KR100503121B1

KR100503121B1 - 처리장치및처리방법

Info

Publication number: KR100503121B1
Application number: KR10-1998-0039143A
Authority: KR
Inventors: 히데타미 야에가시; 환퀴
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1997-09-22
Filing date: 1998-09-22
Publication date: 2005-11-11
Also published as: US6287023B1; SG76561A1; KR19990030003A

Abstract

본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼 등의 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.

본 발명의 처리장치는 케이스 내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 케이스 내부에 도입된 공기 중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 필터 외측의 불순물의 농도를 검출하는 농도검출기구와, 농도검출기구의 검출결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단(50)을 구비한다.

이로써, 해상불량을 발생시키는 불순물을 제거하기 위한 필터의 교환타이밍을 신속히 파악할 수 있고, 수율저하의 문제를 해결함으로써, 신뢰성 높은 처리를 실현할 수 있는 데 적용할 수 있다.

Description

처리장치 및 처리방법

본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼 등의 피처리체에 대해 처리도포액 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.

반도체디바이스의 제조에 있어서는 피처리기판인 반도체웨이퍼에 소정의 막을 성막한 후, 포토레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하고, 이것을 현상처리하는, 소위 포토리소그래피 기술에 의해 회로패턴이 형성된다.

종래부터 이들의 도포·현상처리를 위한 일련의 처리는 각 처리유니트를 일체화한 도포·현상처리시스템에 의해 행하여 진다. 이 시스템은 세정처리, 도포처리, 노광 후의 현상처리 등의 각 처리를 행하기 위한 처리유니트와, 복수의 카세트가 재치된 카세트재치대를 가지고 있다. 또, 이 시스템에는 노광장치가 부착된 인터페이스를 가지고 있다.

이와 같은 시스템에서는, 반송기구에 의해 카세트로부터 취출된 반도체웨이퍼가 처리부에 반송되고, 처리부에서 주반송기구에 의해 각 처리유니트에 대한 반도체웨이퍼의 반입반출이 행하여 진다.

이와 같은 도포·현상처리는 반도체디바이스의 고집적화를 위해 대단히 중요한 공정으로, 예를 들어 64MDRAM부터 256MDRAM의 고집적화된 제품에 있어서는 종래의 레지스트로는 불충분하고, 보다 미세한 패턴형성이 가능한 화학증폭형 레지스트가 필요해 진다.

그런데, 종래의 이러한 처리장치 및 처리방법에 있어서 화학증폭형 레지스트는 환경의존성이 높고, 분위기 중에 예를 들어 암모니아나 NMP(N-메틸피로리돈)등의 유기아민과 같은 알칼리성분이 존재하면 해상도불량을 일으킬 우려가 있다. 즉, 노광된 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급하여 현상처리를 행하는 공정에 있어서, 회로패턴의 정확한 선폭을 얻을 수 없고, 고집적화에 대응할 수 없는 문제가 있다.

이들 해상도불량을 발생하는 알칼리성분은 미처리의 반도체웨이퍼 표면에 부착한 미립자 등을 제거하는 세정액에 암모니아가 사용되고, 레지스트액을 반도체웨이퍼 표면에 도포하는 전(前)공정으로서 반도체웨이퍼 표면에 소수화처리를 행할 시의 용제에 아민계 용제가 사용되고, 게다가 노광처리 시의 이상노광의 발생을 방지하기 위해 반도체웨이퍼에 도포되는 반사방지막에 아민계 용제가 사용됨으로써 분위기중에 존재한다. 그리고, 이들 알칼리성분이 노광공정 후의 가열공정이나 현상공정등의 분위기로 유입함으로써 정확한 선폭을 얻을 수 없게 되는 것이라 생각된다. 따라서, IC소자의 수율의 저하를 초래한다.

이와 같은 악영향을 방지하기 위해 도포현상시스템에 있어서는, 각 처리유니트를 케이스 내에 배치하고, 케이스 내를 강제적으로 배기함과 동시에, 케이스 상부의 각 처리유니트로의 공기도입구에 예를 들어 케미컬필터를 배치하고, 시스템 내에 공급되는 공기중의 알칼리성분 등 해상도를 저하시키는 불순물을 최대한 제거하고 있다.

