JPH05151626A - 情報ガラス原盤の製造方法 - Google Patents
情報ガラス原盤の製造方法Info
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- JPH05151626A JPH05151626A JP3340021A JP34002191A JPH05151626A JP H05151626 A JPH05151626 A JP H05151626A JP 3340021 A JP3340021 A JP 3340021A JP 34002191 A JP34002191 A JP 34002191A JP H05151626 A JPH05151626 A JP H05151626A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基体にエッチング形成される情報ピッ
トの形状を制御する 【構成】 ガラス基体(20)の一面上に塗布したレジスト
膜(21)に、所定の情報により変調されたビームを照射し
た後、現像して選択的にレジスト膜(21)を除去して情報
ピット(22)を形成し、そのレジスト膜(21)をエッチング
マスクにして、前記ガラス基体(20)に前記情報ピット(2
2)を形成するエッチングは、少なくともチャンバ(31)
と、第１のガスと第２のガスを混合して前記チャンバ(3
1)に供給するガス供給装置(36)と、レーザ光(L) を媒体
とした膜厚測定装置(38)とを備えた平行平板型ドライエ
ッチング装置(30)を用いて、エッチング工程中に変化す
る前記レジスト膜(21)の膜厚を前記膜厚測定装置(38)で
測定し、その測定した前記レジスト膜(21)の膜厚に応じ
て前記チャンバ(31)に供給するガス供給装置(36)の第１
のガスと第２のガスの混合比を変化させて、前記ガラス
基体(20)にエッチング形成される前記情報ピット(22)の
形状を制御する情報ガラス原盤の製造方法。
トの形状を制御する 【構成】 ガラス基体(20)の一面上に塗布したレジスト
膜(21)に、所定の情報により変調されたビームを照射し
た後、現像して選択的にレジスト膜(21)を除去して情報
ピット(22)を形成し、そのレジスト膜(21)をエッチング
マスクにして、前記ガラス基体(20)に前記情報ピット(2
2)を形成するエッチングは、少なくともチャンバ(31)
と、第１のガスと第２のガスを混合して前記チャンバ(3
1)に供給するガス供給装置(36)と、レーザ光(L) を媒体
とした膜厚測定装置(38)とを備えた平行平板型ドライエ
ッチング装置(30)を用いて、エッチング工程中に変化す
る前記レジスト膜(21)の膜厚を前記膜厚測定装置(38)で
測定し、その測定した前記レジスト膜(21)の膜厚に応じ
て前記チャンバ(31)に供給するガス供給装置(36)の第１
のガスと第２のガスの混合比を変化させて、前記ガラス
基体(20)にエッチング形成される前記情報ピット(22)の
形状を制御する情報ガラス原盤の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報ガラス原盤の製造
方法に係り、特に例えばオーディオ用又はビデオ用のデ
ィスクといった情報記録媒体を大量に複製するための情
報ガラス原盤を製造する方法に関するものである。
方法に係り、特に例えばオーディオ用又はビデオ用のデ
ィスクといった情報記録媒体を大量に複製するための情
報ガラス原盤を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の高密度情報記録ディスクの原盤
は、ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、そして所
定の情報により変調されたレーザービームを照射した
後、現像して選択的にレジスト膜を除去して情報ピット
を形成したフォトレジストの盤を作成し、これに無電解
メッキあるいは真空メッキで銀あるいはニッケルを付
け、そしてニッケル電鋳をすることによつて作られてい
る。
は、ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、そして所
定の情報により変調されたレーザービームを照射した
後、現像して選択的にレジスト膜を除去して情報ピット
を形成したフォトレジストの盤を作成し、これに無電解
