JPH0548245A - 薄膜電極パターン形成方法 - Google Patents
薄膜電極パターン形成方法Info
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- JPH0548245A JPH0548245A JP20931391A JP20931391A JPH0548245A JP H0548245 A JPH0548245 A JP H0548245A JP 20931391 A JP20931391 A JP 20931391A JP 20931391 A JP20931391 A JP 20931391A JP H0548245 A JPH0548245 A JP H0548245A
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- metal film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に、Ｎｉ−Ｃｒ等からなる第１の下地
金属膜およびＡｕからなる第２の下地金属膜を順次形成
し、その上に、レジストを用いた選択めっきによりＡｕ
からなるめっき膜を形成した後、不要な下地金属膜をウ
ェットエッチングにより除去することにより生じる、め
っき膜の腐蝕という問題を回避する。 【構成】 不要な第２の下地金属膜１３を、ドライエッ
チングにより除去し、不要な第１の下地金属膜１２をド
ライエッチングまたはウェットエッチングにより除去す
る。
金属膜およびＡｕからなる第２の下地金属膜を順次形成
し、その上に、レジストを用いた選択めっきによりＡｕ
からなるめっき膜を形成した後、不要な下地金属膜をウ
ェットエッチングにより除去することにより生じる、め
っき膜の腐蝕という問題を回避する。 【構成】 不要な第２の下地金属膜１３を、ドライエッ
チングにより除去し、不要な第１の下地金属膜１２をド
ライエッチングまたはウェットエッチングにより除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜電極パターン形
成方法に関するもので、特に、高精度の薄膜電極パター
ンを形成するため、選択めっき法が用いられる、薄膜電
極パターン形成方法に関するものである。
成方法に関するもので、特に、高精度の薄膜電極パター
ンを形成するため、選択めっき法が用いられる、薄膜電
極パターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２には、この発明にとって興味ある従
来の薄膜電極パターン形成方法が示されている。
来の薄膜電極パターン形成方法が示されている。
【０００３】図２において、まず、（１）に示すよう
に、たとえばアルミナ、ガラスのような任意の材料から
なる基板１が用意される。
に、たとえばアルミナ、ガラスのような任意の材料から
なる基板１が用意される。
【０００４】次に、（２）に示すように、基板１上に、
第１および第２の下地金属膜２および３が、順次、蒸着
またはスパッタにより形成される。第１および第２の下
地金属膜２および３は、基板１の一方主面の全面にわた
って形成される。一例として、第１の下地金属膜２は、
Ｔｉからなり、その厚みが５００〜１０００オングスト
ロームとされ、他方、第２の下地金属膜３は、Ｐｄから
なり、その厚みが１０００〜３０００オングストローム
とされる。
第１および第２の下地金属膜２および３が、順次、蒸着
またはスパッタにより形成される。第１および第２の下
地金属膜２および３は、基板１の一方主面の全面にわた
って形成される。一例として、第１の下地金属膜２は、
Ｔｉからなり、その厚みが５００〜１０００オングスト
ロームとされ、他方、第２の下地金属膜３は、Ｐｄから
なり、その厚みが１０００〜３０００オングストローム
とされる。
【０００５】次に、（３）に示すように、第２の下地金
属膜３上に、たとえばフォトリソグラフィによりパター
ニングされたレジスト膜４が形成される。このレジスト
膜４は、得ようとする薄膜電極パターンを反転したパタ
ーンを有している。
属膜３上に、たとえばフォトリソグラフィによりパター
ニングされたレジスト膜４が形成される。このレジスト
膜４は、得ようとする薄膜電極パターンを反転したパタ
ーンを有している。
【０００６】次に、（４）に示すように、第２の下地金
属膜３上であって、レジスト膜４が形成された部分を除
いて、めっき膜５がめっきにより形成される。このめっ
き膜５は、たとえばＡｕからなり、その厚みが２〜１０
μｍとされる。
属膜３上であって、レジスト膜４が形成された部分を除
いて、めっき膜５がめっきにより形成される。このめっ
き膜５は、たとえばＡｕからなり、その厚みが２〜１０
μｍとされる。
【０００７】次に、（５）に示すように、レジスト膜４
が除去される。次に、（６）に示すように、除去前のレ
ジスト膜４により覆われていた部分にある第１および第
２の下地金属膜２および３が、ウェットエッチングによ
り除去される。このようにして、所望の薄膜電極パター
ンが形成される。
が除去される。次に、（６）に示すように、除去前のレ
ジスト膜４により覆われていた部分にある第１および第
