JPH0845031A - Ｍｒ読取りヘッド及びそのエア・ベアリング面（ａｂｓ）におけるリードとシールド層間の短絡を除去する方法 - Google Patents
Ｍｒ読取りヘッド及びそのエア・ベアリング面（ａｂｓ）におけるリードとシールド層間の短絡を除去する方法Info
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- JPH0845031A JPH0845031A JP7116110A JP11611095A JPH0845031A JP H0845031 A JPH0845031 A JP H0845031A JP 7116110 A JP7116110 A JP 7116110A JP 11611095 A JP11611095 A JP 11611095A JP H0845031 A JPH0845031 A JP H0845031A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ読取りヘッドのＡＢＳにおけるリードと
シールド層との間の電気的短絡を排除する方法を提供す
る。 【構成】 電気的短絡は、導電性のリードと導電性のシ
ールド層との間に延び、第１の絶縁ギャップ層及び第２
の絶縁ギャップ層を横切る、導電性の物質６４、６６の
ストリークを除去することによって排除される。フォト
レジスト層は、ＡＢＳにおいて他の薄膜表面の端部表面
と同一の幅を持つ、ＭＲストライプの端部表面上を覆っ
て形成される。ＡＢＳにおける他の薄膜層の被覆されて
いない端部表面は、被覆されていない端部表面を除去す
るために反応性イオン・エッチングの対象になる。上記
エッチングの間、フォトレジスト層により、ＭＲストラ
イプの端部表面は十分に保護される。エッチング・ステ
ップの終了後、フォトレジスト層は除去され、ＭＲ読取
りヘッド３０は、そのリードとシールド層との間の電気
的短絡が解消される。
シールド層との間の電気的短絡を排除する方法を提供す
る。 【構成】 電気的短絡は、導電性のリードと導電性のシ
ールド層との間に延び、第１の絶縁ギャップ層及び第２
の絶縁ギャップ層を横切る、導電性の物質６４、６６の
ストリークを除去することによって排除される。フォト
レジスト層は、ＡＢＳにおいて他の薄膜表面の端部表面
と同一の幅を持つ、ＭＲストライプの端部表面上を覆っ
て形成される。ＡＢＳにおける他の薄膜層の被覆されて
いない端部表面は、被覆されていない端部表面を除去す
るために反応性イオン・エッチングの対象になる。上記
エッチングの間、フォトレジスト層により、ＭＲストラ
イプの端部表面は十分に保護される。エッチング・ステ
ップの終了後、フォトレジスト層は除去され、ＭＲ読取
りヘッド３０は、そのリードとシールド層との間の電気
的短絡が解消される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＲ読取りヘッドのＡ
ＢＳにおけるリードとシールド層との間の短絡を排除す
る製造方法に関し、特にＡＢＳにおける導電性のリード
と導電性のシールド層との間に架かる導電性の材料のブ
リッジによって生じる電気的短絡を排除する製造方法に
関する。
ＢＳにおけるリードとシールド層との間の短絡を排除す
る製造方法に関し、特にＡＢＳにおける導電性のリード
と導電性のシールド層との間に架かる導電性の材料のブ
リッジによって生じる電気的短絡を排除する製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドは磁気抵
抗薄層を使用する。この磁気抵抗薄層はここではＭＲス
トライプと呼称し、回転している磁気ディスクからの磁
界に応答して抵抗変化する。抵抗変化によりＭＲヘッド
は読出し信号を作る。ＭＲストライプの読出し応答は、
抵抗変化がどれくらいよく磁界強さの変化に追従するか
による。
抗薄層を使用する。この磁気抵抗薄層はここではＭＲス
トライプと呼称し、回転している磁気ディスクからの磁
界に応答して抵抗変化する。抵抗変化によりＭＲヘッド
は読出し信号を作る。ＭＲストライプの読出し応答は、
抵抗変化がどれくらいよく磁界強さの変化に追従するか
による。
【０００３】典型的なＭＲ読取りヘッドにおけるＭＲス
トライプは、下部絶縁ギャップ層Ｇ１と上部絶縁ギャッ
プ層Ｇ２との間に挟まれる薄膜層である。絶縁ギャップ
層Ｇ１と絶縁ギャップ層Ｇ２は更に下部シールド層Ｓ１
と上部シールド層Ｓ２との間に挟まれる。これらのシー
ルド層間は"読取りギャップ"と呼ばれる。読取りギャッ
プが狭いほど、ＭＲ読取りヘッドの感度は良くなる。
トライプは、下部絶縁ギャップ層Ｇ１と上部絶縁ギャッ
プ層Ｇ２との間に挟まれる薄膜層である。絶縁ギャップ
層Ｇ１と絶縁ギャップ層Ｇ２は更に下部シールド層Ｓ１
と上部シールド層Ｓ２との間に挟まれる。これらのシー
ルド層間は"読取りギャップ"と呼ばれる。読取りギャッ
プが狭いほど、ＭＲ読取りヘッドの感度は良くなる。
【０００４】一般にＭＲストライプはＮｉＦｅ合金のパ
ーマロイから製造される。ＮｉＦｅ合金は、またＭＲ読
取りヘッドのシールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２の製造
に適している。ＭＲストライプの反対側の横方向の端部
に接続されているＭＲ読取りヘッドのリードＬ１とリー
ドＬ２は、Ｔａ、Ａｕ或いはＲｕなどの導電性の材料か
ら製造される。リードＬ１及びリードＬ２を第１のシー
ルド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２から分離する第１
のギャップ層Ｇ１及び第２のギャップ層Ｇ２は、Ａｌ2
Ｏ3などの絶縁材料から製造する。ギャップ層の絶縁能
力はリードと、第１のシールド層及び第２のシールド層
との間の電気的短絡を防止する。電気的短絡が生じる
と、検出電流が１つ以上のシールド層に分路され、ＭＲ
ストライプを介して伝えられた検出電流量が減少する。
その結果、読出し信号の振幅が大幅に小さくなる。
ーマロイから製造される。ＮｉＦｅ合金は、またＭＲ読
取りヘッドのシールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２の製造
に適している。ＭＲストライプの反対側の横方向の端部
に接続されているＭＲ読取りヘッドのリードＬ１とリー
ドＬ２は、Ｔａ、Ａｕ或いはＲｕなどの導電性の材料か
ら製造される。リードＬ１及びリードＬ２を第１のシー
ルド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２から分離する第１
のギャップ層Ｇ１及び第２のギャップ層Ｇ２は、Ａｌ2
Ｏ3などの絶縁材料から製造する。ギャップ層の絶縁能
力はリードと、第１のシールド層及び第２のシールド層
との間の電気的短絡を防止する。電気的短絡が生じる
と、検出電流が１つ以上のシールド層に分路され、ＭＲ
ストライプを介して伝えられた検出電流量が減少する。
その結果、読出し信号の振幅が大幅に小さくなる。
【０００５】ＭＲストライプ、対のリード、対の絶縁ギ
ャップ層Ｇ１及び絶縁ギャップ層Ｇ２、並びに対のシー
ルド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２を製造後、これらの層は
研磨されてＡＢＳを形成する。これらの層の研磨後、Ｍ
Ｒストライプ、リードＬ１及びリードＬ２、第１の絶縁
ギャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２、並びに
第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２のそれ
ぞれの端部表面はＡＢＳの一部を形成する。よく知られ
ているように研磨プロセスは、リードとシールド層との
間にあり、導電性の物質のストリーク（streak）を形成
することが多く、このストリークが電流を通す短絡回路
となる。この導電性の物質は、１つ以上の第１の絶縁ギ
ャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２を横切って
ストリークを形成する。従来技術では、研磨プロセスに
よるストリークの発生のため、ＭＲ読取りヘッドの生産
性が著しく低下した。試験後、電気的短絡を有するＭＲ
読取りヘッドは単に廃棄された。これは電気的短絡回路
は検出電流をシールド層に分路するからであり、そのた
めＭＲ読取りヘッドのオペレーション中、ノイズを作り
出すからである。ＡＢＳの絶縁ギャップ層を横切る電気
的短絡を有するＭＲ読取りヘッドを再生することによっ
て、生産の歩留りの増加が望まれる。
ャップ層Ｇ１及び絶縁ギャップ層Ｇ２、並びに対のシー