그런데, 케미컬필터의 능력은 한계가 있고, 이 필터가 노후열등화하면 해상도를 저하시키는 불순물을 유효하게 제거할 수 없게 된다. 그 결과, 각 처리유니트내의 해상도를 저하시키는 불순물의 농도가 허용치를 넘어 버려 IC소자의 수율 저하를 초래한다. 따라서, 케미컬필터를 적당한 시기에 교환할 필요가 있고, 그러기 위해 케이스 내의 각 처리유니트내의 분위기를 샘플링하여 해상도를 저하시키는 불순물의 농도를 측정하는 방법이 채용되고 있다. 그러나, 이 방법으로는 농도검출에 많은 시간을 요하고, 상기와 같은 반도체웨이퍼를 연속적으로 처리하는 시스템에 있어서는 노후열등화한 케미컬필터를 설치한 채로 시스템을 장기간 가동시키게 되어, 역시 수율의 저하 및 장치의 신뢰성 저하의 문제가 잔존한다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로, 본 발명은 해상불량을 발생시키는 불순물을 제거하기 위한 필터의 교환타이밍을 신속히 파악할 수 있어, 수율 저하의 문제를 해소할 수 있고, 게다가 신뢰성 높은 처리장치 및 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에 의하면, 케이스와, 케이스내에 설치되어 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 상기 케이스내부에 도입된 공기중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 농도검출수단과, 상기 농도검출수단의 검출결과를 기초로하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치가 제공된다.

본 발명의 제 2 관점에 의하면, 케이스와, 케이스내에 설치되어 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 상기 케이스내부에 도입된 공기중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 제 1 농도검출수단과, 장치내에서 상기 필터 내측의 소정부분의 상기 불순물의 농도를 검출하는 1 또는 2 이상의 제 2 농도검출수단과, 상기 제 1 농도검출수단의 검출결과를 기초로하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단과, 상기 제 2 농도검출수단의 검출신호를 모니터하는 모니터수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치가 제공된다.

본 발명의 제 3 관점에 의하면, 케이스와, 케이스내에 설치되어 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 상기 케이스내부에 도입된 공기중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 제 1 농도검출수단과, 장치내에서 상기 필터 내측의 소정부분의 상기 불순물의 농도를 검출하는 1 또는 2 이상의 제 2 농도검출수단과, 상기 제 1 농도검출수단의 검출결과를 기초로하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단과, 상기 제 2 농도검출수단의 검출신호와 미리 설정된 하한계치와를 비교연산하는 연산수단과, 경고를 발하는 경고수단과, 상기 연산수단이 상기 검출신호가 상기 하한계치를 넘은 것을 검출하였을 시에 상기 경고수단에 대해 경고를 발하는 신호를 출력하는 제 1 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치가 제공된다.

본 발명의 제 4 관점에 의하면, 케이스내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과, 상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과, 상기 케이스에 도입된 공기에 포함되어 해상도를 저하시키는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과, 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과, 그 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법이 제공된다.

본 발명의 제 5 관점에 의하면, 케이스내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과, 상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과, 상기 케이스에 도입된 공기에 포함되어 해상도를 저하시키는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과, 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과, 장치내에서 상기 필터 내측의 1 또는 2이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과, 상기 필터 외측의 상기 불순물 농도의 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과, 상기 필터 내측의 1 또는 2이상의 부분의 상기 불순물 농도를 모니터하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법이 제공된다.

본 발명의 제 6 관점에 의하면, 케이스내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과, 상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과, 상기 케이스내에 도입된 공기에 포함되어 해상도를 저하시키는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과, 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과, 장치내에서 상기 필터 내측의 1 또는 2이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과, 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도의 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과, 상기 필터 내측의 1 또는 2이상의 개소에서의 상기 불순물의 농도와 미리 설정된 하한계치와를 비교연산하는 공정과, 상기 필터 내측의 1 또는 2이상의 부분에서 검출된 상기 불순물의 농도가 하한계치를 넘은 경우에 경고를 발하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법이 제공된다.

