JP2002109707A

JP2002109707A - ヨーク型磁気再生ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2002109707A
Application number: JP2000300660A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Osawa; 沢裕一大; Hiroaki Yoda; 田博明與; Michiko Hara; 通子原; Susumu Hashimoto; 本進橋
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-09-29
Filing date: 2000-09-29
Publication date: 2002-04-12

Abstract

(57)【要約】【課題】歩留まりの低下およびバルクハウゼンノイズ
の発生を可及的に防止することを可能にする。【解決手段】膜面内に磁化を有する感磁層を備え、膜
面に対して垂直方向にセンス電流を流す面内垂直通電型
の磁気抵抗効果膜４を形成し、素子形状にパターニング
する工程と、素子形状にパターニングされた磁気抵抗効
果膜４を覆う磁気ヨーク１２を形成する工程と、を備え
たことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ヨーク型磁気再生ヘッ
ドおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置に関す
る。

【０００２】

【従来技術】近年、ハードディスクドライブ装置におけ
る磁気記録密度は急激に上昇し、それに伴い、要求され
る単位トラック幅当たりの再生出力も急激に上昇してい
る。磁気記録密度が１インチ平方当たり100Gビット（10
0Gbpsi）の時代には、トラック幅あたりの再生出力は10
ｍV以上ときわめて高くなることが予想される。この高
出力要求に対して、TMR（Tunneling Magneto-Resistanc
e）素子や面内垂直通電型GMR(Giant Magneto-Resistanc
e)素子（以下、CPP-GMR素子とも言う）など膜積層界面
に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子が提案され
ている。

【０００３】しかし、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率を
上昇させても、そのヘッド出力を決定する磁気効率に影
響を及ぼすデプス（媒体面から磁気抵抗効果素子の媒体
対向面と反対側の面までの距離）方向の制御は機械的研
磨加工によらなければならない。ウエハー工程終了後、
バー状態に切断加工し、バーを90度回転させて精度よく
ジグに張り付け、さらに荒研磨、微細研磨をして所定の
デプス（深さ）に納めるプロセスが必要となる。研磨加
工終点を検出する方法として電気抵抗の変化を読みとる
方法も提案・実施されているがその加工精度は、その前
段階のバー切断、荒研磨、バーの反りなどの影響を受
け、一つのバーのデプスを50nｍ程度の公差に押さえる
のは厳密な制御が要求される。この工程の歩留まり管理
が年々厳しくなっている。

【０００４】このデプス管理を薄膜工程で行う水平型磁
気ヘッドも提案されている（米国特許第5208716号公報
参照）。この水平型磁気ヘッドはウエハー工程で膜厚方
向をデプス方向としてトラック幅はフォトリソグラフィ
ーで形成する方法である。この磁気ヘッド構造ではデプ
スを厳密に規定できること。また、バー切断後、90度バ
ーを回転させて張り付け、研磨する工程が不要になるこ
と。さらに、メディアとの浮上もしくは接触面の加工が
連続的にウエハー上で行えコスト的に有利になるなどの
利点がある。

【０００５】しかし、トラック幅が小さくなり媒体に蓄
えられるエネルギーが小さくなるということは、そこか
ら発生する磁束量も小さくなる。その結果、極めて小さ
な磁路でしか十分な磁束を供給できなくなる。磁気抵抗
効果素子において、抵抗変化に寄与する領域は信号磁束
が通る領域である。他の部分は無駄な電流路となり磁気
抵抗効果素子のS/Nを劣化させる。したがって、磁気抵
抗効果素子における通電領域は信号磁束が通る領域程度
に制限されるべきである。しかし、磁気抵抗効果素子サ
イズが0.1-0.2μｍ程度になってくると再生読み取りギ
ャップと磁気抵抗効果素子との位置あわせに問題を生
じ、歩留まり劣化の原因となる。これを回避する技術が
特開平10-83522号公報に開示されている。この技術にお
いて、磁気抵抗効果素子は薄膜工程上その上に形成され
る磁気ギャップをマスクにパターニングされ、その結
果、磁気ギャップと磁気抵抗効果素子がセルフアライメ
ントした形状に加工される。

【０００６】一方、膜積層界面に垂直にセンス電流を流
すため高抵抗変化が期待できるTMR素子やCPP-GMR素子に
おいてはヨーク面に垂直に通電するためそのセンス電流
磁界がヨーク面内に誘起され、その結果ヨークのバイア
ス設計は複雑となる。このため、図２６に示すように、
電極２および面内垂直通電型磁気抵抗効果膜４ならびに
電極８を有する磁気抵抗効果素子と、磁気ギャップを有
する磁気ヨーク１２とを備えた磁気ヘッドにおいては、
電極２、CPP-MR膜４、電極８と流れてくるセンス電流が
磁気ヨーク１２とずれていると、誘起される電流磁界は
磁気ギャップに対して対称でなくなり、その結果、ヨー
クバイアス設計が崩れ、場合によっては磁区の発生によ
るバルクハウゼンノイズが発生したりする。面内通電で
ある磁気抵抗効果素子では問題にならない、一対のヨー
クと磁気抵抗効果素子との位置関係は、こと垂直通電を
特徴とする磁気抵抗効果素子では厳密でなければならな
い。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】再生出力を確保するに
は磁路長を短くするなどの高効率設計にする必要があ
る。その目的では磁路長を基本的に膜厚で規定できる水
平型ヘッドが適している。しかし、記録密度が100Gbpsi
を超えて、トラック幅が0.1μｍ程度になってくると磁
気抵抗効果素子のサイズも同程度に小さくする必要が生
じ、磁気ギャップと磁気抵抗効果素子との位置ずれの問
題が発生する。これは歩留まり低下の原因となり得る。
その回避方法の一例は特開平10-83522号公報に開示され
ているが、近年の電子線描画を含めたリソグラフィー技
術は、このような歩留まり低下を防ぐ精度を持つにいた
っている。