ルド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２を製造後、これらの層は
研磨されてＡＢＳを形成する。これらの層の研磨後、Ｍ
Ｒストライプ、リードＬ１及びリードＬ２、第１の絶縁
ギャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２、並びに
第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２のそれ
ぞれの端部表面はＡＢＳの一部を形成する。よく知られ
ているように研磨プロセスは、リードとシールド層との
間にあり、導電性の物質のストリーク（streak）を形成
することが多く、このストリークが電流を通す短絡回路
となる。この導電性の物質は、１つ以上の第１の絶縁ギ
ャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２を横切って
ストリークを形成する。従来技術では、研磨プロセスに
よるストリークの発生のため、ＭＲ読取りヘッドの生産
性が著しく低下した。試験後、電気的短絡を有するＭＲ
読取りヘッドは単に廃棄された。これは電気的短絡回路
は検出電流をシールド層に分路するからであり、そのた
めＭＲ読取りヘッドのオペレーション中、ノイズを作り
出すからである。ＡＢＳの絶縁ギャップ層を横切る電気
的短絡を有するＭＲ読取りヘッドを再生することによっ
て、生産の歩留りの増加が望まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＭＲ
読取りヘッドのＡＢＳにおけるリードとシールド層との
短絡を排除する方法を提供することである。
読取りヘッドのＡＢＳにおけるリードとシールド層との
短絡を排除する方法を提供することである。
【０００７】本発明の別の目的は、ＡＢＳにおけるリー
ドの端部表面と導電性のシールド層の端部表面との間の
電気的短絡の問題を克服することである。
ドの端部表面と導電性のシールド層の端部表面との間の
電気的短絡の問題を克服することである。
【０００８】本発明の別の目的は、ＭＲ読取りヘッドで
の薄膜形成後の薄膜の研磨プロセスによって生じた、Ｍ
Ｒ読取りヘッドのＡＢＳにおける第１のギャップ層の端
部表面及び第２のギャップ層の端部表面を横切る導電性
の物質のストリークを除去する方法を提供することであ
る。
の薄膜形成後の薄膜の研磨プロセスによって生じた、Ｍ
Ｒ読取りヘッドのＡＢＳにおける第１のギャップ層の端
部表面及び第２のギャップ層の端部表面を横切る導電性
の物質のストリークを除去する方法を提供することであ
る。
【０００９】本発明の別の目的は、研磨後にＭＲ読取り
ヘッドのリードの端部表面と導電性のシールド層の端部
表面との間の電気的短絡を除去することによって、複数
のＭＲ読取りヘッドのバッチ製造における高い歩留りを
与えることである。
ヘッドのリードの端部表面と導電性のシールド層の端部
表面との間の電気的短絡を除去することによって、複数
のＭＲ読取りヘッドのバッチ製造における高い歩留りを
与えることである。
【００１０】本発明の前記及び他の目的は、以下の説明
によって当業者に明らかになる。
によって当業者に明らかになる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来技術にお
いてＡＢＳの形成のための研磨プロセスで発生する、リ
ードＬ１及びリードＬ２と、第１のシールド層Ｓ１及び
第２のシールド層Ｓ２との間で生じる電気的短絡回路の
形成を排除する。これはリードＬ１及びリードＬ２と、
シールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２との間で延びる、Ａ
ＢＳにおける導電性の物質のストリークを排除する方法
によって達成される。本発明の方法では、第１の絶縁ギ
ャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２の端部はＡ
ＢＳでエッチングされ、対のリードＬ１及びリードＬ２
と、第１の導電性のシールド層Ｓ１及び第２の導電性の
シールド層Ｓ２との間の何れの導電性の物質のブリッジ
を除去する。しかしながら、エッチング・ステップが行
われる前に、ＡＢＳでのＭＲストライプの端部はエッチ
ングされないような保護を要する。これは、ＡＢＳにお
けるＭＲストライプの端部表面上部にレジスト層を形成
することによって達成できる。好ましい実施例における
このレジスト層の形成は、ＭＲストライプの端部表面だ
けではなく、第１の絶縁ギャップ層Ｇ１及び第２の絶縁
ギャップ層Ｇ２、並びに第１のシールド層Ｓ１及び第２
のシールド層Ｓ２の端部表面を覆う。これらの層の幅は
ＡＢＳにおけるＭＲストライプの幅と同方向に延びる。
これはＭＲ読取りヘッドのＡＢＳにおける層に対して横
方向へ延びるレジスト層のストリップとなる。好ましい
実施例ではこのストリップは、ＭＲヘッドの横方向の幅
を僅かに越えて延びるのに十分な大きさの横方向の幅を
有し、各リードの一部を覆うのでＭＲストライプに隣接
するどの安定化層をも保護する。レジスト層の形成後、
ＭＲ読取りヘッドはＡＢＳでエッチングされ、リードと
シールド層との間に架かる導電性の物質のブリッジを取
り去る。好ましいエッチングは反応性イオン・エッチン
グ（ＲＩＥ）である。これは電気的短絡の除去に特に効
果的であり、僅か約５００ の厚さの被覆されていない
端部表面を取り去る。５００ の厚さの物質の除去はＭ
Ｒ読取りヘッドの性能を変えずに、リードＬ１及びリー
ドＬ２と、導電性のシールド層Ｓ１及び導電性のシール
ド層Ｓ２との間の導電性の物質のブリッジを除去するの
に効果的である。本発明の方法は、複数のＭＲ読取りヘ
ッドのバッチ製造、すなわち横列と縦列に配置された複
合ＭＲヘッドに対して特に適する。複数のレジスト層の
ストリップがＭＲストライプの縦列上に形成され、次
に、横列の全体のバッチはＲＩＥによってエッチングさ
れ、ＡＢＳにおける第１のギャップ層及び第２のギャッ
プ層を横切る導電性の物質のストリークを除去する。
いてＡＢＳの形成のための研磨プロセスで発生する、リ
ードＬ１及びリードＬ２と、第１のシールド層Ｓ１及び
第２のシールド層Ｓ２との間で生じる電気的短絡回路の
形成を排除する。これはリードＬ１及びリードＬ２と、
シールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２との間で延びる、Ａ
ＢＳにおける導電性の物質のストリークを排除する方法
によって達成される。本発明の方法では、第１の絶縁ギ
ャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２の端部はＡ
ＢＳでエッチングされ、対のリードＬ１及びリードＬ２
と、第１の導電性のシールド層Ｓ１及び第２の導電性の
シールド層Ｓ２との間の何れの導電性の物質のブリッジ
を除去する。しかしながら、エッチング・ステップが行
われる前に、ＡＢＳでのＭＲストライプの端部はエッチ
ングされないような保護を要する。これは、ＡＢＳにお
けるＭＲストライプの端部表面上部にレジスト層を形成
することによって達成できる。好ましい実施例における
このレジスト層の形成は、ＭＲストライプの端部表面だ
けではなく、第１の絶縁ギャップ層Ｇ１及び第２の絶縁
ギャップ層Ｇ２、並びに第１のシールド層Ｓ１及び第２
のシールド層Ｓ２の端部表面を覆う。これらの層の幅は
ＡＢＳにおけるＭＲストライプの幅と同方向に延びる。
これはＭＲ読取りヘッドのＡＢＳにおける層に対して横
方向へ延びるレジスト層のストリップとなる。好ましい
実施例ではこのストリップは、ＭＲヘッドの横方向の幅
を僅かに越えて延びるのに十分な大きさの横方向の幅を
有し、各リードの一部を覆うのでＭＲストライプに隣接
するどの安定化層をも保護する。レジスト層の形成後、
ＭＲ読取りヘッドはＡＢＳでエッチングされ、リードと
シールド層との間に架かる導電性の物質のブリッジを取
り去る。好ましいエッチングは反応性イオン・エッチン
グ（ＲＩＥ）である。これは電気的短絡の除去に特に効
果的であり、僅か約５００ の厚さの被覆されていない
端部表面を取り去る。５００ の厚さの物質の除去はＭ
Ｒ読取りヘッドの性能を変えずに、リードＬ１及びリー
ドＬ２と、導電性のシールド層Ｓ１及び導電性のシール
ド層Ｓ２との間の導電性の物質のブリッジを除去するの
に効果的である。本発明の方法は、複数のＭＲ読取りヘ
ッドのバッチ製造、すなわち横列と縦列に配置された複
合ＭＲヘッドに対して特に適する。複数のレジスト層の
ストリップがＭＲストライプの縦列上に形成され、次
に、横列の全体のバッチはＲＩＥによってエッチングさ
れ、ＡＢＳにおける第１のギャップ層及び第２のギャッ
プ層を横切る導電性の物質のストリークを除去する。
