JP2004342308A - 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜の間隔が小さく、かつ、電極膜と磁気シールド膜との安定した絶縁性を確保した磁気抵抗効果型ヘッドを製造する。
【解決手段】 基板上に下部磁金シールド膜、第1の絶縁膜、磁気抵抗センサ膜を形成し、感磁部領域外の磁気抵抗センサ膜、第1の絶縁膜の一部を除去する。その後、第2の絶縁膜を、第1に絶縁膜が実質的に除去された領域に形成する。
【選択図】 図16
【解決手段】 基板上に下部磁金シールド膜、第1の絶縁膜、磁気抵抗センサ膜を形成し、感磁部領域外の磁気抵抗センサ膜、第1の絶縁膜の一部を除去する。その後、第2の絶縁膜を、第1に絶縁膜が実質的に除去された領域に形成する。
【選択図】 図16
Description
本発明は、磁気記録分野、例えば、磁気ディスク装置等に用いられる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関する。
近年、高密度記録再生用ヘッドとして磁気抵抗効果型ヘッド(以下、MRヘッドという)を使用した磁気記録装置が用いられるようになってきている。このMRヘッドは、バルクハウゼンノイズを抑止し、線形性の良い動作領域を確保するために、磁気抵抗センサ膜に縦方向及び横方向のバイアス磁界を印加しなければならないことが知られている。
また、高密度記録対応の狭トラック幅のMRヘッドとして、特許文献1(特開平3−125311)に、磁気抵抗センサ膜を感磁部のみに限定して配置し、磁気抵抗センサ膜の側面に電極を接続した構造の感度分布の優れた狭トラック幅のMRヘッドが開示されている。このMRヘッドは、磁気抵抗センサ膜を、マスク材としてフォトレジストを用い、イオンビームの入射角を制御したイオンミリング法により、テーパエッチングすると共に、これに接続した電極膜を形成して製造されている。
磁気記録の分野では、今後益々面記録密度を向上させて行くことが必要であるが、面記録密度を向上させるためにはトラック密度に加えて線記録密度も大幅に向上させて行くことが必要である。そのためにはMRヘッドのギャップ長、すなわち感磁部領域(磁気抵抗センサ膜の動作領域)の下部シールド膜と上部シールド膜の間隔を小さくする必要がある。
上記特許文献1(特開平3−125311)に記載の従来技術は、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜の間隔が、高密度記録に対応した広さでないという問題があった。もしも、このMRヘッドの絶縁膜を薄くすると、イオンミリングによって磁気抵抗センサ膜をエッチングするときに、下地の絶縁膜がオーバーエッチングされるため、この上に形成された電極膜と下部シールド膜との絶縁性の確保は困難である。
本発明の目的は、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜の間隔が小さく、かつ、電極膜と磁気シールド膜との安定した絶縁性を確保した磁気抵抗効果型ヘッドを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、基板と、基板上に設けられた下部磁気シールド膜と、下部磁気シールド膜上の感磁部領域に絶縁膜を介して設けられた磁気抵抗センサ膜と、この磁気抵抗センサ膜の側面に接続された通電用電極膜を有し、磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さを、電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さより薄くするようにしたものである。
この磁気抵抗効果型ヘッドは、感磁部領域の下部磁気シールド膜に凸部を設けた構造とすることができる。このような磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば、次のようにして容易に製造することができる。基板上に下部磁気シールド膜を形成し、この下部磁気シールド膜の磁気抵抗センサ膜が形成される感磁部領域以外の膜厚を薄くし、その上に、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜を形成し、感磁部領域の第2の絶縁膜を削除して製造する。
また、上記磁気抵抗効果型ヘッドは、電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さ方向の全部又は主要部を、磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜と異なる材質とすることもできる。このような磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば、次のようにして容易に製造することができる。まず、基板上に下部磁気シールド膜、第1の絶縁膜、磁気抵抗センサ膜を形成し、感磁部領域以外の磁気抵抗センサ膜、第1の絶縁膜を除去する。このとき第1の絶縁膜は上部の一部だけが除去されて、一部が残っていてもよい。ついで、第2の絶縁膜を、第1の絶縁膜が実質的に除去された領域に形成する。このように、絶縁膜を2回に分けて異なる材質で形成すれば、上記の構造を容易に製造することができる。
感磁部領域の磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さを薄くすれば、下部シールド膜と上部シールド膜の間隔を薄くすることができ、高密度記録に対応できる。一方、電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さは、上記感磁部領域の絶縁膜の厚さより厚くすることによって、電極膜と下部磁気シールド膜との安定した絶縁性を確保することができる。