【０００８】一方、面内垂直通電が特徴である高感度磁
気抵抗効果素子の場合には、センス電流中心とヨーク位
置との関係がより重要となる。すなわち面内垂直通電型
磁気抵抗効果素子と一対のヨークは等距離に配置される
必要がある。その位置ずれはセンス電流磁界の不均一を
ヨークに生み出しバルクハウゼンノイズなどを引き起こ
す原因となる。

【０００９】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであって、歩留まりの低下およびバルクハウゼンノイ
ズの発生を可及的に防止することのできるヨーク型磁気
ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によるヨーク型磁
気ヘッドは、膜面内に磁化を有する感磁層を備え、膜面
に対して垂直方向にセンス電流を流す面内垂直通電型の
磁気抵抗効果膜を形成し、素子形状にパターニングする
工程と、素子形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜
を覆う磁気ヨークを形成する工程と、を備えたことを特
徴とする。

【００１１】なお、前記磁気ヨークを形成する前に、素
子形状にパターニングされた前記磁気抵抗効果膜上を覆
う非磁性膜を形成し、この非磁性膜をパターニングして
前記磁気抵抗効果膜上に磁気ギャップを形成する工程を
備えるように構成しても良い。

【００１２】なお、前記磁気ヨークを形成する前に、素
子形状にパターニングされた前記磁気抵抗効果膜を非磁
性膜で覆って凸部を形成する工程を備え、前記磁気ヨー
クを形成する工程は、前記凸部を磁性膜で覆い、前記凸
部上の前記磁性膜に磁気ギャップを形成するように構成
しても良い。

【００１３】このように構成されたヨーク型磁気ヘッド
においては、磁気抵抗効果素子と磁気ヨークとが自己整
合的に形成されことにより、磁気抵抗効果素子と磁気ヨ
ークおよび磁気ギャップとの位置ずれを防止することが
可能となるとともに、さらにセンス電流中心に対する最
近接磁気ヨーク位置がほぼ等距離となり、センス電流に
より誘起される電流磁界が磁気抵抗効果素子回りに対称
となる。これにより、磁気ヨークへの磁区発生を抑制し
バルクハウゼンノイズを抑制できる。また、歩留まりの
低下を可及的に防止することができる。

【００１４】また、本発明のヨーク型磁気ヘッドは、上
記製造方法によって製造されたことを特徴とする。

【００１５】また、本発明の磁気ディスク装置は、上記
ヨーク型磁気ヘッドを再生磁気ヘッドとして搭載したこ
とを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
を参照して説明する。

【００１７】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態の構成を図１に示す。この実施形態はヨーク型磁気ヘ
ッドであって、電極２および面内垂直通電型磁気抵抗効
果膜４および電極を有する面内垂直通電型磁気抵抗効果
素子と、磁気ギャップを有する磁気ヨーク１２と、を備
えている。なお、符号９０は磁気媒体を示す。

【００１８】この実施形態のヨーク型磁気ヘッドにおい
ては、上記磁気抵抗効果素子と磁気ヨーク１２との位置
関係は、上記磁気抵抗効果素子の膜面に垂直にセンス電
流が通電される領域のセンス電流中心に対して最近接磁
気ヨーク１２の位置がほぼ等距離に配置された構成とな
っている。この構成は、磁気ヨーク１２の媒体対向面と
反対側の面に設けられた凹部に磁気抵抗効果素子が自己
整合的に埋め込むことよって可能となる。また、磁気抵
抗効果素子を磁気ヨーク１２が自己整合的に覆うように
形成することによっても可能となる。このように構成し
たことにより、センス電流による磁界が磁気ヨーク１２
に及ぼす影響が均一となり、バルクハウゼンノイズの発
生を可及的に防止することができる。また、磁気抵抗効
果素子と磁気ヨーク１２とが自己整合的に形成されるこ
とにより、歩留まりの低下を可及的に防止することがで
きる。

【００１９】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態を図３乃至図６を参照して説明する。この第２
の実施形態は、ヨーク型磁気ヘッドの製造方法であっ
て、その製造工程を図３乃至図６に示す。まず、Si基板
（図示せず）上に、例えばCuからなる膜を50nｍ形成
し、このCu膜上に例えばTaからなる膜を10nｍを形成
し、電極膜２とする（図２（ａ）参照）。続いて、電極
膜２上に、面内垂直通電型磁気抵抗効果膜４（以下、CP
P-MR膜４とも言う）を形成する（図２（ａ）参照）。こ
れらの成膜は真空中で連続的に行うことが好ましい。な
お、CPP-MR膜４は、複数層が積層された構造を有してお
り、例えば最下層が膜厚が１ｎｍのCoFe層で、膜厚が１
ｎｍのCu層、膜厚が１ｎｍのCoFe層、膜厚が１ｎｍのCu
層、膜厚が１ｎｍのCoFe層、膜厚が7ｎｍのCu層、膜厚
が１ｎｍのCoFe層、膜厚が１ｎｍのCu層、膜厚が１ｎｍ
のCoFe層、膜厚が１ｎｍのCu層、膜厚が１ｎｍのCoFe
層、膜厚が１5ｎｍのPtMn層を順次積層した構成となっ
ている。また、CPP-MR膜４はTMR膜でも良い。なお、CPP
-MR膜４が真空を破らずに連続で成膜される場合には、
電極膜２の表面上に酸化層が形成される心配がないが、
電極膜２の形成後、一度大気中に出す場合にはCPP-MR膜
４を形成前に電極膜２の表面を数ナノメートルだけスパ
ッタクリーニングする必要がある。そうでないとCPP-GM
R膜４においてはセンス電流が直径0.1μｍ程度の領域に
集中して流れるため接触抵抗が増加してしまい磁気抵抗
効果素子のS/N比を劣化させてしまう可能性がある。

