JP2006041346A - 帯電防止された電子装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 帯電防止性、密着性、パターン形成性等のいずれかに優れ、かつ、たとえば加熱、洗浄等の処理を行っても、ＥＳＤ等の静電気障害から電子素子等を保護することのできる電子装置および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電子装置上に、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含む帯電防止前駆体層を形成し、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成し、帯電防止材料層から帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、帯電防止前駆体層を帯電防止層となし、帯電防止材料層を溶解可能な液体で電子装置から帯電防止材料層を除去し、活性エネルギー線を照射して帯電防止層をパターン化し、現像処理により、パターン化された帯電防止層を形成する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、各種電子装置、電子部品および電子素子の静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：ＥＳＤ）からの保護に関する。

近年の電子装置や電子部品の小型化、高速化、省エネルギー化は、電子素子の構造微細化を促進し、電子素子のＥＳＤ等に対する耐性低下を引き起こしており、これら電子素子、ひいては電子装置の、製造、実装時における保護が重要な課題となってきている。この例としては、いわゆるＩＣチップ、ＬＳＩチップ等の半導体装置の他、液晶表示パネルやプラズマディスプレーパネル、磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッド等をあげることができる。この中でも、磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドは、２〜５Ｖの帯電でＧＭＲ素子が破壊されてしまうほどＥＳＤに敏感であり、帯電防止へのニーズが大きい。

帯電防止のためには、電子素子およびそれを実装する基板などに帯電防止用の薄膜を形成し、これらに発生する電荷を逃がす方法が有効であるが、その場合、電子素子や電子装置等の製造、実装、組立工程で行われる加熱、洗浄等により生じる、機械的ストレス、熱的ストレス、化学的ストレス等に耐える、帯電防止性、帯電防止における耐熱性および耐溶媒性、密着性等を有していないと、製造工程中に帯電防止性が不足したり、膜自体が溶出したり、剥離するという問題を生じる。

また、電子素子等の保護が必要な部分のみを選択的に保護し、他の部分については、更なる加工を許容するためには、保護が必要な部分のみを導電性の薄膜で覆うために、微細なパターンを形成することができることも必要である。

さらにまた、製造完了後帯電防止用の薄膜を除去した方が好ましい場合や、最終的に装置全体を封止する前に帯電防止用の薄膜を除去した方が好ましい場合や、多層基板の場合のように、製造工程の途中段階でのみ帯電を防止し、その後さらに加工を加えるために、帯電防止用の薄膜を除去できることが好ましい場合もある。

すなわち、電子装置の帯電防止用の薄膜には、帯電防止性に加えて、帯電防止における耐熱性および耐溶媒性、密着性、パターン形成性等が要求される。また、場合によっては除去可能性が要求される。

このような技術としては、特許文献１に、溶媒可溶性の導電性樹脂および凝集防止剤および／またはドーパントからなる導電性樹脂溶液を、側鎖に酸性基または酸性基の塩を有する光硬化性樹脂と複合化し、導電性樹脂をほぼ分子状で光硬化性樹脂内に分散させることにより、上記特性を有する膜を形成できる組成物が開示されている。

すなわち、導電性樹脂を、それと親和性の高い構造を持つ光硬化性樹脂中に、凝集防止剤を併用して分散させることで、ほぼ分子状で含有させ、また、導電性樹脂を高濃度とすることで高い導電性を確保し、光硬化性樹脂にパターン化特性、耐熱性、密着性、膜強度、耐溶媒性等を担わせることにより、上記特性を実現したものである。しかしながら、この系では導電性物質および添加物を光硬化性樹脂に混合、複合化しているため、その分、光硬化性樹脂の機械的、熱的強度および耐溶媒性、密着性等の特性が低下する可能性は否定できない。

このように、導電性物質および添加物を光硬化性樹脂に混合することによる光硬化性樹脂の特性劣化を防止するため、光硬化性樹脂層の上に導電層を形成する２層構造（たとえば特許文献２参照。）や光硬化性樹脂層と導電層とを分けた多層構造（たとえば特許文献３参照。）が提案されている。しかしながら、前者においては、対象である基板等をモノマーの蒸気に晒した後、重合して導電性ポリマー層を形成するため、真空蒸着電子装置など大規模な電子装置が必要となる。また、後者では硬化のための電子線照射時における帯電除去の目的であるため、加熱、洗浄など様々な工程を経ても剥離等を起こさない機械的強度、耐溶媒性を持ち得ない可能性が高い。また、ＥＳＤに弱い電子素子などにおいては、そもそも電子線などの荷電粒子ビームを使用すること自体に問題がある。
特開２００３−２５３１４３号公報（特許請求の範囲） 特開平６−２５６６９０号公報（特許請求の範囲） 特開平１１−２０３９３７号公報（特許請求の範囲）

本発明は、上記課題を解決し、帯電防止性に加えて、帯電防止における耐熱性および耐溶媒性、密着性、パターン形成性等に優れる帯電防止層によって保護された電子装置および電子装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。

本発明の一態様によれば、帯電防止層を最外層に有する、帯電防止された電子装置であって、帯電防止層が、その外表面から層内部に向けて、帯電防止材料の濃度勾配を有する、帯電防止された電子装置が提供される。

本発明態様により、帯電防止性、密着性、パターン形成性等のいずれかに優れ、かつ、たとえば加熱、洗浄等の処理を行っても、ＥＳＤ等の静電気障害から電子素子等を保護することのできる電子装置を実現することができる。

帯電防止層がパターン化されたものであること、帯電防止層が、活性エネルギー線をパターン化可能な材料に照射してパターン化されたものであること、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料が、活性エネルギー線により硬化する材料を含むものであること、帯電防止材料が、界面活性剤または導電性ポリマーまたはこれらの混合物を含むこと等が好ましい場合がある。