상기 본 발명의 제 1 관점 및 제 4 관점에 의하면, 필터 외측에서의 해상도저하 불순물을 검출하고, 그 결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측하기 때문에, 미리 필터의 교환타이밍을 파악할 수 있다. 따라서, 수율의 저하를 초래하는 일 없이, 신뢰성 높은 처리를 실현할 수 있다.

또, 상기 본 발명의 제 2 관점 및 제 5 관점에 의하면, 필터 외측에서의 해상도저하 불순물의 농도를 검출하고, 그 결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측함과 동시에, 장치내에서의 필터 내측의 소정부분의 해상도저하 불순물의 농도를 검출하고 그것을 모니터하도록 하였기 때문에, 미리 필터의 교환타이밍을 파악할 수 있음과 동시에, 실제의 케이스내의 불순물 농도를 파악할 수 있다.

또한, 상기 본 발명의 제 3 관점 및 제 6 관점에 의하면, 필터 내측에서의 해상도저하 불순물의 농도를 검출하고, 그 결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측함과 동시에, 장치내에서의 필터 내측의 소정부분의 해상도저하 불순물의 농도를 검출하고, 그 검출신호와 미리 설정된 하한계치와를 비교연산하여 검출신호가 하한계치를 넘었을 시에 경고를 발하도록 하였기 때문에, 미리 필터의 교환타이밍을 파악할 수 있음과 동시에, 설령 예측된 수명 전에 필터가 노후열등화하여 케이스내의 해상도저하 불순물 농도가 해상도 불량을 초래하는 레벨이 되어도, 확실히 그것을 파악할 수 있어 신뢰성을 보다 높일 수 있다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명이 적용되는 반도체웨이퍼의 도포·현상처리시스템을 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 시스템의 A-A'선에 의한 단면도이다.

이 도포·현상처리시스템은 복수의 반도체웨이퍼(W)를 수용하는 카세트(C)를 재치하는 카세트재치대(1)과, 반도체웨이퍼(W)에 레지스트도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖춘 처리부(2)와, 카세트(C)와 처리부(2)와의 사이에서 반도체웨이퍼(W)의 반송을 행하기 위한 반송기구(3)과, 처리부(2)를 끼고 카세트재치대(1)과 반대측에 설치되고 노광장치(21)이 연결설치가능한 인터페이스부(4)를 구비하고 있다.

반송기구(3)은 반송로(12)상을 카세트의 배열방향을 따라 이동가능한 반송기구(11)을 가지고, 이 반송기구(11)의 반송아암(11a)에 의해 카세트재치대(1)과 처리부(2)와의 사이에서 반도체웨이퍼의 반입반출이 행하여 진다.

처리부(2)는 그것의 거의 중앙부에 통로(7)이 형성되어 있고, 이 통로(7)의 양측에 설치된 복수의 처리유니트를 가지고 있다. 또, 이 처리부(2)에는 통로(7)을 따라 이동가능한 주반송기구(5)가 설치되어 있고, 이 주반송기구(5)는 회전이동, 상하이동, 및 진출퇴피이동가능한 웨이퍼지지 아암(6)을 구비하고 있다. 그리고, 이 주반송기구(5)의 아암(6)에 의해 각 처리유니트에 대한 반도체웨이퍼(W)의 이송이 행하여진다.

통로(7)의 한쪽측에는 베이크유니트(13), 브러시세정유니트(14), 어드히죤처리유니트(15), 그 아래에 설치된 냉각유니트(16), 및 베이크유니트(17)이 설치되어 있고, 다른 한쪽측에는 2개의 레지스트도포유니트(18), 물세정유니트(19), 2개의 현상처리유니트(20)이 각각 배치되어 있다. 이와 같이 반송로(7)을 끼고 한쪽측에 레지스트도포유니트(18) 및 현상처리유니트(20)이 설치되고, 다른 한쪽측에 베이크유니트(13), (17)이 설치되어 있기 때문에, 레지스트도포유니트(18) 및 현상처리유니트(20)이 열을 받는 것이 방지된다.

