JP3847895B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板に対して、熱処理や薬液処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置においては、ホットプレート上に基板を載置することにより当該基板を加熱処理する加熱ユニットやクールプレート上に基板を載置することにより当該基板を冷却処理する冷却ユニット等の熱処理ユニットや、回転する基板上にレジストや現像液を供給することにより当該基板にレジスト塗布または現像処理を行う薬液処理ユニットに対し、基板搬送アームを有する基板搬送機構で基板の循環搬送を行うことにより、基板に対して一連の処理を実行している。
【０００３】
このような基板処理装置においては、基板を効率よく処理するため、各処理ユニットを各々複数個配置している。そして、各処理ユニットの配置方式としては、鉛直軸を回転中心として回転可能な基板搬送アームを備えた基板搬送機構を装置の中央に配置し、この基板搬送機構に外側に基板搬送機構を取り囲むように複数の処理ユニットを配置するいわゆるクラスター配置方式や、水平方向を向く搬送路を往復移動可能な基板搬送アームを備えた基板搬送機構における搬送路の片側もしくは両側に沿って、複数の処理ユニットを配置するいわゆる並列配置方式等が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記クラスタ配置方式においては、基板搬送アームを回転させることによりその周囲に配置された処理ユニットに基板を搬送する方式であるため、基板を処理ユニット間で高速に受け渡しできるという利点がある。しかしながら、このクラスタ配置方式においては、各処理ユニットは基板搬送機構の周囲にしか配置できないことから、処理ユニット数を増加するためには、各処理ユニットを互いに重畳することにより多段化するしかない。このため、各処理ユニット数の増加には限界があり、装置構成の拡張性が乏しくフレキシビリティーに欠けるという問題がある。
【０００５】
一方、上記並列配置方式においては、搬送路を延長することにより処理ユニット数を増加することが可能であるが、搬送路を延長すると装置全体の占有床面積が増大する。また、この並列配置方式においては、基板搬送アームが水平方向を向く搬送路を往復移動する構成であるため、基板搬送アームを長いストロークで上下移動させると基板搬送アームを高速で安定して水平移動することが困難となり、装置の多段化が制限されるという問題がある。
【０００６】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、占有床面積を増大させることなく処理ユニット数を増加することができ、効率的に基板を処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、鉛直軸を回転中心として回転可能な基板搬送アームを備えた第１の基板搬送機構と、当該第１の基板搬送機構を取り囲むように配設され、基板に対して薬液を供給することにより当該基板を薬液処理する複数の薬液ユニットとを有する第１の基板処理部と、水平方向を向く搬送路を往復移動可能な基板搬送アームを備えた第２の基板搬送機構と、当該第２の基板搬送機構の搬送路に沿って配設された少なくとも加熱ユニットを含む複数の熱処理ユニットとを有し、前記第１の基板処理部の上方に配置された第２の基板処理部と、前記第１の基板処理部と前記第２の基板処理部との間に配設され、基板を冷却処理するとともに、前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構との間で基板を受け渡しするための受渡部として機能する冷却ユニットと、を備え、前記冷却ユニットは、ケーシングと、当該ケーシング内に配設されたクールプレートと、当該クールプレートを貫通するように配設された基板支持ピンとを有し、前記ケーシングには、前記第１の基板搬送機構の基板搬送アームが基板を保持して通過するための開口部と、前記第２の基板搬送機構の基板搬送アームが基板を保持して通過するための開口部とが形成されるとともに、前記基板支持ピンは、当該基板支持ピンにより支持した基板を前記クールプレート上に載置して冷却する第１の位置と、前記第１の基板搬送機構の基板搬送アームとの間で基板を受け渡すための第２の位置と、前記第２の基板搬送機構の基板搬送アームとの間で基板を受け渡すための第３の位置との間を昇降可能に構成されることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１基板搬送機構または前記第２基板搬送機構のうち、上方に配置される基板搬送機構の下方にフィルタユニットを配設している。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置の右側面図であり、図２はその平面的な配置を示す概要図である。なお、図２（ａ）は図１におけるＡＡ断面の配置を、図２（ｂ）は図１におけるＢＢ断面の配置を、図２（ｃ）は図１におけるＣＣ断面の配置を各々示している。