本発明の他の一態様によれば、電子装置上に、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含む帯電防止前駆体層を形成し、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成し、帯電防止材料層から帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、帯電防止前駆体層を帯電防止層となし、帯電防止材料層を溶解可能な液体で電子装置から帯電防止材料層を除去し、活性エネルギー線を照射して帯電防止層をパターン化し、現像処理により、パターン化された帯電防止層を形成することを含む、電子装置の製造方法が提供される。

本発明態様により、帯電防止性、密着性、パターン形成性等のいずれかに優れ、かつ、たとえば加熱、洗浄等の処理を行っても、ＥＳＤ等の静電気障害から電子素子等を保護することのできる電子装置を製造することができる。

帯電防止材料層が、その層を通した活性エネルギー線の照射により帯電防止層をパターン化できる程度の透過性を有するものであること、活性エネルギー線の照射を、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成した後で、帯電防止材料層が電子装置から除去される前に行うこと、電子装置からの帯電防止材料層の除去と現像処理とを、別の薬剤を使用して行うことまたは電子装置からの帯電防止材料層の除去と現像処理とを、同一の薬剤を使用して行うこと、活性エネルギー線の照射を非荷電ビームにより実施すること、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料が、活性エネルギー線により硬化する材料を含むものであること、帯電防止材料層が、界面活性剤または導電性ポリマーまたはこれらの混合物を含むものであること、帯電防止前駆体層が帯電防止材料を含んだものであること、帯電防止材料層が、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含むこと、パターン化された帯電防止層を除去することを含むこと等が好ましい場合がある。

本発明により、帯電防止性、密着性、パターン形成性等のいずれかに優れ、かつ、たとえば加熱、洗浄等の処理を行っても、ＥＳＤ等の静電気障害から電子素子等を保護することのできる電子装置および電子装置の製造方法を実現することができる。

以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。図中、同一の符号は同一の要素を意味する。

本発明に係る電子装置は、帯電防止層を最外層に有し、この帯電防止層の外表面から層内部に向けて、帯電防止材料の濃度勾配を有するものである。

本発明に係る電子装置において、帯電防止層を最外層に設けるのは、外部からの作用による帯電を防止するためである。ここで、本発明に係る電子装置は、最終製品であっても完成部品であっても中間部品であってもよい。中間部品の場合には、最終製品に至るまでの間に、この帯電防止層を取り去ってしまう場合もあり得る。たとえば、本発明に係る電子装置を最終的にエポキシ樹脂等で封止して製品とする場合には、最終製品の性能上問題なければ帯電防止層を残したまま封止を行ってもよいが、何らかの都合で帯電防止層を取り除いた方がよい場合には、剥離等の除去作業を行った後に封止を行ってもよい。また、本発明に係る電子装置が多層電子装置である場合に、その製造工程の途中における帯電防止のため、本発明に係る帯電防止層を設け、その後更に上層部分を設ける場合には、必要な工程の後本発明に係る帯電防止層を取り除くことも考えられる。

本発明に係る帯電防止層は、帯電防止層の外表面から帯電防止層の層内部に向けて、帯電防止材料の濃度勾配を有する。このように濃度勾配を持つと、帯電防止層の断面において、外表面近傍では帯電防止材料の濃度を高く保ち、充分な帯電防止性能を発揮できる。

また、外表面近傍以外の部分では帯電防止材料の濃度をゼロあるいは低く保つことにより、帯電防止層として機械的ストレス、熱的ストレス、化学的ストレスに耐える、耐熱性、耐溶媒性、密着性、パターン形成性等を確保し易くなる。すなわち、帯電防止層が、機械的ストレス、熱的ストレス、化学的ストレスに耐える、耐溶媒性、密着性等の物性に優れた材料を主成分とした場合、通常では帯電防止材料の存在によりこのような物性が低下する場合が多いが、外表面近傍以外の部分では帯電防止材料の濃度をゼロあるいは低く保つことにより、そのような物性が低下するのを抑制することが可能となる。

なお、帯電防止材料の濃度勾配は、帯電防止層の断面において、外表面からその反対側の表面に向けて、濃度が漸減していることを意味するが、その漸減は単調なものでなくてもよい。また、漸減のパターンはどのようなものでもよい。要すれば、帯電防止層の断面において、任意の外表面近傍部分と、その他の任意の部分（たとえば、外表面とは反対側の表面近傍部分）とに関し、それぞれ一点について帯電防止材料の濃度を測定した場合に、前者の濃度が後者の濃度より高ければ、本発明における濃度勾配が存在すると考えることができる。

本発明に係る帯電防止材料の濃度勾配を得るには、どのような方法を採用してもよいが、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成し、そのまま、あるいは加熱（たとえばプリベーク）しつつ所定の時間保持して、帯電防止材料層から、帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、帯電防止前駆体層中に帯電防止材料の濃度勾配を生じさせることにより、本発明に係る帯電防止層となす方法が好ましい方法の一つである。この所定の時間は希望する帯電防止性能に応じて任意に定めることができる。帯電防止材料層と帯電防止前駆体層とが共に液体の場合は、室温で０．５〜１２０分程度の保持で充分な場合が多い。

なお、本発明に係る帯電防止前駆体層とは、電子装置の帯電を防止するための帯電防止層中に帯電防止材料の濃度勾配を実現して帯電防止性能を発揮する前の層であることを意味する。帯電防止材料層とは、上記の帯電防止材料の濃度勾配を実現するために、帯電防止前駆体層に接触して設けられる、帯電防止材料を含んだ層を意味する。この層は帯電防止層形成後そのまま残してもよいが、通常は除去される。

本発明における帯電防止前駆体層は必ずしも液体状態である必要はなく、ある程度の形状を保持できるように、加熱処理等により半固形状または固形状にされたものであってもよい。帯電防止材料層は帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透させることができる限り固形状であってもよいが、液状の方が一般的に有利である。たとえば、帯電防止性能を有する液状物質をスプレー法等により塗布し、所定時間保持することで、帯電防止材料層を形成し、帯電防止材料を帯電防止前駆体層中に浸透させ、帯電防止層とすることができる。なお、帯電防止前駆体層と帯電防止材料層とは必ずしも別々の層として認識できる必要はない。特に両者が液体である場合には、一層としてしか認識できない場合もあり得るがこのような場合も本発明の範疇に属し得る。

