JPH01160016A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH01160016A JPH01160016A JP62319262A JP31926287A JPH01160016A JP H01160016 A JPH01160016 A JP H01160016A JP 62319262 A JP62319262 A JP 62319262A JP 31926287 A JP31926287 A JP 31926287A JP H01160016 A JPH01160016 A JP H01160016A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトマスクの製造における薬液処理方法の改良に関し
、 レジスト膜のピンホールの発生防止が可能なフォトマス
クの製造方法の提供を目的とし、レジスト膜を用いて行
うフォトマスクの製造工程における、レジスト膜の現像
或いは遮光パターンのエツチングの処理の際に、前記遮
光ハターンを負の電荷に帯電させるよう構成する。
、 レジスト膜のピンホールの発生防止が可能なフォトマス
クの製造方法の提供を目的とし、レジスト膜を用いて行
うフォトマスクの製造工程における、レジスト膜の現像
或いは遮光パターンのエツチングの処理の際に、前記遮
光ハターンを負の電荷に帯電させるよう構成する。
本発明は、フォトマスクの製造方法に係り、特に薬液処
理方法の改良に関するものである。
理方法の改良に関するものである。
レチクル或いはフォトマスクの製造におけるレジスト膜
の現像或いは遮光パターンのエツチング等の薬液処理の
際に、比抵抗の大きな薬液を用いて薬液を被処理物にか
けると、薬液とレジスト膜との摩擦によりレジスト膜が
帯電し、レジスト膜の表面がチャージアップする。
の現像或いは遮光パターンのエツチング等の薬液処理の
際に、比抵抗の大きな薬液を用いて薬液を被処理物にか
けると、薬液とレジスト膜との摩擦によりレジスト膜が
帯電し、レジスト膜の表面がチャージアップする。
このチャージアップ量がある程度以上になると、レジス
ト膜の表面と遮光パターンの間で放電を起こし、遮光パ
ターンが破壊され、その部分にピンホールができる。
ト膜の表面と遮光パターンの間で放電を起こし、遮光パ
ターンが破壊され、その部分にピンホールができる。
薬液が比抵抗の高い純水の場合には特にこのピンホール
がよく発生するので対策が必要である。
がよく発生するので対策が必要である。
以上のような状況から、レチクル或いはフォトマスクの
薬液処理の際のレジスト膜のチャージアップの発生防止
が可能なフォトマスクの製造方法が要望されている。
薬液処理の際のレジスト膜のチャージアップの発生防止
が可能なフォトマスクの製造方法が要望されている。
従来のフォトマスクの製造方法を第２図〜第３図により
説明する。
説明する。
フォトマスクの薬液処理は、第２図に示すような薬液処
理装置を用い、処理チャンバ３の中心に設けたスピンド
ルチャック５に、レジスト膜２を形成した乾板１を搭載
し、スプレーノズル４から薬液を供給して処理を行って
いる。処理後の薬液は薬液ドレイン６から排出される。
理装置を用い、処理チャンバ３の中心に設けたスピンド
ルチャック５に、レジスト膜２を形成した乾板１を搭載
し、スプレーノズル４から薬液を供給して処理を行って
いる。処理後の薬液は薬液ドレイン６から排出される。
この薬液処理の際に、比抵抗の大きな薬液を用いて薬液
をスプレーノズル４で被処理物にかけると、薬液とレジ
スト膜との摩擦によりレジスト膜が帯電し、第３図に示
すようにレジスト膜の表面がチャージアンプしている。
をスプレーノズル４で被処理物にかけると、薬液とレジ
スト膜との摩擦によりレジスト膜が帯電し、第３図に示
すようにレジスト膜の表面がチャージアンプしている。
以上説明の従来のフォトマスクの製造方法で問題となる
のは、比抵抗の高い薬液によるレチクル或いはフォトマ
スクの薬液処理の際に、薬液をスプレーノズルにより被
処理物に吹きつげると、薬液とレジスト膜の表面との摩
擦により第３図に示すように負の静電気が発生し、レジ
スト膜の表面が遮光パターンに対し、２０ボルト以」二
の負の電位差になると、放電が発生し、レジスト膜にピ
ンホールが生じることである。
のは、比抵抗の高い薬液によるレチクル或いはフォトマ
スクの薬液処理の際に、薬液をスプレーノズルにより被
処理物に吹きつげると、薬液とレジスト膜の表面との摩
擦により第３図に示すように負の静電気が発生し、レジ
スト膜の表面が遮光パターンに対し、２０ボルト以」二
の負の電位差になると、放電が発生し、レジスト膜にピ
ンホールが生じることである。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に実施でき
る手段により、レジスト膜のピンホールの発生防止が可
能なフォトマスクの製造方法の提供を目的としたもので
ある。
る手段により、レジスト膜のピンホールの発生防止が可
能なフォトマスクの製造方法の提供を目的としたもので
ある。
［問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、レジスト膜を用いて行うフォトマスクの
製造工程における、レジスト膜の現像或いは遮光パター
ンのエツチングの処理の際に、この遮光パターンを負の
電荷に帯電させる本発明によるフォトマスクの製造方法
によって解決される。
製造工程における、レジスト膜の現像或いは遮光パター
ンのエツチングの処理の際に、この遮光パターンを負の
電荷に帯電させる本発明によるフォトマスクの製造方法
によって解決される。
即ち本発明においては、レジスト膜の現像或いは遮光パ
ターンのエツチングの処理の際に、この遮光パターンを
電源及び帯電用金属板により帯電させ、この遮光パター
ンの電位とレジスト膜表面の電位との差を放電が発生す
る電位差よりも小さくするから、薬液処理の際に薬液の
吹きつけによりレジスト膜に静電気が発生しても、レジ
スト膜の表面の電荷による放電の発生を防止することが
できるので、レジスト膜のピンホールの発生を防止する
ことが可能となる。
ターンのエツチングの処理の際に、この遮光パターンを
電源及び帯電用金属板により帯電させ、この遮光パター
ンの電位とレジスト膜表面の電位との差を放電が発生す
る電位差よりも小さくするから、薬液処理の際に薬液の
吹きつけによりレジスト膜に静電気が発生しても、レジ