すなわち、本発明のMRヘッドは、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜の間隔を狭く保つことができると共に、電極膜と下部シールド膜との絶縁劣化を防止することができる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
〈実施例1〉
図1は本発明の第1の実施例のMRヘッドの媒体対抗面(浮上面)の素子部構造図、図2及び図3はその製造工程を示すための部分構造図である。基板10上に、下地膜11、厚さ2μmの下部シールド膜12を形成し、下部シールド膜12の一部、すなわち、後に形成する磁気抵抗センサ膜1の領域以外の部分を膜厚が薄くなるように、イオンミリングにより約0.5μmエッチングする。ここで形成された下部シールド膜12の凸部の幅は2μmであり、記録媒体のトラック幅に対応する。通常は1.5μmから3μmとすることが好ましい。下部シールド膜12には軟磁性膜であるNiFe膜のアモルファス合金膜を用いたが、CoNbZr等のアモルファス合金膜でもよい。
〈実施例1〉
図1は本発明の第1の実施例のMRヘッドの媒体対抗面(浮上面)の素子部構造図、図2及び図3はその製造工程を示すための部分構造図である。基板10上に、下地膜11、厚さ2μmの下部シールド膜12を形成し、下部シールド膜12の一部、すなわち、後に形成する磁気抵抗センサ膜1の領域以外の部分を膜厚が薄くなるように、イオンミリングにより約0.5μmエッチングする。ここで形成された下部シールド膜12の凸部の幅は2μmであり、記録媒体のトラック幅に対応する。通常は1.5μmから3μmとすることが好ましい。下部シールド膜12には軟磁性膜であるNiFe膜のアモルファス合金膜を用いたが、CoNbZr等のアモルファス合金膜でもよい。
続いて図2に示すように、厚さ0.1μmの第1の絶縁膜13及び厚さ約1μmの第2の絶縁膜17を形成し、ポリシング加工によって、図3に示すように第1の絶縁膜13が露出し、概略平坦面が得られるまで加工する。第1の絶縁膜13の厚さは0.05μmから0.1μmが好ましく、第2の絶縁膜17の厚さは、上記エッチングした厚さの0.5μm以上であればよい。ここで、第1の絶縁膜13には硬質でポリシング加工で加工され難いカーボン絶縁膜(ダイヤモンドライクカーボン膜)、第2の絶縁膜17にはAl2O3を用いたが、第2の絶縁膜17にはSiO2等を用いてもよい。
図4及び図5はこの平坦面を形成する上での別のやり方を示した部分構造図であり、この場合には第1の絶縁膜13が一部加工されて薄くなった状態又は加工されてなくなった状態から、再度第1の絶縁膜に相当する絶縁膜27を形成するもので機能的には図3に示す構造と同じである。
この後、図1に示す磁気抵抗センサ膜1を形成するが、この磁気抵抗センサ膜1は、図6に示す部分構造図のように3層以上の膜からなっている。図6の例ではソフトバイアス膜14、分離膜15、MR膜16を連続形成する。ここで、ソフトバイアス膜14には一般的に知られている高抵抗軟磁性合金であるNiFeCr、NiFeNb等を用い、分離膜15にはTa、MR膜16にはNiFeを用いて順次積層膜を形成して行く。
次に、図6に示すようなマスク材となるステンシル31を下部シールド膜12の膜厚が厚いところに位置合わせしてフォトレジストで形成し、イオンミリングによってソフトバイアス膜14、分離膜15、MR膜16の3層をエッチングする。このとき必要な側面テーパ角を得るために、イオンビームの入射角を45度以上の大きな値に設定して基板を回転しながらエッチングする。ここで、基板面内を確実にエッチングするためには基板面内の一部はオーバーエッチされ、図6に示すように第2の絶縁膜17も若干エッチングされてしまうことになるが、膜厚を十分厚くしているので下部シールド膜12上の第2の絶縁膜17は必要な膜厚が確保されることになる。
続いてこの状態から、ステンシル31を残したまま、図7に示すように、MR膜16に縦バイアスを印加するための縦バイアス膜18と電極膜19を連続積層する。縦バイアス膜18にはCoCrPtのハード膜、電極膜には低抵抗のTa/Au/Taを用いたが、縦バイアス膜18はNiMn/NiFeの積層膜等でもよく、電極膜はTa/W/Taの積層膜等でもよい。形成法は金属膜被着粒子の回り込みの大きな通常のスパッタ法で形成する。
いずれの方法で製造しても、本実施例では、磁気抵抗センサ膜と縦バイアス膜の下層面は実質的に平坦となっている。
この後、ステンシル31を除去すると図8に示す形状が得られる。この後図9に示すように上部ギャップ膜20、下部シールド膜と同じ材質の上部シールド膜21を形成し、図1に示すライトギャップ膜22、コイル(図示せず)、層間絶縁膜(図示せず)、ライトコア25、保護膜26、端子(図示せず)等を形成してMRヘッドを完成させる。
図10は、このMRヘッドの部分斜視図で、コイル23、層間絶縁膜24等の位置を示す。
〈実施例2〉
図11は本発明の第2の実施例のMRヘッドの媒体対抗面(浮上面)の素子部構造図、図12から図16はその製造工程を示すための部分構造図である。基板10上に下地膜11、下部シールド膜12、第1の絶縁膜13を形成し、続いて磁気抵抗センサ膜1を形成する。下部シールド膜12及び第1の絶縁膜13の材質、厚さは実施例1と同じとしたが、第1の絶縁膜13には、カーボン絶縁膜でなくて、窒化シリコン、アルミナ、チタニア等の絶縁性のある高純度金属化合物等を用いてもよい。