【００２０】しかしながら、過度のスパッタクリーニン
グは表面あれを誘起しその結果、磁気抵抗効果特性を劣
化させてしまう。そのため2-5ｎｍのスパッタクリーニ
ングが望ましい。本実施形態においては、膜厚が10nｍ
のTa膜を形成し、3nmのスパッタクリーニングを行っ
た。なお、スパッタクリーニング後の表面は表面粗さRm
axが4nｍ未満であることがCPP-MR素子の特性上望ましい
ため、電極膜２の形成後でかつスパッタクリーニング前
にCMP(Chemical Mechanical Polishing)などかけて表面
を平滑化することが望ましい。この平滑化は、電極最上
層のTa膜に対して行っても、Cu層に対して平滑化を行い
その後、Ta層を形成しても良い。しかし、材料の柔らか
さによるスクラッチの入りやすさを考慮するとTa膜表面
に対して行うことが望ましい。CMPはウエハー全面同一
材料で行われるように成膜直後に行うことが望ましい。

【００２１】次に、CPP-MR膜４上に、フォトレジストを
塗布し、パターニングすることにより、X方向0.15μ
ｍ、Y方向0.4μｍの直方体形状のレジストパターン５を
形成する（図２（ｂ）参照）。このレジストパターン５
をマスクに、CPP-MR膜４をイオンミリングしてレジスト
パターン５とほぼ同形状のCPP-MR膜４を得る（図２
（ｃ）参照）。この場合、CPP−MR膜４の最下層の膜
（例えばCoFe膜）と電極２の表面のTa膜との界面をエン
ドポイントディテクション（EPD）界面として使用し
た。EPD界面としてはSIMS(Secondary Ion Mass Spectro
scopy)を用いた。CPP-MR膜４はイオンミリングを用いて
パターニングする必要がある。更に、CPP-MR膜４の膜厚
は面内通電型磁気抵抗効果膜（以下、CIP-MR膜とも言
う）に比べておよそ10nm程度以上厚いことと、シールド
型ヘッドにおいてはオーバーミリングがアルミナギャッ
プに対して行われるが、CPP-MR膜４においてはTa膜など
電極表面に対して行われるため、ミリングレートの違い
から電極２の表面のオーバーミリング量が多くなる可能
性がある。したがってSIMSや光学的手法を使用したEPD
界面を採用したミリング装置を使用することが望まし
い。電極２の表面のTa膜の膜厚は、前述のスパッタクリ
ーニング分が2nｍ以上、オーバーミリング分3ｎｍを見
越して5ｎｍ以上、電極２の表面に形成しておくことが
望ましい。CPP-MR膜４の下地と兼用する場合はCPP-MR膜
４のTaからなる下地膜の膜厚をZ1ナノメートル、CMP後
の電極２の表面のTa膜の膜厚をZ2ナノメートルとする
と、Z1+Z2＞5ナノメートルとなるように設計されること
が望ましい。また、このパターニングはCPP-MR膜４のフ
リー層上面で止めるとメリットが発生する。このように
することでフリー層に加わるセンス電流磁界の影響を減
少させることができる。この場合、Cu/CoFe界面がEPDの
検出界面となる。また、イオンミリングはフリー層への
Arイオン打ち込みのダメージ影響を少なくする目的で30
0eV以下であることや弾性散乱Arによるえぐれを抑え、
なだらかな角度にミリングが行われるように10度以上の
傾斜角度をもってイオンを入射させることが望ましい。
また、パターニングされたフリー層断面はフラットが望
ましいが、緩やかなテーパーを有していてもかまわな
い。傾斜が緩やかであることでその上に形成されるアル
ミナ等の絶縁膜６（図２（ｃ）参照）の膜質は全面的に
良質になる利点があり、CPP-MR膜４上に形成される後述
の上電極との絶縁が良好になる。

【００２２】次に、図２（ｃ）に示すように、全面に例
えばアルミナからなる絶縁膜６をCPP-MR膜４とほぼ同じ
厚さで形成し、その後、レジストパターン５を除去、す
なわちリフトオフする（図２（ｃ）参照）。すると、図
２（ｄ）に示すように、CPP-MR膜４の上面を除いて全面
が絶縁膜６によって覆われる。

【００２３】なお、この絶縁膜６の膜厚は薄すぎるとCP
P-MR膜４上に形成される後述の上電極と、下電極２との
間の絶縁が不確実となってしまうが、厚すぎるとセンス
電流磁界の影響が出てしまうため可能な限り薄い設定
（できればCPP-MR膜４の膜厚よりも薄いこと）が望まし
い。また、薄膜で確実な膜質を得るために絶縁膜６に下
地を入れてもかまわない。例えばTaからなる一層の金属
下地を導入することで上述のなだらかなテーパーをもっ
たフリー層の上層が同一金属になるため絶縁膜６の信頼
性が向上する。また、絶縁膜６がエッチング深さよりも
薄い場合は上電極を流れるセンス電流はCPP-MR膜４を流
れるセンス電流と上下で向きが逆の成分を有する。そう
することで、センス電流によるCPP-MR膜４の面内方向の
誘起磁界を低減することができる。すなわち、図２３に
示すように、上向き電流ｉｕにより誘起される磁界Ｈｕ
と、下向き電流ｉｄにより誘起される磁界Ｈｄとは、お
互いに逆向きになりキャンセルされる。したがって、CP
P-MR膜４の膜厚（＝ｔ１＋ｔ２）のうち、膜厚ｔ１に相
当する部分から発生する電流磁界をキャンセルできる。
なお、膜厚ｔ２に相当する部分から発生する電流磁界は
残る。

【００２４】またCPP-MR膜４のフリー層上に縦バイアス
印加用の硬質磁性膜もしくは反強磁性膜をまず成膜しそ
の上にアルミナからなる絶縁膜６を積層することでCPP-
MR膜４へのバイアスおよび上電極との絶縁の両立を図る
ことも可能である。また前述の縦バイアス膜下に下地膜
を使用することは、同一材料の表面を作り出す上で重要
である。