メッキあるいは真空メッキで銀あるいはニッケルを付
け、そしてニッケル電鋳をすることによつて作られてい
る。
【０００３】しかし、上記のようにして原盤を製造する
場合には、原盤の母型が柔軟なフォトレジストのため、
レーザーカッテイング１回につき１枚の原盤しか得られ
ない。 そして、原盤を大量に複製したい場合には、前
記工程で得た原盤を母型としてマスターを作り、このマ
スターよりマザーを製造し、その後このマザーよりスタ
ンパーを製造するのであるが、この場合複製をくり返す
ため、また工程が長くなるため、性能が劣化し、不良品
が多くなる欠点がある。
場合には、原盤の母型が柔軟なフォトレジストのため、
レーザーカッテイング１回につき１枚の原盤しか得られ
ない。 そして、原盤を大量に複製したい場合には、前
記工程で得た原盤を母型としてマスターを作り、このマ
スターよりマザーを製造し、その後このマザーよりスタ
ンパーを製造するのであるが、この場合複製をくり返す
ため、また工程が長くなるため、性能が劣化し、不良品
が多くなる欠点がある。
【０００４】そこで、この欠点を解決するため、特公平
３ー４８５８０号公報に開示された製造方法のように、
ガラス盤を基体としてエッチング可能な材料を前記ガラ
ス盤上に膜形成し、フォトレジストをエッチングマスク
にして前記エッチング可能な材料にエッチングし、これ
を母型として多数レプリカ原盤を作成する情報ガラス基
板の製造方法がある。
３ー４８５８０号公報に開示された製造方法のように、
ガラス盤を基体としてエッチング可能な材料を前記ガラ
ス盤上に膜形成し、フォトレジストをエッチングマスク
にして前記エッチング可能な材料にエッチングし、これ
を母型として多数レプリカ原盤を作成する情報ガラス基
板の製造方法がある。
【０００５】さらに、特開昭６１ー２６９５１号公報に
も開示された製造方法のように、ガラス基体の一面上に
塗布したレジスト膜に、所定の情報により変調されたビ
ームを照射した後、現像して選択的にレジスト膜を除去
し、前記ガラス基体に達する情報ピットを形成して、こ
のレジスト膜をエッチングマスクにして、前記ガラス基
体にエッチング装置を用いて所定の情報ピットをエッチ
ング形成するガラス原盤の製造方法がある。
も開示された製造方法のように、ガラス基体の一面上に
塗布したレジスト膜に、所定の情報により変調されたビ
ームを照射した後、現像して選択的にレジスト膜を除去
し、前記ガラス基体に達する情報ピットを形成して、こ
のレジスト膜をエッチングマスクにして、前記ガラス基
体にエッチング装置を用いて所定の情報ピットをエッチ
ング形成するガラス原盤の製造方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特公平３ー４
８５８０号公報に開示された製造方法は、エッチング可
能な膜の形成が極めて困難なこと、ガラス盤とエッチン
グ可能な膜との密着力が弱く、原盤のレプリカの母型と
しては何度も使用できないという欠点がある。
８５８０号公報に開示された製造方法は、エッチング可
能な膜の形成が極めて困難なこと、ガラス盤とエッチン
グ可能な膜との密着力が弱く、原盤のレプリカの母型と
しては何度も使用できないという欠点がある。
【０００７】また、特開昭６１ー２６９５１号公報に開
示された製造方法は、エッチングの際の真空度、高周波
パワー、ガスの種類、ガスの流量などのエッチング条件
が、エッチングの開始より終了まで同一条件で行われる
ために、下記図５に示すごとく、ガラス基体１０にエッ
チング形成された情報ピット１１は、エッチング形成さ
れた側壁１２とガラス基体１０の表面との陵部１４と、
情報ピット１１の底面隅１５が尖鋭に形成されている。
示された製造方法は、エッチングの際の真空度、高周波
パワー、ガスの種類、ガスの流量などのエッチング条件
が、エッチングの開始より終了まで同一条件で行われる
ために、下記図５に示すごとく、ガラス基体１０にエッ
チング形成された情報ピット１１は、エッチング形成さ
れた側壁１２とガラス基体１０の表面との陵部１４と、
情報ピット１１の底面隅１５が尖鋭に形成されている。
【０００８】図５は、従来の製造方法により、ガラス基
体１０にエッチング形成された一情報ピット１１の拡大
断面図である。
体１０にエッチング形成された一情報ピット１１の拡大
断面図である。
【０００９】この結果、このガラス基体１０から複製さ
