JPH06150392A

JPH06150392A - 光ディスク原盤の製造方法

Info

Publication number: JPH06150392A
Application number: JP30074292A
Authority: JP
Inventors: Toshinori Kishi; 俊法貴志; Michiyoshi Nagashima; 道芳永島; Fumiaki Ueno; 文章植野; Kenji Takamoto; 健治高本; Hisaki Miyamoto; 寿樹宮本; Shinya Abe; 伸也阿部
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-11-11
Filing date: 1992-11-11
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】微小な信号ピットを持つ光ディスク原盤を製
造すること、および隣接するトラックで交互に信号ピッ
ト深さが異なる信号ピットを持つ高密度な光ディスク原
盤を製造することを目的とする。【構成】フォトレジスト１を塗布したディスク基板２
に、レーザ光により信号を記録し、現像した後ディスク
基板２をエッチングすることにより微小ピットを形成す
る。また前記工程のエッチング時にエッチ量を変更して
エッチングし、前記工程を複数回繰り返すことにより、
ピット深さの異なる複数の信号ピット列１０、１１を同
一ディスク基板２上に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度光ディスク原盤
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の再生専用の光ディスク原盤の製造
方法を図６を用いて説明する。

【０００３】従来の再生専用の光ディスク原盤は、鏡面
研磨されたガラスディスク基板２上に、フォトレジスト
１をスピンコート法等にて塗布する工程（同図
（ａ））、前記ディスクを回転させながらレンズにより
集光されたレーザ光を記録信号に応じてＯＮ、ＯＦＦさ
せて基板上に照射し、フォトレジストを露光して露光部
３を形成する工程（同図（ｂ））、現像により露光部を
溶解する工程（同図（ｃ））によって製造されていた。
なお製造された光ディスク原盤は、ニッケル（Ｎｉ）等
による複製（スタンパ１２）を作成し（同図（ｄ））、
そのスタンパ１２を金型としインジェクション装置にて
再生用ディスクを大量に複製されていた。上記従来の方
法において、フォトレジストの塗布厚は、信号ピットの
深さそのものとなるため、塗布厚は変更することはでき
ない。

【０００４】また、従来の光ディスク原盤では、形成さ
れ得る信号ピットの深さは、光ディスク原盤上の全領域
において一定であり、再生レーザ波長およびレンズの開
口（ＮＡ）によって決定される分解能により、再生可能
なピット長およびトラック幅が制限されていた。このた
め、光ディスクの記憶容量をより高密度にすることが困
難であり、これを解決する方式がいくつか提案されてい
る。特開昭５４−１３６３０３によれば、隣接するトラ
ックで深さの異なるピット列を、スパイラル状あるいは
同心円状に形成されたディスクによって、トラック幅を
小さくすることが可能となる方式が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ディスク原盤の製造方法では、前記したようにフォト
レジストの塗布厚は、必ずλ／４ｎ（再生用レーザ光の
波長をλ、再生用ディスクにおけるピット形成部材料の
屈折率をｎとする）内外にする必要があり、フォトレジ
ストの厚みは常に一定値であり、以下に述べるような問
題がある。

【０００６】一般に、フォトリソグラフィプロセスによ
って得られるパターン形状は、フォトレジスト上に照射
された光の積分量と、前記光の積分量に対する現像時の
残膜率から求めることができる。図７（ａ）はレーザ露
光時の、レーザ光とディスク基板との相対移動方向と垂
直方向の積分光量の分布を示したものである。

【０００７】通常、光ディスク原盤製造の露光工程にて
使用するレーザ光強度の面内分布は正規分布をしてお
り、その場合には記録信号ピットの幅方向の積分光量分
布も正規分布となる。これらの積分光量に対し、図７
（ｂ）に示すような現像時の残膜率を乗じることによ
り、図７（ｃ）に示すようなピット幅方向のピット断面
形状が得られる。

【０００８】図７（ｃ）より分かるように、ピット断面
形状は、ピット底部のピット幅に対してピット頂部の幅
が広いくさび形となっている。フォトレジスト厚が一定
の場合、ピット幅を細くするには、レーザ強度を小さく
することにより可能であるが、ピット底部の幅がピット
頂部の幅に比較して急激に細くなり、ピット側壁がだれ
るため、再生信号品質が劣化してしまう。