【００１２】
【実施例】ここで諸図を参照するに、各図における同一
の参照番号は、同一或いは類似する部品を示す。図１は
回転可能な磁気ディスク２２を含む磁気ディスク駆動装
置２０を示す。磁気ディスク２２は、駆動制御回路２８
によって制御されるモータ２６によって回転するスピン
ドル２４によって支持されている。薄膜ＭＲ読取りヘッ
ド３０は、サスペンション３４によって支持されている
スライダ３２上に取り付けられている。一般に書込みヘ
ッド（図示なし）はＭＲ読取りヘッド３０と一体化され
ているので、信号は同じスライダ３２で読み書きでき
る。磁気ディスク２２に対する一体化されたヘッドから
の信号の往来、及び前記ヘッドの動きは磁気ヘッドの信
号と制御３６によって制御される。磁気ディスク２２が
回転すると、その回転で生じるエア・クッション（エア
・ベアリング）によってスライダ３２はディスク上に支
持される。磁気ディスク２２の回転中、ヘッド３０は図
２の３８で示される円形のデータ・トラックと対応する
変換位置に置かれる。スライダ３２及びヘッド３０の下
部表面は、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）と呼ばれる面
である。ディスクが回転している場合、ＡＢＳは０．０
７５μｍほど磁気ディスク２２の表面から離れている。
上述の部品はハウジング４０内に取り付けられている。
の参照番号は、同一或いは類似する部品を示す。図１は
回転可能な磁気ディスク２２を含む磁気ディスク駆動装
置２０を示す。磁気ディスク２２は、駆動制御回路２８
によって制御されるモータ２６によって回転するスピン
ドル２４によって支持されている。薄膜ＭＲ読取りヘッ
ド３０は、サスペンション３４によって支持されている
スライダ３２上に取り付けられている。一般に書込みヘ
ッド（図示なし）はＭＲ読取りヘッド３０と一体化され
ているので、信号は同じスライダ３２で読み書きでき
る。磁気ディスク２２に対する一体化されたヘッドから
の信号の往来、及び前記ヘッドの動きは磁気ヘッドの信
号と制御３６によって制御される。磁気ディスク２２が
回転すると、その回転で生じるエア・クッション（エア
・ベアリング）によってスライダ３２はディスク上に支
持される。磁気ディスク２２の回転中、ヘッド３０は図
２の３８で示される円形のデータ・トラックと対応する
変換位置に置かれる。スライダ３２及びヘッド３０の下
部表面は、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）と呼ばれる面
である。ディスクが回転している場合、ＡＢＳは０．０
７５μｍほど磁気ディスク２２の表面から離れている。
上述の部品はハウジング４０内に取り付けられている。
【００１３】ＭＲ読取りヘッド３０は、図２で概略して
示されているように、円形のトラック３８上にＭＲ層、
すなわちストライプ４２を有する。図３を参照すると、
ＭＲストライプは、シールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２
に挟まれた対の絶縁ギャップ層Ｇ１及び絶縁ギャップ層
Ｇ２の間にある。ＭＲ読取りヘッドの完全な構造体の詳
細な説明は、HeimとGillによる米国特許出願第１０３４
８７号に記載されているので参照されたい。ＭＲ読取り
ヘッドの全ての層は薄膜であり、よく知られているフレ
ーム・メッキ及びフォトエッチング技術によって作られ
る。図２で示されるように、ＭＲストライプ４２は第１
の膜面４４と第２の膜面４６とを有する薄膜である。こ
れらの膜面４４と４６は、側面端部４７と側面端部４
８、上部端部４９と下部端部５０とによって囲まれてお
り、下部端部５０はＭＲ読取りヘッドのＡＢＳの一部を
形成する。
示されているように、円形のトラック３８上にＭＲ層、
すなわちストライプ４２を有する。図３を参照すると、
ＭＲストライプは、シールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２
に挟まれた対の絶縁ギャップ層Ｇ１及び絶縁ギャップ層
Ｇ２の間にある。ＭＲ読取りヘッドの完全な構造体の詳
細な説明は、HeimとGillによる米国特許出願第１０３４
８７号に記載されているので参照されたい。ＭＲ読取り
ヘッドの全ての層は薄膜であり、よく知られているフレ
ーム・メッキ及びフォトエッチング技術によって作られ
る。図２で示されるように、ＭＲストライプ４２は第１
の膜面４４と第２の膜面４６とを有する薄膜である。こ
れらの膜面４４と４６は、側面端部４７と側面端部４
８、上部端部４９と下部端部５０とによって囲まれてお
り、下部端部５０はＭＲ読取りヘッドのＡＢＳの一部を
形成する。
【００１４】ＭＲストライプの下部端部表面５０が図３
で示されている。ＭＲストライプの側面端部４７及び側
面端部４８に接続されているのは、第１のリードＬ１及
び第２のリードＬ２である。リードＬ１及びリードＬ２
は、また、ＡＢＳの一部を形成する端部表面５２及び端
部表面５４をそれぞれ有する。同様に第１のギャップ層
Ｇ１及び第２のギャップ層Ｇ２は、ＡＢＳの一部を形成
する端部表面５６及び端部表面５８をそれぞれ有する。
同じように、第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド
層Ｓ２は、ＡＢＳの一部を形成する端部表面６０及び端
部表面６２をそれぞれ有する。
で示されている。ＭＲストライプの側面端部４７及び側
面端部４８に接続されているのは、第１のリードＬ１及
び第２のリードＬ２である。リードＬ１及びリードＬ２
は、また、ＡＢＳの一部を形成する端部表面５２及び端
部表面５４をそれぞれ有する。同様に第１のギャップ層
Ｇ１及び第２のギャップ層Ｇ２は、ＡＢＳの一部を形成
する端部表面５６及び端部表面５８をそれぞれ有する。
同じように、第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド
層Ｓ２は、ＡＢＳの一部を形成する端部表面６０及び端
部表面６２をそれぞれ有する。
【００１５】ＭＲ読取りヘッドの薄膜層の形成後、ＭＲ
読取りヘッドは、層の膜面に対して横方向の精密な研磨
プロセスが行われ研磨される。この研磨がＡＢＳを形成
する。残念なことに、研磨することによりリードＬ１及
びリードＬ２の端部表面と、第１のシールド層Ｓ１及び
第２のシールド層Ｓ２の端部表面との間において、図３
で示される導電性の物質６４、６６でストリークが形成
されることがおおい。この物質は、主に大きいシールド
層Ｓ１とシールド層Ｓ２からくる。このためギャップ層
Ｇ１及びギャップ層Ｇ２の機能が低下させられる。リー
ドＬ１及びリードＬ２と、シールド層Ｓ１及びシールド
層Ｓ２との間でストリークされた物質６４と６６はリー
ドをシールド層に短絡させ、ＭＲストライプ５０によっ
て生じた検出電流の大きさを著しく低下させる。検出電
流の大きさの減少は、読出し信号振幅を小さくし、ＭＲ
読取りヘッドを実質的に使用不可能にする。生産中にこ
れらの使用不可能のＭＲ読取りヘッドは廃棄され、生産
歩留りを低下させる。
読取りヘッドは、層の膜面に対して横方向の精密な研磨
プロセスが行われ研磨される。この研磨がＡＢＳを形成
する。残念なことに、研磨することによりリードＬ１及
びリードＬ２の端部表面と、第１のシールド層Ｓ１及び
第２のシールド層Ｓ２の端部表面との間において、図３
で示される導電性の物質６４、６６でストリークが形成
されることがおおい。この物質は、主に大きいシールド
層Ｓ１とシールド層Ｓ２からくる。このためギャップ層
Ｇ１及びギャップ層Ｇ２の機能が低下させられる。リー
ドＬ１及びリードＬ２と、シールド層Ｓ１及びシールド
層Ｓ２との間でストリークされた物質６４と６６はリー
ドをシールド層に短絡させ、ＭＲストライプ５０によっ
て生じた検出電流の大きさを著しく低下させる。検出電
流の大きさの減少は、読出し信号振幅を小さくし、ＭＲ
読取りヘッドを実質的に使用不可能にする。生産中にこ
れらの使用不可能のＭＲ読取りヘッドは廃棄され、生産
歩留りを低下させる。
【００１６】ＭＲ読取りヘッドの薄膜層の一般的な材料
はよく知られている。ＭＲストライプは、ＮｉＦｅ合金
であるパーマロイから製造される。導電性のリードＬ１
及びリードＬ２には、Ｔａ、Ａｕ、Ｔａの層が含まれ
る。第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２に
はそれぞれ、センダスト及びパーマロイの層が含まれ
る。第１のギャップ層Ｇ１及び第２のギャップ層Ｇ２は
Ａｌ2Ｏ3製である。リードＬ１及びリードＬ２の端部表
面と、シールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２の端部表面と