【００１０】
この基板処理装置は、上下一対の基板搬送アーム１１ａ、１１ｂを備えた第１の基板搬送機構１２と、第１の基板搬送機構１２を取り囲むように配設された薬液ユニットとしてのスピンコータ（回転式レジスト塗布装置）１３およびスピンデベロッパ（回転式現像装置）１４と、一対の載置台１５、１６とを有する第１の基板処理部１０（図２（ｃ）参照）と、上下一対の基板搬送アーム２１ａ、２１ｂを備えた第２の基板搬送機構２２と、当該第２の基板搬送機構２２の搬送路２５に沿って配設された熱処理ユニットとしての加熱ユニット２３およびアドヒュージョンユニット２４とを有する第２の基板処理部２０（図２（ａ）参照）と、第１の基板搬送機構１２と第２の基板搬送機構２２との間で基板を受け渡しするための受渡部としての冷却ユニット３０（図２（ｂ）参照）とを備える。
【００１１】
前記第１の基板処理部１０における第１の基板搬送機構１２は、スピンコータ１３と、スピンデベロッパ１４と、載置台１５、１６と、冷却ユニット３０との間で基板を搬送するためのものである。
【００１２】
図３は、この第１の基板搬送機構１２の斜視図である。
【００１３】
この第１の基板搬送機構１２は、昇降部材５１に対して回転可能に支持された基台５２を備える。この基台５２は、モータ機構５３の駆動により、鉛直方向を向く軸を中心に回転する。また、この基台５２上には、基板の端縁部を支持して搬送するための、互いに重畳して配置された一対の基板基板搬送アーム１１ａ、１１ｂが配設されている。これらの基板基板搬送アーム１１ａ、１１ｂは、基台５２に内蔵されたアーム駆動機構と各々接続されており、互いに独立して前後方向に往復移動可能に構成されている。
【００１４】
基台５２を支持する昇降部材５１の一端は、装置本体に連結するテーブル６１に立設されたガイド部材５４に対し、摺動可能に連結されている。また、昇降部材５１の他端は、モータ５５の駆動により回転するボールネジ５６と螺合している。このため、昇降部材５１は、モータ５５の駆動により、ガイド部材５４に沿って上下移動する。
【００１５】
従って、第１の基板搬送機構１２の基台５２は、モータ機構５３と、モータ５５により回転するボールネジ５６との駆動により、スピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、載置台１５、１６および冷却ユニット３０の各々と対向する位置に移動し、その状態において一対の基板搬送アーム１１ａ、１１ｂを往復移動させることにより、基板の受け渡しを実行することができる。
【００１６】
再度図１および図２を参照して、前記第１の基板処理部１０におけるスピンコータ１３は、基板を保持して回転するスピンチャック５７と、このスピンチャック５７の周囲に配設された内カップ５８と、図示しないレジスト供給ノズルとを有し、スピンチャック５７に保持されて回転する基板の表面にレジストを供給することにより、基板の表面にレジストの薄膜を形成するものである。
【００１７】
前記第１の基板処理部１０におけるスピンデベロッパ１４は、スピンコータ１３と同様のスピンチャック５７および内カップ５８と、図示しない現像液供給ノズルとを有し、スピンチャック５７に保持されて回転する基板の表面に現像液を供給することにより、基板の表面における露光済レジストを現像処理するものである。
【００１８】
前記第２の基板処理部２０における第２の基板搬送機構２２は、加熱ユニット２３と、アドヒュージョンユニット２４と、冷却ユニット３０との間で基板を搬送するためのものである。
【００１９】
図４は、この第２の基板搬送機構１２の斜視図である。
【００２０】
この第２の基板搬送機構２２は、上記第１の基板搬送機構１２と同様、昇降部材５１に対して回転可能に支持された基台５２を備える。この基台５２は、モータ機構５３の駆動により、鉛直方向を向く軸を中心に回転する。また、この基台５２上には、基板の端縁部を支持して搬送するための、互いに重畳して配置された一対の基板基板搬送アーム２１ａ、２１ｂが配設されている。これらの基板基板搬送アーム２１ａ、２１ｂは、基台５２に内蔵されたアーム駆動機構と各々接続されており、互いに独立して前後方向に往復移動可能に構成されている。
【００２１】
基台５２を支持する昇降部材５１の一端は、移動テーブル６２に立設されたガイド部材５４に対し、摺動可能に連結されている。また、昇降部材５１の他端は、モータ５５の駆動により回転するボールネジ５６と螺合している。このため、昇降部材５１は、モータ５５の駆動により、ガイド部材５４に沿って上下移動する。
【００２２】
移動テーブル６２は、装置本体に固定されたガイド部材６３に対し、摺動可能に連結されている。また、移動テーブル６２は、モータ６４の駆動により回転するボールネジ６５と螺合している。このため、移動テーブル６２は、上述した搬送路２５に沿って往復移動する。
【００２３】