【０００９】すなわち、一定膜厚にてフォトレジスト塗
布しなくてはならない限り、良好な再生信号品質を有す
るピット形状を形成するためには、一定以上の光強度で
記録しなければならず、そのためピット形状の微小化に
おいては限界があるという問題があった。

【００１０】また、特開昭５４−１３６３０３号公報に
あるような、異なるピット深さを持つ光ディスクは、そ
の原盤を製造することが困難であった。

【００１１】本発明は上記従来技術の課題に鑑み、高密
度な光ディスク原盤の製造方法を提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の第１の方法は、フォトレジストを、形成すべ
きピット深さをディスク基板材料エッチレートのフォト
レジストのエッチレートに対する割合（選択比）で除し
た値より厚い膜厚にて塗布する工程と、レーザ光を基板
上に照射し露光する工程と、露光部を現像し基板表面を
露出させる工程と、露光部をエッチングし基板露出部を
エッチングする工程と、基板上に残存するフォトレジス
トを除去する工程からなる。

【００１３】なお好ましくは、前記エッチング工程にお
ける被エッチング材料のエッチレートと比較して、十分
に低いエッチレートを持つ材料よりなるディスク状の基
材上に、被エッチング材料を、所望ピット深さと等しい
厚みにて成膜したものをディスク基板とするのが良い。

【００１４】また上記目的を達成するための第２の手段
は、２種類以上のピット深さを有する光ディスク原盤の
製造方法において、ディスク基板にフォトレジストを塗布する工程ディスク基板を回転させながら、レーザ光をディスク上
の半径方向に移動させることにより、ピット列をスパイ
ラル状あるいは同心円状に露光する工程露光部を現像し基板表面を露出させる工程基板露出部を所望深さまでエッチングする工程基板上に残存するフォトレジストを除去する工程を１サイクルとし、各サイクル内のエッチング工程それ
ぞれにおいて、エッチ量を変化させながら前記サイクル
を複数回繰り返すことにより、繰り返しサイクル数と同
じ種類数の異なる深さを持つピット列を形成するもので
ある。

【００１５】

【作用】上記手段によれば、次のような作用が得られ
る。

【００１６】前記したように、露光、現像工程によって
フォトレジストに形成されたピットの断面形状はくさび
形になっている。露出した基板をエッチングすることに
より前記ピットのピット底部が、エッチングされたピッ
トの頂部となる。すなわち、エッチングによって基板に
形成されたピットは、フォトレジストに形成されたピッ
トに比べ小さくなる。

【００１７】また、前記エッチング工程における被エッ
チング材料のエッチレートと比較して、十分に低いエッ
チレートを持つ材料よりなるディスク状の基材上に、被
エッチング材料を、所望ピット深さと等しいの厚みにて
成膜したものをディスク基板とすることで、エッチング
時に、ディスク基材のエッチレートが低いため基材表面
がストッパとなり、それ以上のエッチングを防ぐ。その
ためピット底面が平滑な信号ピットを形成することがで
きる。

【００１８】また一方、フォトレジスト塗布、露光、現
像、エッチング、フォトレジスト除去という上記したサ
イクルを複数回繰り返し、その各エッチング工程におい
て、エッチング量を任意に設定することにより、基板上
に任意の深さを持った複数のピット列を形成することが
できる。本手段によれば、基板上への各ピット列の形成
を独立に行うため、それぞれのエッチング工程で、エッ
チング時間をコントロールすることにより、それぞれの
ピット深さを精確に制御して形成することができる。

【００１９】

【実施例】以下具体的な例をもって本発明を詳述する。

【００２０】（実施例１）実施例の１として、ディスク
基板２として銅を用い、エッチング工程をイオン源によ
る異方性エッチングを行う場合について説明する。本実
施例において再生レーザの波長を６７０ｎｍ、再生用デ
ィスクの基材の屈折率を約１.５である。