２の下地金属膜２および３が、ウェットエッチングによ
り除去される。このようにして、所望の薄膜電極パター
ンが形成される。
【０００８】上述の選択めっき法を用いる薄膜電極パタ
ーン形成方法によれば、電極パターンの精度がレジスト
膜４のパターンの精度で決まるため、高精度のパターニ
ングが可能であり、原理的にはサブミクロンの精度も期
待できる。
ーン形成方法によれば、電極パターンの精度がレジスト
膜４のパターンの精度で決まるため、高精度のパターニ
ングが可能であり、原理的にはサブミクロンの精度も期
待できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た選択めっき法による薄膜電極パターン形成方法では、
レジスト膜４を除去した後に残された不要な下地金属膜
２および３をウェットエッチングにより除去する必要が
ある。したがって、たとえばＡｕのような貴金属からな
るめっき膜５が除去されることなく、下地金属膜２およ
び３のみが選択的にエッチングされるように、これら下
地金属膜２および３を構成する金属を選ぶ必要がある。
上で述べた例では、この要望を満たすため、下地金属膜
２および３として、それぞれ、ＴｉおよびＰｄが用いら
れている。このように、下地金属膜２および３のみが選
択的にエッチングされ得るという条件に鑑みたとき、下
地金属膜２および３を構成できる金属の種類が制約され
る。たとえば、下地金属膜２および３の少なくとも一方
に、Ａｕのような貴金属を用いることは、実質的に不可
能である。
た選択めっき法による薄膜電極パターン形成方法では、
レジスト膜４を除去した後に残された不要な下地金属膜
２および３をウェットエッチングにより除去する必要が
ある。したがって、たとえばＡｕのような貴金属からな
るめっき膜５が除去されることなく、下地金属膜２およ
び３のみが選択的にエッチングされるように、これら下
地金属膜２および３を構成する金属を選ぶ必要がある。
上で述べた例では、この要望を満たすため、下地金属膜
２および３として、それぞれ、ＴｉおよびＰｄが用いら
れている。このように、下地金属膜２および３のみが選
択的にエッチングされ得るという条件に鑑みたとき、下
地金属膜２および３を構成できる金属の種類が制約され
る。たとえば、下地金属膜２および３の少なくとも一方
に、Ａｕのような貴金属を用いることは、実質的に不可
能である。
【００１０】すなわち、たとえば、めっき膜５がＡｕか
らなる場合、第２の下地金属膜３もＡｕの蒸着またはス
パッタによる膜で構成すると、第１の下地金属膜２を薄
くすることができる。この場合、第１の下地金属膜２
は、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金またはＴｉ−Ｗ合金からな
り、その厚みを３００〜５００オングストローム程度に
薄くすることができる。しかしながら、図２（５）に示
すようにレジスト膜４が除去された後、Ａｕからなる第
２の下地金属膜３をウェットエッチング（通常、ＫＩ＋
Ｉ2 溶液が用いられる）により除去しようとすれば、同
じＡｕからなるめっき膜５が、図３に示すように、エッ
チング溶液により腐蝕され、実用に耐え得ないものとな
ってしまう。
らなる場合、第２の下地金属膜３もＡｕの蒸着またはス
パッタによる膜で構成すると、第１の下地金属膜２を薄
くすることができる。この場合、第１の下地金属膜２
は、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金またはＴｉ−Ｗ合金からな
り、その厚みを３００〜５００オングストローム程度に
薄くすることができる。しかしながら、図２（５）に示
すようにレジスト膜４が除去された後、Ａｕからなる第
２の下地金属膜３をウェットエッチング（通常、ＫＩ＋
Ｉ2 溶液が用いられる）により除去しようとすれば、同
じＡｕからなるめっき膜５が、図３に示すように、エッ
チング溶液により腐蝕され、実用に耐え得ないものとな
ってしまう。
【００１１】それゆえに、この発明の目的は、下地金属
膜として用いられ得る金属の幅を広げることができる、
薄膜電極パターン形成方法を提供しようとすることであ
る。
膜として用いられ得る金属の幅を広げることができる、
薄膜電極パターン形成方法を提供しようとすることであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板を用意
するステップと、前記基板上に下地金属膜を形成するス
テップと、前記下地金属膜上にパターニングされたレジ
スト膜を形成するステップと、前記下地金属膜上であっ
て、前記レジスト膜が形成された部分を除いて、めっき
膜をめっきにより形成するステップと、前記レジスト膜
を除去するステップと、除去前の前記レジスト膜により
覆われていた部分にある前記下地金属膜をエッチングに
より除去するステップとを備える薄膜電極パターン形成
方法に向けられるものであって、前記下地金属膜を除去
するステップにおいて、ドライエッチングにより前記下
地金属膜の少なくとも一部を除去するステップを備える
ことを特徴としている。
するステップと、前記基板上に下地金属膜を形成するス
