JPS61113061A - マスク洗浄装置 - Google Patents
マスク洗浄装置Info
- Publication number
- JPS61113061A JPS61113061A JP59236436A JP23643684A JPS61113061A JP S61113061 A JPS61113061 A JP S61113061A JP 59236436 A JP59236436 A JP 59236436A JP 23643684 A JP23643684 A JP 23643684A JP S61113061 A JPS61113061 A JP S61113061A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- blower
- pure water
- pressure
- charge concentration
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置の製作に使用されるマスク洗浄
装置に関するものである。
装置に関するものである。
［従来の技術］
半導体集積回路等の半導体装置の製造は、微細パターン
形成のために写真製版技術は必要不可欠なものであり、
例えば光学マスクが盛んに利用されている。この光学マ
スクは半導体ウェハーと直接接触するコンタクト方式と
して使用されたり、ｌ：ｌあるいはレチクルを使用した
５：１．１０：１の縮少投影などのプロジェクション方
式として使用されたりしている。上記いずれの場合もマ
スク表面の汚染は免れがたく、このためマスク洗浄が不
可欠となっている。第４図は通常の光学マスクを示すも
ので、（１）は光学マスク、（２）はガラス基板、（３
）は金属ウェハーよりなるパターンである。上記マスク
を洗浄する装置として第５図に示すものがある。（４）
はマスクに高圧純水を噴出するノズル、（５）はマスク
を載せて回転するホルダーである。
形成のために写真製版技術は必要不可欠なものであり、
例えば光学マスクが盛んに利用されている。この光学マ
スクは半導体ウェハーと直接接触するコンタクト方式と
して使用されたり、ｌ：ｌあるいはレチクルを使用した
５：１．１０：１の縮少投影などのプロジェクション方
式として使用されたりしている。上記いずれの場合もマ
スク表面の汚染は免れがたく、このためマスク洗浄が不
可欠となっている。第４図は通常の光学マスクを示すも
ので、（１）は光学マスク、（２）はガラス基板、（３
）は金属ウェハーよりなるパターンである。上記マスク
を洗浄する装置として第５図に示すものがある。（４）
はマスクに高圧純水を噴出するノズル、（５）はマスク
を載せて回転するホルダーである。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のマスク洗浄は、光学マスク（１）を
ホルダー（５）に載せて回転させると同時にノズル（４
）より高圧純水を噴出させてマスクを洗浄する。これに
よりマスクの異物は除去され、水溶性物は純水に溶解後
、高圧純水の遠心力により除去される。このような装置
の洗浄の主体は高圧純水であるので、噴出した純水とマ
スク表面との界面で静電気が発生してマスク表面に電荷
が集中しコロナ放電による静電破壊を起こしやすかった
。したがって純水にできる限り導電性をもたせるために
イオン化傾向の高いマグネシウムのロッドを予め挿入し
ていた。この方法により電荷集中による静電破壊は幾分
減少することができる。しかし乾燥後のマスクを観察す
ると、マグネシウムによる乾燥時の「しみ」が発生し、
マスク洗浄の初期の目的を達成できなかった。また、静
電気の発生による静電破壊とは別にイオン化物質の電位
差によるエツチングと思われるパターン損傷現象が発生
する等の問題点があった。
ホルダー（５）に載せて回転させると同時にノズル（４
）より高圧純水を噴出させてマスクを洗浄する。これに
よりマスクの異物は除去され、水溶性物は純水に溶解後
、高圧純水の遠心力により除去される。このような装置
の洗浄の主体は高圧純水であるので、噴出した純水とマ
スク表面との界面で静電気が発生してマスク表面に電荷
が集中しコロナ放電による静電破壊を起こしやすかった
。したがって純水にできる限り導電性をもたせるために
イオン化傾向の高いマグネシウムのロッドを予め挿入し
ていた。この方法により電荷集中による静電破壊は幾分
減少することができる。しかし乾燥後のマスクを観察す
ると、マグネシウムによる乾燥時の「しみ」が発生し、
マスク洗浄の初期の目的を達成できなかった。また、静
電気の発生による静電破壊とは別にイオン化物質の電位
差によるエツチングと思われるパターン損傷現象が発生
する等の問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、電荷集中による静電破壊を解消すると共に、パタ
ーンの損傷現象の全く生じないマスク洗浄装置を得るこ
とを目的とする。
ので、電荷集中による静電破壊を解消すると共に、パタ
ーンの損傷現象の全く生じないマスク洗浄装置を得るこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るマスク洗ｎ１装置は、マスク洗浄装置の
被洗浄部にマスク上の電荷集中を防ＩＩ−する機能を備
えたものである。
被洗浄部にマスク上の電荷集中を防ＩＩ−する機能を備
えたものである。
［イ乍用］
この発明においては、高圧純水とマスク表面との界面で
静電気が発生しても、この静電気はイオナイズブロア６