の間に架かるブリッジである、図３に示される導電性の
物質６４及び６６のストリークは、研磨作業によって生
じる。本発明の方法は、リードＬ１とシールド層Ｓ１と
の間、並びにリードＬ２とシールド層Ｓ２との間にある
ストリークの電気的短絡回路を排除するのに、第１の絶
縁ギャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２のそれ
ぞれの端部表面５６、５８を実質的にエッチングする。
はよく知られている。ＭＲストライプは、ＮｉＦｅ合金
であるパーマロイから製造される。導電性のリードＬ１
及びリードＬ２には、Ｔａ、Ａｕ、Ｔａの層が含まれ
る。第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２に
はそれぞれ、センダスト及びパーマロイの層が含まれ
る。第１のギャップ層Ｇ１及び第２のギャップ層Ｇ２は
Ａｌ2Ｏ3製である。リードＬ１及びリードＬ２の端部表
面と、シールド層Ｓ１及びシールド層Ｓ２の端部表面と
の間に架かるブリッジである、図３に示される導電性の
物質６４及び６６のストリークは、研磨作業によって生
じる。本発明の方法は、リードＬ１とシールド層Ｓ１と
の間、並びにリードＬ２とシールド層Ｓ２との間にある
ストリークの電気的短絡回路を排除するのに、第１の絶
縁ギャップ層Ｇ１及び第２の絶縁ギャップ層Ｇ２のそれ
ぞれの端部表面５６、５８を実質的にエッチングする。
【００１７】第１の絶縁ギャップ層Ｇ１及び第２の絶縁
ギャップ層Ｇ２のそれぞれの端部表面５６、５８をエッ
チングする方法には、ＭＲストライプの端部表面５０を
エッチングしないことが非常に重要である。ＭＲストリ
ップの端部表面５０を保護するために、図４で示される
ように、フォトレジスト層のストリップ７０がＡＢＳに
おけるＭＲストライプの端部表面５０上に付着される。
このフォトレジスト層は、ＭＲ読取りヘッドの薄膜層の
膜面に垂直に延びるフォトレジスト層のストリップ７０
であることが好ましい。この様に、フォトレジスト層の
ストリップ７０は、また第１のギャップ層Ｇ１及び第２
のギャップ層Ｇ２のそれぞれの端部表面５６及び５８
と、第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２の
それぞれの端部表面６０及び６２とを覆い、これらの層
はＭＲストライプの端部表面５０と幅が実質的に同一の
幅を持つ。しかしながら、フォトレジスト層のストリッ
プ７０の幅は、ＡＢＳでのＭＲストライプの端部表面５
０の横方向の幅を僅かに越えて延びることに注目する。
この特別な幅は、ＭＲストライプの側面端部に接続され
るリードＬ１及びリードＬ２の端部表面の一部を覆う。
図４で示されるように、ＭＲストライプの各側面の特別
な幅"ｄ"は、約５μｍであることが望ましい。これはＭ
Ｒストライプを安定させるのに利用される、どのハード
・バイアス層の保護をも保証する。
ギャップ層Ｇ２のそれぞれの端部表面５６、５８をエッ
チングする方法には、ＭＲストライプの端部表面５０を
エッチングしないことが非常に重要である。ＭＲストリ
ップの端部表面５０を保護するために、図４で示される
ように、フォトレジスト層のストリップ７０がＡＢＳに
おけるＭＲストライプの端部表面５０上に付着される。
このフォトレジスト層は、ＭＲ読取りヘッドの薄膜層の
膜面に垂直に延びるフォトレジスト層のストリップ７０
であることが好ましい。この様に、フォトレジスト層の
ストリップ７０は、また第１のギャップ層Ｇ１及び第２
のギャップ層Ｇ２のそれぞれの端部表面５６及び５８
と、第１のシールド層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２の
それぞれの端部表面６０及び６２とを覆い、これらの層
はＭＲストライプの端部表面５０と幅が実質的に同一の
幅を持つ。しかしながら、フォトレジスト層のストリッ
プ７０の幅は、ＡＢＳでのＭＲストライプの端部表面５
０の横方向の幅を僅かに越えて延びることに注目する。
この特別な幅は、ＭＲストライプの側面端部に接続され
るリードＬ１及びリードＬ２の端部表面の一部を覆う。
図４で示されるように、ＭＲストライプの各側面の特別
な幅"ｄ"は、約５μｍであることが望ましい。これはＭ
Ｒストライプを安定させるのに利用される、どのハード
・バイアス層の保護をも保証する。
【００１８】図５で示されるように、レジスト層のスト
リップ７０の厚さは実質的に１０μｍであることが好ま
しい。これは薄膜層の覆いのない端部表面が、エッチン
グの好ましい方法である反応性イオン・エッチング（Ｒ
ＩＥ）でエッチングされる場合、ＭＲストライプを保護
するレジスト層の最適の厚さであることがわかってい
る。反応性イオン・エッチングは、図５で示されるステ
ップの実行中、ＡＢＳでの覆いのない薄膜層の端部表面
の厚さ約５００ を除去するのに使われる。これは、図
３、図４、図５で示される導電性の物質６４及び６６の
ストリークを除去するのに十分であり、１０μｍの厚さ
のフォトレジスト層のストリップ７０によって覆われた
ＭＲストライプを損傷しない。図６は、反応性イオン・
エッチングのステップ、並びにフォトレジスト層のスト
リップ７０を除去した後のＭＲ読取りヘッドにおけるＡ
ＢＳの図を示す。図３、図４、図５で示される導電性の
ストリーク６４及び６６は除去され、以前には使用不可
能であったＭＲ読取りヘッドが意図された目的のために
十分に使用できることになる。
リップ７０の厚さは実質的に１０μｍであることが好ま
しい。これは薄膜層の覆いのない端部表面が、エッチン
グの好ましい方法である反応性イオン・エッチング（Ｒ
ＩＥ）でエッチングされる場合、ＭＲストライプを保護
するレジスト層の最適の厚さであることがわかってい
る。反応性イオン・エッチングは、図５で示されるステ
ップの実行中、ＡＢＳでの覆いのない薄膜層の端部表面
の厚さ約５００ を除去するのに使われる。これは、図
３、図４、図５で示される導電性の物質６４及び６６の
ストリークを除去するのに十分であり、１０μｍの厚さ
のフォトレジスト層のストリップ７０によって覆われた
ＭＲストライプを損傷しない。図６は、反応性イオン・
エッチングのステップ、並びにフォトレジスト層のスト
リップ７０を除去した後のＭＲ読取りヘッドにおけるＡ
ＢＳの図を示す。図３、図４、図５で示される導電性の
ストリーク６４及び６６は除去され、以前には使用不可
能であったＭＲ読取りヘッドが意図された目的のために
十分に使用できることになる。
【００１９】フォトレジスト層の形成において、およそ
１０μｍの厚さのフォトレジストが、ＭＲ読取りヘッ
ド、及びその基板上に引き伸ばされることを理解された
い。フォトレジストの不必要な領域は現像され、並びに
エッチングされるＭＲ読取りヘッドの多様な薄膜層の端
部表面の覆いが溶液で除去される。エッチング・プロセ
ス後、ＭＲストライプを保護するために残っているフォ
トレジスト層は、溶液で溶かして除去する。
１０μｍの厚さのフォトレジストが、ＭＲ読取りヘッ
ド、及びその基板上に引き伸ばされることを理解された
い。フォトレジストの不必要な領域は現像され、並びに
エッチングされるＭＲ読取りヘッドの多様な薄膜層の端
部表面の覆いが溶液で除去される。エッチング・プロセ
ス後、ＭＲストライプを保護するために残っているフォ
トレジスト層は、溶液で溶かして除去する。
【００２０】図７、図８、図９は複数のＭＲ読取りヘッ
ドのリードとシールド層との間にある電気的短絡を除去
するバッチ製造方法を示す。ＭＲ読取りヘッドは、細長
い基板８０上に連続して形成される。細長い基板８０は
図７で示されるように、横列と縦列に配置されたＭＲ読
取りヘッドとエポキシ結合などによって付着される。こ
の配列でＭＲストライプは、複数の縦列に一直線に揃
う。図８と図９に示すように１０μｍの厚さが最適であ
るフォトレジスト層は、縦列でＭＲストライプを覆うよ
うにＭＲストライプの各縦列上に形成され、前述のよう
に各横方向の側面上のリードＬ１及びリードＬ２の一部
を覆うのが好ましい。図８に示すように、これらのフォ
トレジスト層のストリップ９０は、ＭＲ読取りヘッドの
薄膜層に対して垂直に延びる細長いストリップであり、
及び基板８０の水平軸に対して垂直に延びる。被覆され
ていない残留部は、リードＬ１及びリードＬ２の端部表
面、絶縁ギャップ層Ｇ１及び絶縁ギャップ層Ｇ２の端部
表面、並びに導電性のシールド層Ｓ１及び導電性のシー
ルド層Ｓ２の端部表面の残りであり、これは図３乃至図
６の単一のＭＲ読取りヘッドで説明されている。
ドのリードとシールド層との間にある電気的短絡を除去
するバッチ製造方法を示す。ＭＲ読取りヘッドは、細長
い基板８０上に連続して形成される。細長い基板８０は