【００２５】次に、図３（ａ）に示すように、絶縁膜６
上に例えばCuからなる膜厚が２０ｎｍの電極膜８を形成
する。この電極膜８が上電極となる。この電極膜８はCP
P-MR膜４との微小エリアでのコンタクト抵抗を減らすた
め、電極膜８の成膜に先立ち、CPP-MR膜４にスパッタク
リーニングを十分に行う必要がある。CPP-MR膜４の保護
膜がTaの場合には約2nm以上のTa保護膜のスパッタエッ
チングを行うことでTa表面の酸化層を除去できる。ま
た、コンタクト抵抗を減らすため、もともと酸化層が形
成されにくいAu,PtなどをCPP-MR膜４の最上層に使用す
ることが望ましい。もしくはフォトレジストとのなじみ
を良好にするためたTa膜を介在させて、その後の上電極
成膜前のスパッタエッチングで除去しても同様な効果が
ある。

【００２６】次に、CPP-MR膜４および絶縁膜６上に、幅
（Ｙ方向の長さ）が約0.2μｍのフォトレジストからな
るレジストパターン９を形成し、このレジストパターン
９をマスクに電極膜８、CPP-MR膜４、電極膜２をパター
ニングし、ストライプ状の磁気抵抗効果素子を形成する
（図３（ｂ）、（ｃ）参照）。図３（ｃ）において、磁
気抵抗効果素子に供給されるセンス電流が積層された電
極２，８でそれぞれ別方向に流れているのはそれぞれの
センス電流が作り出す電流磁界を互いに打ち消しあう目
的である。それによりセンス電流がもたらす電流磁界の
影響をキャンセルできる。この磁気抵抗効果素子を、図
３（ｃ）中に破線で示す平面Ｐで切断したときの矢印方
向からみた断面を図４（ａ）に示す。

【００２７】次に、図４（ｂ）に示すように、電極２、
CPP-MR膜４、電極８からなる磁気抵抗効果素子上に、例
えばSiからなる膜厚が２０ｎｍのギャップ膜１０を形成
する。さらにこのギャップ膜１０上に例えばパーマロイ
からなり磁気ヨークとなる膜厚が２００ｎｍの磁性膜１
２を形成し、デプス（磁気ヨーク１２の媒体対向面まで
の距離）が50nｍとなるまで、磁性膜１２の平坦化を行
う(図４（ｃ）参照）。

【００２８】次に、図４（ｄ）に示すように、FIB(Focu
sed Ion Beam)を用いて、磁性膜（磁気ヨーク膜）１２
に磁気ギャップ１４を形成する。なお、磁気ギャップ１
４の形成の際に、加速電圧が大きくなるほど細くエッチ
ングできる一方Gaイオンのドープも深くなる。たとえ
ば、加速電圧30KeVでは約20nｍの深さまでGaイオンがド
ープされることが報告されている。この深さにCPP-MR膜
４が存在すると磁気抵抗効果特性を劣化させる原因とな
る。したがって、磁気ヨーク膜１２の下にCPP-MR膜４が
ある場合は、磁気ヨーク膜１２とCPP-MR膜４との間には
FIBオーバーエッチング深さ＋20nｍ以上の間隔があるこ
とが望ましい。

【００２９】また、FIBのビームプロファイルの関係か
ら磁気ヨーク１２の表面は磁気ギャップ１４の形状が丸
まってしまうことがある。シャープな磁気ギャップ形状
を形成するために、図５（ａ）に示すように、磁気ヨー
ク１２の最表面を別材料の膜１３であらかじめコーティ
ングしておき、FIBによりギャップ形成後（図５
（ｂ）、図５（ｃ）参照）、そのコーティング材の膜１
３を除去することは効果がある（図５（ｄ）、図５
（ｅ）参照）。なお、例えば、コーティング材はNbでFI
B後フレオン系のガスにてRIE(Reactive Ion Etching)や
CDE（Chemical Dry Etching）で除去することができ
る。また、SiO₂などの材料でコーティングすることも可
能であるが、最表面を金属にすることでビームを細く絞
ることができる。この場合、金属膜をイオンミリングや
RIEで除去し、SiO₂膜をRIEで除去することができる。コ
ーティング材がない場合、FIBによるギャップ形成は単
純にGaや不活性ガスによるエッチングの方が、ヨウ素な
どのガスを加工領域近傍に設置されたノズルから供給し
ながらエッチングするいわゆるガスアシストされたFIB
エッチングよりもシャープなエッジが形成される。ケミ
カルなアシストガスを添加すると加工速度は速くなるが
磁気ギャップ１４のパターニング形状が広角になってし
まい、磁気ギャップの性能を発揮する上で好ましくな
い。しかし、ある種のマスクはアシストガスに不揮発な
ので、そのようなコーティング材を使用した場合、加工
速度が上がり磁気ギャップ１４の加工形状がシャープに
なる。コーティング材として、Al₂O₃,SiO₂,Si等で効果
がある。

【００３０】次に、図６（ａ）に示すように、磁気ヨー
ク１２にFIBで形成したギャップに例えばSiO₂のような
ギャップ充填材１６を埋め込む。たとえば、イオンビー
ムスパッタリング（IBS）法やカソ-ディックアーク法の
ような指向性の良好な方法で埋め込むことが望ましい。
しかしながら、図６（ｂ）に示すように、この充填は最
終的に媒体走行面において充填されていれば良く、FIB
加工最終端まで充填されていなくてFIB加工最終端に空
孔１７が形成されていても目的を達成することはでき
る。このため、特殊な成膜装置をこの目的のみに用意し
なくともよいのでギャップ充填工程のコスト低下や良品
判定のレベルを下げることが可能となり、歩留まりを上
げることができる。

【００３１】次に、図６（ｃ）に示すように、ギャップ
充填材の膜１６が形成された表面をCMPやエッチバック
などにより平坦化して、磁気ヨーク１２の表面を出す。
このとき磁気ヨーク１２の表面よりもオーバーに平坦化
工程をかけてFIBギャップ加工による表面丸まり部分を
研磨除去することもできる。また磁気ヨーク膜１２の膜
厚を制御することでCPP-MR膜４へ流入する磁束量を制御
することができる。