【００２１】図１は実施例の１における光ディスク原盤
の製造方法の工程を示したものである。

【００２２】まず銅ディスク基板２上に、フォトレジス
ト１（ＡＺ１３５０，シプレイ社製）をスピンコート法
にて４０ｎｍ程度の膜厚に塗布する（図１（ａ））。こ
の膜厚は所望ピット深さすなわちλ／４ｎ＝１１２ｎｍ
を、フォトレジスト１の銅に対する選択比３で割った値
３７.３ｎｍに現像による膜減り量１０ｎｍを加えた値
より約３ｎｍ厚い設定にしている。なお、３.３ｎｍ厚
めに塗布するのは、フォトレジスト１およびディスク基
材のエッチレートのばらつき、特に選択比が小さくなる
方向へのばらつきを考慮した余裕分であり、その余裕分
は小さければ小さいほどよい。通常の光ディスク原盤の
製造工程においては、最大でも５０ｎｍ余分に塗布すれ
ば十分である。

【００２３】これを通常の光ディスク原盤の製造方法と
同様に信号ピットを露光し（図１（ｂ））、現像によっ
て基板表面を露出させる（図１（ｃ））。

【００２４】上記ディスク基板２を図２に示したイオン
エッチング装置の基板支持台８上に設置し、イオン源５
からイオンビーム７を照射し、１１２ｎｍの深さでディ
スク基板２の露出した領域をエッチングする。エッチン
グの条件は、導入気体をアルゴン（Ａｒ）とし、ビーム
電圧３００Ｖ、ディスク基板２表面電流密度０.３ｍＡ
／ｃｍ²とする。本実施例の装置構成の場合、この条件
での銅のエッチレートは１６.２ｎｍ／ｍｉｎであるの
で、６.９分エッチングすることにより、ピット深さ１
１２ｎｍとなる（図１（ｄ））。

【００２５】エッチングすることにより図１ｃに示した
ピット底部が、エッチングされたピットの頂部となる。
またエッチングされた銅が、フォトレジスト１の側壁に
付着し横方向へのエッチングを妨げるために、基板に形
成されたピット底部の幅は、ピット頂部の幅より狭く形
成される。また、側壁の傾きはフォトレジスト１の露光
形状によらないため、露光の可能な限り小さいピット
を、側壁がだれることなく形成することができる。

【００２６】エッチングされたディスク基板２上には、
マスク材として用いたフォトレジスト１が残存している
ために、図２の装置のイオン源内に酸素を導入し、今度
は酸素イオンビームを照射することにより、フォトレジ
スト１を灰化し除去する（図１（ｅ））。

【００２７】以上の工程を行うことで、従来の光ディス
ク原盤の製造方法にて形成し得る最小ピットより小さい
ピットを持つ光ディスク原盤を作製することができる。

【００２８】なお、ピット幅方向に幅が小さくなると同
時に、ピット長さ方向へも長さが減少し、ピット長さと
ピット間長さの比（デューティ）が変化することが予想
される。これによって再生時に高次（特に２次）の周波
数成分が現れ、再生信号に影響を与える場合は、あらか
じめ、エッチングされた後のピット長さとピット間とが
長さ等しくなるように、レーザのＯＮ、ＯＦＦの際にレ
ーザＯＮの時間を長めに設定して露光してやれば良い。

【００２９】また、残存フォトレジスト１の除去は、酸
素プラズマを基板に接触させ灰化させる方法の他に、オ
ゾンによる方法や、一般に市販されているフォトレジス
ト１リムーバ等を用いても良い。

【００３０】以上、本方法によればフォトレジスト１の
膜厚を薄くすることが可能であり、露光レーザ光強度の
調整により、微小な信号ピットを形成することが可能と
なり、また形成されたピット形状も側壁がなまることな
く良好な再生信号品質を有する光ディスク原盤を作製す
ることができる。

【００３１】（実施例２）次に実施例の２として、ディ
スク基板２として、ガラスディスク基材上に銅の膜をス
パッタ法により形成したものを用いた場合について説明
する。