図７で示されるように、横列と縦列に配置されたＭＲ読
取りヘッドとエポキシ結合などによって付着される。こ
の配列でＭＲストライプは、複数の縦列に一直線に揃
う。図８と図９に示すように１０μｍの厚さが最適であ
るフォトレジスト層は、縦列でＭＲストライプを覆うよ
うにＭＲストライプの各縦列上に形成され、前述のよう
に各横方向の側面上のリードＬ１及びリードＬ２の一部
を覆うのが好ましい。図８に示すように、これらのフォ
トレジスト層のストリップ９０は、ＭＲ読取りヘッドの
薄膜層に対して垂直に延びる細長いストリップであり、
及び基板８０の水平軸に対して垂直に延びる。被覆され
ていない残留部は、リードＬ１及びリードＬ２の端部表
面、絶縁ギャップ層Ｇ１及び絶縁ギャップ層Ｇ２の端部
表面、並びに導電性のシールド層Ｓ１及び導電性のシー
ルド層Ｓ２の端部表面の残りであり、これは図３乃至図
６の単一のＭＲ読取りヘッドで説明されている。
【００２１】図９に示すようにフォトレジスト層のスト
リップ９０を形成後、ＭＲ読取りヘッドの横列と縦列は
反応性イオン・エッチングの対象になる。前述のように
このエッチングは、ＭＲ読取りヘッドのＡＢＳにおける
被覆されていない端部表面の僅か約５００オングストロ
ームの厚さを除去するために使われる。１０μｍの厚さ
のフォトレジスト層のストリップ９０は、このエッチン
グ・プロセスからＭＲストライプを十分に保護する。エ
ッチング・プロセスの終了後、フォトレジスト層のスト
リップ９０は除去され、並びに基板８０はウエハ（図示
なし）から取り外され、基板８０は個々のＭＲ読取りヘ
ッドを与えるためにさいの目に切断される。そのうちの
１つが図６に示されている。
リップ９０を形成後、ＭＲ読取りヘッドの横列と縦列は
反応性イオン・エッチングの対象になる。前述のように
このエッチングは、ＭＲ読取りヘッドのＡＢＳにおける
被覆されていない端部表面の僅か約５００オングストロ
ームの厚さを除去するために使われる。１０μｍの厚さ
のフォトレジスト層のストリップ９０は、このエッチン
グ・プロセスからＭＲストライプを十分に保護する。エ
ッチング・プロセスの終了後、フォトレジスト層のスト
リップ９０は除去され、並びに基板８０はウエハ（図示
なし）から取り外され、基板８０は個々のＭＲ読取りヘ
ッドを与えるためにさいの目に切断される。そのうちの
１つが図６に示されている。
【００２２】本発明は、リードとシールド層との間の電
気的短絡を除去する、ＭＲストライプのバッチ生産に特
に有用である。図７に示すようにＭＲストライプを一直
線に合わせることによってフォトレジスト層は、図８で
示されるようにＭＲストライプの各縦列に沿うストリッ
プを簡単に形成できる。エッチング・プロセスは、リー
ドとシールド層との間に明らかに電気的短絡を持たない
あるＭＲヘッドをエッチングする。しかしながら、リー
ドとシールド層との間に電気的短絡を持つＭＲヘッドが
助けられるので、ＡＢＳでの電気的短絡のカテゴリ内に
て１００％の歩留りが得られる。
気的短絡を除去する、ＭＲストライプのバッチ生産に特
に有用である。図７に示すようにＭＲストライプを一直
線に合わせることによってフォトレジスト層は、図８で
示されるようにＭＲストライプの各縦列に沿うストリッ
プを簡単に形成できる。エッチング・プロセスは、リー
ドとシールド層との間に明らかに電気的短絡を持たない
あるＭＲヘッドをエッチングする。しかしながら、リー
ドとシールド層との間に電気的短絡を持つＭＲヘッドが
助けられるので、ＡＢＳでの電気的短絡のカテゴリ内に
て１００％の歩留りが得られる。
【００２３】明らかに本発明の他の実施例及び変更が、
これらの教示を考慮して当業者によって行われる。従っ
て、本発明は以下の請求項だけによって制限される。請
求項は、上述の説明と添付の図面に関連する実施例と変
更を含む。
これらの教示を考慮して当業者によって行われる。従っ
て、本発明は以下の請求項だけによって制限される。請
求項は、上述の説明と添付の図面に関連する実施例と変
更を含む。
【００２４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００２５】（１）磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドのエ
ア・ベアリング面（ＡＢＳ）における、リードとシール
ドとの短絡を除去する方法であって、前記ＭＲ読取りヘ
ッドは、第１及び第２の絶縁ギャップ層間に挟まれたＭ
Ｒストライプ及び一対の導電性のリードとを含み、前記
第１及び第２の絶縁ギャップ層は、第１及び第２の導電
性シールド層間に挟まれ、前記ＭＲストライプ、前記一
対の導電性のリード、前記第１及び第２の絶縁ギャップ
層、及び前記第１及び第２の導電性シールド層の各々
が、前記ＭＲ読取りヘッドの前記ＡＢＳの端部表面を有
し、前記一対のリードが前記ＭＲストライプの前記端部
表面の反対の端部において前記ＭＲストライプと接続さ
れており、前記方法は、前記第１及び第２の絶縁ギャッ
プ層の端部表面をエッチングして、前記一対のリードと
前記一対の導電性シールド層との間を導電性物質を除去
するステップと、前記除去するステップの間、前記ＭＲ
ストライプの端部表面をエッチングから保護するステッ
プと、を有することを特徴とする、方法。 （２）ＭＲストライプの端部表面を保護する前記ステッ
プは、前記ＭＲストライプと、前記第１及び第２の絶縁
ギャップ層と、前記第１及び第２の導電性のシールド層
とを覆うためにレジスト層を前記エア・ベアリング面上
に付着させるステップを有し、前記レジスト層の幅は前
記ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅を持つ、前
記（１）記載の方法。 （３）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、実質的に１０μｍの厚さのレジスト層
を付着させるステップを含む、前記（２）記載の方法。 （４）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、また、前記ＭＲストライプの端部表面
の対応する端部から各導電性のリードの各端部表面の一
部を覆う、前記（２）記載の方法。 （５）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、ＭＲストライプの端部表面の対応する
端部から各導電性のリードの各端部表面の１μｍ乃至５
μｍの幅を覆う、前記（４）記載の方法。 （６）前記ＭＲストライプ、前記第１及び第２の絶縁ギ
ャップ層、前記第１及び第２の導電性のシールド層、の
各端部表面を実質的に１０μｍの幅のレジスト層で覆
い、前記レジスト層は、前記ＭＲストライプに対して同
一の幅を持つ、前記（２）記載の方法。 （７）前記除去するステップは、前記一対の導電性のリ
ードと、前記第１及び第２の導電性のシールド層との間
の、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層を横切る導電性
物質を除去するために、前記第１及び第２の絶縁ギャッ
プ層の各端部表面を反応性イオン・エッチングするステ
ップを含む、前記（２）記載の方法。 （８）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、実質的に１０μｍの厚さのレジスト層
を付着するステップを含む、前記（７）記載の方法。 （９）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、また、前記ＭＲストライプの端部表面
の対応する端部から各導電性のリードの各端部表面の一
部を覆う、前記（８）記載の方法。 （１０）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させ
る前記ステップは、ＭＲストライプの端部表面の対応す
る端部から各導電性のリードの各端部表面の１μｍ乃至
５μｍの幅を覆う、前記（９）記載の方法。 （１１）行列状に配列された複数の磁気抵抗（ＭＲ）読
取りヘッドのエア・ベアリング面（ＡＢＳ）における、
リードとシールドとの電気的短絡を除去する方法であっ
て、各ＭＲ読取りヘッドは、第１及び第２の絶縁ギャッ
プ層間に挟まれたＭＲストライプ及び一対の導電性のリ
ードとを含み、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層は、
第１及び第２の導電性シールド層間に挟まれ、前記ＭＲ
ストライプ、前記一対の導電性のリード、前記第１及び
第２の絶縁ギャップ層、及び前記第１及び第２の導電性
シールド層の各々が、前記ＭＲ読取りヘッドの前記ＡＢ