テップと、前記下地金属膜上にパターニングされたレジ
スト膜を形成するステップと、前記下地金属膜上であっ
て、前記レジスト膜が形成された部分を除いて、めっき
膜をめっきにより形成するステップと、前記レジスト膜
を除去するステップと、除去前の前記レジスト膜により
覆われていた部分にある前記下地金属膜をエッチングに
より除去するステップとを備える薄膜電極パターン形成
方法に向けられるものであって、前記下地金属膜を除去
するステップにおいて、ドライエッチングにより前記下
地金属膜の少なくとも一部を除去するステップを備える
ことを特徴としている。
【００１３】
【作用】不要な下地金属膜をエッチングにより除去する
に際して、下地金属膜の少なくとも一部がドライエッチ
ングにより除去されるので、めっき膜を構成する金属と
の関係でウェットエッチングを適用できない場合であっ
ても、下地金属膜のエッチングが可能となる。
に際して、下地金属膜の少なくとも一部がドライエッチ
ングにより除去されるので、めっき膜を構成する金属と
の関係でウェットエッチングを適用できない場合であっ
ても、下地金属膜のエッチングが可能となる。
【００１４】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、下地金
属膜を構成する金属およびめっき膜を構成する金属に関
して、下地金属膜を構成する金属のみが選択的にウェッ
トエッチングにより除去され得ることを考慮する必要が
ないので、下地金属膜を構成する金属ひいてはめっき膜
を構成する金属の各々の選択の幅を広げることができ
る。そのため、基板を構成する材料、得ようとする電気
的特性に適した金属を選ぶことができるようになる。ま
た、高精度の電極パターンを形成できるといった選択め
っき法の利点はそのまま保有される。
属膜を構成する金属およびめっき膜を構成する金属に関
して、下地金属膜を構成する金属のみが選択的にウェッ
トエッチングにより除去され得ることを考慮する必要が
ないので、下地金属膜を構成する金属ひいてはめっき膜
を構成する金属の各々の選択の幅を広げることができ
る。そのため、基板を構成する材料、得ようとする電気
的特性に適した金属を選ぶことができるようになる。ま
た、高精度の電極パターンを形成できるといった選択め
っき法の利点はそのまま保有される。
【００１５】また、めっき膜５がＡｕからなる場合、下
地金属膜として、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金またはＴｉ−
Ｗ合金からなる第１の下地金属膜およびＡｕからなる第
２の下地金属膜を備える２層構造を問題なく採用するこ
とができる。したがって、Ａｕからなる電極が、第２の
下地金属膜およびめっき膜の双方により与えられるの
で、生産性が高められるとともに、第１の下地金属膜を
薄くすることができるので、たとえばマイクロ波用素子
にこの電極が適用されると、Ｑを高くすることができ
る。また、マイクロ波用素子を小型化するには、高誘電
率の基板が用いられるとともに、電極のパターンの精度
が高いことおよび密着力が大きいことが要求される。上
述したこの発明の好ましい実施例によれば、高い精度で
電極パターンが得られるのみならず、Ａｕからなる第２
の下地金属膜の上に同じＡｕからなるめっき膜が形成さ
れるため、密着力が大きく、それゆえに、高誘電率の基
板上に形成される電極に要求される条件を十分に満たす
ことができる。
地金属膜として、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金またはＴｉ−
Ｗ合金からなる第１の下地金属膜およびＡｕからなる第
２の下地金属膜を備える２層構造を問題なく採用するこ
とができる。したがって、Ａｕからなる電極が、第２の
下地金属膜およびめっき膜の双方により与えられるの
で、生産性が高められるとともに、第１の下地金属膜を
薄くすることができるので、たとえばマイクロ波用素子
にこの電極が適用されると、Ｑを高くすることができ
る。また、マイクロ波用素子を小型化するには、高誘電
率の基板が用いられるとともに、電極のパターンの精度
が高いことおよび密着力が大きいことが要求される。上
述したこの発明の好ましい実施例によれば、高い精度で
電極パターンが得られるのみならず、Ａｕからなる第２
の下地金属膜の上に同じＡｕからなるめっき膜が形成さ
れるため、密着力が大きく、それゆえに、高誘電率の基
板上に形成される電極に要求される条件を十分に満たす
ことができる。
【００１６】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による薄膜電極
パターン形成方法を示している。
パターン形成方法を示している。
【００１７】図１において、まず、（１）に示すよう
に、基板１１が用意される。基板１１は、たとえばアル
ミナ、ガラス、等の任意の材料から構成されることがで
きる。
に、基板１１が用意される。基板１１は、たとえばアル
ミナ、ガラス、等の任意の材料から構成されることがで
きる。
【００１８】次に、（２）に示すように、基板１１上に
第１および第２の下地金属膜１２および１３が順次形成
される。これら第１および第２の下地金属膜１２および