【００３２】図３ａに示したように、ガラスディスク基
材上にＲＦスパッタ法にて、所望ピット深さと等しい膜
厚だけ膜形成を行う。

【００３３】以下実施例の１に示したものと同様の工程
を行うと、図３（ｆ）に示す様な断面形状を持つ光ディ
スク原盤が作製できる。

【００３４】すなわちスパッタした層の厚みを、所望ピ
ット深さと等しくすることで、エッチング時に、ディス
ク基材の表面がストッパとなり、ピット底面が平滑な信
号ピットを形成することができる。

【００３５】また、エッチング速度の遅い領域があるこ
とも考慮して、所望深さを丁度エッチングするように設
定したエッチング時間の、１０％以下の時間にて過剰に
エッチングを行うことにより、設定エッチング時間で完
全にエッチングされなかった部分も、ディスク基材表面
までエッチングし、ピット底部が平滑な信号ピットを形
成することができる。

【００３６】本実施例においては、被エッチング材料９
を形成するディスク基材のエッチレートが、被エッチン
グ材料に比べてより低いものを用いることにより、エッ
チング速度の大きい部分が、所望ピット深さより過剰に
エッチングされるのを防ぐ効果が高くなる。また、ディ
スク基材と被エッチング材料との間にエッチレートの低
い物質からなる膜、例えばニッケル（Ｎｉ）、クロム
（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タング
ステン（Ｗ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、炭素膜（Ｃ）等
を形成しておいても同様の効果が得られる。

【００３７】なお膜の形成方法に関して、本実施例では
ＲＦスパッタ法を用いて形成したが、蒸着法、ＤＣスパ
ッタ法、イオンビームスパッタ法等、薄膜形成すること
が可能であれば、本質的には同様である。また、基材と
被エッチング材との付着強度を強めるために、膜形成時
にＡｒ等のイオンビーム照射によってディスク基材を活
性化してやるのも効果的である。

【００３８】（実施例３）次に実施例の３として、実施
例の１と同様に銅基板を用い、該基板上にピット深さλ
／４ｎおよびλ／８ｎの２種類のピット列を持ち、また
各ピット列のトラックピッチは１.１μｍ、２種類のピ
ット列間のトラックピッチは０.５５μｍであるディス
ク原盤の製造方法を説明する。本実施例においても、再
生レーザの波長および再生用ディスクの基材の屈折率を
実施例の１と同様の場合は、λ／４ｎおよびλ／８ｎ
は、それぞれ１１２、５６ｎｍとなる。

【００３９】図４は実施例の３における光ディスク原盤
の製造方法の工程を示したものである。図４においてａ
からｅは深さ１１２ｎｍのピット列を作製する工程、ｆ
からｊは深さ５６ｎｍのピット列を形成する工程を示し
たものである。

【００４０】図４（ａ）から（ｅ）の深さ１１２ｎｍの
ピット列を作製する工程は、実施例の１に示したものと
同様である。本実施例の場合の露光工程においては、デ
ィスクが１回転するごとの、照射レーザ光の半径方向の
送りピッチは１.１μｍとした。

【００４１】次にピット列の記録されたディスク基板２
に、再度フォトレジスト１を塗布する。このときの膜厚
は３２ｎｍ程度とする（図４（ｆ））。露光時には図４
（ａ）から（ｅ）で形成した深さ１１２ｎｍのピット列
によってトラッキングをかけ、前記ピット列から０.５
５μｍの距離離れたところに、新たにピット列を露光す
る（図４（ｇ））。露光を終えたディスク基板２を現像
し（図４（ｈ））、エッチング工程で、実施例の１で述
べたものと同様のイオン源エッチング装置によって、
３.４５分エッチングし、深さ５６ｎｍのピット列を形
成する（図４（ｉ））。最後に残存するフォトレジスト
１を除去し（図４（ｊ））、光ディスク原盤が完成す
る。

【００４２】本実施例においては、２種類の深さを持つ
光ディスク原盤の製造例を示したが、それ以上の種類の
深さをもつディスク原盤を製造する場合にも、本実施例
の２回目の工程（ｆからｉ）を次々に繰り返すことで同
様に製造することができる。

