JPH0935215A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0935215A JPH0935215A JP18247195A JP18247195A JPH0935215A JP H0935215 A JPH0935215 A JP H0935215A JP 18247195 A JP18247195 A JP 18247195A JP 18247195 A JP18247195 A JP 18247195A JP H0935215 A JPH0935215 A JP H0935215A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子を用いる薄膜磁気ヘッドにおいて、
該ＭＲ素子に電流を流すリード導体部のケミカルエッチ
ング工程数を削減し、パターン精度に優れたリード導体
部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 ＭＲ素子１に電流を流すリード導体５がＣｒ
層２、Ａｕ層３、Ｔｉ層４を順次成膜した３層導体膜で
形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、フォトリソグラフ
ィ技術で３層導体膜の上にレジストパターンを作成する
工程と、ドライエッチングを用いて３層導体膜のＣｒ層
２の途中までエッチングする工程と、ケミカルエッチン
グ液を用いてＣｒ層２の残存膜をエッチングする工程に
より、ケミカルエッチング工程が一度で済み、Ｃｒ層２
のサイドエッチングが少なくパターン精度に優れたリー
ド導体５を有する薄膜磁気ヘッドが得られる。
該ＭＲ素子に電流を流すリード導体部のケミカルエッチ
ング工程数を削減し、パターン精度に優れたリード導体
部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 ＭＲ素子１に電流を流すリード導体５がＣｒ
層２、Ａｕ層３、Ｔｉ層４を順次成膜した３層導体膜で
形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、フォトリソグラフ
ィ技術で３層導体膜の上にレジストパターンを作成する
工程と、ドライエッチングを用いて３層導体膜のＣｒ層
２の途中までエッチングする工程と、ケミカルエッチン
グ液を用いてＣｒ層２の残存膜をエッチングする工程に
より、ケミカルエッチング工程が一度で済み、Ｃｒ層２
のサイドエッチングが少なくパターン精度に優れたリー
ド導体５を有する薄膜磁気ヘッドが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に使
用する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
用する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野においては、高密度
記録化に伴い、狭トラック化、マルチチャンネル化され
た薄膜磁気ヘッドが必要になってきている。特にオーデ
ィオやビデオ製品のデジタル化に伴って、民生機器分野
にまで薄膜磁気ヘッドが進出しようとしており、高密度
化に適した磁気抵抗効果（以下ＭＲとする）材料を用い
て電磁変換するＭＲヘッドが搭載されつつある。
記録化に伴い、狭トラック化、マルチチャンネル化され
た薄膜磁気ヘッドが必要になってきている。特にオーデ
ィオやビデオ製品のデジタル化に伴って、民生機器分野
にまで薄膜磁気ヘッドが進出しようとしており、高密度
化に適した磁気抵抗効果（以下ＭＲとする）材料を用い
て電磁変換するＭＲヘッドが搭載されつつある。
【０００３】以下に従来の磁気ヘッド及びその製造方法
について説明する。図３（ａ）は従来のヨーク型ＭＲヘ
ッドのＭＲ素子周辺の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
のＸ−Ｘ1断面図を示すものである。図３（ａ）（ｂ）
において１１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子で
ある。１２はＣｒ層、１３はＡｕ層、１４はＴｉ層であ
り、Ｃｒ層１２とＡｕ層１３及びＴｉ層１４でリード導
体１５及びバーバーポール１６を形成している。１７は
磁性ヨーク層である。１８はバイアス導体である。１９
ａ、１９ｂ、１９ｃは絶縁層であり、２０は保護層であ
る。２２は磁性基板である。
について説明する。図３（ａ）は従来のヨーク型ＭＲヘ