従って、第２の基板搬送機構２２の基台５２は、モータ機構５３と、モータ５５により回転するボールネジ５６と、モータ６４により回転するボールネジ６５との駆動により、加熱ユニット２３、アドヒュージョンユニット２４および冷却ユニット３０の各々と対向する位置に移動し、その状態において一対の基板搬送アーム２１ａ、２１ｂを往復移動させることにより、基板の受け渡しを実行することができる。
【００２４】
再度図１および図２を参照して、前記第２の基板処理部２０における加熱ユニット２３は、基板に対しレジスト塗布または現像処理を実行する前後において基板を加熱するためのものである。この加熱ユニット２３は、第２の基板搬送機構２２の搬送路２５に沿って２段に１６個配設されており、その各々が基板を加熱するためのホットプレート２６を内蔵する。
【００２５】
前記第２の基板処理部２０におけるアドヒュージョンユニット２４は、レジスト塗布前の基板に対してＨＭＤＳ処理を行うためのものである。このアドヒュージョンユニット２４は、第２の基板搬送機構２２の搬送路２５に沿って８個（すなわち、各加熱ユニット２３の下方にそれぞれ１個ずつ）配設されており、加熱ユニット２３と同様、その各々が基板を加熱するためのホットプレート２６を内蔵する。
【００２６】
前記冷却ユニット３０は、加熱ユニット２３またはアドヒュージョンユニット２４により加熱された基板を、スピンコータ１３またはスピンデベロッパ１４に搬送する前に予め冷却することにより、基板の温度を設定温度まで降温させるためのものである。また、この冷却ユニット３０は、上述したように、第１の基板搬送機構１２と第２の基板搬送機構２２との間で基板を受け渡しするための受渡部として機能する。
【００２７】
図５は、この冷却ユニット３０の側面図である。
【００２８】
この冷却ユニット３０は、ケーシング７１内に配設されたクールプレート７２を有する。このケーシング７１には、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａ、１１ｂが基板を保持して通過するための開口部７３と、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａ、２１ｂが基板を保持して通過するための開口部７４とが形成されている。これらの開口部７３、７４は、図示しないシャッターにより開閉可能に構成されている。
【００２９】
また、この冷却ユニット３０は、クールプレート７２を貫通するように配設された基板支持ピン７５を備える。この基板支持ピン７５は、一対のエアシリンダ７６、７７の駆動により、図５において実線で示す第１の位置と、一点鎖線で示す第２の位置と、二点鎖線で示す第３の位置との間を昇降可能に構成されている。前記第１の位置は、基板支持ピン７５により支持した基板をクールプレート７２上に載置して、この基板を冷却する位置である。また、前記第２の位置は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａ、１１ｂとの間で基板を受け渡す位置である。さらに、前記第３の位置は、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａ、２１ｂとの間で基板を受け渡す位置である。
【００３０】
上述した第２の基板処理部２０における第２の基板搬送機構２２の下面全域には、フィルタユニット８１が配設されている。このフィルタユニット８１は、ＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ）フィルタまたはＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ）フィルタ等のパーティクル除去フィルタを備える。基板の搬送に伴い、第２の基板搬送機構２２で発生したパーティクルは、クリーンルームにおいて形成されるダウンフロー等によりこのフィルタユニット８１により捕獲される。このため、フィルタユニット８１の下方に配設された第１の基板搬送機構１２による基板搬送時等において、基板にパーティクルが付着することを防止することができる。
【００３１】
なお、第２の基板搬送機構２２と加熱ユニット２３とアドヒュージョンユニット２４との上方にはフィルタユニット８１同様のフィルタユニット８４が、また、スピンコータ１３の上方にはフィルタユニット８１同様のフィルタユニット８２が、さらに、スピンデベロッパ１４の上方にはフィルタユニット８１同様のフィルタユニット８３が、各々配設されている。
【００３２】
また、図１および図２においては図示を省略しているが、基板処理装置の一端にはインデクサ部が、また、基板処理装置の他端にはインターフェース部が配設されている。
【００３３】
このインデクサ部は、基板搬送用カセット内に収納された基板を基板処理装置における載置台１５に供給し、または、載置台１５に載置された基板を基板搬送用カセット内に格納する図示しない基板移載機構を有する。前段の処理工程より基板搬送用カセットに収納されて搬送された基板は、インデクサ部の基板移載機構により一枚ずつ取り出され、載置台１５における支持ピン１７上に載置される。また、処理を終了して載置台１５の支持ピン１７上に載置された基板は、インデクサ部の基板移載機構により基板搬送用カセット内に格納される。