れた情報ディスクは、ＨＦ信号変調度や、トラッキング
誤差信号が低下するという問題がある。
れた情報ディスクは、ＨＦ信号変調度や、トラッキング
誤差信号が低下するという問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、ガラス基体の一面上
に塗布したレジスト膜に、所定の情報により変調された
ビームを照射した後、現像して選択的にレジスト膜を除
去して前記ガラス基体に達する情報ピットを形成し、そ
のレジスト膜をエッチングマスクにして、前記ガラス基
体に前記情報ピットをエッチング形成する情報ガラス原
盤の製造方法において、前記エッチングは、少なくとも
チャンバと、第１のガスと第２のガスを混合して前記チ
ャンバに供給するガス供給装置と、レーザ光を媒体とし
た膜厚測定装置とを備えた平行平板型ドライエッチング
装置を用いて、エッチング工程中に変化する前記レジス
ト膜の膜厚を前記膜厚測定装置で測定し、その測定した
膜厚に応じて前記チャンバに供給するガス供給装置の第
１のガスと第２のガスの混合比を変化させて、前記ガラ
ス基体にエッチング形成される前記情報ピットの形状を
制御することを特徴とする情報ガラス原盤の製造方法
と、前記第１のガスは、フッ素系ガスであるＣＦ4 ，Ｃ
ＨＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＮＦ3 ，ＳＦ6 の少なくとも１種を
含み、前記第２のガスは、Ｏ2 ，Ａｒ，Ｎ2 ，Ｈ2 の少
なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載の情
報ガラス原盤の製造方法とを提供しようとするものであ
る。
決するためになされたものであり、ガラス基体の一面上
に塗布したレジスト膜に、所定の情報により変調された
ビームを照射した後、現像して選択的にレジスト膜を除
去して前記ガラス基体に達する情報ピットを形成し、そ
のレジスト膜をエッチングマスクにして、前記ガラス基
体に前記情報ピットをエッチング形成する情報ガラス原
盤の製造方法において、前記エッチングは、少なくとも
チャンバと、第１のガスと第２のガスを混合して前記チ
ャンバに供給するガス供給装置と、レーザ光を媒体とし
た膜厚測定装置とを備えた平行平板型ドライエッチング
装置を用いて、エッチング工程中に変化する前記レジス
ト膜の膜厚を前記膜厚測定装置で測定し、その測定した
膜厚に応じて前記チャンバに供給するガス供給装置の第
１のガスと第２のガスの混合比を変化させて、前記ガラ
ス基体にエッチング形成される前記情報ピットの形状を
制御することを特徴とする情報ガラス原盤の製造方法
と、前記第１のガスは、フッ素系ガスであるＣＦ4 ，Ｃ
ＨＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＮＦ3 ，ＳＦ6 の少なくとも１種を
含み、前記第２のガスは、Ｏ2 ，Ａｒ，Ｎ2 ，Ｈ2 の少
なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載の情
報ガラス原盤の製造方法とを提供しようとするものであ
る。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明のガラス原盤の製造方法に用
いるエッチング装置の概略構成図を示したものであり、
一般には平行平板型ドライエッチング装置３０と称され
るものである。
いるエッチング装置の概略構成図を示したものであり、
一般には平行平板型ドライエッチング装置３０と称され
るものである。
【００１２】同図において、２０は石英ガラス基体、２
１はレジスト膜、３１はチャンバ、３２は上部電極板、
３３は下部電極板、３４は高周波電源、３５は冷却水
管、３６はガス供給装置、３６ａは第１のガス流量調整
器、３６ｂは第２のガス流量調整器、３７は排気調整バ
ルブ、３８は膜厚測定装置、３８ａはレーザ発光器、３
８ｂは検出器である。
１はレジスト膜、３１はチャンバ、３２は上部電極板、
３３は下部電極板、３４は高周波電源、３５は冷却水
管、３６はガス供給装置、３６ａは第１のガス流量調整
器、３６ｂは第２のガス流量調整器、３７は排気調整バ
ルブ、３８は膜厚測定装置、３８ａはレーザ発光器、３
８ｂは検出器である。
【００１３】膜厚測定装置３８は、レーザ発光器３８ａ
と検出器３８ｂが、チャンバ３１を介して対向させて配