ッドのＭＲ素子周辺の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
のＸ−Ｘ1断面図を示すものである。図３（ａ）（ｂ）
において１１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子で
ある。１２はＣｒ層、１３はＡｕ層、１４はＴｉ層であ
り、Ｃｒ層１２とＡｕ層１３及びＴｉ層１４でリード導
体１５及びバーバーポール１６を形成している。１７は
磁性ヨーク層である。１８はバイアス導体である。１９
ａ、１９ｂ、１９ｃは絶縁層であり、２０は保護層であ
る。２２は磁性基板である。
【０００４】まず、従来ヘッドの構成について説明す
る。磁性基板２２に絶縁層１９ａを介してＡｕ等の金属
からなるバイアス導体１８が配置され、さらに絶縁層１
９ｂを介してＭＲ素子１１が配置される。このＭＲ素子
１１の一部に直接接触するようにリード導体１５とバー
バーポール１６が配置される。さらに絶縁層１９ｃを介
して、磁性ヨーク１７が配置され、保護層２０で覆われ
た構成をしている。
る。磁性基板２２に絶縁層１９ａを介してＡｕ等の金属
からなるバイアス導体１８が配置され、さらに絶縁層１
９ｂを介してＭＲ素子１１が配置される。このＭＲ素子
１１の一部に直接接触するようにリード導体１５とバー
バーポール１６が配置される。さらに絶縁層１９ｃを介
して、磁性ヨーク１７が配置され、保護層２０で覆われ
た構成をしている。
【０００５】図３に示す磁気ヘッドの製造方法は次のよ
うになる。磁性基板２２に絶縁層１９ａとバイアス導体
１８をスパッタ等で順次成膜する。次にフォトリソグラ
フィ技術及びエッチング技術を用いて所定形状を形成す
る。次に絶縁層１９ｂを成膜後同様に所定形状に形成し
た後，ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜後所定形状に形
成して、ＭＲ素子１１を作成する。次にリード導体１５
及びバーバーポール１６の作成について図４（ａ）のＹ
−Ｙ1断面図を用いて説明する。図４（ｂ）に示すよう
に、ＭＲ素子１１作成後Ｃｒ層１２、Ａｕ層１３及びＴ
ｉ層１４を成膜する。図４（ｃ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術によりレジスト３１を必要形状に形成
後、図４（ｄ）に示すようにイオンミリング等のドライ
エッチング技術を用いてＡｕ層１３を途中まで必要形状
にエッチングする。次に図４（ｅ）に示すように、レジ
スト３１を除去した後、Ａｕ及びＣｒのケミカルエッチ
ングによりＡｕ層１３の残存膜及びＣｒ層１２を必要形
状に形成することで、リード導体１５及びバーバーポー
ル１６を形成することができる。次に図４（ｆ）に示す
ように、絶縁層１９ｃを成膜する。その後図３（ｂ）に
示すように、絶縁層１９ｃを所定形状に形成する。次に
軟磁性材料を成膜して所定形状に形成して磁性ヨーク１
７を得る。次に保護膜２０を形成することで薄膜磁気ヘ
ッドの薄膜工程を完成する。
うになる。磁性基板２２に絶縁層１９ａとバイアス導体
１８をスパッタ等で順次成膜する。次にフォトリソグラ
フィ技術及びエッチング技術を用いて所定形状を形成す
る。次に絶縁層１９ｂを成膜後同様に所定形状に形成し
た後，ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜後所定形状に形
成して、ＭＲ素子１１を作成する。次にリード導体１５
及びバーバーポール１６の作成について図４（ａ）のＹ
−Ｙ1断面図を用いて説明する。図４（ｂ）に示すよう
に、ＭＲ素子１１作成後Ｃｒ層１２、Ａｕ層１３及びＴ
ｉ層１４を成膜する。図４（ｃ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術によりレジスト３１を必要形状に形成
後、図４（ｄ）に示すようにイオンミリング等のドライ
エッチング技術を用いてＡｕ層１３を途中まで必要形状
にエッチングする。次に図４（ｅ）に示すように、レジ
スト３１を除去した後、Ａｕ及びＣｒのケミカルエッチ
ングによりＡｕ層１３の残存膜及びＣｒ層１２を必要形
状に形成することで、リード導体１５及びバーバーポー
ル１６を形成することができる。次に図４（ｆ）に示す
ように、絶縁層１９ｃを成膜する。その後図３（ｂ）に
示すように、絶縁層１９ｃを所定形状に形成する。次に
軟磁性材料を成膜して所定形状に形成して磁性ヨーク１
７を得る。次に保護膜２０を形成することで薄膜磁気ヘ