【００３４】
インタフェース部は、基板搬送装置の載置台１６に載置された基板を図示を省略したステッパーに搬入し、または、ステッパーから搬出された基板を載置台１６に載置するための図示しない基板移載機構を有する。基板処理装置においてレジストを塗布され、載置台１６の支持ピン１８上に載置された基板は、インターフェース部の基板移載機構により後段のステッパーに搬送される。また、ステッパーから搬入された露光済の基板は、インタフェース部の基板移載機構により載置台１６の支持ピン１８上に載置される。
【００３５】
次に、上述した基板処理装置における基板の処理手順について説明する。図６は、上述した基板処理装置における基板の処理手順を示す説明図である。
【００３６】
なお、この図において「ＩＮＤ」は基板処理装置の一端に配設された図示しないインデクサ部を、「ＴＢ15」は載置台１５を、「ＣＰ」は冷却ユニット３０を、「ＨＰ」は加熱ユニット２３を、「ＡＨ」はアドヒュージョンユニット２４を、「ＳＣ」はスピンコータ１３を、「ＴＢ16」は載置台１６を、「ＩＦ」は基板処理装置の一端に配設された図示しないインタフェース部を、また「ＳＤ」はスピンデベロッパ１４を指している。また、符号「１１」を付した矢印は基板が第１の基板搬送機構１２における基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂにより搬送されることを示し、符号「２１」を付した矢印は基板が第２の基板搬送機構２２における基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより搬送されることを示す。
【００３７】
また、より詳細に説明すれば、この基板処理装置においては、第１、第２の基板搬送機構１２、２２における一対の基板搬送アーム１１ａ、１１ｂ（または２１ａ、２１ｂ）のうち一方の搬送アームにより各種の処理ユニット内にある基板を取り出した後、他方の搬送アームにより保持した基板を各処理ユニット内に格納することにより、複数の基板を各種の処理ユニットに順次搬送するように構成されている。但し、以下の説明においては、基板をどの基板搬送機構を使用して搬送するかについてのみ記載し、交換動作に関する詳細な説明は省略する。
【００３８】
さらに、この基板処理装置により基板を処理する場合においては、各々複数個配設されたスピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、加熱ユニット２３、アドヒュージョンユニット２４および冷却ユニット３０を適宜利用することにより、複数の基板に対して並行して処理が実行される。以下の説明においては詳細な説明は省略するが、一枚の基板に対しては、各々複数個配設されたスピンコータ１３、スピンデベロッパ１４、加熱ユニット２３、アドヒュージョンユニット２４および冷却ユニット３０のいずれかを利用して処理が実行される。
【００３９】
図示しない基板移載装置によりインデクサ部から載置台１５に搬入された基板は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂにより冷却ユニット３０に搬送され、図５において一点鎖線で示す第２の位置にある基板支持ピン７５に基板を載置する。基板を受け取った基板支持ピン７５は、エアシリンダ７６または７７の駆動により、図５において二点鎖線で示す第３の位置まで上昇する。そして、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂが第３の位置にある基板支持ピン７５上の基板を受け取り、この基板をアドヒュージョンユニット２４に向けて搬送する。
【００４０】
上述した工程においては、冷却ユニット３０に搬入された基板は、クールプレート７２上に載置され冷却されることなく冷却ユニット３０から搬出される。この工程においては、冷却ユニット３０は、第１の基板搬送機構１２と第２の基板搬送機構２２との間で基板を受け渡しするための受渡部として機能する。
【００４１】
第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂによりアドヒュージョンユニット２４のホットプレート２６上に載置された基板には、ＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理後の基板は、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより冷却ユニット３０に搬送される。
【００４２】