Ｍ音波イオンクリーナ等により中和除去し、静電気の集
中による静電破壊を解消することができる。
静電気が発生しても、この静電気はイオナイズブロア６
Ｍ音波イオンクリーナ等により中和除去し、静電気の集
中による静電破壊を解消することができる。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示すもので、符号（１）
〜（５）は第５図に示した従来のものと同一である。（
６）は光学マスク（１）の−に方に配置した電荷集中防
止機能となるイオナイズブロアである。このようなマス
ク洗浄装置は、まず、光学マスク（１）をホルダー（５
）」−に載せて回転させる。
〜（５）は第５図に示した従来のものと同一である。（
６）は光学マスク（１）の−に方に配置した電荷集中防
止機能となるイオナイズブロアである。このようなマス
ク洗浄装置は、まず、光学マスク（１）をホルダー（５
）」−に載せて回転させる。
このホルダー（５）の回転と同時にノズル（４）より高
圧純水を噴出させると、高圧純水の摩擦から生ずる静電
気が発生していたが、この静電気はイオナイズブロア（
６）により中和除去することができる。このイオナイズ
ブロア（６）の圧力はあまり強すぎるとイオンの再結合
が生ずるため適度な圧力とする。また、オゾンの発生の
ないものや、フィルター付きのものを使用し、イオン化
傾向による副作用を防止できる。このようにイオナイズ
ブロア（６）により光学マスク（＋）の静電気は中和さ
れ、コロナ放電による静電破壊が解消することができる
。
圧純水を噴出させると、高圧純水の摩擦から生ずる静電
気が発生していたが、この静電気はイオナイズブロア（
６）により中和除去することができる。このイオナイズ
ブロア（６）の圧力はあまり強すぎるとイオンの再結合
が生ずるため適度な圧力とする。また、オゾンの発生の
ないものや、フィルター付きのものを使用し、イオン化
傾向による副作用を防止できる。このようにイオナイズ
ブロア（６）により光学マスク（＋）の静電気は中和さ
れ、コロナ放電による静電破壊が解消することができる
。
第２図は電荷集中防止機能として超音波イオンクリーナ
（７）を設けた例であって、第１図のものと同様の作用
が得られるが、超音波方式により除電効果が高まり、そ
の上微粒子の除去作用が働いて洗浄作用も向上させるこ
とができる。
（７）を設けた例であって、第１図のものと同様の作用
が得られるが、超音波方式により除電効果が高まり、そ
の上微粒子の除去作用が働いて洗浄作用も向上させるこ
とができる。
第３図はその他の例を示すもので、この場合の光学マス
ク（１）はガラス基板（２）とパターン（３）との界面
に導電処理が施こされているマスクであり、例えば醇化
すず（Ｓｎｘ０７）あるいは醇化インジウム （１１１
ＸＯｙ）等の透明導電膜（８）により製作されている、
このような光学マスク（１）を導電性物質からなるホル
ダー（５）上に載せて回転させると同時にノズル（４）
から高圧純水を噴出させて洗浄する。これにより静電気
による電荷はマスク面内で同一電位となり電荷集中が回
避できる。しかし電荷の累積は進行しているため導電性
物質からなるホルダー（５）により通電し、この電荷を
接地電極（８）へ逃がして電荷集中を防止することが可
能となる。この場合は、外部からの除電手段なしで電荷
集中が解消でき、マスクの静電気等による損傷は全く生
じない。
ク（１）はガラス基板（２）とパターン（３）との界面
に導電処理が施こされているマスクであり、例えば醇化
すず（Ｓｎｘ０７）あるいは醇化インジウム （１１１
ＸＯｙ）等の透明導電膜（８）により製作されている、
このような光学マスク（１）を導電性物質からなるホル
ダー（５）上に載せて回転させると同時にノズル（４）
から高圧純水を噴出させて洗浄する。これにより静電気
による電荷はマスク面内で同一電位となり電荷集中が回
避できる。しかし電荷の累積は進行しているため導電性
物質からなるホルダー（５）により通電し、この電荷を
接地電極（８）へ逃がして電荷集中を防止することが可
能となる。この場合は、外部からの除電手段なしで電荷
集中が解消でき、マスクの静電気等による損傷は全く生
じない。
なお、この発明の実施例では、高圧純水方式にによる洗
浄方法について説明したが、その他、他の静電気を発生
しやすい洗浄方法の場合についても同様の作用が得られ
る。また、光学マスクの場合以外、他の静電気を発生し
やすい物質についても同様に行なえる。さらに電荷集中
防止機能としてイオナイズブロアや超音波イオンクリー
ナ以外、イオンを中和することが可能なものであればよ
く、しかもホルダーを導電性物質とするものの他、マス
ク接触部のみ導電性としてもよい。また、この発明では
イオナイズブロア（６）とイオンクリーナ（７）との併
用方式であってもよい。
浄方法について説明したが、その他、他の静電気を発生
しやすい洗浄方法の場合についても同様の作用が得られ
る。また、光学マスクの場合以外、他の静電気を発生し
やすい物質についても同様に行なえる。さらに電荷集中
防止機能としてイオナイズブロアや超音波イオンクリー
ナ以外、イオンを中和することが可能なものであればよ
く、しかもホルダーを導電性物質とするものの他、マス
ク接触部のみ導電性としてもよい。また、この発明では
イオナイズブロア（６）とイオンクリーナ（７）との併
用方式であってもよい。
し発明の効果］
この発明は以」−説明したように、マスク洗浄装置の被
洗浄部にマスク上の電萬集中を防止する機能を備えたこ
とにより、電荷集中による静電破壊を解消してマスクの
損傷を防止してマスクの長寿命化を図ると共に、ウェハ