この後、必要に応じてベークし、活性エネルギー線照射（本明細書では活性エネルギー線による照射を単に露光とも言う）により帯電防止層を硬化することにより、帯電防止層が、洗浄等により界面活性剤系薬剤等と接触した場合にも、帯電防止材料が外部に流出し難くすることができる。

このようにして得た帯電防止層はパターン化されたものであることが好ましい。製造工程の種々の作業を可能とするため、電子装置について必要最小限の部分に帯電防止性能を与えることが必要な場合が多いからである。パターンのサイズとしては、幅が０．０５μｍ〜１ｍｍ、長さが１μｍ〜１０ｍｍ、厚さが０．０５〜１００μｍを例示することができる。

パターン化された帯電防止層を、磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドを例にして更に詳しく説明する。図１は、磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドを示す模式的側面図（磁気ヘッドの浮上面に平行な方向から見た図）、図２はそのＧＭＲ素子の斜視図（磁気ヘッドの浮上面が正面を向いている図）である。磁気ヘッド１はその全体がたとえばシリコン製の基板６上にあり、その先端には永久磁石２に囲まれてＧＭＲ素子３が設けられており、ＧＭＲ素子３はリード端子４およびライト端子８に電気的に接続されている。ＧＭＲ素子３とリード端子４とは配線７により電気的に接続されている。

磁気ヘッド１の作製工程においては、ＧＭＲ素子３の削り出しが重要であり、複雑な研磨工程を要している。図１には研磨の位置が示されている。この研磨の際における、帯電によるＧＭＲ素子の破壊を防止するには、図３におけるようにパターン化された帯電防止層５を設けることが好ましい。この例では、たとえば、幅が１００μｍ、長さが２５０μｍ、厚さが５μｍ程度の帯電防止層を設けることができる。帯電防止層の形状はどのようなものでもよい。たとえば、図４，５を例示することができる。

帯電防止層がパターン化されたものであるようにするためには、電子装置上に、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含む帯電防止前駆体層を形成し、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成し、帯電防止材料層から帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、帯電防止前駆体層を帯電防止層となせばよい。

その後、帯電防止材料層を溶解可能な薬剤で電子装置から帯電防止材料層を除去し、活性エネルギー線を照射して帯電防止層をパターン化し、現像処理により、パターン化された帯電防止層を形成することができる。帯電防止材料層の除去や現像処理には、帯電防止材料層や帯電防止層を溶解できる薬剤を使用するが、これらの薬剤については、別々の薬剤を使用しても、同一の薬剤を使用してもよい。

あるいは、帯電防止材料層が、照射される活性エネルギー線に対し、所定の透過性を有するものである場合には、活性エネルギー線照射前に、帯電防止材料層を除去せず、活性エネルギー線の照射を、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成した後で、帯電防止材料層が電子装置から除去される前に行ってもよい。この帯電防止材料層の除去や現像処理についても、別々の薬剤を使用しても、同一の薬剤を使用してもよいが、活性エネルギー線照射前に、帯電防止材料層を除去せず、活性エネルギー線の照射を、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成した後で、帯電防止材料層が電子装置から除去される前に行う場合には帯電防止材料層の除去と現像処理とを同時に行い得るので、同一の薬剤を使用することが好ましい。従って、このような操作を可能とするためには、帯電防止材料層が、照射される活性エネルギー線に対し、所定の透過性を有するものであることが好ましい。「所定の透過性」とは、帯電防止材料層を通した活性エネルギー線の照射により帯電防止層をパターン化できる程度の透過性を意味し、帯電防止層の構成材料や使用する活性エネルギー線の条件に依存して決まるため一概に決めることはできないが、当業者ならば、実験等により容易に定めることができる。

なお、本発明に係る帯電防止層は、製造完了後に除去した方が好ましい場合や、最終的に装置全体を封止する前に除去した方が好ましい場合や、多層基板の場合のように、製造工程の途中段階でのみ帯電を防止し、その後さらに加工を加えるために、製造の途中で除去できることが好ましい場合がある。このような目的のためには、製造中にパターン化された帯電防止層を除去する工程を組み込めることが好ましい。帯電防止層の除去は、帯電防止層の溶解や剥離等どのような手段によってもよい。

このようにして、本発明により、帯電防止性に加えて、機械的ストレス、熱的ストレス、化学的ストレスに耐える、帯電防止性、密着性ならびにパターン形成性に優れ、たとえば加熱、洗浄等の処理を行っても、ＥＳＤ等の静電気障害から電子素子等を保護することのできる電子装置および電子装置の製造方法を実現することができる。なお、上記の諸特性の一部のみを満足させる場合も本発明の範疇に属することは言うまでもない。また、先述したごとく、本発明における電子装置には、最終製品のみならず、完成部品や中間部品も含まれる。たとえば最終製品を製造する途中の段階で、本発明の要件を満たす中間部品が存在する場合には、その中間部品が本発明に係る電子装置に該当する。

本発明に係る構成要素に関し、本発明に係る帯電防止材料層には、帯電防止性を有する材料を含めることができる。帯電防止性を有する材料が液体や溶液状の場合には、この材料のみから帯電防止材料層を形成してもよいが、固体の場合や、また、液体や溶液状の場合であっても、溶媒に溶解して、液状で帯電防止前駆体層上に塗布したりスプレーしたりすることができる。