【００３２】このようにすることで垂直通電領域、すな
わち図４（ｄ）に示す破線矢印領域から最近接ヨーク１
２までの距離L1およびL2が等距離となり、センス電流に
よる磁界の影響を等しくすることが可能となり、バルク
ハウゼンノイズの発生を可及的に防止することができ
る。また、磁気抵抗効果素子と磁気ヨーク１２とが自己
整合的に形成されることにより、歩留まりの低下を可及
的に防止することができる。

【００３３】最後に、トラック幅を規定するための加工
をイオンミリングを用いて行う。この加工後の媒体走行
面からの平面図を図６（ｄ）に、また図６（ｄ）に示す
切断線A-Bで切断した断面を図図６（ｅ）に示す。トラ
ック幅加工のイオンミリングは、フォト工程でトラック
幅を規定して、イオンミリングを約50度（基板に垂直な
角度を0度とする）の角度で入射させて行い、図６
（ｆ）に示すように約50-60度のテーパー角度α１、α
２（垂直：0度）をトラック幅エッジに持たせる。この
ような形状に加工することで再生フリンジングと磁気ヨ
ーク１２への磁区発生を抑制することができる。

【００３４】（第３の実施形態）上記第２の実施形態に
おいては、先にヨーク膜１２を形成してFIBで磁気ギャ
ップ１４を形成した。しかし、先に磁気ギャップをパタ
ーニングで形成し、次に磁気ヨークを成膜して最後にCM
P等の平坦化手段を用いて磁気ギャップを形成する製造
方法もある。この製造方法を第３の実施形態として以下
に説明する。

【００３５】図７に本発明の第３の実施形態の製造工程
を示す。図７（ａ）に示すように、電極膜２、CPP-MR膜
４、電極膜８からなる磁気抵抗効果素子上に、例えばSi
からなる膜厚が７０ｎｍのギャップ膜１０を形成する。
このギャップ膜１０上にEB(Electron Beam)レジストを
塗布しEB露光装置を用いて30nm幅のレジストパターン１
９を形成する（図７（ｂ）参照）。続いて図７（ｂ）に
示すように、フレオン系ガスを用いたRIEを用いてレジ
ストパターン１９をマスクにギャップ膜１０を約60nmエ
ッチングし、ギャップ膜１０からなるギャップ形成部１
０ｂを形成する。このとき、図７（ｃ）に示すように、
エッチング条件を変えてギャップ形成部１０ｂの上2/3
を80-90度(略垂直)に、下1/3を略45度のテーパー角にな
るように形成する。このようにギャップ形成部１０ｂの
上下でテーパー角を変えることは2つのメリットがあ
る。１つは上方が略垂直であるため磁気ヨーク１２の成
膜後のCMPなどによる平坦化工程で、平坦化の分布やば
らつきがギャップ幅のばらつきを生じさせないこと、2
つ目は下方のテーパー部により直角の場合に比べて磁気
ヨーク１２の成膜による膜の埋めこみ特性が良好になる
ことである。なお、図７（ｃ）においては、ギャップ膜
１０は下層に例えばSiO₂からなるエッチングエンドポイ
ント層１０ｃを設けた構成が示されている。エッチング
エンドポイント層１０ｃを設けてRIEストッパーとする
ことで精度良いギャップ形成部１０ｂの形成ができる。
2段のテーパー角に制御するひとつの形成方法としてRIE
による垂直エッチングの後イオンミリングにより例えば
45度がらイオンビームを入射することで形成することが
可能である。また、ギャップ加工後その幅が予定してい
た幅よりも広い場合、もしくはEB加工限界以下にギャッ
プ幅を規定したい場合、いったんギャップを加工した
後、イオンビームを60-70度（基板垂直：0度とする）で
入射させることでギャップを狭く調整することができ
る。イオンビームの入射によりギャップ材の結晶性は破
壊されるが、ギャップとしての機能は十分に果たすこと
ができる。イオンビームの入射角度が10度程度と小さい
と、ギャップで弾性散乱されたAr粒子によるギャップ近
傍のえぐれが起こり、30-40度では垂直方向のエッチン
グレートが大きいためオーバーエッチングの問題が発生
する可能性があり、また、80度程度に大きな角度で入射
すると底面で弾性散乱されたArイオンの影響でギャップ
がえぐれてしまう可能性がある。

【００３６】次に、ギャップ膜１０およびギャップ形成
部１０ｂを覆うように磁気ヨーク膜１２を成膜する（図
７（ｄ）参照）。磁気ヨーク膜１２はNiFe合金膜をイオ
ンビームスパッタ法を用いて形成した。成膜前の基板ク
リーニングはイオンビーム照射により行った。RF(Radio
Frequency)スパッタクリーニングでエッチングを行う
場合、ギャップ形成部１０ｂの先端が高温になりやす
く、熱応力によりクラックの発生もあり得るため１W/cm
2以下の低パワーで行うことが望ましい。成膜はイオン
ビームスパッタ法を用いることでスパッタされた粒子の
基板垂直方向の指向性が良好となり、ギャップ回りの磁
気ヨーク膜１２の膜質が良好となる。磁気ヨーク１２の
形成方法はイオンビームスパッタ法のみならず、基板垂
直方向指向性を向上させたスパッタ方法（たとえばロン
グスロータイプスパッタ）、カソーディック・アーク法
や入射粒子の指向性が問題とならないメッキ法でも形成
できる。磁気ヨーク膜１２の下地に非磁性膜を適用する
場合、ギャップ長はエッチングで形成されたギャップ形
成部１０ｂおよびギャップ形成部１０ｂの両脇に形成さ
れる磁気ヨーク膜１２の非磁性下地層との和となる。し
たがって、ギャップ幅はギャップ形成部１０ｂの脇に形
成される磁気ヨークの非磁性下地膜の膜厚も考慮して形
成しておくことでより厳密なギャップ長コントロールが
できる。またもし、ギャップ幅が予定よりも狭く（広
く）形成されたとき、磁気ヨーク膜１２の非磁性下地膜
で厚く（薄く）を形成することで調整が可能となる。ま
た、一方、この下地膜厚が不必要である場合、CoZrNbな
どの非晶質磁性膜を下地膜として適用することでエッチ
ングされたギャップ幅＝ギャップ長とすることができ
る。また、前記CoZrNb非晶質膜そのものをヨーク膜に適
用することもできる。