ッドの薄膜工程を完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、前記３層導体膜の形成において、ＭＲ素
子を保護するため、Ａｕ層がなくなる前にイオンミリン
グを止めねばならない。そのため、ＫＩ（ヨウ化カリ）
とＩ2（ヨウ素）等からなるＡｕのエッチング液を用い
てＡｕ層の残存膜をエッチングする工程と、過マンガン
酸カリ等からなるＣｒのエッチング液を用いてＣｒ層を
エッチングする工程の２度のケミカルエッチング工程が
必要であった。パターン形状においても、Ａｕ、Ｃｒ層
間が二度エッチング液に晒されるためサイドエッチング
が大きく、その進行度合いによるパターン精度ばらつき
も大きかった。
来の構成では、前記３層導体膜の形成において、ＭＲ素
子を保護するため、Ａｕ層がなくなる前にイオンミリン
グを止めねばならない。そのため、ＫＩ（ヨウ化カリ）
とＩ2（ヨウ素）等からなるＡｕのエッチング液を用い
てＡｕ層の残存膜をエッチングする工程と、過マンガン
酸カリ等からなるＣｒのエッチング液を用いてＣｒ層を
エッチングする工程の２度のケミカルエッチング工程が
必要であった。パターン形状においても、Ａｕ、Ｃｒ層
間が二度エッチング液に晒されるためサイドエッチング
が大きく、その進行度合いによるパターン精度ばらつき
も大きかった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ケミカルエッチングが一度で済み、パターン精度に
優れたリード導体部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法
を提供することを目的とする。
で、ケミカルエッチングが一度で済み、パターン精度に
優れたリード導体部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、フォトリソグラ
フィ技術を用いて前記３層導体膜の上に必要形状にレジ
ストパターンを作成する工程と、イオンミリング等ドラ
イエッチングを用いて前記３層導体膜の前記第１層Ｃｒ
の途中までエッチングする工程と、ケミカルエッチング
液を用いて前記第１層Ｃｒの残存膜をエッチングする工
程とを含むことを特徴とする。
に、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、フォトリソグラ
フィ技術を用いて前記３層導体膜の上に必要形状にレジ
ストパターンを作成する工程と、イオンミリング等ドラ
イエッチングを用いて前記３層導体膜の前記第１層Ｃｒ
の途中までエッチングする工程と、ケミカルエッチング
液を用いて前記第１層Ｃｒの残存膜をエッチングする工
程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
【作用】この製造方法によって、従来であればＡｕ層、
Ｃｒ層の二度のケミカルエッチング工程が必要であった
が、本発明では、Ｃｒ層の途中までイオンミリング等の
ドライエッチングができるため、ケミカルエッチング工
程が一度で済む。また、ケミカルエッチングの時に、Ｃ
ｒ層の残存膜のみを短時間でエッチングできるため、当
然Ａｕ層のサイドエッチングはなくなり、Ｃｒ層のサイ
ドエッチングも少なくなり、パターン精度が向上する。
Ｃｒ層の二度のケミカルエッチング工程が必要であった
が、本発明では、Ｃｒ層の途中までイオンミリング等の
ドライエッチングができるため、ケミカルエッチング工
程が一度で済む。また、ケミカルエッチングの時に、Ｃ
ｒ層の残存膜のみを短時間でエッチングできるため、当
然Ａｕ層のサイドエッチングはなくなり、Ｃｒ層のサイ
ドエッチングも少なくなり、パターン精度が向上する。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１（ａ）は本実施例のヨーク型ＭＲヘッ
ドのＭＲ素子周辺の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
Ｘ−Ｘ1断面図を示すものである。図１（ａ）（ｂ）に
おいて１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子であ
る。Ｃｒ層２とＡｕ層３及びＴｉ層４でリード導体５及
びバーバーポール６を形成している。
ドのＭＲ素子周辺の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
Ｘ−Ｘ1断面図を示すものである。図１（ａ）（ｂ）に