従って、帯電防止性を有する材料としては特に制限はなく、公知の界面活性剤、導電性樹脂およびこれらの溶液の中から適宜選択することができる。たとえば界面活性剤であれば、ラウリン酸ナトリウム、ナウロイルグルタミン酸ナトリウムなどのカルボン酸型アニオン系物質、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物、スルホコハク酸ジ（２−エチルヘキシル）ナトリウム）などのスルホン酸型アニオン系物質、硫酸ドデシルナトリウムなどの硫酸エステル型アニオン系物質、硫酸ドデシルポリオキシエチレン塩、モノラウリルリン酸ナトリウムなどのリン酸エステル型アニオン系物質、ステアリルアミン塩酸塩などのアミン塩基型カチオン系物質、ステアリルトリメチルアンモニウム塩酸塩、ジステアリルジメチルアンモニウム塩酸塩、ラウリルジメチルベンジルアンモニウム塩酸塩、メチルビス（２−ヒドロキシエチル）ココアルキルアンモニウム塩酸塩、硝酸塩などの第四級アンモニウム塩型カチオン系物質、グリセリンモノステアリン酸エステル、ソルビタンモノステアリン酸エステル、ショ糖ステアリン酸エステルなどのエステル型非イオン系物質、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ドデシルポリオキシエチレンエーテルなどのエーテル型非イオン系物質、ポリエチレングリコールオレイン酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミチン酸エステルなどのエステルエーテル型非イオン系物質、ラウリン酸ジエタノールアミドなどのアルカノールアミド型非イオン系物質、ラウリルジメチル酢酸ベタインなどのカルボキシベタイン型両性系物質、２−ウンデシル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインなどのグリシン型両性系物質などを用いることができる。これらは１種で単独使用してもよい。また、２種以上を併用しても良い。これらの中でも、優れた帯電防止性能を有するという点から、イオン性の界面活性剤、中でも第四級アンモニウム塩系の界面活性剤またはそれらの混合物などが好ましい。さらに、これらの物質を適当な溶媒で希釈しても良い。

また、導電性樹脂であれば、ポリアニリン、その誘導体であるスルホン化ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリチオフェンビニレン、ポリフラン、ポリセレノフェン、ポリフリレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフテン、ポリアセチレン、ポリナフタレン、ポリアントラセン、ポリピレン、ポリアズレン、ポリナフタレンビニレン、ポリパラフェニレンスルフィド、またはこれらの誘導体、前駆体など、いわゆる導電性ポリマーの範疇に含まれる材料が挙げられる。これらは１種で単独使用してもよく、２種以上を併用しても良い。これらの中でも、導電性を示す形で溶媒可溶であるという点から、ポリアニリンまたはその誘導体であるスルホン化ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェンまたはそれら同士またはそれらとそれら以外の導電性樹脂または上記界面活性剤との混合物などが特に好ましい。

帯電防止材料層を形成するために溶媒を使用する場合の溶媒としては、本発明の趣旨に反しない限りどのようなものを使用してもよい。たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのような極性溶媒、ヘキサン、トルエンのような非極性溶媒、メタノール、エタノールのようなアルコール類、アセトンのようなケトン類、シクロヘキサンのような脂環式化合物、シクロヘキサノンのような極性部分と非極性部分を有する溶媒などを例示することができる。

なお、上記の剤には、照射される活性エネルギー線に対し、透過性の高いものも低いものも含まれている。従って、照射される活性エネルギー線に対し、所定の透過性を有することが要求される場合には、そのような視点から適当な剤を選択することが必要である。

また、帯電防止性能を発揮させるためには、ドーピングを行うことが有利な場合もある。このような場合には、本発明に係る帯電防止材料層に適当なドーピング剤を含ませておいた方がよいことは言うまでもない。ドーピング剤は予め帯電防止前駆体層に入れておいてもよい。

また、本発明に係る帯電防止材料層には、活性エネルギー線により硬化可能な材料を共存させておいてもよい。このようにすると、活性エネルギー線照射後に、現像処理を行えば、帯電防止材料の濃度勾配を有する帯電防止層の上に、硬化した帯電防止材料層を設けることができ、帯電防止材料の脱離がより困難になると共に帯電防止性能をより高めることができる場合がある。この場合の活性エネルギー線により硬化可能な材料としては、後述する帯電防止層の主成分と同じ材料を使用することができる。

なお、帯電防止性を有する材料には腐食性を持つものも多いが、本発明においては、外表面とは反対側の表面近傍では帯電防止性を有する材料の濃度をゼロまたは低く保つことができるため、帯電防止層の下にある部品の腐食を防止できる観点からも優れているといえる。

また、上述のごとく、電子装置との密着性、柔軟性、機械的、熱的強度などは、帯電防止層の主成分の特性により決定できるので、主成分、帯電防止性を有する材料および溶媒を適切に選択することにより、電子装置との密着性、耐薬品性、機械的、熱的強度および帯電防止層の帯電防止性能などについて、目的にあった特性とすることができる。

本発明に係る帯電防止層の主成分、すなわち、帯電防止前駆体層の材料としては、最終的に固形状の層を形成でき、帯電防止材料層と接触した場合に帯電防止材料が浸透、拡散できるものであれば、どのようなものから選択してもよいが、パターン等の形状を付与しやすい点で通常は有機材料が好ましい。パターン等の形状の付与は、活性エネルギー線の照射により行うことが実用的であるので、より具体的には、活性エネルギー線により硬化する材料が好ましい。このような材料としては、公知の光硬化性のレジストを使用することができる。電子装置の製造工程では、活性エネルギー線によりレジストのパターン化を行うことが多いので、これらの装置を流用でき、また、微細なパターンを再現性よく得ることができる点で有利である。

レジスト材料ではポジ型と呼ばれるような、活性エネルギー線により、溶媒等で除去可能となる性質を有するものでもよいが、ネガ型と呼ばれるような、活性エネルギー線により硬化する材料を含むものであるほうが、密着性等の点で優れ、好ましい場合が多い。後者の場合は、帯電防止層を一旦電子装置の表面に塗布等した後、マスクを使用して選択的に活性エネルギー線を照射する方法の他、予め帯電防止層を電子装置の表面に選択的に塗布等した後、マスクを使用せず、活性エネルギー線照射を行い、その後の現像処理を省略する方法を採用することもできる。なお、レジスト材料は通常使用後に硬化部分を除去できるようになっているので、本発明における帯電防止層の主成分として使用した場合に、使用後帯電防止層を除去する必要のある用途では、この点でも有利である。