図11は本発明の第2の実施例のMRヘッドの媒体対抗面(浮上面)の素子部構造図、図12から図16はその製造工程を示すための部分構造図である。基板10上に下地膜11、下部シールド膜12、第1の絶縁膜13を形成し、続いて磁気抵抗センサ膜1を形成する。下部シールド膜12及び第1の絶縁膜13の材質、厚さは実施例1と同じとしたが、第1の絶縁膜13には、カーボン絶縁膜でなくて、窒化シリコン、アルミナ、チタニア等の絶縁性のある高純度金属化合物等を用いてもよい。
磁気抵抗センサ膜1は、図12に示すようにソフトバイアス膜14、分離膜15、MR膜16の3層からなっており、これらを連続形成する。これらのソフトバイアス膜14、分離膜15、MR膜16には実施例1記載の材料を用いる。
次に、図12に示すようなマスク材となるステンシル31をフォトレジストで形成し、イオンミリングによってソフトバイアス膜14、分離膜15、MR膜16の3層をエッチングするが、このとき必要な側面テーパ角を得るために、イオンビームの入射角を45度以上の大きな値に設定して基板を回転しながらエッチングしる。ここで、基板面内を確実にエッチングするためには基板面内の一部はオーバーエッチされ、図12に示すように第1の絶縁膜13が薄い場合にはこの膜もエッチングされてしまうことになる。
続いてこの状態から、ステンシルを残したまま、図13に示すように、厚さ0.2μm〜0.3μmの第2の絶縁膜17を形成するが、成膜方法は絶縁膜被着粒子32の指向性の強い方法、例えばイオンビームスパッタ法又は直進粒子を多くしたコリメーションスパッタ法等を用いて、第1の絶縁膜13の側面の一部又は全部を覆うように形成する。またこの膜は絶縁を確保する上で必要な厚さにするので、一般的な金属酸化物、金属窒化物、例えば、窒化シリコン、アルミナ、チタニア等を用いることが可能である。これにより、同一マスク材を用いて第2の絶縁膜17まで形成するので位置ずれが生じ難く、この後形成する電極膜と下部シールド膜との絶縁も確実に確保できることになる。
この後本実施例では、図14に示すように、MR膜16に縦バイアスを印加するための縦バイアス膜18を形成するが、この時MR膜側面との接触を確実にするため、Arイオンを用いて斜め方向から照射して、側面のクリーニングを事前に行うのが望ましく、縦バイアス膜18と電極膜19を連続積層する。縦バイアス膜18、電極膜19には実施例1と同じ材料を用い、形成法は金属膜被着粒子33の回り込みの大きな通常のスパッタ法で形成する。
この後、図15に示すように、ステンシル31を除去し、上部ギャップ膜20、上部シールド膜21を形成し、図11に示すライトギャップ膜22、コイル(図示せず)、層間絶縁膜(図示せず)、ライトコア25、保護膜26、端子(図示せず)等を形成してMRヘッドを完成させる。図17は、このMRヘッドの部分斜視図で、コイル23、層間絶縁膜24等の位置を示す。
図16は、第1の絶縁膜13が完全にエッチングされなかった場合の部分構造図で、電極膜19下の絶縁膜は、その厚さの大部分が第2の絶縁膜17からなり、この場合も同様な絶縁効果が得られることは明白である。
1…磁気抵抗センサ膜、10…基板、11…下地膜、12…下部シールド膜、
13…第1の絶縁膜、14…ソフトバイアス膜、15…分離膜、16…MR膜、
17…第2の絶縁膜、18…縦バイアス膜、19…電極膜、20…上部ギャップ膜、21…上部シールド膜、22…ライトギャップ膜、23…コイル、24…層間絶縁膜、25…ライトコア、26…保護膜、27…絶縁膜、31…ステンシル、32…絶縁膜被着粒子、33…金属膜被着粒子。
13…第1の絶縁膜、14…ソフトバイアス膜、15…分離膜、16…MR膜、
17…第2の絶縁膜、18…縦バイアス膜、19…電極膜、20…上部ギャップ膜、21…上部シールド膜、22…ライトギャップ膜、23…コイル、24…層間絶縁膜、25…ライトコア、26…保護膜、27…絶縁膜、31…ステンシル、32…絶縁膜被着粒子、33…金属膜被着粒子。
Claims (13)
- 基板上に第1磁気シールド膜を形成する工程と
前記第1磁気シールド膜上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上に磁気抵抗センサ膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗センサ膜上にマスクを設け、前記磁気抵抗センサ膜と前記第1絶縁膜の一部をエッチングする工程と、
前記エッチングする工程後、第2絶縁膜を前記第1絶縁膜の上に形成する工程と、
前記第2絶縁膜の上にソフトバイアス膜及び電極膜をスパッタ法により形成する工程と、
前記電極膜上にギャップ膜を介して第2磁気シールド膜を形成する工程とを有し、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜の一部がエッチングされた膜厚方向の厚みより大きい厚みをもって形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項1に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記第1と第2絶縁膜の材料は異なることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項1乃至請求項2のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗センサ膜を形成する工程は、前記ソフトバイアス膜、分離膜、磁気抵抗センサ膜を形成する工程を具備し、