スト膜の表面の電荷による放電の発生を防止することが
できるので、レジスト膜のピンホールの発生を防止する
ことが可能となる。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
本実施例に用いる薬液処理装置は、従来技術に用いた第
２図に示すものと概要は同じであり、相違点は第１図に
示すように、帯電用金属板７を付加した点である。
２図に示すものと概要は同じであり、相違点は第１図に
示すように、帯電用金属板７を付加した点である。
第１図により本実施例につき詳細を説明する。
通常の薬液処理の場合には遮光パターン１ｂが負の２０
〜３０ポルトに帯電するので、本実施例では図に示すよ
うに、遮光パターン１ｂの電位を電源８と帯電用金属板
７とにより一２０ボルトにするようにしている。
〜３０ポルトに帯電するので、本実施例では図に示すよ
うに、遮光パターン１ｂの電位を電源８と帯電用金属板
７とにより一２０ボルトにするようにしている。
また、スプレーノズル４をアースすることにより、薬液
自体の帯電をも防止する構造としている。
自体の帯電をも防止する構造としている。
この帯電用金属板７の構造は、テフロン製のスピンドル
チャック５の軸の周囲を取り囲む円筒形の部分に５ａと
、スピンドルチャック５の下部を覆う環状の部分５ｂと
からなる主要部の周囲の４カ所に、４本の接触子５ｃが
設けられたものであり、接触子５ｃの先端は上方に折り
曲げ加工を施してあり、乾板１をスピンドルチャック５
上に載置してスピンドルチャック５に設けた真空チャッ
クで吸引した時に、乾板１の遮光バクーン１ｂに接触す
るようになっている。
チャック５の軸の周囲を取り囲む円筒形の部分に５ａと
、スピンドルチャック５の下部を覆う環状の部分５ｂと
からなる主要部の周囲の４カ所に、４本の接触子５ｃが
設けられたものであり、接触子５ｃの先端は上方に折り
曲げ加工を施してあり、乾板１をスピンドルチャック５
上に載置してスピンドルチャック５に設けた真空チャッ
クで吸引した時に、乾板１の遮光バクーン１ｂに接触す
るようになっている。
このように電極８の負の極に接続した帯電用金属板７に
より、遮光パターン１ｂを一２０ボルトの電位に帯電す
るので、薬液処理によりレジスト膜２の表面の電位が負
の２０〜３０ボルトになっても放電が発生しないから、
レジスト膜２にピンホールが生じるのを防止することが
可能となる。
より、遮光パターン１ｂを一２０ボルトの電位に帯電す
るので、薬液処理によりレジスト膜２の表面の電位が負
の２０〜３０ボルトになっても放電が発生しないから、
レジスト膜２にピンホールが生じるのを防止することが
可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば極めて
簡単な構造により、レジスト膜の現像或いは遮光パター
ンのエツチングの処理の際の放電によるレジスト膜のピ
ンホールの発生を防止することが可能となる利点があり
、著しい品質向上の効果が期待でき工業的には極めて有
用なものである。
簡単な構造により、レジスト膜の現像或いは遮光パター
ンのエツチングの処理の際の放電によるレジスト膜のピ
ンホールの発生を防止することが可能となる利点があり
、著しい品質向上の効果が期待でき工業的には極めて有
用なものである。
第１図は本発明による一実施例の主要部を示す側断面図
、 第２図は薬液処理装置の概略を示ず側断面図、第３図は
従来の薬液処理装置の主要部を示す側断面図、 である。 図において、 １は乾板、 １ａは透明基板、 ■ｂは遮光パターン、 ２はレジスト膜、 ３は処理チャンバ、 ４はスプレーノズル、 ５はスピンドルチャック、 ６は薬液ドレイン、 ７は帯電用金属板、 ８は電源、 を示す。
、 第２図は薬液処理装置の概略を示ず側断面図、第３図は
従来の薬液処理装置の主要部を示す側断面図、 である。 図において、 １は乾板、 １ａは透明基板、 ■ｂは遮光パターン、 ２はレジスト膜、 ３は処理チャンバ、 ４はスプレーノズル、 ５はスピンドルチャック、 ６は薬液ドレイン、 ７は帯電用金属板、 ８は電源、 を示す。
Claims (1)
- レジスト膜を用いて行うフォトマスクの製造工程にお
ける、レジスト膜（２）の現像或いは遮光パターン（１
ｂ）のエッチングの処理の際に、前記遮光パターン（１
ｂ）を負の電荷に帯電させることを特徴とするフォトマ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62319262A JPH01160016A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62319262A JPH01160016A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01160016A true JPH01160016A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18108232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62319262A Pending JPH01160016A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01160016A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06138640A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Yamaha Corp | ホトマスクの製法 |
| WO2020189004A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP62319262A patent/JPH01160016A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06138640A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Yamaha Corp | ホトマスクの製法 |
| WO2020189004A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法 |
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