光硬化性ネガ型レジストとしては、たとえば、硬化後に、ポリエステルアクリレート系、ウレタンアクリレート系、エポキシアクリレート系、ポリエーテルアクリレート系、スピランアクリレート系、ポリブタジエンアクリレート系等のアクリレート系樹脂や、メタクリレート系樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリ（メチルイソプロペニルケトン）樹脂、ポリグルタルイミド樹脂、ポリ（オレフィンスルホン）樹脂、ポリイミド系樹脂等を形成できる硬化性材料を用いることができる。混合物を使用してもよい。これらの材料は活性エネルギー線の照射により重合し硬化するものであり、いわゆるモノマーやオリゴマーと呼ばれるものを含めることができる。なお、本発明において硬化とは重合により分子量が増大すると共に架橋構造を生じ、溶媒等の薬剤に対し、溶解性を失いまたは減じた状態になることを意味する。これらの材料は、液状でもよく、たとえば、ドライフィルム状等の固形状のものでもよい。

帯電防止前駆体層の材料としては、上記硬化性材料の他に、たとえば、アクリル系、メタクリル系、ビニル系、イミド系等のモノマーまたはオリゴマーといった、そのままでは非硬化性で硬化性材料と反応し得る材料を共存させてもよい。この二つの材料の配合比には特に制限はなく、形成された膜もしくはパターンの特性を所望の目的に合致させるべく適宜選択できる。たとえば、一分子中に活性エネルギー線に対し活性な基を一個ないし二個有する材料と、一分子中に活性エネルギー線に対し活性な基を三個以上有する材料とを組み合わせて使用することができる。このようにして、機械的ストレス、熱的ストレス、化学的ストレスに耐えるよう、所望の帯電防止性、耐熱性、耐溶媒性、密着性等をコントロールし、そのバランスをとることが可能となる。

帯電防止前駆体層の材料としては、これらの剤に、さらに上述した樹脂に適した熱硬化剤等を組合わせて使用することもできる。たとえば、ポリエステルアクリレート樹脂と、ラクタム類やオキシム類でブロックされたブロックドイソシアネート化合物とを組み合わせて用い、活性エネルギー線による照射（露光）、現像の後、ポストベークを行うことにより、熱による硬化で、パターンの強度をさらに上げることが可能である場合がある。

さらに、帯電防止前駆体層の材料としては、その他の成分として、目的に応じて、光重合開始剤、溶媒などを適宜使用することができる。光重合開始剤としては、特に制限はなく、一般的に光重合開始剤として知られている物質およびそれらの誘導体またはそれらの混合物などが挙げられる。たとえば、ベンゾフェノン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４’−トリメチル−ペンチルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、オリゴ［２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン］、２，４，６−トリメチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルフォスフィンオキサイド、１−［４−（４−ベンゾイルフェニルスルファニル）フェニル］−２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルファニル）プロパン−１−オン、等が挙げられる。光重合開始剤の含有量は、目的に応じて適宜選択することができ、特に制限はない。

さらに、希望する場合には、帯電防止前駆体層に予め帯電防止材料を含有させておいてもよい。この場合、帯電防止材料の濃度が大きすぎると、機械的強度等の点で不足する場合もあり得るので、一般的にはその濃度を小さく保つべきである。たとえば、帯電防止前駆体層としての表面抵抗率が、１０¹²〜１０¹¹Ω／□程度にしておくと、帯電防止層全体としての帯電防止性能が向上し、電子装置をＥＳＤからより効率的に保護できるようになる場合もある。

帯電防止前駆体層を形成するためには、帯電防止前駆体層を溶媒に添加して使用してもよい。溶媒を使用すれば、帯電防止材料を帯電防止前駆体層中に浸透させることがより容易になる。このような溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ブチルオクタノン、プロピレンカーボネート、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−ホルムピペリジン、Ｎ−メチルコハク酸イミド、２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、トリメチルオキサゾール、ケトン類、アルコール類、または水等の極性溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族類、ヘキサン、シクロヘキサンなど炭化水素類、等の非極性溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。溶媒を使用した場合には、活性エネルギー線の照射前にプリベークして溶媒を除去することが一般的に好ましい。

本発明に係る帯電防止前駆体層は、公知の塗布方法を採用して形成することができる。たとえばスピンコート法、ブレードコート法、バーコート法、ディップコート法等により塗布する方法、さらにこのようにして塗布した膜に、乾燥、プリベーク等の処理を行う方法、または、市販のネガ型ドライフィルムレジストまたは液状の光硬化性ネガ型レジストをドライフィルム状に形成したものを電子装置の表面にラミネートする方法などが挙げられる。

また、本発明に係る帯電防止材料層の塗布方法としても、帯電防止前駆体層の場合と同様、公知の塗布方法を適用できるが、帯電防止前駆体層が液状の場合はスプレー法のように、その構造をあまり乱さない方法が好ましい。

本発明における活性エネルギー線の照射は、必要に応じてマスクを用いて行うことが好ましい。パターンを形成する場合、そのパターンの形状は、帯電防止を行いたい部分の形状に応じて任意に定めることができる。本発明に係る活性エネルギー線としては、必要に応じて、可視光、紫外線、エキシマ線、極端紫外線、Ｘ線などを使用することができるので、活性エネルギー線の種類や強度を選択することにより、所望のパターンを実現することが好ましい。なお、本発明に係る帯電防止層は、帯電に対し非常に敏感な部位について使用するものであることから、帯電防止層の効果を帳消しにすることになるような荷電ビームを使用することは避けるべきである。

活性エネルギー線照射の後、形成されたパターンを顕在化するためには現像処理を行うことが好ましい。現像処理を行うと、塗布膜における未露光部を溶解除去することができる。なお、本発明において現像処理とは、レジストにおける現像処理と同様、活性エネルギー線による照射後、溶媒を使用して電子部品の表面を洗浄し、硬化した非溶解部分を除く帯電防止層の部分を溶出し、パターンを現出せしめる操作を意味する。