Ｓの端部表面を有し、前記一対のリードが対応するＭＲ
ストライプの前記端部表面の反対の端部において前記Ｍ
Ｒストライプと接続されており、前記方法は、ＭＲスト
ライプの各縦列上にレジスト層を付着させるステップ
と、各ＭＲ読取りヘッドの前記第１及び第２の絶縁ギャ
ップ層の前記端部表面をエッチングするために、ＭＲス
トライプの縦列の間を反応性イオン・エッチングして、
各ＭＲヘッドの、前記一対のリードと前記第１及び第２
の導電性シールド層との間の導電性物質を除去するステ
ップと、を有することを特徴とする、方法。 （１２）レジスト層を付着する前記ステップは、ＭＲス
トライプの各縦列上に実質的に１０μｍの厚さのレジス
ト層を付着するステップを含む、前記（１１）記載の方
法。 （１３）レジスト層を付着する前記ステップは、前記Ｍ
Ｒストライプに隣接する各導電性のリードの一部を覆
う、前記（１２）記載の方法。 （１４）第１及び第２の絶縁ギャップ層と、第１及び第
２の絶縁ギャップ層に挟まれた、ＭＲストライプ及び一
対の導電性のリードと、第１及び第２の導電性のシール
ド層と、前記第１及び第２の導電性のシールド層に挟ま
れた第１及び第２の絶縁ギャップ層と、エア・ベアリン
グ面（ＡＢＳ）とを含み、前記ＭＲストライプ、前記第
１及び第２の絶縁ギャップ層、並びに前記第１及び第２
の導電性のシールド層の各々が前記エア・ベアリング面
の一部を形成する端部表面を有し、前記ＭＲストライ
プ、前記一対の導電性のリード、前記第１及び第２の絶
縁ギャップ層並びに前記第１及び第２の導電性のシール
ド層は、エッチング可能な材料であり、前記ＭＲストラ
イプの端部表面はエッチングされておらず、前記第１及
び第２の導電層の端部表面はエッチングされている、磁
気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド。 （１５）ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅を持
つ、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層並びに前記第１
及び第２の導電性のシールド層の各端部表面は、エッチ
ングされず、ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅
を持つ、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層並びに前記
第１及び第２の導電性のシールド層の各端部表面以外
の、前記一対の導電性のリード、前記第１及び第２の絶
縁ギャップ層並びに第１及び第２の導電性のシールド層
の実質的に全ての端部表面がエッチングされた、前記
（１４）記載のＭＲ読取りヘッド。 （１６）エッチングされる端部表面は、反応性イオン・
エッチングによってエッチングされる、前記（１５）記
載のＭＲ読取りヘッド。 （１７）ハウジングと、ＭＲ読取りヘッドを保持するた
めに、前記ハウジング内に取付ける手段と、前記ＭＲ読
取りヘッドに対して磁気ディスクを回転させるために、
前記ハウジング内に取り付けられたモータを有する手段
と、前記磁気ディスクを回転させるモータ制御装置に接
続され、前記ハウジング内に取り付けられた駆動装置制
御手段と、を有する前記（１６）記載のＭＲ読取りヘッ
ドを含む、磁気ディスク駆動装置。
ア・ベアリング面（ＡＢＳ）における、リードとシール
ドとの短絡を除去する方法であって、前記ＭＲ読取りヘ
ッドは、第１及び第２の絶縁ギャップ層間に挟まれたＭ
Ｒストライプ及び一対の導電性のリードとを含み、前記
第１及び第２の絶縁ギャップ層は、第１及び第２の導電
性シールド層間に挟まれ、前記ＭＲストライプ、前記一
対の導電性のリード、前記第１及び第２の絶縁ギャップ
層、及び前記第１及び第２の導電性シールド層の各々
が、前記ＭＲ読取りヘッドの前記ＡＢＳの端部表面を有
し、前記一対のリードが前記ＭＲストライプの前記端部
表面の反対の端部において前記ＭＲストライプと接続さ
れており、前記方法は、前記第１及び第２の絶縁ギャッ
プ層の端部表面をエッチングして、前記一対のリードと
前記一対の導電性シールド層との間を導電性物質を除去
するステップと、前記除去するステップの間、前記ＭＲ
ストライプの端部表面をエッチングから保護するステッ
プと、を有することを特徴とする、方法。 （２）ＭＲストライプの端部表面を保護する前記ステッ
プは、前記ＭＲストライプと、前記第１及び第２の絶縁
ギャップ層と、前記第１及び第２の導電性のシールド層
とを覆うためにレジスト層を前記エア・ベアリング面上
に付着させるステップを有し、前記レジスト層の幅は前
記ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅を持つ、前
記（１）記載の方法。 （３）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、実質的に１０μｍの厚さのレジスト層
を付着させるステップを含む、前記（２）記載の方法。 （４）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、また、前記ＭＲストライプの端部表面
の対応する端部から各導電性のリードの各端部表面の一
部を覆う、前記（２）記載の方法。 （５）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、ＭＲストライプの端部表面の対応する
端部から各導電性のリードの各端部表面の１μｍ乃至５
μｍの幅を覆う、前記（４）記載の方法。 （６）前記ＭＲストライプ、前記第１及び第２の絶縁ギ
ャップ層、前記第１及び第２の導電性のシールド層、の
各端部表面を実質的に１０μｍの幅のレジスト層で覆
い、前記レジスト層は、前記ＭＲストライプに対して同
一の幅を持つ、前記（２）記載の方法。 （７）前記除去するステップは、前記一対の導電性のリ
ードと、前記第１及び第２の導電性のシールド層との間
の、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層を横切る導電性
物質を除去するために、前記第１及び第２の絶縁ギャッ
プ層の各端部表面を反応性イオン・エッチングするステ
ップを含む、前記（２）記載の方法。 （８）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、実質的に１０μｍの厚さのレジスト層
を付着するステップを含む、前記（７）記載の方法。 （９）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させる
前記ステップは、また、前記ＭＲストライプの端部表面
の対応する端部から各導電性のリードの各端部表面の一
部を覆う、前記（８）記載の方法。 （１０）レジスト層をエア・ベアリング面上に付着させ
る前記ステップは、ＭＲストライプの端部表面の対応す
る端部から各導電性のリードの各端部表面の１μｍ乃至
５μｍの幅を覆う、前記（９）記載の方法。 （１１）行列状に配列された複数の磁気抵抗（ＭＲ）読
取りヘッドのエア・ベアリング面（ＡＢＳ）における、
リードとシールドとの電気的短絡を除去する方法であっ
て、各ＭＲ読取りヘッドは、第１及び第２の絶縁ギャッ
プ層間に挟まれたＭＲストライプ及び一対の導電性のリ
ードとを含み、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層は、
第１及び第２の導電性シールド層間に挟まれ、前記ＭＲ
ストライプ、前記一対の導電性のリード、前記第１及び
第２の絶縁ギャップ層、及び前記第１及び第２の導電性
シールド層の各々が、前記ＭＲ読取りヘッドの前記ＡＢ
Ｓの端部表面を有し、前記一対のリードが対応するＭＲ
ストライプの前記端部表面の反対の端部において前記Ｍ
Ｒストライプと接続されており、前記方法は、ＭＲスト
ライプの各縦列上にレジスト層を付着させるステップ
と、各ＭＲ読取りヘッドの前記第１及び第２の絶縁ギャ
ップ層の前記端部表面をエッチングするために、ＭＲス
トライプの縦列の間を反応性イオン・エッチングして、
各ＭＲヘッドの、前記一対のリードと前記第１及び第２
の導電性シールド層との間の導電性物質を除去するステ
ップと、を有することを特徴とする、方法。 （１２）レジスト層を付着する前記ステップは、ＭＲス
トライプの各縦列上に実質的に１０μｍの厚さのレジス
ト層を付着するステップを含む、前記（１１）記載の方
法。 （１３）レジスト層を付着する前記ステップは、前記Ｍ
Ｒストライプに隣接する各導電性のリードの一部を覆
う、前記（１２）記載の方法。 （１４）第１及び第２の絶縁ギャップ層と、第１及び第
２の絶縁ギャップ層に挟まれた、ＭＲストライプ及び一