置されており、レーザ発光器３８ａより発せられたレー
ザビームＬは、所定の角度でチャンバ３１内に載置した
ガラス基体２０上のレジスト膜２１面に投光された後、
反射して検出器３８ｂに入光し、その時の偏光角よりレ
ジスト膜２１の厚みを測定するものである。
と検出器３８ｂが、チャンバ３１を介して対向させて配
置されており、レーザ発光器３８ａより発せられたレー
ザビームＬは、所定の角度でチャンバ３１内に載置した
ガラス基体２０上のレジスト膜２１面に投光された後、
反射して検出器３８ｂに入光し、その時の偏光角よりレ
ジスト膜２１の厚みを測定するものである。
【００１４】また、チャンバ３１内には、第１のガスで
あるＣＦ4 と、第２のガスであるＯ2 の混合ガスが、ガ
ス供給装置３６より供給されている。
あるＣＦ4 と、第２のガスであるＯ2 の混合ガスが、ガ
ス供給装置３６より供給されている。
【００１５】図２は、平行平板型ドライエッチング装置
３０のエッチングタイミングチヤートの一実施例であ
る。
３０のエッチングタイミングチヤートの一実施例であ
る。
【００１６】図３は、本発明に係るガラス原盤の製造方
法を説明する工程図であり、図１および図２を併用して
工程順に説明する。 工程１、外径２００〜２４０（mm) ，内径１５（mm) ，
厚さ約１０（mm) の光学研磨されたディスク状の石英ガ
ラス基体２０を用意し、この一面上にレーザービームの
照射に感応するフオトレジストをスピンコート法によっ
て塗布し、１２０（nm) 厚のレジスト膜２１を形成す
る。 工程２、上記石英ガラス基体２０をレーザー記録装置に
取り付け回転させ、情報信号により変調したＡｒレーザ
ービームを照射し、レジスト膜２１を感光させ、その後
現像して選択的にレジスト膜２１を除去し、石英ガラス
基体２０に達する深さの情報ピット２２からなる所定の
パターンを形成する。 工程３、この厚さ１２０（nm) のレジスト膜２１を塗布
したガラス基体２０をチャンバ３１内に水平に載置す
る。その後、チャンバ３１内に、第１のガス流量調整器
３６ａで１５（SCCM) に流量調整された第１のガスＣＦ
4 と、第２のガス流量調整器３６ｂで５（SCCM) に流量
調整された第２のガスＯ2 を流入し、チャンバ３１内の
真空度を、排気調整バルブ３７にて４〜１３（Pa) に調
整する。図２のタイミングチヤートに基づいて、前記所
定のパターンをマスクにして、エッチングを開始する。
法を説明する工程図であり、図１および図２を併用して
工程順に説明する。 工程１、外径２００〜２４０（mm) ，内径１５（mm) ，
厚さ約１０（mm) の光学研磨されたディスク状の石英ガ
ラス基体２０を用意し、この一面上にレーザービームの
照射に感応するフオトレジストをスピンコート法によっ
て塗布し、１２０（nm) 厚のレジスト膜２１を形成す
る。 工程２、上記石英ガラス基体２０をレーザー記録装置に
取り付け回転させ、情報信号により変調したＡｒレーザ
ービームを照射し、レジスト膜２１を感光させ、その後
現像して選択的にレジスト膜２１を除去し、石英ガラス
基体２０に達する深さの情報ピット２２からなる所定の
パターンを形成する。 工程３、この厚さ１２０（nm) のレジスト膜２１を塗布
したガラス基体２０をチャンバ３１内に水平に載置す
る。その後、チャンバ３１内に、第１のガス流量調整器
３６ａで１５（SCCM) に流量調整された第１のガスＣＦ
4 と、第２のガス流量調整器３６ｂで５（SCCM) に流量
調整された第２のガスＯ2 を流入し、チャンバ３１内の
真空度を、排気調整バルブ３７にて４〜１３（Pa) に調
整する。図２のタイミングチヤートに基づいて、前記所
定のパターンをマスクにして、エッチングを開始する。
【００１７】エッチング過程中は、レジスト膜２１の膜
厚変化を常に測定装置３８で監視する。 工程４、レジスト膜２１の膜厚が、１２０（nm) より１
１０（nm)に減少した時に、第２のガスＯ2 の流量を第
２のガス流量調整器３６ｂで減少させる 。工程５、レジスト膜２１の膜厚が、１１０（nm) より
１００（nm) に減少した時 に、第２のガスＯ2
の供給を停止し、その後は、第１のガスＣＦ4 のみ
の雰囲気中でエッチングを継続する。 工程６、レジスト膜２１の膜厚が、１００（nm) より３
０（nm) に減少した時に、 第１のガスＣＦ4 の
流量を、第１のガス流量調整器３６ａで減少させる