おいて１はＮｉＦｅ合金等で形成されるＭＲ素子であ
る。Ｃｒ層２とＡｕ層３及びＴｉ層４でリード導体５及
びバーバーポール６を形成している。
【００１２】まず、本実施例のヘッドの構成について説
明する。磁性基板２１に絶縁層９ａを介してＡｕ等の金
属からなるバイアス導体８が配置され、さらに絶縁層９
ｂを介してＭＲ素子１が配置される。このＭＲ素子１の
一部に直接接触するようにリード導体５とバーバーポー
ル６が配置される。さらに絶縁層９ｃを介して、磁性ヨ
ーク７が配置され、保護層１０で覆われた構成をしてい
る。
明する。磁性基板２１に絶縁層９ａを介してＡｕ等の金
属からなるバイアス導体８が配置され、さらに絶縁層９
ｂを介してＭＲ素子１が配置される。このＭＲ素子１の
一部に直接接触するようにリード導体５とバーバーポー
ル６が配置される。さらに絶縁層９ｃを介して、磁性ヨ
ーク７が配置され、保護層１０で覆われた構成をしてい
る。
【００１３】次に、図１に示す磁気ヘッドの製造方法は
次のようになる。磁性基板２１に絶縁層９ａとバイアス
導体８をスパッタ等で順次成膜する。次にフォトリソグ
ラフィ技術及びエッチング技術を用いて所定形状を形成
する。次に絶縁層９ｂを成膜後同様に所定形状に形成し
た後、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜後所定形状に形
成して、ＭＲ素子１を作成する。次にリード導体５及び
バーバーポール６の作成について図２（ａ）のＹ−Ｙ1
断面図を用いて説明する。図２（ｂ）に示すように、Ｍ
Ｒ素子１作成後Ｃｒ層２、Ａｕ層３及びＴｉ層４を成膜
する。図２（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技
術によりレジスト３１を必要形状に形成後、図２（ｄ）
に示すようにイオンミリング等のドライエッチング技術
を用いてＣｒ層２を途中まで必要形状にエッチングす
る。次に図２（ｅ）に示すように、レジスト３１を除去
した後、ＣｒのケミカルエッチングによりＣｒ層２の残
存膜を必要形状に形成することで、リード導体５及びバ
ーバーポール６を形成することができる。次に図２
（ｆ）に示すように、絶縁層９ｃを成膜する。その後図
１（ｂ）に示すように、絶縁層９ｃを所定形状に形成す
る。次に軟磁性材料を成膜して所定形状に形成して磁性
ヨーク７を得る。次に保護層１０を形成することで薄膜
磁気ヘッドの薄膜工程を完成する。
次のようになる。磁性基板２１に絶縁層９ａとバイアス
導体８をスパッタ等で順次成膜する。次にフォトリソグ
ラフィ技術及びエッチング技術を用いて所定形状を形成
する。次に絶縁層９ｂを成膜後同様に所定形状に形成し
た後、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を成膜後所定形状に形
成して、ＭＲ素子１を作成する。次にリード導体５及び
バーバーポール６の作成について図２（ａ）のＹ−Ｙ1
断面図を用いて説明する。図２（ｂ）に示すように、Ｍ
Ｒ素子１作成後Ｃｒ層２、Ａｕ層３及びＴｉ層４を成膜
する。図２（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技
術によりレジスト３１を必要形状に形成後、図２（ｄ）
に示すようにイオンミリング等のドライエッチング技術
を用いてＣｒ層２を途中まで必要形状にエッチングす
る。次に図２（ｅ）に示すように、レジスト３１を除去
した後、ＣｒのケミカルエッチングによりＣｒ層２の残
存膜を必要形状に形成することで、リード導体５及びバ
ーバーポール６を形成することができる。次に図２
（ｆ）に示すように、絶縁層９ｃを成膜する。その後図
１（ｂ）に示すように、絶縁層９ｃを所定形状に形成す
る。次に軟磁性材料を成膜して所定形状に形成して磁性
ヨーク７を得る。次に保護層１０を形成することで薄膜
磁気ヘッドの薄膜工程を完成する。
【００１４】以上のように本実施例によれば、３層導体
膜の第１層Ｃｒの膜厚が、基板内における導体膜３層の
成膜レート・エッチングレートのばらつきによらず、Ａ
ｕ層が全ての領域でイオンミリング等によるエッチング
で底辺までパターン形成された時点において、Ｃｒ層が
全ての領域で残っているだけの厚みを有していることに
より、Ｃｒ層の途中までイオンミリング等のドライエッ
チングができるため、ケミカルエッチング工程が一度で
済み、Ｃｒ層のサイドエッチングが少なく、パターン精
度を向上させることができる。
膜の第１層Ｃｒの膜厚が、基板内における導体膜３層の
成膜レート・エッチングレートのばらつきによらず、Ａ