１３は、基板１１の一方主面の全面にわたって、蒸着ま
たはスパッタ等の方法により形成される。一例として、
第１の下地金属膜１２は、Ｎｉ−Ｃｒ合金またはＴｉ−
Ｗ合金で構成され、その厚みが３００〜５００オングス
トローム程度に選ばれ、第２の下地金属膜１３は、Ａｕ
からなり、その厚みが１５００〜３０００オングストロ
ーム程度に選ばれる。
第１および第２の下地金属膜１２および１３が順次形成
される。これら第１および第２の下地金属膜１２および
１３は、基板１１の一方主面の全面にわたって、蒸着ま
たはスパッタ等の方法により形成される。一例として、
第１の下地金属膜１２は、Ｎｉ−Ｃｒ合金またはＴｉ−
Ｗ合金で構成され、その厚みが３００〜５００オングス
トローム程度に選ばれ、第２の下地金属膜１３は、Ａｕ
からなり、その厚みが１５００〜３０００オングストロ
ーム程度に選ばれる。
【００１９】次に、（３）に示すように、第２の下地金
属膜１３上にパターニングされたレジスト膜１４が形成
される。レジスト膜１４は、たとえばフォトリソグラフ
ィによりパターニングされ、得ようとする電極パターン
を反転したパターンを有している。レジスト膜１４の厚
みは、後述するめっき膜の厚みと等しいかそれ以上に選
ばれる。一例として、４μｍの厚みのめっき膜が形成さ
れようとする場合、レジスト膜１４の厚みは５μｍに選
ばれる。
属膜１３上にパターニングされたレジスト膜１４が形成
される。レジスト膜１４は、たとえばフォトリソグラフ
ィによりパターニングされ、得ようとする電極パターン
を反転したパターンを有している。レジスト膜１４の厚
みは、後述するめっき膜の厚みと等しいかそれ以上に選
ばれる。一例として、４μｍの厚みのめっき膜が形成さ
れようとする場合、レジスト膜１４の厚みは５μｍに選
ばれる。
【００２０】次に、（４）に示すように、第２の下地金
属膜１３上であって、レジスト膜１４が形成された部分
を除いて、めっき膜１５がめっきにより形成される。め
っき操作において与えられる電流は、形成すべきめっき
膜１５の面積を考慮して決められる。一例として、めっ
き膜１５は、Ａｕからなり、その厚みは、前述のよう
に、４μｍとされる。
属膜１３上であって、レジスト膜１４が形成された部分
を除いて、めっき膜１５がめっきにより形成される。め
っき操作において与えられる電流は、形成すべきめっき
膜１５の面積を考慮して決められる。一例として、めっ
き膜１５は、Ａｕからなり、その厚みは、前述のよう
に、４μｍとされる。
【００２１】次に、（５）に示すように、レジスト膜１
４が、たとえば剥離により除去される。
４が、たとえば剥離により除去される。
【００２２】次に、（６）に示すように、除去前のレジ
スト膜１４により覆われていた部分にある第２の下地金
属膜１３がドライエッチングにより除去される。一例と
して、ドライエッチングとしてスパッタエッチングが用
いられ、電力密度５Ｗ／ｃｍ 2 で５分間スパッタするこ
とにより、第２の下地金属膜１３の不要な部分が除去さ
れることができる。なお、このようなドライエッチング
に際して、めっき膜１５の一部もエッチングされるが、
めっき膜１５は良好な表面状態を保ち、実用上、問題と
なることはない。
スト膜１４により覆われていた部分にある第２の下地金
属膜１３がドライエッチングにより除去される。一例と
して、ドライエッチングとしてスパッタエッチングが用
いられ、電力密度５Ｗ／ｃｍ 2 で５分間スパッタするこ
とにより、第２の下地金属膜１３の不要な部分が除去さ
れることができる。なお、このようなドライエッチング
に際して、めっき膜１５の一部もエッチングされるが、
めっき膜１５は良好な表面状態を保ち、実用上、問題と
なることはない。
【００２３】次に、（７）に示すように、第２の下地金
属膜１３の除去された部分に覆われていた部分にある第
１の下地金属膜１２がエッチングにより除去される。第
１の下地金属膜１２は、前述したように、Ｎｉ−Ｃｒ合
金またはＴｉ−Ｗ合金から構成されているので、第２の
下地金属膜１３の場合と同様、ドライエッチングにより
除去されても、従来の場合と同様、ウェットエッチング
により除去されてもよい。
属膜１３の除去された部分に覆われていた部分にある第
１の下地金属膜１２がエッチングにより除去される。第
１の下地金属膜１２は、前述したように、Ｎｉ−Ｃｒ合
金またはＴｉ−Ｗ合金から構成されているので、第２の
下地金属膜１３の場合と同様、ドライエッチングにより
除去されても、従来の場合と同様、ウェットエッチング
により除去されてもよい。
【００２４】このようにして、所望の電極パターンが基
板１１上に形成される。この実施例によれば、±５μｍ
以下の精度をもって電極のパターニングを行なうことが
できた。
板１１上に形成される。この実施例によれば、±５μｍ
以下の精度をもって電極のパターニングを行なうことが
できた。
【００２５】以上、この発明を、Ａｕ電極の形成に関し
て説明したが、他の貴金属からなる電極を形成する場合
にも適用することができる。
て説明したが、他の貴金属からなる電極を形成する場合
にも適用することができる。
【００２６】また、前述した実施例では、第２の下地金