と共に、再度第２のガスＯ2 の供給を開始する。 工程７、レジスト膜２１の膜厚が、３０（nm) より２０
（nm) に減少した時に、エッチングは終了する。 工程８、チャンバ３１内の真空度を５３（Pa) に再調整
した後、第２のガスＯ2 の流量を、第２のガス流量調整
器３６ｂで１００（SCCM) に調整して、レジスト膜２１
のアッシングを開始する。終了後、石英ガラス基体２０
はチャンバ３１外に取り出されて、エッチングおよびア
ッシングは完了する。
厚変化を常に測定装置３８で監視する。 工程４、レジスト膜２１の膜厚が、１２０（nm) より１
１０（nm)に減少した時に、第２のガスＯ2 の流量を第
２のガス流量調整器３６ｂで減少させる 。工程５、レジスト膜２１の膜厚が、１１０（nm) より
１００（nm) に減少した時 に、第２のガスＯ2
の供給を停止し、その後は、第１のガスＣＦ4 のみ
の雰囲気中でエッチングを継続する。 工程６、レジスト膜２１の膜厚が、１００（nm) より３
０（nm) に減少した時に、 第１のガスＣＦ4 の
流量を、第１のガス流量調整器３６ａで減少させる
と共に、再度第２のガスＯ2 の供給を開始する。 工程７、レジスト膜２１の膜厚が、３０（nm) より２０
（nm) に減少した時に、エッチングは終了する。 工程８、チャンバ３１内の真空度を５３（Pa) に再調整
した後、第２のガスＯ2 の流量を、第２のガス流量調整
器３６ｂで１００（SCCM) に調整して、レジスト膜２１
のアッシングを開始する。終了後、石英ガラス基体２０
はチャンバ３１外に取り出されて、エッチングおよびア
ッシングは完了する。
【００１８】この石英ガラス基体２０の面上には、所定
のパターンの情報ピット２２がエッチング形成されてい
る。
のパターンの情報ピット２２がエッチング形成されてい
る。
【００１９】図４は、本発明のガラス原盤の製造方法に
より、石英ガラス基板２０面上に形成された情報ピット
２２の拡大断面図である。
より、石英ガラス基板２０面上に形成された情報ピット
２２の拡大断面図である。
【００２０】同図において、この情報ピット２２は、エ
ッチング形成された側壁２４と石英ガラス基体２０の表
面との陵部２５と、情報ピット２２の底面隅２６がなだ
らかに形成されるのがわかる。 工程９、所定のパターンの情報ピット２２の形成された
石英ガラス基体２０上に無電解メッキ又は真空メッキと
いったメッキ手段で銀の導電膜を形成し、 そして
例えばスルフアミン酸ニッケル電鋳といったニッケル電
鋳を行い、 石英ガラス基体２０よりニッケル原盤
を剥離して原盤２３を得る。
ッチング形成された側壁２４と石英ガラス基体２０の表
面との陵部２５と、情報ピット２２の底面隅２６がなだ
らかに形成されるのがわかる。 工程９、所定のパターンの情報ピット２２の形成された
石英ガラス基体２０上に無電解メッキ又は真空メッキと
いったメッキ手段で銀の導電膜を形成し、 そして
例えばスルフアミン酸ニッケル電鋳といったニッケル電
鋳を行い、 石英ガラス基体２０よりニッケル原盤
を剥離して原盤２３を得る。
【００２１】この原盤２３を用いて作られた情報ディス
クは、ＨＦ信号変調度や、トラッキング誤差信号や、エ
ラーレートにおいて優れた特性を有するものである。
クは、ＨＦ信号変調度や、トラッキング誤差信号や、エ
ラーレートにおいて優れた特性を有するものである。
【００２２】なお、上述した実施例においは、最も優れ
た特性を得ることができる石英ガラス基体２０を用いて
説明したが、アルミノケイ酸ガラス，結晶化ガラス，無
アルカリガラスなどの他のガラス基体でも同様な効果を
得ることができる。
た特性を得ることができる石英ガラス基体２０を用いて
説明したが、アルミノケイ酸ガラス，結晶化ガラス，無
アルカリガラスなどの他のガラス基体でも同様な効果を
得ることができる。
【００２３】また、第２のガスにおいても、Ｏ2 ガスに
代わり、Ａｒ，Ｎ2 ，Ｈ2 ガスを用いても同様な効果が
得られる。
代わり、Ａｒ，Ｎ2 ，Ｈ2 ガスを用いても同様な効果が
得られる。
【００２４】
【発明の効果】上述したように、ガラス基体の一面上に
塗布したレジスト膜に、所定の情報により変調されたビ
ームを照射した後、現像して選択的にレジスト膜を除去
して情報ピットを形成し、そのレジスト膜をエッチング
マスクにして、前記ガラス基体に前記情報ピットをエッ
チング形成する情報ガラス原盤の製造方法において、前