また、現像処理の後、必要に応じてポスト露光やポストベークまたは乾燥を行うことにより、所望のパターンの強度、密着性などを向上させることができる。

耐電防止材料層の除去や現像処理に使用する薬剤としては、耐電防止材料層や帯電防止層に使用する材料に応じて適宜選択することができる。耐電防止材料層が液状のものであれば一般的な有機溶媒の中から選択することができる。帯電防止層にレジスト材料を使用する場合には、そのレジスト材料の現像に適する公知の薬剤を選択し、この薬剤で除去できる材料を使用して耐電防止材料層を形成すれば、一度の薬剤処理で耐電防止材料層の除去と現像処理とを済ますことが可能である。

以上のようにして本発明に係る電子装置に帯電防止層を設ける手順を例示すると次のようになる。まず、図６−Ａのように電子装置６２に、希望の帯電防止層パターンを作りたい場所を含んで帯電防止前駆体層６１を設ける。ついで、図６−Ｂのように、帯電防止前駆体層６１上に帯電防止材料層６３を設ける。帯電防止材料層６３を設ける前に帯電防止前駆体層６１をプリベークしてもよい。その後所定の時間経過させることにより、図６−Ｃのように、帯電防止材料６４を帯電防止前駆体層６１中に浸透、拡散させ、帯電防止層６５を形成する。これにより帯電防止層６５は、帯電防止層６５と帯電防止材料層６３の界面から帯電防止層６５の内部に向かって濃度勾配を有する。ついで、図６−Ｄのように、帯電防止材料層６３を除去する。その後、透過性を有する帯電防止層６５を通して露光し、現像を経て、図６−Ｅのように、パターン化された帯電防止層６６を形成する。

このようにして得られた本発明の帯電防止層の各種特性については、実状に応じて任意のレベルにすることができるが、たとえば、帯電防止性能については、パターン化されたものについても、パターン化されていないものについても、一般的には、その外表面について、表面抵抗率が１×１０¹⁰Ω／□以下であることが好ましい。１×１０⁹Ω／□以下であることがより好ましい。

また、帯電防止性能の耐熱性や耐洗浄性については、所定の熱処理や洗浄処理の後の表面抵抗率を測定することで評価できる。この場合も、一般的には、表面抵抗率が１×１０¹⁰Ω／□以下であることが好ましい。１×１０⁹Ω／□以下であることがより好ましい。

パターンの密着性は、化学的処理の結果劣化し得る。パターンの密着性は、たとえば、所定の化学的処理後のテープによる剥離試験における残存率が、９０％以上であるのが好ましく、９５％以上であるのがより好ましく、１００％であるのが特に好ましいと判断することができる。

パターン化性（パターン形成性能）は、所定の条件でパターンを形成し、その際のパターン形状やライン＆スペース解像度により評価することが可能である。どの程度のパターン化性が必要かは実情に応じて定めることができるが、生成したパターン形状に異常がなく、ライン＆スペース解像度が５０μｍ程度以下であれば、一般的に充分であると判断される。

次に本発明の実施例および比較例を詳述する。なお、以下においては、本発明に係る帯電防止前駆体層（すなわち、帯電防止層を形成するための主成分）にはレジスト材料を使用した。各測定は次のようにして行った。

・帯電防止性能評価
膜状またはパターン化された帯電防止層について、抵抗測定器（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ；Ｒ１２７０２Ａ、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ；６１７）を用いて、２０℃の条件下で、ＪＩＳ Ｋ６９１１による表面抵抗率を測定した。

なお、製造工程において与えられる熱の影響をモデル的に把握するために、膜状またはパターン化された帯電防止層について、雰囲気温度２６０℃で１０秒間加熱処理した後、上記と同様にして表面抵抗率を測定した。この評価を耐熱性評価と称する。

また、膜状またはパターン化された帯電防止層について、４０℃の２−プロパノール中にて２０分間超音波洗浄後、６０℃で５分間乾燥した後、上記と同様にして表面抵抗率を測定した。この評価を耐洗浄性評価と称する。

・密着性評価
テープ剥離試験で評価した。具体的には、ポリイミドフィルム上に形成されたパターンについて、４０℃のアセトン中にて２０分間超音波洗浄後、６０℃で５分間乾燥し、その後、パターンに対し、１ｍｍ間隔で１０×１０個（１００個）のクロスカットを入れた後、接着テープを貼付し、剥離することにより、剥離後における残存パターン数の割合を残存率％（残存したパターンのカット数の割合）として評価した。

・パターン化性評価
プリベーク後で露光前の膜に対し、３６５ｎｍに中心波長を有する超高圧水銀ランプの光を、１０〜２００μｍ幅のライン＆スペースパターンを有する石英ガラスマスクを通して８００ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射し、硬化を行った。次いで、４０℃の０．５重量％炭酸ナトリウム溶液を用いて、帯電防止材料層の除去および現像処理（なお、以下においては、「帯電防止材料層の除去および現像」を単に「現像」と呼称する）を行ってパターンを形成した後水洗し、１２０℃で３０分間ポストベークすることにより、パターンを形成した。このパターンについて形状とライン＆スペース解像度とを評価した。

［実施例１］
・光硬化性ネガ型レジスト材料の作製
Ｎ−メチル−２−ピロリドン１００重量部にスルホン化不飽和ポリエステル樹脂５０重量部、光硬化剤としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート１５重量部、ヒドロキシケトン系の光重合開始剤１０重量部を溶解させ、ポリエステル系光硬化性ネガ型レジスト材料を作製した。

・帯電防止液の作製
メチルビス（２−ヒドロキシエチル）ココアルキルアンモニウム硝酸塩を２−プロパノールに溶解し、メチルビス（２−ヒドロキシエチル）ココアルキルアンモニウム硝酸塩が３０重量％の帯電防止液を得た。

・膜形成
得られたレジスト材料をバーコートにより、ポリイミドフィルム上に約４００ｃｍ²塗布し、ベース膜とした。このベース層は帯電防止前駆体層に該当する。膜厚は３ｎｍであった。

