JPS58155550A - 異なる深さを持つ溝を同時に形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパターン形成方法に係り、特に光ディスクのス
タンバなどに好適な異なる深さを持つ溝を同時に形成す
る方法に関する。

光ディスクにおいては例えば検出光の波長の１／４　、
　１７８に相等する深さに光の反射膜シ形成しそれぞれ
の深さから反射してくる光から予め書き込まれているデ
ータ信号およびアドレス信号を読み取る方法を用いてい
る。このため従来は、平坦なガラス等の基板第１図（ａ
）上に１／４波長に相等する厚さのフォトレジスト２ケ
塗布し第１図（ｂｌ、レーザな用いてパターンを書き込
む際にパターンに応じて光量を調節し１／４波長に相等
する厚さのフォトレジストが十分に感光する部分と、光
量を減じてちよとと１／８波長に相等する厚さのフォト
レジストが感光する部分とを形成する（第１図（Ｃ））
。次に、化学めっきまたは蒸着等によりフォトレジスト
上に薄い金層膜３を形成したのち（第１図（ｄｌ）、こ
の金層膜な導電膜としてＮｉまたはＣｕを厚く電気めっ
きしく＠１図（ｅ））、剥離することによりフォトレジ
ストのパターンを反転したマスタ盤（＠１図（ｆ））を
形成する。このマスタ盤をそのまま、あるいはこのマス
ク盤をもとにしてめっきをくり返すことによりマザー盤
、スタンパ盤を作り、これケ金型としてレプリカディス
クを作成する。このように工穆が複雑でかつ転写がくり
返されるため正確なパターンをもったスタンバの形成が
困難であった。

フォトレジスト段差の形成はフォトレジストの感光特性
が第２図のようになっていることを利用したものである
。すなわち全ての厚さのフォトレジストを感光させるに
は図中のＡ点以上の光景を照射すればよく、まｆｆ−１
／２の厚さのフォトレジストを感光させるにはＢ点の光
量を照射すればよいことがわかる。しかるに図を見て明
らかなようにＢ点付近の曲線の傾き（コントラストに相
当する）は極めて大きいため、わずかな光量の変化でも
大巾な膜厚変化を来たすことになる。沓き込みに用いる
レーザは１／４および１／８波長に相等する部分を順次
瞬時に出力な変えていくため、出力を安定に調節するこ
とが困難であり、生産性が悪いという欠点がありへ本発
明の目的は、フォトレジスト段差の形成を容易かつ正確
に行うとともに、原盤から直接スタンバ盤を作る方法を
提供する本のである。

本発明は感度の異なるフォトレジストを基板上に２重に
コートし、光量を変えて露光することにより、パターン
に応じて２層のフォトレジストを両方とも感光させる部
分と、上層のフォトレジストのみを感光させる部分とを
つ（り現像することにより、フォトレジストのない部分
と、下１１のフォトレジストのみが残りだ部分とを形成
し、しかるのちドライエツチングまたはイオンミリング
するものである。

フォトレジストに段差のついた原盤な基板のエツチング
が可能なプラズマガス中に放置すると、フォトレジスト
のない部分は直ちにエツチングが進み、また下層のフォ
トレジストが残っている部分は、フォトレジスト自身が
プラズマガスによりエツチングされ除去されたのち始め
てエツチングが開始するため、エツチング深さはフォト
レジストのない部分にくらべ一定の深さだけ浅く形成さ
れる。

このようにして基板ケ直接スタンバとして使用すること
かり能となる。プラズマガスによるドライエツチングで
はなく、イオンミリングによっても全く同様である。

以下、本発明の実施例を第３１ｖ１を用いて説明する。

直径３５５ｍ、厚さ１０Ｉｌｓの表面を研摩したアルミ
ニウム板１にＣｒ２を０．５師の厚さに蒸着した。

この基板に第２図（２）に示す特性を有するポジ型フォ
トレジスト３を厚さｃｌ、０６１ｔｒｎにスピンナを甲
いて塗布、プリベークした。次にこのフォトレジスト上
に＠２図（１）に示す特性を有するポジ型フォトレジス
ト４を厚さα１１ｔｎにスピンナを用いて塗布、プリベ
ークした。しかるのち基板を２４Ｏｒｐｍで回転させな
がら、Ａｒレーザを用いて第２図Ａ点に相等する光量と
、０点に相等する光量とをパターンに応じてレーザパワ
を切要★ることにより照射した。スプレー現像により。