記エッチングは、少なくともチャンバと、フッ素系ガス
の少なくとも１種を含む第１のガスとＯ2 ，Ａｒ，
Ｎ2 ，Ｈ2 の少なくとも１種を含む第２のガスを混合し
て前記チャンバに供給するガス供給装置と、レーザ光を
媒体とした膜厚測定装置とを備えた平行平板型ドライエ
ッチング装置を用いて、エッチング工程中に変化する前
記レジスト膜の膜厚を前記膜厚測定装置で測定し、その
測定した前記レジスト膜の膜厚に応じて前記チャンバに
供給するガス供給装置の第１のガスと第２のガスの混合
比を変化させることにより、前記ガラス基体にエッチン
グ形成される前記情報ピットの形状を容易に制御するこ
とができ、ＨＦ信号変調度や、トラッキング誤差信号
や、エラーレートの優れた情報ディスクを形成する原盤
を前記ガラス基体より大量に複製することができる効果
を有するものである。
塗布したレジスト膜に、所定の情報により変調されたビ
ームを照射した後、現像して選択的にレジスト膜を除去
して情報ピットを形成し、そのレジスト膜をエッチング
マスクにして、前記ガラス基体に前記情報ピットをエッ
チング形成する情報ガラス原盤の製造方法において、前
記エッチングは、少なくともチャンバと、フッ素系ガス
の少なくとも１種を含む第１のガスとＯ2 ，Ａｒ，
Ｎ2 ，Ｈ2 の少なくとも１種を含む第２のガスを混合し
て前記チャンバに供給するガス供給装置と、レーザ光を
媒体とした膜厚測定装置とを備えた平行平板型ドライエ
ッチング装置を用いて、エッチング工程中に変化する前
記レジスト膜の膜厚を前記膜厚測定装置で測定し、その
測定した前記レジスト膜の膜厚に応じて前記チャンバに
供給するガス供給装置の第１のガスと第２のガスの混合
比を変化させることにより、前記ガラス基体にエッチン
グ形成される前記情報ピットの形状を容易に制御するこ
とができ、ＨＦ信号変調度や、トラッキング誤差信号
や、エラーレートの優れた情報ディスクを形成する原盤
を前記ガラス基体より大量に複製することができる効果
を有するものである。
【００２５】また、前記ガラス基体より直接スタンパを
複製することができるので、従来のマスター、マザー、
スタンパの工程に比して電鋳工程が削減できる効果もあ
る。
複製することができるので、従来のマスター、マザー、
スタンパの工程に比して電鋳工程が削減できる効果もあ
る。
【００２６】さらに、石英ガラス基体にエッチング形成
された情報ピット２２は、前述した図４に示すごとく、
エッチング形成された側壁２４とガラス基体２０の表面
との陵部２５と、情報ピット２２の底面隅２６がなだら
かに形成されるので、樹脂成形の際の成形性、および原
盤からの成形された情報ディスクの離型性が改善される
などの効果を有するものである。
された情報ピット２２は、前述した図４に示すごとく、
エッチング形成された側壁２４とガラス基体２０の表面
との陵部２５と、情報ピット２２の底面隅２６がなだら
かに形成されるので、樹脂成形の際の成形性、および原
盤からの成形された情報ディスクの離型性が改善される
などの効果を有するものである。
【図１】本発明のガラス原盤の製造方法に用いるエッチ
ング装置の概略構成図である。
ング装置の概略構成図である。
【図２】平行平板型ドライエッチング装置のエッチング
タイミングチヤートの一実施例である。
タイミングチヤートの一実施例である。
【図３】本発明のガラス原盤の製造方法を説明するため
の工程図である。
の工程図である。
【図４】本発明の製造方法により、石英ガラス基板面上
に形成された一情報ピットの拡大断面図である。
に形成された一情報ピットの拡大断面図である。
【図５】従来の製造方法により、ガラス基体にエッチン
グ形成された一情報ピットの拡大断面図である。
グ形成された一情報ピットの拡大断面図である。
２０ ガラス基体 ２１ レジスト膜 ２２ 情報ピット ２３ 原盤 ２４ 側壁 ２５ 陵部 ２６ 底面隅 ３０ ドライエッチング装置 ３１ チャンバ ３６ ガス供給装置 ３６ａ 第１のガス流量調整器 ３６ｂ 第２のガス流量調整器 ３８ 膜厚測定装置 ３８ａ レーザ発光器 ３８ｂ 検出器
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス基体の一面上に塗布したレジスト膜
に、所定の情報により変調されたビームを照射した後、
現像して選択的にレジスト膜を除去して前記ガラス基体
に達する情報ピットを形成し、そのレジスト膜をエッチ