ｕ層が全ての領域でイオンミリング等によるエッチング
で底辺までパターン形成された時点において、Ｃｒ層が
全ての領域で残っているだけの厚みを有していることに
より、Ｃｒ層の途中までイオンミリング等のドライエッ
チングができるため、ケミカルエッチング工程が一度で
済み、Ｃｒ層のサイドエッチングが少なく、パターン精
度を向上させることができる。
【００１５】なお、本実施例において３層導体膜の第３
層はＴｉ層としたが、第３層はＴａとしてもよい。
層はＴｉ層としたが、第３層はＴａとしてもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、磁気テープ上の
信号を磁気抵抗効果により再生し、磁気抵抗効果材と該
磁気抵抗効果材に電流を流すリード導体部よりなる薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記リード導体部第１層の途中ま
でイオンミリング等のドライエッチングができるため、
ケミカルエッチング工程が一度で済み、Ｃｒ層のサイド
エッチングが少なくパターン精度に優れた高性能・高歩
留まりの優れた磁気ヘッドを実現できるものである。
信号を磁気抵抗効果により再生し、磁気抵抗効果材と該
磁気抵抗効果材に電流を流すリード導体部よりなる薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記リード導体部第１層の途中ま
でイオンミリング等のドライエッチングができるため、
ケミカルエッチング工程が一度で済み、Ｃｒ層のサイド
エッチングが少なくパターン精度に優れた高性能・高歩
留まりの優れた磁気ヘッドを実現できるものである。
【図１】本発明の実施例における薄膜磁気ヘッドの平面
及び断面図
及び断面図
【図２】本発明の実施例における薄膜磁気ヘッド製造方
法の各工程説明図
法の各工程説明図
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの平面及び断面図
【図４】従来の薄膜磁気ヘッド製造方法の各工程説明図
１ ＭＲ素子 ２ Ｃｒ層 ３ Ａｕ層 ４ Ｔｉ層 ５ リード導体 ６ バーバーポール ７ 磁性ヨーク ８ バイアス導体 ９ａ、９ｂ、９ｃ 絶縁層 １０ 保護層 ２１ 磁性基板 ３１ レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 健二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気テープ上の信号を磁気抵抗効果素子
により再生し、かつ、前記磁気抵抗効果素子に電流を流
すリード導体部が、下から第１層にＣｒ、第２層にＡ
ｕ、第３層にＴｉあるいはＴａを順次成膜した３層導体
膜により形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて前記３層導体膜の上に必要形状
にレジストパターンを作成する工程と、イオンミリング
等ドライエッチングを用いて前記３層導体膜の前記第１
層Ｃｒの途中までエッチングする工程と、ケミカルエッ
チング液を用いて前記第１層Ｃｒの残存膜をエッチング
する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18247195A JPH0935215A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18247195A JPH0935215A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935215A true JPH0935215A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16118851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18247195A Pending JPH0935215A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0935215A (ja) |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP18247195A patent/JPH0935215A/ja active Pending
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