH08138213 A JP H08138213A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- -1 silicon nitride Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】面記録密度を向上させるため、磁気抵抗効果型
ヘッドの感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜
の間隔を小さくし、かつ、電極膜と磁気シールド膜との
安定した絶縁性を確保した構造を提供すること。 【構成】基板上に、下部磁気シールド膜１２と、この下
部磁気シールド膜１２上の感磁部領域に絶縁膜を介して
磁気抵抗センサ膜１を設け、磁気抵抗センサ膜１の側面
に通電用の電極膜１９を接続し、感磁部領域の磁気抵抗
センサ膜１と下部磁気シールド膜１２の間の絶縁膜の厚
さを、電極膜１９と下部磁気シールド膜１２の間の絶縁
膜の厚さより薄くした磁気抵抗効果型ヘッド。
ヘッドの感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜
の間隔を小さくし、かつ、電極膜と磁気シールド膜との
安定した絶縁性を確保した構造を提供すること。 【構成】基板上に、下部磁気シールド膜１２と、この下
部磁気シールド膜１２上の感磁部領域に絶縁膜を介して
磁気抵抗センサ膜１を設け、磁気抵抗センサ膜１の側面
に通電用の電極膜１９を接続し、感磁部領域の磁気抵抗
センサ膜１と下部磁気シールド膜１２の間の絶縁膜の厚
さを、電極膜１９と下部磁気シールド膜１２の間の絶縁
膜の厚さより薄くした磁気抵抗効果型ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録分野、例え
ば、磁気ディスク装置等に用いられる磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関する。
ば、磁気ディスク装置等に用いられる磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録再生用ヘッドとして磁
気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）を使用
した磁気記録装置が用いられるようになってきている。
このＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイズを抑止し、線
形性の良い動作領域を確保するために、磁気抵抗センサ
膜に縦方向及び横方向のバイアス磁界を印加しなければ
ならないことが知られている。
気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）を使用
した磁気記録装置が用いられるようになってきている。
このＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイズを抑止し、線
形性の良い動作領域を確保するために、磁気抵抗センサ
膜に縦方向及び横方向のバイアス磁界を印加しなければ
ならないことが知られている。
【０００３】また、高密度記録対応の狭トラック幅のＭ
Ｒヘッドとして、特開平３−１２５３１１に、磁気抵抗
センサ膜を感磁部のみに限定して配置し、磁気抵抗セン
サ膜の側面に電極を接続した構造の感度分布の優れた狭
トラック幅のＭＲヘッドが開示されている。このＭＲヘ
ッドは、磁気抵抗センサ膜を、マスク材としてフォトレ
ジストを用い、イオンビームの入射角を制御したイオン
ミリング法により、テーパエッチングすると共に、これ
に接続した電極膜を形成して製造されている。
Ｒヘッドとして、特開平３−１２５３１１に、磁気抵抗
センサ膜を感磁部のみに限定して配置し、磁気抵抗セン
サ膜の側面に電極を接続した構造の感度分布の優れた狭
トラック幅のＭＲヘッドが開示されている。このＭＲヘ
ッドは、磁気抵抗センサ膜を、マスク材としてフォトレ
ジストを用い、イオンビームの入射角を制御したイオン
ミリング法により、テーパエッチングすると共に、これ
に接続した電極膜を形成して製造されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録の分野では、
今後益々面記録密度を向上させて行くことが必要である
が、面記録密度を向上させるためにはトラック密度に加
えて線記録密度も大幅に向上させて行くことが必要であ
る。そのためにはＭＲヘッドのギャップ長、すなわち感
磁部領域（磁気抵抗センサ膜の動作領域）の下部シール
ド膜と上部シールド膜の間隔を小さくする必要がある。
今後益々面記録密度を向上させて行くことが必要である
が、面記録密度を向上させるためにはトラック密度に加
えて線記録密度も大幅に向上させて行くことが必要であ
る。そのためにはＭＲヘッドのギャップ長、すなわち感
磁部領域（磁気抵抗センサ膜の動作領域）の下部シール
ド膜と上部シールド膜の間隔を小さくする必要がある。
【０００５】上記特開平３−１２５３１１に記載の従来
技術は、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜
の間隔が、高密度記録に対応した広さでないという問題
があった。もしも、このＭＲヘッドの絶縁膜を薄くする
と、イオンミリングによって磁気抵抗センサ膜をエッチ
ングするときに、下地の絶縁膜がオーバーエッチングさ