冷却ユニット３０に搬送された基板は、図５において二点鎖線で示す第３の位置にある基板支持ピン７５上に載置される。基板を受け取った基板支持ピン７５は、エアシリンダ７６または７７の駆動により、図５において実線で示す第１の位置まで下降する。これにより、基板はクールプレート７２上に載置され、設定温度まで冷却される。この場合においては、冷却ユニット３０は基板を冷却処理するためのユニットとして機能する。
【００４３】
基板の冷却処理が終了すれば、基板支持ピン７５は、エアシリンダ７６または７７の駆動により、図５において一点鎖線で示す第２の位置まで上昇する。そして、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂが基板支持ピン７５上の基板を受け取り、この基板をスピンコータ１３に向けて搬送する。スピンコータ１３に搬送された基板は、その表面にレジストが塗布される。
【００４４】
スピンコータ１３によりレジストを塗布された基板は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂにより冷却ユニット３０に一旦搬送された後、冷却ユニット３０において冷却されることなく第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂに受け渡され、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより冷却ユニット３０から加熱ユニット２３に搬送される。この場合においても、冷却ユニット３０は、第１の基板搬送機構１２と第２の基板搬送機構２２との間で基板を受け渡しするための受渡部として機能する。
【００４５】
加熱ユニット２３に搬送された基板には、加熱処理の一種であるプリベークが施される。そして、プリベーク後の基板は、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより冷却ユニット３０に搬送される。冷却ユニット３０に搬送された基板は、クールプレート７２上に載置されることにより、設定温度まで冷却される。冷却ユニット３０により冷却された基板は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂにより載置台１６に搬送される。
【００４６】
載置台１５に載置された基板は、図示しないインターフェース部の基板移載装置によりステッパーに搬送され、所定のパターンの露光が行われる。露光済の基板は、図示しないインターフェース部の基板移載装置により、再度、載置台１６に載置される。
【００４７】
載置台１６上の基板は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂにより冷却ユニット３０に一旦搬送された後、冷却ユニット３０において冷却されることなく第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂに受け渡され、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより冷却ユニット３０から加熱ユニット２３に搬送される。
【００４８】
加熱ユニット２３に搬送された基板には、加熱処理の一種であるポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）が施される。ポストエクスポージャーベークを完了した基板は、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより冷却ユニット３０に搬送され、クールプレート７２上に載置されることにより、設定温度まで冷却される。
【００４９】
冷却ユニット３０により冷却された基板は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂによりスピンデベロッパ１４に搬送され、露光済のレジストを現像処理される。
【００５０】
スピンデベロッパ１４により現像処理された基板は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂにより冷却ユニット３０に一旦搬送された後、冷却ユニット３０で冷却されることなく第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂに受け渡され、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより冷却ユニット３０から加熱ユニット２３に搬送される。
【００５１】
加熱ユニット２３に搬送された基板には、加熱処理の一種であるポストベークが施される。そして、ポストベーク後の基板は、第２の基板搬送機構２２の基板搬送アーム２１ａまたは２１ｂにより冷却ユニット３０に搬送され、クールプレート７２上に載置されることにより、設定温度まで冷却される。冷却ユニット３０により冷却された基板は、第１の基板搬送機構１２の基板搬送アーム１１ａまたは１１ｂにより載置台１５に搬送される。
【００５２】
載置台１５に載置された基板は、図示しないインデクサ部の基板移載装置により基板搬送用カセット内に格納される。