対の導電性のリードと、第１及び第２の導電性のシール
ド層と、前記第１及び第２の導電性のシールド層に挟ま
れた第１及び第２の絶縁ギャップ層と、エア・ベアリン
グ面（ＡＢＳ）とを含み、前記ＭＲストライプ、前記第
１及び第２の絶縁ギャップ層、並びに前記第１及び第２
の導電性のシールド層の各々が前記エア・ベアリング面
の一部を形成する端部表面を有し、前記ＭＲストライ
プ、前記一対の導電性のリード、前記第１及び第２の絶
縁ギャップ層並びに前記第１及び第２の導電性のシール
ド層は、エッチング可能な材料であり、前記ＭＲストラ
イプの端部表面はエッチングされておらず、前記第１及
び第２の導電層の端部表面はエッチングされている、磁
気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド。 （１５）ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅を持
つ、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層並びに前記第１
及び第２の導電性のシールド層の各端部表面は、エッチ
ングされず、ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅
を持つ、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層並びに前記
第１及び第２の導電性のシールド層の各端部表面以外
の、前記一対の導電性のリード、前記第１及び第２の絶
縁ギャップ層並びに第１及び第２の導電性のシールド層
の実質的に全ての端部表面がエッチングされた、前記
（１４）記載のＭＲ読取りヘッド。 （１６）エッチングされる端部表面は、反応性イオン・
エッチングによってエッチングされる、前記（１５）記
載のＭＲ読取りヘッド。 （１７）ハウジングと、ＭＲ読取りヘッドを保持するた
めに、前記ハウジング内に取付ける手段と、前記ＭＲ読
取りヘッドに対して磁気ディスクを回転させるために、
前記ハウジング内に取り付けられたモータを有する手段
と、前記磁気ディスクを回転させるモータ制御装置に接
続され、前記ハウジング内に取り付けられた駆動装置制
御手段と、を有する前記（１６）記載のＭＲ読取りヘッ
ドを含む、磁気ディスク駆動装置。
【００２６】
【発明の効果】本発明の実施により、ＭＲ読取りヘッド
のＡＢＳにおけるリードとシールド層との短絡を排除す
る方法を提供できる。
のＡＢＳにおけるリードとシールド層との短絡を排除す
る方法を提供できる。
【００２７】本発明の実施により、ＡＢＳにおけるリー
ドの端部表面と導電性のシールド層の端部表面との間の
電気的短絡の問題を克服することができる。
ドの端部表面と導電性のシールド層の端部表面との間の
電気的短絡の問題を克服することができる。
【００２８】本発明の実施により、ＭＲ読取りヘッドで
の薄膜形成後の薄膜の研磨プロセスによって生じた、Ｍ
Ｒ読取りヘッドのＡＢＳにおける第１のギャップ層の端
部表面及び第２のギャップ層の端部表面を横切る導電性
の物質のストリークを除去する方法を提供することがで
きる。
の薄膜形成後の薄膜の研磨プロセスによって生じた、Ｍ
Ｒ読取りヘッドのＡＢＳにおける第１のギャップ層の端
部表面及び第２のギャップ層の端部表面を横切る導電性
の物質のストリークを除去する方法を提供することがで
きる。
【００２９】本発明の実施により、研磨後にＭＲ読取り
ヘッドのリードの端部表面と導電性のシールド層の端部
表面との間の電気的短絡を除去することによって、複数
のＭＲ読取りヘッドのバッチ製造における高い歩留りを
与えることができる。
ヘッドのリードの端部表面と導電性のシールド層の端部
表面との間の電気的短絡を除去することによって、複数
のＭＲ読取りヘッドのバッチ製造における高い歩留りを
与えることができる。
【図１】回転する磁気ディスク上に配置されたスライダ
と、本発明のＭＲ読取りヘッドに使用される典型的磁気
ディスク駆動装置とを示す概略図である。
と、本発明のＭＲ読取りヘッドに使用される典型的磁気
ディスク駆動装置とを示す概略図である。
【図２】回転する磁気ディスクの円形のトラック上に配
置されたＭＲ読取りヘッドの単一のＭＲストライプの概
要を示す等角図である。
置されたＭＲ読取りヘッドの単一のＭＲストライプの概
要を示す等角図である。
【図３】リードＬ１及びリードＬ２と、第１のシールド
層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２との間に電気的短絡を
生じさせる導電性の物質の複数のストリークを有するＭ
Ｒ読取りヘッドのＡＢＳを示す図である。
層Ｓ１及び第２のシールド層Ｓ２との間に電気的短絡を
生じさせる導電性の物質の複数のストリークを有するＭ
Ｒ読取りヘッドのＡＢＳを示す図である。
【図４】レジストのストリップが層として形成され、Ｍ
Ｒストライプを保護することを示す以外は、図３と同じ
である。
Ｒストライプを保護することを示す以外は、図３と同じ
である。
【図５】図４の面Ｖ−Ｖに沿う断面の等角図を示し、Ａ
ＢＳにおける被覆されていない層の端部表面が、ＲＩＥ
などによってエッチングされる図である。
ＢＳにおける被覆されていない層の端部表面が、ＲＩＥ
などによってエッチングされる図である。
【図６】エッチングが行われて導電性の物質のストリー
クの除去、並びにフォトレジスト層の除去後のＭＲ読取
りヘッドのＡＢＳを示す図である。
クの除去、並びにフォトレジスト層の除去後のＭＲ読取
りヘッドのＡＢＳを示す図である。
【図７】研磨後のＭＲ読取りヘッドの横列と縦列の概略
図である。
図である。
【図８】ＡＢＳにおけるＭＲストライプの各縦列が、縦
列に沿ったフォトレジストのストリップによって保護さ
れている以外は、図７と同じ図である。
列に沿ったフォトレジストのストリップによって保護さ
れている以外は、図７と同じ図である。
【図９】図８の面ＩＸ−ＩＸに沿う断面図であり、フォ
トレジスト層のストリップ間での被覆されていない層の
端部表面は、ＲＩＥなどでエッチングされる図である。
トレジスト層のストリップ間での被覆されていない層の
端部表面は、ＲＩＥなどでエッチングされる図である。
２０ 磁気ディスク駆動装置 ２２ 磁気ディスク ２４ スピンドル ２６ モータ ２８ 駆動制御回路 ３０ 薄膜ＭＲ読取りヘッド ３２ スライダ ３４ サスペンション ３６ 磁気ヘッドの信号と制御 ４０ ハウジング ４２ ストライプ ４４ 第１の膜面 ４６ 第２の膜面 ４７、４８ 側面端部 ４９ 上部端部 ５０ 下部端部 ５０、５２、５４、５６、５８、６０、６２ 端部表面 ６４、６６ 導電性の物質 ７０、９０ ストリップ ８０ 基板
Claims (17)
- 【請求項１】磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドのエア・ベ
アリング面（ＡＢＳ）における、リードとシールドとの
短絡を除去する方法であって、 前記ＭＲ読取りヘッドは、第１及び第２の絶縁ギャップ
層間に挟まれたＭＲストライプ及び一対の導電性のリー
ドとを含み、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層は、第
１及び第２の導電性シールド層間に挟まれ、前記ＭＲス
トライプ、前記一対の導電性のリード、前記第１及び第
２の絶縁ギャップ層、及び前記第１及び第２の導電性シ
ールド層の各々が、前記ＭＲ読取りヘッドの前記ＡＢＳ
の端部表面を有し、前記一対のリードが前記ＭＲストラ
イプの前記端部表面の反対の端部において前記ＭＲスト
ライプと接続されており、 前記方法は、 前記第１及び第２の絶縁ギャップ層の端部表面をエッチ
ングして、前記一対のリードと前記一対の導電性シール
ド層との間を導電性物質を除去するステップと、 前記除去するステップの間、前記ＭＲストライプの端部
表面をエッチングから保護するステップと、 を有することを特徴とする、方法。 - 【請求項２】ＭＲストライプの端部表面を保護する前記
ステップは、前記ＭＲストライプと、前記第１及び第２
の絶縁ギャップ層と、前記第１及び第２の導電性のシー
ルド層とを覆うためにレジスト層を前記エア・ベアリン
グ面上に付着させるステップを有し、前記レジスト層の
幅は前記ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅を持
つ、 請求項１記載の方法。 - 【請求項３】レジスト層をエア・ベアリング面上に付着
させる前記ステップは、実質的に１０μｍの厚さのレジ
スト層を付着させるステップを含む、 請求項２記載の方法。 - 【請求項４】レジスト層をエア・ベアリング面上に付着
させる前記ステップは、また、前記ＭＲストライプの端