れるため、この上に形成された電極膜と下部シールド膜
との絶縁性の確保は困難である。
技術は、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜
の間隔が、高密度記録に対応した広さでないという問題
があった。もしも、このＭＲヘッドの絶縁膜を薄くする
と、イオンミリングによって磁気抵抗センサ膜をエッチ
ングするときに、下地の絶縁膜がオーバーエッチングさ
れるため、この上に形成された電極膜と下部シールド膜
との絶縁性の確保は困難である。
【０００６】本発明の目的は、感磁部領域の下部シール
ド膜と上部シールド膜の間隔が小さく、かつ、電極膜と
磁気シールド膜との安定した絶縁性を確保した磁気抵抗
効果型ヘッドを提供することにある。
ド膜と上部シールド膜の間隔が小さく、かつ、電極膜と
磁気シールド膜との安定した絶縁性を確保した磁気抵抗
効果型ヘッドを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、基板と、基板上
に設けられた下部磁気シールド膜と、下部磁気シールド
膜上の感磁部領域に絶縁膜を介して設けられた磁気抵抗
センサ膜と、この磁気抵抗センサ膜の側面に接続された
通電用電極膜を有し、磁気抵抗センサ膜と下部磁気シー
ルド膜の間の絶縁膜の厚さを、電極膜と下部磁気シール
ド膜の間の絶縁膜の厚さより薄くするようにしたもので
ある。
に、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、基板と、基板上
に設けられた下部磁気シールド膜と、下部磁気シールド
膜上の感磁部領域に絶縁膜を介して設けられた磁気抵抗
センサ膜と、この磁気抵抗センサ膜の側面に接続された
通電用電極膜を有し、磁気抵抗センサ膜と下部磁気シー
ルド膜の間の絶縁膜の厚さを、電極膜と下部磁気シール
ド膜の間の絶縁膜の厚さより薄くするようにしたもので
ある。
【０００８】この磁気抵抗効果型ヘッドは、感磁部領域
の下部磁気シールド膜に凸部を設けた構造とすることが
できる。このような磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば、
次のようにして容易に製造することができる。基板上に
下部磁気シールド膜を形成し、この下部磁気シールド膜
の磁気抵抗センサ膜が形成される感磁部領域以外の膜厚
を薄くし、その上に、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜を形
成し、感磁部領域の第２の絶縁膜を削除して製造する。
の下部磁気シールド膜に凸部を設けた構造とすることが
できる。このような磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば、
次のようにして容易に製造することができる。基板上に
下部磁気シールド膜を形成し、この下部磁気シールド膜
の磁気抵抗センサ膜が形成される感磁部領域以外の膜厚
を薄くし、その上に、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜を形
成し、感磁部領域の第２の絶縁膜を削除して製造する。
【０００９】また、上記磁気抵抗効果型ヘッドは、電極
膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さ方向の全部
又は主要部を、磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜
の間の絶縁膜と異なる材質とすることもできる。このよ
うな磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば、次のようにして
容易に製造することができる。まず、基板上に下部磁気
シールド膜、第１の絶縁膜、磁気抵抗センサ膜を形成
し、感磁部領域以外の磁気抵抗センサ膜、第１の絶縁膜
を除去する。このとき第１の絶縁膜は上部の一部だけが
除去されて、一部が残っていてもよい。ついで、第２の
絶縁膜を、第１の絶縁膜が実質的に除去された領域に形
成する。このように、絶縁膜を２回に分けて異なる材質
で形成すれば、上記の構造を容易に製造することができ
る。
膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さ方向の全部
又は主要部を、磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜
の間の絶縁膜と異なる材質とすることもできる。このよ
うな磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば、次のようにして
容易に製造することができる。まず、基板上に下部磁気
シールド膜、第１の絶縁膜、磁気抵抗センサ膜を形成
し、感磁部領域以外の磁気抵抗センサ膜、第１の絶縁膜
を除去する。このとき第１の絶縁膜は上部の一部だけが
除去されて、一部が残っていてもよい。ついで、第２の
絶縁膜を、第１の絶縁膜が実質的に除去された領域に形
成する。このように、絶縁膜を２回に分けて異なる材質
で形成すれば、上記の構造を容易に製造することができ
る。
【００１０】
【作用】感磁部領域の磁気抵抗センサ膜と下部磁気シー
ルド膜の間の絶縁膜の厚さを薄くすれば、下部シールド
膜と上部シールド膜の間隔を薄くすることができ、高密
度記録に対応できる。一方、電極膜と下部磁気シールド