【００５３】
上述した基板の処理手順から明らかなように、この実施形態に係る基板処理装置においては、薬液処理ユニットとしてのスピンコータ１３およびスピンデベロッパ１４にアクセスする第１の基板搬送機構１２は、冷却処理ユニット兼受渡部としての冷却ユニット３０にはアクセスするがホットプレート２６を備えた加熱処理ユニットとしての加熱ユニット２３またはアドヒュージョンユニット２４にはアクセスしない。また、加熱ユニット２３またはアドヒュージョンユニット２４にアクセスする第２の基板搬送機構２２は、冷却ユニット３０にはアクセスするがスピンコータ１３およびスピンデベロッパ１４にはアクセスしない。
【００５４】
このため、スピンコータ１３およびスピンデベロッパ１４にアクセスする第１の基板搬送機構１２が加熱ユニット２３またはアドヒュージョンユニット２４により暖められたり、スピンコータ１３およびスピンデベロッパ１４が加熱ユニット２３にアクセスする第２の基板搬送機構２２により暖められることを防止することができる。従って、基板に対する熱の影響を防止して、基板を精度よく処理することが可能となる。
【００５５】
なお、上述した実施の形態においては、冷却ユニット３０を基板の受渡部としても使用している。このため、基板処理装置全体をコンパクトに構成することができる。ただし、冷却ユニット３０を基板の冷却処理専用に使用し、受渡部を冷却ユニット３０以外の場所に配設してもよい。この場合、受渡部は第１の基板搬送機構１２と第２の基板搬送機構２２とがアクセスしうる位置であれば、任意の位置に設置することができる。また、受渡部としては、基板を保持しうるチャック等を有する構成のものや、単に基板を載置しうる構成のものであってもよく、さらには、第１の基板搬送機構１２と第２の基板搬送機構２２との間で基板を受け渡ししうる領域のみからなるものでもよい。
【００５６】
なお、冷却ユニット３０を基板の冷却処理専用に使用する場合においては、この冷却ユニットは第２の基板処理部２０内に配置すればよい。
【００５７】
上述した実施の形態においては、鉛直軸を回転中心として回転可能な基板搬送アーム１１ａ、１１ｂを備えた第１の基板搬送機構１２を中央に配置し、この第１の基板搬送機構１２を取り囲むように薬液ユニットとしての複数のスピンコータ１３およびスピンデベロッパ１４と一対の載置台１５、１６とを配置したクラスター配置方式の第１の基板処理部１０と、水平方向を向く搬送路２５を往復移動可能な基板搬送アーム２１ａ、２１ｂを備えた第２の基板搬送機構２２における搬送路２５の両側に沿って、熱処理ユニットとしての複数の加熱ユニット２３およびアドヒュージョンユニット２４を配置する並列配置方式の第２の基板処理部とを、第２の基板処理部２０が第１の基板処理部１０の上方に位置する状態で配置している。これは、以下のような理由による。
【００５８】
先ず、スピンコータ１３やスピンコータ１４等の薬液ユニットは、その占有面積が大きいことや、加熱ユニット２３やアドヒュージョンユニット２４等の熱処理ユニットに比べ全体の処理工程で必要とされる個数が比較的少ないことから、クラスター配置方式とするのに適している。一方、加熱ユニット２３やアドヒュージョンユニット２４等の熱処理ユニットは、その占有面積が小さく複数個を並列配置し易いことや、全体の処理工程で必要とされる個数が多いことから並列配置方式とするのに適している。また、スピンコータ１３やスピンコータ１４等の薬液ユニットは、その高さが比較的大きく複数個を重畳して配置することが困難であるが、加熱ユニット２３やアドヒュージョンユニット２４等の熱処理ユニットはその高さが極めて小さいことから、これらを重畳して配置しても基板搬送アーム２１ａ、２１ｂの上下ストロークは小さく、基板搬送アーム２１ａ、２１ｂが高速で往復走行することの支障とはならない。
【００５９】
このような理由から、スピンコータ１３やスピンコータ１４等の薬液ユニットをクラスター配置方式をなす第１の基板処理部１０に配置し、加熱ユニット２３やアドヒュージョンユニット２４等の熱処理ユニットを並列配置方式をなす第２の基板処理部に配置しているのである。
【００６０】
また、スピンコータ１３やスピンコータ１４等の薬液ユニットは、その下方に薬液供給機構や排液処理機構を備える必要があることや、薬液を使用することにより生ずる汚れに対する清掃等のメンテナンスを行う必要があることから、比較的低い位置に配置することが好ましい。一方、加熱ユニット２３やアドヒュージョンユニット２４等の熱処理ユニットにはこのような制約はない。
【００６１】
このような理由から、スピンコータ１３やスピンコータ１４等の薬液ユニット備えた第１の基板処理部１０を下方に配置し、加熱ユニット２３やアドヒュージョンユニット２４等の熱処理ユニットを備えた第２の基板処理部２０を上方に配置しているのである。
【００６２】