部表面の対応する端部から各導電性のリードの各端部表
面の一部を覆う、 請求項２記載の方法。 - 【請求項５】レジスト層をエア・ベアリング面上に付着
させる前記ステップは、ＭＲストライプの端部表面の対
応する端部から各導電性のリードの各端部表面の１μｍ
乃至５μｍの幅を覆う、 請求項４記載の方法。 - 【請求項６】前記ＭＲストライプ、前記第１及び第２の
絶縁ギャップ層、前記第１及び第２の導電性のシールド
層、の各端部表面を実質的に１０μｍの幅のレジスト層
で覆い、前記レジスト層は、前記ＭＲストライプに対し
て同一の幅を持つ、 請求項２記載の方法。 - 【請求項７】前記除去するステップは、前記一対の導電
性のリードと、前記第１及び第２の導電性のシールド層
との間の、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層を横切る
導電性物質を除去するために、前記第１及び第２の絶縁
ギャップ層の各端部表面を反応性イオン・エッチングす
るステップを含む、 請求項２記載の方法。 - 【請求項８】レジスト層をエア・ベアリング面上に付着
させる前記ステップは、実質的に１０μｍの厚さのレジ
スト層を付着するステップを含む、 請求項７記載の方法。 - 【請求項９】レジスト層をエア・ベアリング面上に付着
させる前記ステップは、また、前記ＭＲストライプの端
部表面の対応する端部から各導電性のリードの各端部表
面の一部を覆う、 請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】レジスト層をエア・ベアリング面上に付
着させる前記ステップは、ＭＲストライプの端部表面の
対応する端部から各導電性のリードの各端部表面の１μ
ｍ乃至５μｍの幅を覆う、 請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】行列状に配列された複数の磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）読取りヘッドのエア・ベアリング面（ＡＢＳ）にお
ける、リードとシールドとの電気的短絡を除去する方法
であって、 各ＭＲ読取りヘッドは、第１及び第２の絶縁ギャップ層
間に挟まれたＭＲストライプ及び一対の導電性のリード
とを含み、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層は、第１
及び第２の導電性シールド層間に挟まれ、前記ＭＲスト
ライプ、前記一対の導電性のリード、前記第１及び第２
の絶縁ギャップ層、及び前記第１及び第２の導電性シー
ルド層の各々が、前記ＭＲ読取りヘッドの前記ＡＢＳの
端部表面を有し、前記一対のリードが対応するＭＲスト
ライプの前記端部表面の反対の端部において前記ＭＲス
トライプと接続されており、 前記方法は、 ＭＲストライプの各縦列上にレジスト層を付着させるス
テップと、 各ＭＲ読取りヘッドの前記第１及び第２の絶縁ギャップ
層の前記端部表面をエッチングするために、ＭＲストラ
イプの縦列の間を反応性イオン・エッチングして、各Ｍ
Ｒヘッドの、前記一対のリードと前記第１及び第２の導
電性シールド層との間の導電性物質を除去するステップ
と、 を有することを特徴とする、方法。 - 【請求項１２】レジスト層を付着する前記ステップは、
ＭＲストライプの各縦列上に実質的に１０μｍの厚さの
レジスト層を付着するステップを含む、 請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】レジスト層を付着する前記ステップは、
前記ＭＲストライプに隣接する各導電性のリードの一部
を覆う、 請求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】第１及び第２の絶縁ギャップ層と、 第１及び第２の絶縁ギャップ層に挟まれた、ＭＲストラ
イプ及び一対の導電性のリードと、 第１及び第２の導電性のシールド層と、 前記第１及び第２の導電性のシールド層に挟まれた第１
及び第２の絶縁ギャップ層と、 エア・ベアリング面（ＡＢＳ）とを含み、 前記ＭＲストライプ、前記第１及び第２の絶縁ギャップ
層、並びに前記第１及び第２の導電性のシールド層の各
々が前記エア・ベアリング面の一部を形成する端部表面
を有し、 前記ＭＲストライプ、前記一対の導電性のリード、前記
第１及び第２の絶縁ギャップ層並びに前記第１及び第２
の導電性のシールド層は、エッチング可能な材料であ
り、 前記ＭＲストライプの端部表面はエッチングされておら
ず、 前記第１及び第２の導電層の端部表面はエッチングされ
ている、 磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド。 - 【請求項１５】ＭＲストライプに対して実質的に同一の
幅を持つ、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層並びに前
記第１及び第２の導電性のシールド層の各端部表面は、
エッチングされず、 ＭＲストライプに対して実質的に同一の幅を持つ、前記
第１及び第２の絶縁ギャップ層並びに前記第１及び第２
の導電性のシールド層の各端部表面以外の、前記一対の
導電性のリード、前記第１及び第２の絶縁ギャップ層並
びに第１及び第２の導電性のシールド層の実質的に全て
の端部表面がエッチングされた、 請求項１４記載のＭＲ読取りヘッド。 - 【請求項１６】エッチングされる端部表面は、反応性イ
オン・エッチングによってエッチングされる、 請求項１５記載のＭＲ読取りヘッド。 - 【請求項１７】ハウジングと、 ＭＲ読取りヘッドを保持するために、前記ハウジング内
に取付ける手段と、 前記ＭＲ読取りヘッドに対して磁気ディスクを回転させ
るために、前記ハウジング内に取り付けられたモータを
有する手段と、 前記磁気ディスクを回転させるモータ制御装置に接続さ
れ、前記ハウジング内に取り付けられた駆動装置制御手
段と、 を有する請求項１６記載のＭＲ読取りヘッドを含む、磁
気ディスク駆動装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/267,269 US5467881A (en) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | Method of manufacturing an MR read head which eliminates lead-to-shield shorts at the ABS of the MR read head |
| US267269 | 1999-03-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845031A true JPH0845031A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=23018057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7116110A Pending JPH0845031A (ja) | 1994-06-28 | 1995-05-15 | Ｍｒ読取りヘッド及びそのエア・ベアリング面（ａｂｓ）におけるリードとシールド層間の短絡を除去する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5467881A (ja) |
| JP (1) | JPH0845031A (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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- 1994-06-28 US US08/267,269 patent/US5467881A/en not_active Expired - Fee Related
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1995
- 1995-05-15 JP JP7116110A patent/JPH0845031A/ja active Pending
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Also Published As
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| US5467881A (en) | 1995-11-21 |
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