膜の間の絶縁膜の厚さは、上記感磁部領域の絶縁膜の厚
さより厚くすることによって、電極膜と下部磁気シール
ド膜との安定した絶縁性を確保することができる。
ルド膜の間の絶縁膜の厚さを薄くすれば、下部シールド
膜と上部シールド膜の間隔を薄くすることができ、高密
度記録に対応できる。一方、電極膜と下部磁気シールド
膜の間の絶縁膜の厚さは、上記感磁部領域の絶縁膜の厚
さより厚くすることによって、電極膜と下部磁気シール
ド膜との安定した絶縁性を確保することができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 〈実施例１〉図１は本発明の第１の実施例のＭＲヘッド
の媒体対抗面（浮上面）の素子部構造図、図２及び図３
はその製造工程を示すための部分構造図である。基板１
０上に、下地膜１１、厚さ２μｍの下部シールド膜１２
を形成し、下部シールド膜１２の一部、すなわち、後に
形成する磁気抵抗センサ膜１の領域以外の部分を膜厚が
薄くなるように、イオンミリングにより約０．５μｍエ
ッチングする。ここで形成された下部シールド膜１２の
凸部の幅は２μｍであり、記録媒体のトラック幅に対応
する。通常は１．５μｍから３μｍとすることが好まし
い。下部シールド膜１２には軟磁性膜であるＮｉＦｅ膜
のアモルファス合金膜を用いたが、ＣｏＮｂＺｒ等のア
モルファス合金膜でもよい。
る。 〈実施例１〉図１は本発明の第１の実施例のＭＲヘッド
の媒体対抗面（浮上面）の素子部構造図、図２及び図３
はその製造工程を示すための部分構造図である。基板１
０上に、下地膜１１、厚さ２μｍの下部シールド膜１２
を形成し、下部シールド膜１２の一部、すなわち、後に
形成する磁気抵抗センサ膜１の領域以外の部分を膜厚が
薄くなるように、イオンミリングにより約０．５μｍエ
ッチングする。ここで形成された下部シールド膜１２の
凸部の幅は２μｍであり、記録媒体のトラック幅に対応
する。通常は１．５μｍから３μｍとすることが好まし
い。下部シールド膜１２には軟磁性膜であるＮｉＦｅ膜
のアモルファス合金膜を用いたが、ＣｏＮｂＺｒ等のア
モルファス合金膜でもよい。
【００１２】続いて図２に示すように、厚さ０．１μｍ
の第１の絶縁膜１３及び厚さ約１μｍの第２の絶縁膜１
７を形成し、ポリシング加工によって、図３に示すよう
に第１の絶縁膜１３が露出し、概略平坦面が得られるま
で加工する。第１の絶縁膜１３の厚さは０．０５μｍか
ら０．１μｍが好ましく、第２の絶縁膜１７の厚さは、
上記エッチングした厚さの０．５μｍ以上であればよ
い。ここで、第１の絶縁膜１３には硬質でポリシング加
工で加工され難いカーボン絶縁膜（ダイヤモンドライク
カーボン膜）、第２の絶縁膜１７にはＡｌ2Ｏ3を用いた
が、第２の絶縁膜１７にはＳｉＯ2等を用いてもよい。
の第１の絶縁膜１３及び厚さ約１μｍの第２の絶縁膜１
７を形成し、ポリシング加工によって、図３に示すよう
に第１の絶縁膜１３が露出し、概略平坦面が得られるま
で加工する。第１の絶縁膜１３の厚さは０．０５μｍか
ら０．１μｍが好ましく、第２の絶縁膜１７の厚さは、
上記エッチングした厚さの０．５μｍ以上であればよ
い。ここで、第１の絶縁膜１３には硬質でポリシング加
工で加工され難いカーボン絶縁膜（ダイヤモンドライク
カーボン膜）、第２の絶縁膜１７にはＡｌ2Ｏ3を用いた
が、第２の絶縁膜１７にはＳｉＯ2等を用いてもよい。
【００１３】図４及び図５はこの平坦面を形成する上で
の別のやり方を示した部分構造図であり、この場合には
第１の絶縁膜１３が一部加工されて薄くなった状態又は
加工されてなくなった状態から、再度第１の絶縁膜に相
当する絶縁膜２７を形成するもので機能的には図３に示
す構造と同じである。
の別のやり方を示した部分構造図であり、この場合には
第１の絶縁膜１３が一部加工されて薄くなった状態又は
加工されてなくなった状態から、再度第１の絶縁膜に相
当する絶縁膜２７を形成するもので機能的には図３に示
す構造と同じである。
【００１４】この後、図１に示す磁気抵抗センサ膜１を
形成するが、この磁気抵抗センサ膜１は、図６に示す部
分構造図のように３層以上の膜からなっている。図６の
例ではソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ膜１６
を連続形成する。ここで、ソフトバイアス膜１４には一
般的に知られている高抵抗軟磁性合金であるＮｉＦｅＣ
ｒ、ＮｉＦｅＮｂ等を用い、分離膜１５にはＴａ、ＭＲ
膜１６にはＮｉＦｅを用いて順次積層膜を形成して行
く。
形成するが、この磁気抵抗センサ膜１は、図６に示す部
分構造図のように３層以上の膜からなっている。図６の
例ではソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ膜１６
を連続形成する。ここで、ソフトバイアス膜１４には一
般的に知られている高抵抗軟磁性合金であるＮｉＦｅＣ
ｒ、ＮｉＦｅＮｂ等を用い、分離膜１５にはＴａ、ＭＲ
膜１６にはＮｉＦｅを用いて順次積層膜を形成して行
く。
【００１５】次に、図６に示すようなマスク材となるス
テンシル３１を下部シールド膜１２の膜厚が厚いところ
に位置合わせしてフォトレジストで形成し、イオンミリ
ングによってソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ
膜１６の３層をエッチングする。このとき必要な側面テ
ーパ角を得るために、イオンビームの入射角を４５度以