前記磁気抵抗センサ膜と前記第1絶縁膜の一部をエッチングする工程において、前記磁気抵抗センサ膜の側面にテーパ角が形成され、前記第1絶縁膜の膜厚方向は完全にはエッチングされず、厚みを残すことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記エッチング工程で残された前期磁気抵抗センサ膜が感磁部領域を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項4に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記エッチング工程後にエッチングされていない前記第1絶縁膜のトラック方向の幅は、感磁部領域に対応するものであることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 第1磁気シールド膜を形成する工程と、
前記第1磁気シールド膜上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上に磁気抵抗センサ膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗センサ膜上にマスクを設け、前記磁気抵抗センサ膜と前記第1絶縁膜の一部をエッチングする工程と、
前記エッチングされた前記第1絶縁膜の上に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜の上に電極膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜の上に電極膜を形成する工程と、
前記電極膜上にギャップ膜第2磁気シールド膜を形成する工程を有し、
前記第1と第2絶縁膜の材料は異なることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項6に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記マスクは前記電極膜を形成する工程後に除去され、
前記磁気センサ膜と前記第1絶縁膜の一部をエッチングする工程において、前記磁気抵抗センサ膜の側面にテーパ角が形成され、前記第1絶縁膜の膜厚方向は完全にはエッチングされないことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項6乃至請求項7のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記エッチング工程で残された前期磁気抵抗センサ膜がトラック幅に対応し、
前記エッチング工程により前記第1絶縁膜はテーパ角を有する側面が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜の一部がエッチングされた膜厚方向の厚みより大きい厚みをもって形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 基板上に第1磁気シールド膜を形成する工程と、
前記第1磁気シールド膜上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上に磁気抵抗センサ膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗センサ膜上にマスクを設け、前記磁気抵抗センサ膜をエッチングする工程と、
前記エッチングする工程後、第2絶縁膜を前記第1絶縁膜の上に形成する工程と、
前記第2絶縁膜の上に電極膜を形成する工程と、
前記電極膜を形成する工程後に第2磁気シールド膜を形成する工程とを有し、
前記エッチング工程後にエッチングされていない前記第1絶縁膜のトラック幅方向の幅は、感磁部領域に対応することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項10に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗センサ膜をエッチングする工程において前記第1絶縁膜の一部がエッチングされ、
前記第1と第2絶縁膜の材料は異なり、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜の一部がエッチングされた膜厚方向の厚みより大きい厚みを持って形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 。
請求項10乃至請求項11のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗センサ膜を形成する工程は、前記ソフトバイアス膜、分離膜、磁気抵抗センサ膜を形成する工程を具備し、
前記磁気抵抗センサ膜と前記第1絶縁膜の一部をエッチングする工程において、前記磁気抵抗センサ膜の側面にテーパ角が形成され、前記第1絶縁膜にテーパ角を有する側面が形成されることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 請求項10乃至請求項12のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法は、
前記第2絶縁膜と前記電極膜との間に前記磁気抵抗センサ膜にバイアスを印加するための層を形成する工程と、
前記電極膜を形成する工程後で、前記第2磁気シールド膜を形成する工程前に前記マスクを除去する工程を有し、
前記エッチングする工程において、前記第1絶縁膜の膜厚方向は完全にはエッチングされず、厚みが残されることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
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