【００４３】また、本実施例の場合２回目以降のピット
列の記録の際に、それ以前の工程で形成されたピット列
との位置の制御を、それ以前の工程で形成されたピット
列の少なくとも１列にトラッキングをかけることによっ
て行ったが、レーザ初期位置、送りピッチ、および偏心
等の機械的揺らぎを、精度高く制御できる場合には、レ
ーザ露光時の照射位置制御を以下に示す方法によっても
同様の効果が得られる。

【００４４】いま、ｋ種類のピット深さをもつ光ディス
ク原盤を製造するとする。ｎ回目サイクルと（ｎ＋１）
サイクルとのピット列間距離をＬｎとしたときに、（ｎ
＋１）回目サイクルにおけるレーザ光による露光開始位
置を、ｎ回目サイクルの露光開始位置値からＬｎだけ径
方向へシフトさせ、かつ各サイクルにおけるディスク１
回転ごとのレーザ光のディスク径方向への移動距離が、
（Ｌ１＋Ｌ２＋…＋Ｌｋ）となるよう移動させる。これ
によって製造されたディスク原盤は図５に示すような表
面形状を持つ。

【００４５】なお実施例の２において示したのと同様の
方法、すなわち所望ピット深さの中で最大の値と等しく
成膜することにより、最も深いピットに関しては実施例
の２と同様に、ピット底面が平滑な信号ピットを形成す
ることができる。

【００４６】以上実施例１、２、３によって本発明を説
明した。なお実施例１、２、３においてディスク基板２
として銅を用いたが、エッチング方法が存在するのであ
れば、いかなる材料でも原理的には同様の効果を得るこ
とができる。例えば、エッチレートの高い金属、すなわ
ち金、銀、白金、パラジウム等のいずれかを含む材料の
場合であれば、本実施例と同様の物理的エッチング法に
てエッチングすることにより、またガラス基板、Ｓｉ基
板、ＧａＡｓ基板等を用いる場合には、エッチング工程
を反応性エッチング（ＲＩＥ法）によって行えば良い。

【００４７】また、エッチング方法に関して、エッチン
グ方法の種類によらず、エッチング工程を行うことのみ
で微小ピットの形成は可能であるが、ピット幅方向にエ
ッチングされにくい、より高い異方性をもつエッチング
方法によって行うほど、微小ピット形成の効果は高くな
る。

【００４８】また、被エッチング材料として、露光の際
に用いるレーザ光波長に対する表面反射率が９０％以下
の物質を用いれば、フォトレジスト１への入射光と被エ
ッチング材表面からの反射光との干渉による、定在波効
果を低減できるため照射パワーを増加させる必要がなく
なるため、より小さいピットを形成することができる。

【００４９】これと同様に被エッチング材の表面に、反
射率の低い物質からなる膜を数ｎｍ程度形成しておいて
も良い。ただしこの場合、膜物質のエッチレートが高く
なくてはならない。

【００５０】

【発明の効果】本発明の第１の方法の効果は、フォトレ
ジストを、形成すべきピット深さを形成すべきピット深
さをディスク基板材料エッチレートのフォトレジストの
エッチレートに対する割合（選択比）で除した値より厚
い膜厚にて塗布する工程と、レーザ光を基板上に照射し
露光する工程と、露光部を現像し基板表面を露出させる
工程と、露光部をエッチングし基板露出部をエッチング
する工程と、基板上に残存するフォトレジストを除去す
る工程によって、より小さい信号ピットが形成された光
ディスク原盤を製造することが可能となる。

【００５１】また本発明の第２の方法によれば、繰り返
しサイクル数と同じ種類数の異なる深さを持つピット列
を形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の工程図