この液状のベース膜に、約２ｍＬの帯電防止液を噴霧電子装置にて吹き付け、ベース層上に帯電防止材料層を形成した。

帯電防止材料層から帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、帯電防止前駆体層を帯電防止層となすように、３分間放置し、その後１００℃で１０分間プリベークを行い、固体膜とした。この固体膜に対し、３６５ｎｍに中心波長を有する超高圧水銀ランプの光を８００ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射し、固体膜を硬化させた。この後、１２０℃３０分間、ポストベークを行った。全膜厚は３μｍであった。このようにして得られた帯電防止層は、その表面から内部に向かって濃度勾配を有する。このような濃度勾配は他の実施例についても同様であった。

これらについて下記の評価を行った。

・帯電防止性能評価
４×１０⁶Ω／□であった。４０℃の０．５重量％炭酸ナトリウム溶液を用いて３０秒間現像処理を行い、表面抵抗率を測定したところ、７×１０⁷Ω／□であり、良好であった。これにより、エッチングやスパッタなどのプラズマに晒されるプロセス工程において、デバイスなどの電子装置が破壊されるような問題を解消させることが可能である。このような効果は他の実施例についても同様であった。

・耐熱性評価、耐洗浄性評価
上記の現像処理後の膜について耐熱試験を行った結果、表面抵抗率は９×１０⁷Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は６×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

・密着性評価
現像処理後の膜の密着性評価の結果、残存率は１００％であった。

・パターン化性評価
帯電防止材料層が所定の透過性を有するため、得られたパターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例２］
ベース膜形成後プリベークを行い、固体膜にした後帯電防止液を塗布し、その後３０分間放置して帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめた以外は、実施例１と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。

得られた帯電防止層に対し、実施例１と同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は４×１０⁶Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

また、上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は９×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

現像処理後の膜の密着性評価の結果残存率は１００％であり、パターン化性評価の結果、パターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例３］
実施例２において、帯電防止液として特開２００３−２５３１４３において開示した導電性樹脂組成物を使用した以外は、実施例２と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。

上記導電性樹脂組成物は以下のようにして得た。化学重合法で合成した酸化型脱ドープポリアニリンをＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させて酸化型脱ドープポリアニリン４重量％のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液を作製し、得られた溶液１重量部にシクロヘキサノン１重量部及びドデシルベンゼンスルホン酸０．０３６重量部を添加、混合して導電性樹脂組成物を得た。

得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は２×１０⁷Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は４×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

また、上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は４×１０⁸Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は５×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

現像処理後の膜の密着性評価の結果残存率は１００％であり、パターン化性評価の結果、パターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例４］
帯電防止液として、スルホン化ポリアニリンの５重量％溶液（溶媒：水と２−プロパノールの１：１混合物（重量比））を使用した以外は、実施例２と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は３×１０⁶Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は９×１０⁷Ω／□であり、良好であった。

また、上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は２×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

現像処理後の膜の密着性評価の結果残存率は１００％であり、パターン化性評価の結果、パターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例５］
帯電防止液として、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸１：１（重量比）の３重量％溶液（溶媒：水と２−プロパノールの１：１混合物（重量比））を使用した以外は、実施例２と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は６×１０⁴Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は７×１０⁶Ω／□であり、良好であった。

また、上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は３×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

現像処理後の膜の密着性評価の結果残存率は１００％であり、パターン化性評価の結果、パターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例６］
光硬化性ネガ型レジスト材料として、アクリル共重合樹脂系レジスト材料（ＡＣＡ３２０；ダイセル・ユー・シー・ビー）を使用し、バーコートによりベース膜を形成した以外は、実施例１と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。なお、レジストの製膜条件を以下に示す。プリベーク：８０℃５分、露光量：６００ｍＪ／ｃｍ²、現像条件：０．２％炭酸ナトリウム水溶液にて３０秒間ディップ、リンス：超純水にて２０秒間、ポストベーク：１００℃，５分。

得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は５×１０⁶Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

また、上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は９×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

現像処理後の膜の密着性評価の結果残存率は９９％であり、パターン化性評価の結果、パターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例７］
帯電防止液として、スルホン化ポリアニリンの５重量％溶液（溶媒：水と２−プロパノールの１：１混合物（重量比））を使用した以外は、実施例６と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。

得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は１×１０⁶Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は２×１０⁷Ω／□であり、良好であった。

また、上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は４×１０⁷Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

現像処理後の膜の密着性評価の結果残存率は１００％であり、パターン化性評価の結果、パターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例８］
ベース膜形成後プリベークを行い、固体膜にした後、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸１：１（重量比）の３重量％溶液（溶媒：水と２−プロパノールの１：１混合物（重量比））を帯電防止液として塗布し、その後３０分間放置して帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめた以外は、実施例６と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。

得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は４×１０⁴Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は９×１０⁵Ω／□あり、良好であった。

また、上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は７×１０⁷Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は３×１０⁸Ω／□であり、良好であった。

現像処理後の膜の密着性評価の結果残存率は１００％であり、パターン化性評価の結果、パターンの形状に異常はなく、ライン＆スペース解像度は１０μｍであった。

［実施例９］
ベース膜形成レジスト材料をポジ型レジスト材料（ＡＺ ４０００、クラリアントジャパン）を使用し、バーコートによりベース膜を形成した以外は、実施例１と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。なお、レジストの製膜条件を以下に示す。プリベーク：１００℃，１００秒間、露光量：１００ｍＪ／ｃｍ²、現像条件：ＡＺ４００Ｋデベロッパー（１：４）にて１００秒間ディップ、リンス：超純水にて２０秒間、ポストベーク：１２０℃２分。

得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は１×１０⁶Ω／□、現像処理後の表面抵抗率は９×１０⁷Ω／□であった。

上記の現像処理後の膜について、耐熱性評価における表面抵抗率は１×１０⁸Ω／□、耐洗浄性評価における表面抵抗率は５×１０⁹Ω／□であった。

［比較例１］
実施例１において、ベース膜形成後プリベークおよび露光を行い、膜を硬化した後帯電防止液を塗布した以外は、実施例１と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。