上の大きな値に設定して基板を回転しながらエッチング
する。ここで、基板面内を確実にエッチングするために
は基板面内の一部はオーバーエッチされ、図６に示すよ
うに第２の絶縁膜１７も若干エッチングされてしまうこ
とになるが、膜厚を十分厚くしているので下部シールド
膜１２上の第２の絶縁膜１７は必要な膜厚が確保される
ことになる。
テンシル３１を下部シールド膜１２の膜厚が厚いところ
に位置合わせしてフォトレジストで形成し、イオンミリ
ングによってソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ
膜１６の３層をエッチングする。このとき必要な側面テ
ーパ角を得るために、イオンビームの入射角を４５度以
上の大きな値に設定して基板を回転しながらエッチング
する。ここで、基板面内を確実にエッチングするために
は基板面内の一部はオーバーエッチされ、図６に示すよ
うに第２の絶縁膜１７も若干エッチングされてしまうこ
とになるが、膜厚を十分厚くしているので下部シールド
膜１２上の第２の絶縁膜１７は必要な膜厚が確保される
ことになる。
【００１６】続いてこの状態から、ステンシル３１を残
したまま、図７に示すように、ＭＲ膜１６に縦バイアス
を印加するための縦バイアス膜１８と電極膜１９を連続
積層する。縦バイアス膜１８にはＣｏＣｒＰｔのハード
膜、電極膜には低抵抗のＴａ／Ａｕ／Ｔａを用いたが、
縦バイアス膜１８はＮｉＭｎ／ＮｉＦｅの積層膜等でも
よく、電極膜はＴａ／Ｗ／Ｔａの積層膜等でもよい。形
成法は金属膜被着粒子の回り込みの大きな通常のスパッ
タ法で形成する。いずれの方法で製造しても、本実施例
では、磁気抵抗センサ膜と縦バイアス膜の下層面は実質
的に平坦となっている。
したまま、図７に示すように、ＭＲ膜１６に縦バイアス
を印加するための縦バイアス膜１８と電極膜１９を連続
積層する。縦バイアス膜１８にはＣｏＣｒＰｔのハード
膜、電極膜には低抵抗のＴａ／Ａｕ／Ｔａを用いたが、
縦バイアス膜１８はＮｉＭｎ／ＮｉＦｅの積層膜等でも
よく、電極膜はＴａ／Ｗ／Ｔａの積層膜等でもよい。形
成法は金属膜被着粒子の回り込みの大きな通常のスパッ
タ法で形成する。いずれの方法で製造しても、本実施例
では、磁気抵抗センサ膜と縦バイアス膜の下層面は実質
的に平坦となっている。
【００１７】この後、ステンシル３１を除去すると図８
に示す形状が得られる。この後図９に示すように上部ギ
ャップ膜２０、下部シールド膜と同じ材質の上部シール
ド膜２１を形成し、図１に示すライトギャップ膜２２、
コイル（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、ライト
コア２５、保護膜２６、端子（図示せず）等を形成して
ＭＲヘッドを完成させる。図１０は、このＭＲヘッドの
部分斜視図で、コイル２３、層間絶縁膜２４等の位置を
示す。
に示す形状が得られる。この後図９に示すように上部ギ
ャップ膜２０、下部シールド膜と同じ材質の上部シール
ド膜２１を形成し、図１に示すライトギャップ膜２２、
コイル（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、ライト
コア２５、保護膜２６、端子（図示せず）等を形成して
ＭＲヘッドを完成させる。図１０は、このＭＲヘッドの
部分斜視図で、コイル２３、層間絶縁膜２４等の位置を
示す。
【００１８】〈実施例２〉図１１は本発明の第２の実施
例のＭＲヘッドの媒体対抗面（浮上面）の素子部構造
図、図１２から図１６はその製造工程を示すための部分
構造図である。基板１０上に下地膜１１、下部シールド
膜１２、第１の絶縁膜１３を形成し、続いて磁気抵抗セ
ンサ膜１を形成する。下部シールド膜１２及び第１の絶
縁膜１３の材質、厚さは実施例１と同じとしたが、第１
の絶縁膜１３には、カーボン絶縁膜でなくて、窒化シリ
コン、アルミナ、チタニア等の絶縁性のある高純度金属
化合物等を用いてもよい。
例のＭＲヘッドの媒体対抗面（浮上面）の素子部構造
図、図１２から図１６はその製造工程を示すための部分
構造図である。基板１０上に下地膜１１、下部シールド
膜１２、第１の絶縁膜１３を形成し、続いて磁気抵抗セ
ンサ膜１を形成する。下部シールド膜１２及び第１の絶
縁膜１３の材質、厚さは実施例１と同じとしたが、第１
の絶縁膜１３には、カーボン絶縁膜でなくて、窒化シリ
コン、アルミナ、チタニア等の絶縁性のある高純度金属
化合物等を用いてもよい。
【００１９】磁気抵抗センサ膜１は、図１２に示すよう
にソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ膜１６の３
層からなっており、これらを連続形成する。これらのソ
フトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ膜１６には実施
例１記載の材料を用いる。
にソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ膜１６の３
層からなっており、これらを連続形成する。これらのソ
フトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ膜１６には実施
例１記載の材料を用いる。
【００２０】次に、図１２に示すようなマスク材となる
ステンシル３１をフォトレジストで形成し、イオンミリ
ングによってソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ
膜１６の３層をエッチングするが、このとき必要な側面
テーパ角を得るために、イオンビームの入射角を４５度
以上の大きな値に設定して基板を回転しながらエッチン
グしる。ここで、基板面内を確実にエッチングするため
には基板面内の一部はオーバーエッチされ、図１２に示
すように第１の絶縁膜１３が薄い場合にはこの膜もエッ
チングされてしまうことになる。
ステンシル３１をフォトレジストで形成し、イオンミリ
ングによってソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ
膜１６の３層をエッチングするが、このとき必要な側面
テーパ角を得るために、イオンビームの入射角を４５度
以上の大きな値に設定して基板を回転しながらエッチン
グしる。ここで、基板面内を確実にエッチングするため
には基板面内の一部はオーバーエッチされ、図１２に示
すように第１の絶縁膜１３が薄い場合にはこの膜もエッ
チングされてしまうことになる。
【００２１】続いてこの状態から、ステンシルを残した
まま、図１３に示すように、厚さ０．２μｍ〜０．３μ
ｍの第２の絶縁膜１７を形成するが、成膜方法は絶縁膜
被着粒子３２の指向性の強い方法、例えばイオンビーム
スパッタ法又は直進粒子を多くしたコリメーションスパ
ッタ法等を用いて、第１の絶縁膜１３の側面の一部又は
全部を覆うように形成する。またこの膜は絶縁を確保す
る上で必要な厚さにするので、一般的な金属酸化物、金
属窒化物、例えば、窒化シリコン、アルミナ、チタニア
等を用いることが可能である。これにより、同一マスク
材を用いて第２の絶縁膜１７まで形成するので位置ずれ
が生じ難く、この後形成する電極膜と下部シールド膜と
の絶縁も確実に確保できることになる。
まま、図１３に示すように、厚さ０．２μｍ〜０．３μ
ｍの第２の絶縁膜１７を形成するが、成膜方法は絶縁膜
被着粒子３２の指向性の強い方法、例えばイオンビーム
スパッタ法又は直進粒子を多くしたコリメーションスパ
ッタ法等を用いて、第１の絶縁膜１３の側面の一部又は
全部を覆うように形成する。またこの膜は絶縁を確保す
る上で必要な厚さにするので、一般的な金属酸化物、金
属窒化物、例えば、窒化シリコン、アルミナ、チタニア
等を用いることが可能である。これにより、同一マスク
材を用いて第２の絶縁膜１７まで形成するので位置ずれ
が生じ難く、この後形成する電極膜と下部シールド膜と
の絶縁も確実に確保できることになる。
【００２２】この後本実施例では、図１４に示すよう
に、ＭＲ膜１６に縦バイアスを印加するための縦バイア
ス膜１８を形成するが、この時ＭＲ膜側面との接触を確
実にするため、Ａｒイオンを用いて斜め方向から照射し
て、側面のクリーニングを事前に行うのが望ましく、縦
バイアス膜１８と電極膜１９を連続積層する。縦バイア
ス膜１８、電極膜１９には実施例１と同じ材料を用い、
形成法は金属膜被着粒子３３の回り込みの大きな通常の
スパッタ法で形成する。
に、ＭＲ膜１６に縦バイアスを印加するための縦バイア
ス膜１８を形成するが、この時ＭＲ膜側面との接触を確
実にするため、Ａｒイオンを用いて斜め方向から照射し
て、側面のクリーニングを事前に行うのが望ましく、縦
バイアス膜１８と電極膜１９を連続積層する。縦バイア
ス膜１８、電極膜１９には実施例１と同じ材料を用い、
形成法は金属膜被着粒子３３の回り込みの大きな通常の
スパッタ法で形成する。
【００２３】この後、図１５に示すように、ステンシル
３１を除去し、上部ギャップ膜２０、上部シールド膜２
１を形成し、図１１に示すライトギャップ膜２２、コイ
ル（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、ライトコア
２５、保護膜２６、端子（図示せず）等を形成してＭＲ
ヘッドを完成させる。図１７は、このＭＲヘッドの部分
斜視図で、コイル２３、層間絶縁膜２４等の位置を示
す。図１６は、第１の絶縁膜１３が完全にエッチングさ
れなかった場合の部分構造図で、電極膜１９下の絶縁膜
は、その厚さの大部分が第２の絶縁膜１７からなり、こ
の場合も同様な絶縁効果が得られることは明白である。
３１を除去し、上部ギャップ膜２０、上部シールド膜２
１を形成し、図１１に示すライトギャップ膜２２、コイ
ル（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、ライトコア
２５、保護膜２６、端子（図示せず）等を形成してＭＲ
ヘッドを完成させる。図１７は、このＭＲヘッドの部分
斜視図で、コイル２３、層間絶縁膜２４等の位置を示
す。図１６は、第１の絶縁膜１３が完全にエッチングさ
れなかった場合の部分構造図で、電極膜１９下の絶縁膜
は、その厚さの大部分が第２の絶縁膜１７からなり、こ
の場合も同様な絶縁効果が得られることは明白である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＭＲヘッ
ドは、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜の
間隔を狭く保つことができると共に、電極膜と下部シー
ルド膜との絶縁劣化を防止することができた。
ドは、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜の
間隔を狭く保つことができると共に、電極膜と下部シー
ルド膜との絶縁劣化を防止することができた。