【図２】本発明の第１の実施例において用いるエッチン
グ装置の模式図

【図３】本発明の第２の実施例の工程図

【図４】本発明の第３の実施例の工程図

【図５】本発明の第３の実施例におけるディスク原盤の
表面形状図

【図６】従来例の光ディスク原盤の製造方法を示した工
程図

【図７】従来例の光ディスク原盤の露光現像工程によっ
て形成されるピットの説明図

【符号の説明】

１フォトレジスト２ディスク基板３露光部５イオン源７イオンビーム８基板支持台９被エッチング材１０、１１信号ピット１２スタンパ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高本健治大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者宮本寿樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者阿部伸也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ディスク原盤の製造方法において、フォ
トレジストを、形成すべきピット深さをディスク基板材
料エッチレートのフォトレジストのエッチレートに対す
る割合（選択比）で除した値より厚い膜厚にて塗布する
工程と、レーザ光を基板上に照射し露光する工程と、露
光部を現像し基板表面を露出させる工程と、露出した基
板表面部をエッチングし基板上に信号ピットを形成する
工程と、該基板上に残存するフォトレジストを除去する
工程からなる光ディスク原盤の製造方法。
【請求項２】２種類以上のピット深さを有する光ディス
ク原盤の製造方法において、ディスク基板にフォトレジストを塗布する工程ディスク基板を回転させながら、レーザ光をディスク上
の半径方向に移動させることにより、ピット列をスパイ
ラル状あるいは同心円状に露光する工程露光部を現像し基板表面を露出させる工程基板露出部を所望深さまでエッチングする工程基板上に残存するフォトレジストを除去する工程を１サイクルとし、各サイクル内のエッチング工程それぞれにおいて、エッ
チ量を変化させながら前記サイクルを複数回繰り返すこ
とにより、繰り返しサイクル数と同じ種類数の異なる深
さを持つピット列を形成することを特徴とする光ディス
ク原盤の製造方法。
【請求項３】２回目以降のサイクルにおける露光工程に
おいて、それ以前のサイクルによって形成されたピット
列の少なくとも１列にトラッキングをかけながら露光す
る請求項２記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項４】ｋ種類のピット深さを有する光ディスク原
盤を製造する場合において、ｎ回目サイクルと（ｎ＋
１）サイクルとのピット列間距離をＬｎとしたときに、
（ｎ＋１）回目サイクルにおけるレーザ光による露光開
始位置を、ｎ回目サイクルの露光開始位置からＬｎだけ
径方向へシフトさせ、かつ各サイクルにおけるディスク
１回転ごとのレーザ光のディスク径方向への移動距離
が、（Ｌ１＋Ｌ２＋…＋Ｌｋ）となるよう移動させる請
求項２記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項５】サイクルの繰り返し回数を２回とし、再生
用レーザ光の波長をλ、再生用ディスクにおける再生用
ディスク基材の屈折率をｎとしたとき、略λ／４ｎおよ
び略λ／８ｎの深さを有するピット列を形成する請求項
２記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項６】ディスク状の基材上に被エッチング材料を
成膜したものをディスク基板とする請求項１または２記
載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項７】エッチング工程における被エッチング材料
のエッチレートと比較して、十分に低いエッチレートを
持つ材料よりなるディスク状の基材上に、被エッチング
材料を、所望ピット深さと等しいの厚みにて成膜したも
のをディスク基板とする請求項１記載の光ディスク原盤
の製造方法。
【請求項８】エッチング工程における被エッチング材料
のエッチレートと比較して、十分に低いエッチレートを
持つ材料よりなるディスク状の基材上に、被エッチング
材料を、所望ピット深さの最大値の厚みと等しい膜厚に
て成膜したものをディスク基板とする請求項２記載の光
ディスク原盤の製造方法。
【請求項９】形成すべきピット深さをディスク基板材料
エッチレートのフォトレジストのエッチレートに対する
割合（選択比）で除した値に、現像工程時における未露
光部の膜減り量を加えた厚みを最低塗布膜厚とし、該最
低塗布膜厚より大きくとも５０ｎｍ厚い膜厚にてフォト
レジストを塗布する請求項１または２記載の光ディスク
原盤の製造方法。
【請求項１０】エッチング工程を、異方性エッチングに
よって行う請求項１または２記載の光ディスク原盤の製
造方法。
【請求項１１】ディスク状の基材および被エッチング材
料として、露光の際に用いるレーザ光波長に対する表面
反射率が９０％以下であるものを用いる請求項１または
２記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項１２】被エッチング材料として、少なくとも
金、銀、銅、白金、パラジウムのいずれかをを含むもの
を用いる請求項１または２記載の光ディスク原盤の製造
方法。