【００３７】次に、図７（ｅ）に示すように、磁気ヨー
ク膜１２の表面をCMPなどを用いてギャップ形成部１０
ｂによる突起部分を平坦化する。

【００３８】最後に、トラック幅を加工して図６
（ｄ）、図６（ｅ）に示す形状となる。また、フリンジ
ングへの影響を考慮すると、図６（ｆ）に示すように磁
気ヨーク１２の表面で急で角度α1、下層に行くに従い
なだらかな角度α2、すなわちα1>α2 の関係にあるこ
とが望ましい。例えば、α1=30度、α2=50度（平均で40
度）であることが好ましい。なお、角度は基板垂直方向
を0度とする。

【００３９】この第３の実施形態の製造方法も第２の実
施形態と同様に、歩留まりの低下およびバルクハウゼン
ノイズの発生を可及的に防止することができる。

【００４０】（第４の実施形態）第２および第３の実施
形態においては、素子の幅が0.1μｍの場合を示した
が、さらに素子幅が狭くなり0.05μｍ程度になった場合
のギャップ形成法を本発明の第４の実施形態として説明
する。図８は、本発明の第４の実施形態の製造工程を示
す図である。

【００４１】まず図８（ａ）に示すように、素子幅ｘが
0.05μｍ程度に小さくなってくると、ギャップを形成す
る位置のアライメントが困難になってくる。その場合、
下の素子・電極スタックに以下の方法でアライメントす
る。図８（ａ）に示すように、電極膜２、CPP-MR膜４、
電極膜８からなる磁気抵抗効果素子上に例えばSiからな
るギャップ材の膜２１を、幅ｘ＝0.05μｍで形成する。
次に、膜２１上にフォトレジストからなるレジストパタ
ーン２２を形成し、このレジストパターン２２をマスク
に膜２１，および磁気抵抗効果素子をパターニングする
（図８（ａ）参照）。パターニングしレジストパターン
２２を除去した後の断面を図８（ｂ）に示す。

【００４２】続いて、図８（ｃ）に示すように、基板垂
直方向から70度の角度でRIBE（Reactive Ion Beam Etch
ing）装置を用いてフレオン系ガスにてエッチングを行
う。両側から膜２１からなるギャップ形成部２１ａが所
定の幅になるようにエッチングを行う（図８（ｃ）参
照）。

【００４３】次に、ギャップ形成部２１ａの幅が所定の
幅となるようにエッチングした後、図８（ｄ）に示すよ
うに、磁気抵抗効果素子およびギャップ形成部２１ａを
覆うように絶縁膜２３を形成し、この絶縁膜２３を覆う
ように磁気ヨーク膜１２を形成する。続いて、図８
（ｅ）に示すように、磁気ヨーク膜１２をCMPなどで平
坦化を行い、ギャップ形成部２１ａを媒体走行面に出
す。この場合、ギャップ形成部２１ａの厚さと絶縁膜２
３の膜厚との和がギャップ長となる（図８（ｅ）参
照）。

【００４４】この第４の実施形態の製造方法も第２の実
施形態の製造方法と同様に歩留まりの低下およびバルク
ハウゼンノイズの発生を可及的に防止することができ
る。

【００４５】（第５の実施形態）次に、本発明の第５の
実施形態の製造方法を図９乃至図２２を参照して説明す
る。上述の第２乃至第４の実施形態の製造方法は磁気抵
抗効果素子を形成した後に磁気ヨークを形成したが、こ
の実施形態の製造方法は、磁気ヨークを形成した後に磁
気抵抗効果素子を形成する製造方法である。

【００４６】まず、図９に示すように例えばSiからなる
基板３０にDLC(Diamond Like Carbon)膜３１を2nｍ形成
する。このDLC膜３１はSi基板３０の表面なのでSiから
なる下地膜を必要としないため薄くできる。DLC膜３１
の成膜はFCVA（Filtered Cathodic Vacuum Arc）法を採
用した。基板３０の表面は凹凸が基本的には存在しない
ため回り込みをDLC膜３１に要求しない。そのため、FCV
Aのような高真空中で形成する方法に有利である。もち
ろん、CVD法やスパッタ法で形成してもかまわない。次
に、図９に示すように、例えばSiOxからなる絶縁膜３２
を100nｍ成膜し、さらにトラック幅を規定するためのエ
ッチング工程を施して絶縁膜３２にトレンチを形成し、
このトレンチでトラック幅を規定する。このトレンチの
角度を制御することで磁気ヨークの磁区構造を制御する
ことができる。角度としては45-60度が望ましい。ま
た、トレンチ表面の粗さは5nｍ程度に抑制されているこ
とが望ましい。そうすることで表面あれに起因した磁区
発生を防ぐことができる。また、SiOxの代わりにPtMnや
シンセティックフェリ層を適用することで磁気ヨークへ
のバイアス効果を期待することができる。次に図９に示
すように、例えばCoZrNbからなる膜を下地膜として５n
ｍ、さらに例えばNiFeからなる膜を100nｍを連続的に形
成し、磁性ヨーク膜３４とする。DLC膜３１のような非
晶質膜の上でNiFeのような結晶質膜の磁気特性を良好に
するにはある下地膜が必要となるが、一般的に用いられ
るようなTaなど非磁性膜はそれ自体が磁気的スペーシン
グとなりスペーシングを広げてしまう。したがって、浮
上量が20nｍを切るような非磁性下地膜5nｍのスペーシ
ングが再生信号に影響を及ぼすような浮上量において
は、CoZrNbのような磁性下地膜が有効である。もし非磁
性膜を下地として適用した場合は、略膜厚の2倍分、磁
気的なトラック幅は減少する。したがって、トレンチ幅
はその分広くしておく必要がある。トレンチへの磁性膜
の埋め込みは飛来する磁性粒子の指向性の高い方法、た
とえばイオンビームスパッタリングやロングスロー、カ
ソーディック・アーク法、または作動排気システムを用
いたスパッタリングか、もしくはメッキ法が望ましい。
シールド型ヘッドと異なり初期成長層がきわめて磁気ヨ
ーク特性に寄与するため、下地膜および指向性の高い成
膜方法が重要である。