属膜１３がドライエッチングにより除去されたが、第１
および第２の下地金属膜１２および１３の各々を構成す
る金属とめっき膜１５を構成する金属との関係によって
は、第１の下地金属膜１２がドライエッチングにより除
去され、第２の下地金属膜１３がウェットエッチングに
より除去される場合もあり得る。また、下地金属膜が、
実施例のように２層構造ではなく、１層構造の場合もあ
り得る。このような１層構造の下地電極膜であっても、
その少なくとも一部がドライエッチングにより除去され
るならば、この発明の範囲に入るものである。
属膜１３がドライエッチングにより除去されたが、第１
および第２の下地金属膜１２および１３の各々を構成す
る金属とめっき膜１５を構成する金属との関係によって
は、第１の下地金属膜１２がドライエッチングにより除
去され、第２の下地金属膜１３がウェットエッチングに
より除去される場合もあり得る。また、下地金属膜が、
実施例のように２層構造ではなく、１層構造の場合もあ
り得る。このような１層構造の下地電極膜であっても、
その少なくとも一部がドライエッチングにより除去され
るならば、この発明の範囲に入るものである。
【図１】この発明の一実施例による薄膜電極パターン形
成方法に含まれる各ステップを示す図解的断面図であ
る。
成方法に含まれる各ステップを示す図解的断面図であ
る。
【図２】従来の薄膜電極パターン形成方法に含まれる各
ステップを示す図解的断面図である。
ステップを示す図解的断面図である。
【図３】図２に示した薄膜電極パターン形成方法におい
て遭遇する問題点を説明するための図解的断面図であ
る。
て遭遇する問題点を説明するための図解的断面図であ
る。
１１ 基板 １２ 第１の下地金属膜 １３ 第２の下地金属膜 １４ レジスト膜 １５ めっき膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を用意し、 前記基板上に下地金属膜を形成し、 前記下地金属膜上にパターニングされたレジスト膜を形
成し、 前記下地金属膜上であって、前記レジスト膜が形成され
た部分を除いて、めっき膜をめっきにより形成し、 前記レジスト膜を除去し、 除去前の前記レジスト膜により覆われていた部分にある
前記下地金属膜をエッチングにより除去する、 各ステップを備える、薄膜電極パターン形成方法におい
て、 前記下地金属膜を除去するステップは、ドライエッチン
グにより前記下地金属膜の少なくとも一部を除去するス
テップを備えることを特徴とする、薄膜電極パターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20931391A JPH0548245A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 薄膜電極パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20931391A JPH0548245A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 薄膜電極パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548245A true JPH0548245A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16570890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20931391A Withdrawn JPH0548245A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 薄膜電極パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548245A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712608A2 (en) | 1994-11-11 | 1996-05-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Surgical instrument for operation |
| JPH1168288A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP20931391A patent/JPH0548245A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712608A2 (en) | 1994-11-11 | 1996-05-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Surgical instrument for operation |
| JPH1168288A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
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