０．１６１ｒｎの溝と、０．１０師の溝とを同時に形成
した（＠３図（Ｃ））。次にこの基板をイオンミリング
装置に入れ、３Ｘ１０”Ｔｏｒｒにまで真空排気した後
、栓々１ｃＡｒガスを導入し、２Ｘ１０−’　Ｔｏｒｒ
に保持したのち加速電圧α５ＫＶで３分間ミリングを行
った（ＭＫ３図（ｄ））。この時下地のＣｒは、フォト
レジストのなかった部分は０．１４１１ｍの深さに、ま
た下層のフォトレジストのみが残っていた部分はフォト
レジストがミリングされるまでエツチングが進まないた
めＱ、ｏ７１ｘｎの深さにミリングされた。

なお、ここで用いたフォトレジストは２樽とも約１０２
薊小ｉ　ｎの速度で、またＣｒは０．０２５　薊庵ｉ　
ｎの速度でミリングされた。フォトンジスｌｌ−除去１
−だ後、スタンバ盤として通常の射出成形、圧縮成形な
どの方法によりレプリカディスクを作成することかで芦
た。

本発明によれば、２膚のフォトレジストがそれぞれ異な
る感度を有しており、上層のフォトレジストに照射する
光景体）では下層のフォトレジストは感光せず現像後残
る膜厚は始めに塗布した時の値そのままとなる。Ａ点ま
たは０点は多少の光量の変動があっても膜厚の変動は殆
んどない領域であり、レーザパワーの制御はきわめて容
易にできる。また原盤から直接スタンバシ形成するため
パターンの転写性がよく、製造工８ケ大巾に合理化でき
る。なお賽鳩例においてはフォトレジストの厚さを上層
、下層それぞれ０．ＩＩｒｒｎ、　０．０６１ｑｎ　　
としかが、これは基板につけるべき段差、フォトレジス
トならびに基板表面層材質のミリング速度に応じて最適
な厚さを遺定すればよい。また上層の７オトレジストは
イオンミリングが終了する以前になくなることがなけれ
ば良いので厚さを正確に決める必要はない。また基板材
料はＡ！、鋼、真ちゅうなど４坦に研摩しやすい材料で
あれば特に限定されるものでない。基板表面は、レプリ
カディスクに正確なパターンをくり返し、転写するため
耐久性のよいことが要求され、耐食性のすぐれたＣｒ、
Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｍｏ、Ｗなどの合本材料、セラミック
、ガラスなどにすることが必要である。これらの材料は
蒸着、スパッタ、イオンブレーティングなどの方法で、
基板表面に被覆することが山内る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来法による光ディスクスタンバの形成法の説
明図、第３図は本発明を応用１．た光デイスクスタンバ
の形成方法を示す概念断面図、！２図はフォトレジスト
の特性な示す線図でふる。 １・・・ガラス原盤　　　２・・・フォトレジスト３・
・・導電膜 ４・・・ＮｉキたはＣｕめっき膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に感度の異なるフォトレジストを二重に塗布し、
   パターンに応じて、上層のフォトレジストを感光させる
   のに十分でかっ、下層のフォトレジストを感光させるに
   は不十分な光量を照射した部分と、両層を同時に感光さ
   せるのに十分な光量を照射した部分を作った後現像し、
   しかるのち、基体のエツチングが可能なプラズマカス中
   に露すか、もしくはイオンミリンクスることを特徴とす
   る異なる深さを持つ溝を同時に形成する方法。