【００４７】次に、図１０に示すように、トレンチで生
じた凹凸をターゲットにしてFIB（Focused Ion Beam）
を用いて磁気ヨーク３４に穴３５を形成する。この穴３
５の基板表面の部分３５ａは磁気ギャップ長となり、そ
の上の広がった部分３５ｂはバックギャップとなる。こ
の磁気ギャップ３５ａとバックギャップ３５ｂは角がな
く連続的に接続されることが磁区抑制の観点からは望ま
しい。図１１に示すように、バックギャップ３５ｂ磁気
ャップ３５ａの接続領域にたとえばCoZrNbなどの磁性体
３４ｂを挟み込んでバックギャップ３５ｂのFIB加工の
エンドポイントモニターにしても良い。なお、図１１に
おいて、符号３４ａおよび３４ｃは例えばNiFeからなる
膜を示しており、この場合、膜３４ａ、膜３４ｂ、膜３
４ｃから磁気ヨーク膜３４が構成される。

【００４８】次に、図１２に示すように、FIBで形成さ
れたバックギャップ３５ｂおよび磁気ギャップ３５ａに
例えばCuからなる非磁性体を埋め込む。この場合、さき
のヨーク磁性材料の埋めこみ成膜同様にイオンビームス
パッタ等の指向性の良好な成膜方法もしくはメッキ法が
望ましい。

【００４９】次に、図１３に示すように、埋め込まれた
面をCMPなどの技術で平坦化を行う。この場合、図１４
に示すように、平坦化のエンドポイントモニタリング用
として、その深さにあらかじめCoZrNbなどの磁性膜３４
ｂをヨーク膜成膜時に挟み込んでいても良い。この磁性
膜３４ｂをCMP時の研磨廃液からモニタリングすること
ができる。なお、図１３に示す工程でCMPをおこなう
と、Cuからなる非磁性体３６ａと、NiFeからなる磁気ヨ
ーク膜３４とには図１５に示すようにディッシングによ
る段差が発生する。本実施形態においては、約30nｍ程
度の段差をディッシングにより発生させる。

【００５０】次に、図１６に示すように、磁気ヨーク３
４および非磁性体３６ａ上にCPP-MR膜３８を成膜し、こ
のCPP-MR膜３８上に段差転写を目的とした例えばSiOxか
らなる膜４０を成膜する。さらに膜４０上に低分子ポリ
マー４２を塗布して表面を平坦にする。このポリマー４
２をRIEなどを用いてエッチバックを行い図１６に示す
ようにポリマー４２をディッシング穴のみに残す（図１
６参照）。このポリマー４２をマスクにしてRIEを行
い、さらにイオンミリングをかけて、穴のみにCPP-GMR
をパターニングする。このようにすることでバックギャ
ップ３５ｂ部分にのみ自己整合でCPP-GMRを残すことが
可能になる。したがって、バックギャップ３５ｂおよび
磁気ギャップ３５ａとCPP-GMR膜３８とのアライメント
誤差やパターニングサイズ誤差を考慮しないですむ設計
となる。

【００５１】次に、図１７に示すように、全面に例えば
アルミナ(Al₂O₃)からなる絶縁膜４４を30nｍ形成する。
その後、図１８に示すように、レジスト４２上の絶縁膜
４４をリフトオフもしくはポリシングを用いて除去す
る。

【００５２】最後に、図１９に示すように、全面に電極
膜４６を形成してウエハー工程を完了する。電極膜４６
を形成する前にCPP-MR膜３８のキャップ層（最上層）の
酸化層を取るためのエッチング工程に留意する必要があ
る。CPP-MR膜３８の素子サイズは約0.1μｍ程度と極め
て小さいため、その部分の残留酸化層がコンタクト抵抗
に及ぼす影響は極めて大きい。したがって、電極膜４６
を形成する前にスパッタエッチングやイオンビームエッ
チングを十分行えるだけのキャップ層の膜厚設計やアル
ミナ保護膜４４の膜厚設計が必要となる。また、エッチ
ング照射によるCPP-MR膜３８へのダメージを防ぐためキ
ャップ層厚を大きくとった場合、垂直通電によるセンス
電流磁界によりヨークがバイアスを強く受けてしまう。
したがって、キャップ層を厚くするのは望ましくない。
そのため、酸化層が基本的にできないAuやPtなどの材料
でキャップ層を形成しておくか、もしくはTaとAuやPtな
どを積層して形成しておくことが望ましい。

【００５３】次に、ウエハー工程で使用したSi基板３０
を、裏面研削およびウエットエッチングやCF4系のガス
によるトーチにより剥離する（図２０参照）。このと
き、ウエハー表面をサポート基板で固定することによ
り、その後の取り扱いによるサンプル損傷を防ぎやすく
なる。また、CF4系ガストーチによる基板剥離は、ヨー
ク材料やギャップ充填材を基本的にエッチングしないた
め、ウエットエッチングに比べて信頼性に優れる方法で
ある。その場合、DLC膜３１は最初にコーティングして
おく必要はない。