ー歩留りが向上できる。また、構造が簡単であり低コス
ト化が図れる−１−１洗浄効果の向上が期待できる等の
効果がある。
洗浄部にマスク上の電萬集中を防止する機能を備えたこ
とにより、電荷集中による静電破壊を解消してマスクの
損傷を防止してマスクの長寿命化を図ると共に、ウェハ
ー歩留りが向上できる。また、構造が簡単であり低コス
ト化が図れる−１−１洗浄効果の向上が期待できる等の
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すマスク洗浄装置の断
面図、第２図および第３図は他の実施例を示す各々の断
面図、第４図は光学マスクの断面図、第５図は従来のマ
スク洗浄装置の断面図である。 （１）：光学マスク、 （２）ニガラス基板、（３
）：パターン、 （４）二ノズル、（５）：ホル
ダー、 （６）：イオナイズプロア、（７）：イオ
ンクリーナ、（８）：透明導電膜。 （９）：接地電極。 尚、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示。
面図、第２図および第３図は他の実施例を示す各々の断
面図、第４図は光学マスクの断面図、第５図は従来のマ
スク洗浄装置の断面図である。 （１）：光学マスク、 （２）ニガラス基板、（３
）：パターン、 （４）二ノズル、（５）：ホル
ダー、 （６）：イオナイズプロア、（７）：イオ
ンクリーナ、（８）：透明導電膜。 （９）：接地電極。 尚、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示。
Claims (3)
- （１）マスク洗浄装置の被洗浄部にマスク上の電荷集中
を防止する機能を備えたことを特徴とするマスク洗浄装
置。 - （２）電荷集中防止機能として被洗浄部の上方よりイオ
ン中和装置により被洗浄部のイオンを中和させる機能を
有してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のマスク洗浄装置。 - （３）マスク接触部が導電性物質で作成され、被洗浄部
の電荷が接地電極まで通電可能であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のマスク洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236436A JPS61113061A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | マスク洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236436A JPS61113061A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | マスク洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113061A true JPS61113061A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=17000724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59236436A Pending JPS61113061A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | マスク洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113061A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02723U (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-05 | ||
| JP2002292346A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Sharp Corp | 付着膜回収装置および付着膜の回収方法 |
| KR100428337B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2004-04-28 | 주식회사 이노벡스 | 쉐도우 마스크를 세정하는 유기전기 발광소자의 제조장치 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59236436A patent/JPS61113061A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02723U (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-05 | ||
| JP2002292346A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Sharp Corp | 付着膜回収装置および付着膜の回収方法 |
| KR100428337B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2004-04-28 | 주식회사 이노벡스 | 쉐도우 마스크를 세정하는 유기전기 발광소자의 제조장치 |
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