ングマスクにして、前記ガラス基体に前記情報ピットを
エッチング形成する情報ガラス原盤の製造方法におい
て、 前記エッチングは、少なくともチャンバと、第１のガス
と第２のガスを混合して前記チャンバに供給するガス供
給装置と、レーザ光を媒体とした膜厚測定装置とを備え
た平行平板型ドライエッチング装置を用いて、エッチン
グ工程中に変化する前記レジスト膜の膜厚を前記膜厚測
定装置で測定し、その測定した膜厚に応じて前記チャン
バに供給するガス供給装置の第１のガスと第２のガスの
混合比を変化させて、前記ガラス基体にエッチング形成
される前記情報ピットの形状を制御することを特徴とす
る情報ガラス原盤の製造方法。 - 【請求項２】前記第１のガスは、フッ素系ガスであるＣ
Ｆ4 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＮＦ3 ，ＳＦ6の少なくと
も１種を含み、 前記第２のガスは、Ｏ2 ，Ａｒ，Ｎ2 ，Ｈ2 の少なくと
も１種を含むことを特徴とする請求項１記載の情報ガラ
ス原盤の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP34002191A JP3223548B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 情報ガラス原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP34002191A JP3223548B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 情報ガラス原盤の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151626A true JPH05151626A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3223548B2 JP3223548B2 (ja) | 2001-10-29 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34002191A Expired - Fee Related JP3223548B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 情報ガラス原盤の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223548B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7455957B2 (en) * | 2003-11-27 | 2008-11-25 | Shimadzu Corporation | Blazed holographic grating, method for producing the same and replica grating |
| DE112005000463B4 (de) * | 2004-03-01 | 2011-04-28 | Origin Electric Company, Ltd. | Herstellungsverfahren und Herstellungsvorrichtung für eine Scheibe |
| WO2019207926A1 (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用の研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP7433769B2 (ja) | 2019-02-13 | 2024-02-20 | 住友重機械工業株式会社 | 偏心揺動型減速装置 |
-
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- 1991-11-29 JP JP34002191A patent/JP3223548B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3223548B2 (ja) | 2001-10-29 |
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