【００５４】次に、図２１に示すように、DLC膜３１が
コーティングされた媒体走行面に突起状に出ているギャ
ップ材36ａをCMPなどの平坦化方法でとる。前述したよ
うに最初の時点で形成していたDLC膜３１をこの平坦化
工程後に形成しても良い。そうすることでより厳密なヘ
ッド保護膜厚の制御ができる。

【００５５】このようにして、サンプルを作成した結
果、図２２に示すように、電極４６から、CPP-MR膜３８
を流れ、電極を兼ねている磁気ヨーク膜３４に流れてい
くセンス電流は、CPP-MR膜３８での垂直方向センス電流
中心は近接ヨーク位置L1とL2から等距離にある。その結
果、垂直通電センス電流による電流磁界は両側に同じよ
うに印加される。

【００５６】この第５の実施形態の製造方法も、歩留ま
りの低下およびバルクハウゼンノイズの発生を可及的に
防止することができる。

【００５７】（第６の実施形態）次に、本発明の第６の
実施の形態を図２４および図２５を参照して説明する。
この実施の形態は、磁気ディスク装置であって、この磁
気ディスク装置の概略構成を図２４に示す。すなわち、
本実施の形態の磁気ディスク装置１５０は、ロータリー
アクチュエータを用いた形式の装置である。図２４にお
いて、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２に装着
され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答
する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転する。
磁気ディスク２００は、磁気ディスク２００に格納する
情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、薄膜状
のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。
ここで、ヘッドスライダ１５３は、例えば、前述したい
ずれかの実施形態にかかる磁気ヘッドをその先端付近に
搭載している。

【００５８】磁気ディスク２００が回転すると、ヘッド
スライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク
２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。

【００５９】サスペンション１５４は、図示しない駆動
コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータ
アーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータ
アーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボ
イスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイ
ルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコ
イルを挟み込むように対向して配置された永久磁石およ
び対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。

【００６０】アクチュエータアーム１５５は、固定軸１
５７の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリ
ングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６によ
り回転摺動が自在にできるようになっている。

【００６１】図２５は、アクチュエータアーム１５５か
ら先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡
大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ１
６０は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有
するアクチュエータアーム１５１を有し、アクチュエー
タアーム１５５の一端にはサスペンション１５４が接続
されている。

【００６２】サスペンション１５４の先端には、上記実
施形態のいずれかで説明した磁気ヘッドを具備するヘッ
ドスライダ１５３が取り付けられている。なお、再生ヘ
ッドと記録用ヘッドを組み合わせても良い。サスペンシ
ョン１５４は信号の書き込みおよび読み取り用のリード
線１６４を有し、このリード線１６４とヘッドスライダ
１５３に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的に
接続されている。図２５の符号１６５は磁気ヘッドアッ
センブリ１６０の電極パッドである。

【００６３】ここで、ヘッドスライダ１５３の媒体対向
面（ＡＢＳ）と磁気ディスク２００の表面との間には、
所定の浮上量が設定されている。

【００６４】なお、磁気ディスク装置に関しても、再生
のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものあ
っても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定さ
れず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなど
のあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さ
らに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、い
わゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。

【００６５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、歩
留まりの低下およびバルクハウゼンノイズの発生を可及
的に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の構成を示す断面図。

【図２】本発明の第２の実施形態の構成を示す製造工程
図。

【図３】本発明の第２の実施形態の構成を示す製造工程
図。

【図４】本発明の第２の実施形態の構成を示す製造工程
断面図。

【図５】本発明の第２の実施形態の構成を示す製造工程
断面図。

【図６】本発明の第２の実施形態の構成を示す製造工程
断面図。

【図７】本発明の第３の実施形態の構成を示す製造工程
断面図。

【図８】本発明の第４の実施形態の構成を示す製造工程
図。

【図９】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工程
断面図。

【図１０】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１１】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１２】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１３】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１４】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１５】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１６】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１７】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１８】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図１９】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図２０】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図２１】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工
程断面図。

【図２２】本発明の第５の実施形態によって製造された
ヨーク型磁気ヘッドの効果を説明する断面図。

【図２３】第１の実施形態のヨーク型磁気ヘッドの効果
の一例を説明する図。

【図２４】本発明による磁気ディスク装置の概略構成を
示す要部斜視図。

【図２５】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドア
センブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。

【図２６】従来のヨーク型磁気ヘッドの問題点を説明す
る図。

【符号の説明】

２電極膜４磁気抵抗効果膜６絶縁膜８電極膜９レジストパターン１０ギャップ膜１２磁気ヨーク（磁性膜）１４磁気ギャップ１６ギャップ充填材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者原通子神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者橋本進神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内Ｆターム(参考） 2G017 AC01 AC06 AD55 AD65 5D034 BA03 BA06 BA08 BA18 CA04 CA08 DA07 5E049 BA12 FC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項1】膜面内に磁化を有する感磁層を備え、膜面
に対して垂直方向にセンス電流を流す面内垂直通電型の
磁気抵抗効果膜を形成し、素子形状にパターニングする
工程と、素子形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜を覆う磁
気ヨークを形成する工程と、を備えたことを特徴とするヨーク型磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項２】前記磁気ヨークを形成する前に、素子形状
にパターニングされた前記磁気抵抗効果膜上を覆う非磁
性膜を形成し、この非磁性膜をパターニングして前記磁
気抵抗効果膜上に磁気ギャップを形成する工程を備えた
ことを特徴とする請求項１記載のヨーク型磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項３】前記磁気ヨークを形成する前に、素子形状
にパターニングされた前記磁気抵抗効果膜を非磁性膜で
覆って凸部を形成する工程を備え、前記磁気ヨークを形成する工程は、前記凸部を磁性膜で
覆い、前記凸部上の前記磁性膜に磁気ギャップを形成す
ることを特徴とする請求項１記載のヨーク型磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方
法によって製造されたヨーク型磁気ヘッド。
【請求項５】請求項４記載のヨーク型磁気ヘッドを再生
磁気ヘッドとして搭載したことを特徴とする磁気ディス
ク装置。