得られた帯電防止層に対し、実施例１と同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は１×１０⁶Ω／□と良好であったが、現像処理後の表面抵抗率は７×１０¹²Ω／□と帯電防止性が消失しており、帯電防止材料の浸透がなかったことが示された。

［比較例２］
ベース膜形成後、プリベークおよび露光を行い、膜を硬化した後帯電防止液を塗布した以外は、実施例７と同様にして帯電防止層および帯電防止層パターンを作製した。得られた帯電防止層に対し、同様の評価を行ったところ、形成した膜の表面抵抗率は２×１０⁶Ω／□と良好であったが、現像処理後の表面抵抗率は４×１０¹³Ω／□と帯電防止性が消失しており、帯電防止材料の浸透がなかったことが示された。

なお、上記に開示した内容から、下記の付記に示した発明が導き出せる。

（付記１）
帯電防止層を最外層に有する、帯電防止された電子装置であって、
当該帯電防止層が、その外表面から層内部に向けて、帯電防止材料の濃度勾配を有する、
帯電防止された電子装置。

（付記２）
前記帯電防止層がパターン化されたものである、付記１に記載の帯電防止された電子装置。

（付記３）
前記帯電防止層が、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を照射してパターン化されたものである、付記１または２に記載の帯電防止された電子装置。

（付記４）
前記活性エネルギー線によりパターン化可能な材料が、活性エネルギー線により硬化する材料を含むものである、付記３に記載の帯電防止された電子装置。

（付記５）
前記帯電防止材料が、界面活性剤または導電性ポリマーまたはこれらの混合物を含む、付記１〜４のいずれかに記載の帯電防止された電子装置。

（付記６）
電子装置上に、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含む帯電防止前駆体層を形成し、
当該帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成し、
当該帯電防止材料層から当該帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、当該帯電防止前駆体層を帯電防止層となし、
当該帯電防止材料層を溶解可能な液体で当該電子装置から帯電防止材料層を除去し、
活性エネルギー線を照射して当該帯電防止層をパターン化し、
現像処理により、パターン化された帯電防止層を形成する、
ことを含む、電子装置の製造方法。

（付記７）
前記帯電防止材料層が、当該帯電防止材料層を通した活性エネルギー線の照射により前記帯電防止層をパターン化できる程度の透過性を有するものである、請求項６に記載の電子装置の製造方法。

（付記８）
前記活性エネルギー線の照射を、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成した後で、帯電防止材料層が電子装置から除去される前に行う、付記６または７に記載の電子装置の製造方法。

（付記９）
前記電子装置からの帯電防止材料層の除去と前記現像処理とを、別の薬剤を使用して行う、付記６〜８のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

（付記１０）
前記電子装置からの帯電防止材料層の除去と前記現像処理とを、同一の薬剤を使用して行う、付記６〜８のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

（付記１１）
前記活性エネルギー線の照射を非荷電ビームにより実施する、付記６〜１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

（付記１２）
前記活性エネルギー線によりパターン化可能な材料が、活性エネルギー線により硬化する材料を含むものである、付記６〜１１のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

（付記１３）
前記帯電防止材料層が、界面活性剤または導電性ポリマーまたはこれらの混合物を含むものである、付記６〜１２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

（付記１４）
前記帯電防止前駆体層が帯電防止材料を含んだものである、付記６〜１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

（付記１５）
前記帯電防止材料層が、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含む、付記６〜１４のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

（付記１６）
前記パターン化された帯電防止層を除去することを含む、付記６〜１５のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドを示す模式的側面図である。 磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドのＧＭＲ素子の模式的斜視図である。 磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドに、本発明に係る帯電防止層を取り付けた様子を示す、模式的側面図である。 磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドに、本発明に係る帯電防止層を取り付けた様子を示す、他の模式的側面図である。 磁気記録／再生電子装置の磁気ヘッドに、本発明に係る帯電防止層を取り付けた様子を示す、他の模式的側面図である。 本発明に係るパターン化された帯電防止層を形成する手順を示す模式図である。 本発明に係るパターン化された帯電防止層を形成する手順を示す他の模式図である。 本発明に係るパターン化された帯電防止層を形成する手順を示す他の模式図である。 本発明に係るパターン化された帯電防止層を形成する手順を示す他の模式図である。 本発明に係るパターン化された帯電防止層を形成する手順を示す他の模式図である。

符号の説明

１ 磁気ヘッド
２ 永久磁石
３ ＧＭＲ素子
４ リード端子
５ 帯電防止層
６ 基板
７ 配線
８ ライト端子
６１ 帯電防止前駆体層
６２ 電子装置
６３ 帯電防止材料層
６４ 帯電防止材料
６５ 帯電防止層
６６ パターン化された帯電防止層

Claims (5)

1. 帯電防止層を最外層に有する、帯電防止された電子装置であって、
   当該帯電防止層が、その外表面から層内部に向けて、帯電防止材料の濃度勾配を有する、
   帯電防止された電子装置。
2. 前記帯電防止層がパターン化されたものである、請求項１に記載の帯電防止された電子装置。
3. 電子装置上に、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含む帯電防止前駆体層を形成し、
   当該帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成し、
   当該帯電防止材料層から当該帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、当該帯電防止前駆体層を帯電防止層となし、
   当該帯電防止材料層を溶解可能な液体で当該電子装置から帯電防止材料層を除去し、
   活性エネルギー線を照射して当該帯電防止層をパターン化し、
   現像処理により、パターン化された帯電防止層を形成する、
   ことを含む、電子装置の製造方法。
4. 前記帯電防止材料層が、当該帯電防止材料層を通した活性エネルギー線の照射により前記帯電防止層をパターン化できる程度の透過性を有するものである、請求項３に記載の電子装置の製造方法。
5. 前記活性エネルギー線の照射を、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成した後で、帯電防止材料層が電子装置から除去される前に行う、請求項３または４に記載の電子装置の製造方法。

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