【図１】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの媒体対抗
面の素子部構造図。
面の素子部構造図。
【図２】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの製造工程
を示すための部分構造図。
を示すための部分構造図。
【図３】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの製造工程
を示すための部分構造図。
を示すための部分構造図。
【図４】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの他の製造
工程を示すための部分構造図。
工程を示すための部分構造図。
【図５】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの他の製造
工程を示すための部分構造図。
工程を示すための部分構造図。
【図６】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの製造工程
を示すための部分構造図。
を示すための部分構造図。
【図７】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの製造工程
を示すための部分構造図。
を示すための部分構造図。
【図８】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの製造工程
を示すための部分構造図。
を示すための部分構造図。
【図９】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの製造工程
を示すための部分構造図。
を示すための部分構造図。
【図１０】本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの素子部
の部分斜視図。
の部分斜視図。
【図１１】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの媒体対
抗面の素子部構造図。
抗面の素子部構造図。
【図１２】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの製造工
程を示すための部分構造図。
程を示すための部分構造図。
【図１３】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの製造工
程を示すための部分構造図。
程を示すための部分構造図。
【図１４】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの製造工
程を示すための部分構造図。
程を示すための部分構造図。
【図１５】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの製造工
程を示すための部分構造図。
程を示すための部分構造図。
【図１６】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの他の製
造工程を示すための部分構造図。
造工程を示すための部分構造図。
【図１７】本発明の第２の実施例のＭＲヘッドの素子部
の部分斜視図。
の部分斜視図。
１…磁気抵抗センサ膜 １０…基板 １１…下地膜 １２…下部シールド膜 １３…第１の絶縁膜 １４…ソフトバイアス膜 １５…分離膜 １６…ＭＲ膜 １７…第２の絶縁膜 １８…縦バイアス膜 １９…電極膜 ２０…上部ギャップ膜 ２１…上部シールド膜 ２２…ライトギャップ膜 ２３…コイル ２４…層間絶縁膜 ２５…ライトコア ２６…保護膜 ２７…絶縁膜 ３１…ステンシル ３２…絶縁膜被着粒子 ３３…金属膜被着粒子
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、該基板上に設けられた下部磁気シ
ールド膜と、該下部磁気シールド膜上の感磁部領域に絶
縁膜を介して設けられた磁気抵抗センサ膜と、この磁気
抵抗センサ膜の側面に接続された通電用電極膜を有する
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記磁気抵抗センサ膜
と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さが、上記電極
膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さより薄いこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、上記下部磁気シールド膜は、上記感磁部領域に凸
部を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、上記電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜
は、その厚さ方向の全部又は主要部が、上記磁気抵抗セ
ンサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜と異なる材質
からなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6273272A JPH08138213A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6273272A JPH08138213A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001054101A Division JP2001297415A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JP2004180759A Division JP2004342308A (ja) | 2004-06-18 | 2004-06-18 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138213A true JPH08138213A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17525532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6273272A Pending JPH08138213A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08138213A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076471A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Nec Corp | 磁気抵抗センサ、磁気抵抗ヘッド、および磁気記録／再生装置 |
| US6563678B2 (en) | 1998-10-08 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having insolating layer provided between gap layer and shielding layer |
| JP2006032710A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Yamaha Corp | 磁気センサの製造方法 |
| US7136263B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, thin-film magnetic head assembly, storage device, and method of manufacturing thin-film magnetic head |
| US7765675B2 (en) * | 2005-09-01 | 2010-08-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CPP read sensors having constrained current paths made of lithographically-defined conductive vias and methods of making the same |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP6273272A patent/JPH08138213A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563678B2 (en) | 1998-10-08 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having insolating layer provided between gap layer and shielding layer |
| US6678940B2 (en) | 1998-10-08 | 2004-01-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of making a thin-film magnetic head |
| JP2002076471A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Nec Corp | 磁気抵抗センサ、磁気抵抗ヘッド、および磁気記録／再生装置 |
| US7136263B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, thin-film magnetic head assembly, storage device, and method of manufacturing thin-film magnetic head |
| JP2006032710A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Yamaha Corp | 磁気センサの製造方法 |
| US7765675B2 (en) * | 2005-09-01 | 2010-08-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CPP read sensors having constrained current paths made of lithographically-defined conductive vias and methods of making the same |
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