なお、上述した実施の形態においては、第２の基板処理部２０には基板を加熱して処理する加熱ユニット２３およびアドヒュージョンユニット２４のみを配設しているが、上述した冷却ユニット３０を基板の冷却処理専用に使用する場合や、冷却ユニットの個数が不足する場合等においては、第２の基板処理部２０におけるいずれかの処理ユニットに換えて、または、第２の基板処理部２０をさらに重畳した構成として、そこに冷却ユニットを配設するようにすればよい。
【００６３】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、いわゆるクラスター配置方式の第１の基板処理部と、いわゆる並列配置方式の第２の基板処理部とを上下方向に配置し、受渡部を介して第１、第２の基板処理部間で基板を受け渡すことから、基板処理装置の占有床面積を増大させることなく処理ユニット数を増加することができ、効率的に基板を処理することができる。このとき、薬液ユニットを第１の基板処理部に配置し、熱処理ユニットを第２の基板処理部に配置することから、各処理ユニットを効率的に配置することができる。また、薬液ユニットにアクセスする第１の基板搬送機構が熱処理ユニットにより暖められたり、薬液ユニットが熱処理ユニットにアクセスする第２の基板搬送機構により暖められることを防止することができ、基板に対する熱の影響を防止して、基板を精度よく処理することが可能となる。
【００６４】
また、第２の基板処理部を第１の基板処理部の上方に配置していることから、薬液ユニットに関する薬液供給機構や排液処理機構の配置やメンテナンスに支障を生ずることなく、各処理ユニットを配置することができる。
【００６５】
さらに、受渡部が基板を冷却処理する冷却ユニットから構成されていることから、基板処理装置全体をさらにコンパクトに構成することができる。
【００６６】
請求項２に記載の発明によれば、第１基板搬送機構または前記第２基板搬送機構のうち上方に配置される基板搬送機構の下方にフィルタユニットを配設していることから、上方に配置される基板搬送機構で発生したパーティクルが、その下方の処理ユニット内や基板搬送機構内に存在する基板上に落下することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係る基板処理装置の右側面図である。
【図２】 この発明に係る基板処理装置の平面的な配置を示す概要図である。
【図３】 第１の基板搬送機構１２の斜視図である。
【図４】 第２の基板搬送機構２２の斜視図である。
【図５】 冷却ユニット３０の側面図である。
【図６】 基板処理装置における基板の処理手順を示す説明図である。
【符号の説明】
１０ 第１の基板処理部
１１ａ、１１ｂ 基板搬送アーム
１２ 第１の基板搬送機構
１３ スピンコータ
１４ スピンデベロッパ
１５、１６ 載置台
２０ 第２の基板処理部
２１ａ、２１ｂ 基板搬送アーム
２２ 第２の基板搬送機構
２３ 加熱ユニット
２４ アドヒュージョンユニット
２５ 搬送路
２６ ホットプレート
３０ 冷却ユニット
７２ クールプレート
７５ 基板支持ピン
８１、８２、８３、８４ フィルタユニット

Claims (2)

1. 鉛直軸を回転中心として回転可能な基板搬送アームを備えた第１の基板搬送機構と、当該第１の基板搬送機構を取り囲むように配設され、基板に対して薬液を供給することにより当該基板を薬液処理する複数の薬液ユニットとを有する第１の基板処理部と、
   水平方向を向く搬送路を往復移動可能な基板搬送アームを備えた第２の基板搬送機構と、当該第２の基板搬送機構の搬送路に沿って配設された少なくとも加熱ユニットを含む複数の熱処理ユニットとを有し、前記第１の基板処理部の上方に配置された第２の基板処理部と、
   前記第１の基板処理部と前記第２の基板処理部との間に配設され、基板を冷却処理するとともに、前記第１の基板搬送機構と前記第２の基板搬送機構との間で基板を受け渡しするための受渡部として機能する冷却ユニットと、を備え、
   前記冷却ユニットは、ケーシングと、当該ケーシング内に配設されたクールプレートと、当該クールプレートを貫通するように配設された基板支持ピンとを有し、前記ケーシングには、前記第１の基板搬送機構の基板搬送アームが基板を保持して通過するための開口部と、前記第２の基板搬送機構の基板搬送アームが基板を保持して通過するための開口部とが形成されるとともに、前記基板支持ピンは、当該基板支持ピンにより支持した基板を前記クールプレート上に載置して冷却する第１の位置と、前記第１の基板搬送機構の基板搬送アームとの間で基板を受け渡すための第２の位置と、前記第２の基板搬送機構の基板搬送アームとの間で基板を受け渡すための第３の位置との間を昇降可能に構成されることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記第１基板搬送機構または前記第２基板搬送機構のうち、上方に配置される基板搬送機構の下方にフィルタユニットを配設した基板処理装置。

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