인터페이스부(4)에는 반도체웨이퍼(W)의 인수인도를 위한 재치대(4a)가 설치되어 있고, 이 재치대(4a)를 매개로 하여 노광장치(21)과의 사이에서 반도체웨이퍼(W)의 인수인도가 행하여 진다. 그리고, 이 노광장치(21)에 의해 포토마스크등을 사용하여 레지스트도포된 반도체웨이퍼(W)상에 소정의 회로패턴이 형성된다.

이와 같이 각 처리유니트를 집약하고 일체화함으로써, 공간절약화 및 처리효율화를 도모할 수 있다. 이들 처리유니트를 가지는 처리부(2)는 그 전체가 케이스(25)(도 2 참조)내에 배치되어 있고, 시스템전체는 클린룸내에 배치된다.

이와 같은 도포·현상처리시스템에 있어서는 카세트(C)내의 반도체웨이퍼(W)가 처리부(2)에 반송되고, 먼저 브러시세정유니트(14) 및 물세정유니트(17)에 의해 세정처리되고, 레지스트의 정착성을 높이기 위해 어드히죤처리유니트(15)로 소수화처리되고, 냉각유니트(16)으로 냉각후, 레지스트도포유니트(18)의 한쪽에서 화학증폭형 레지스트가 도포된다. 그 후, 반도체웨이퍼(W)는 베이크유니트(13)의 1개로 프리베이크(pre-bake)처리되고, 냉각유니트(16)에서 냉각된 후, 인터페이스부(4)를 매개로 하여 노광장치(21)에 반송되고 거기서 소정의 패턴이 노광된다. 그리고, 재차 인터페이스부(4)를 매개로 하여 처리부(2)에 반입되고, 베이크유니트(17)에서 포스트 엑스포져 베이크(post exposure bake)처리가 행하여지고, 레지스트가 화학증폭된다. 그후, 냉각유니트(16)에서 냉각된 반도체웨이퍼(W)는 현상처리유니트(29)에서 현상처리되어 소정의 회로패턴이 형성되고, 린스액에 의해 잔여의 현상액이 씻겨 흘러간다. 현상처리된 반도체웨이퍼(W)는 주반송기구(5) 및 반송기구(3)에 의해 카세트재치대(1)상의 소정의 카세트(C)에 수용된다. 또한, 반도체웨이퍼(W) 표면에 반사방지막을 형성하는 경우에는 다른 한쪽의 레지스트도포유니트(18)에서 반사방지막용 레지스트를 도포하고, 베이킹한 후, 화학증폭형레지스트가 도포된다.

이어, 본 실시형태의 도포현상시스템에서의 공기청정기구 및 해상도를 저하시키는 불순물의 농도를 검출하는 불순물농도검출기구에 대해 설명한다. 도 2에서 도시하듯이, 처리부(2)의 상부에 그 안에 청정화된 공기를 공급하기 위한 공기청정기구 (27)이 설치되어 있다. 이 공기청정기구(27)은 케이스(25)의 최상부에 설치된 덕트(duct)(38)로부터 처리부(2)에 공기를 유도하기 위한 통로(39)에 설치되어 있고, 위로부터 순서대로 케미컬필터(28), 송풍팬(30), 및 ULPA필터(29)를 가지고 있다. 이와 같은 공기청정기구(27)에 의해 청정화된 공기가 처리부(2)내에 다운플로우상태로 공급되며, 이 중에서 케미컬필터(28)은 화학증폭형레지스트의 해상도를 저하시키는 암모니아나 NMP(N-메틸피로리돈)등의 유기아민과 같은 알칼리성분을 제거하여 해상도불량을 방지하는 기능을 가지고 있다. 이 케미컬필터(28)은 각 유니트 마다 배치되어 있다. 또한, ULPA필터(29)는 공기청정기구(27)의 하측의 레지스트도포유니트(18)의 입구부분에도 설치되어 있으나, 이것은 생략해도 상관없다.

또, 처리부(2)의 통로(7)의 바닥부에는 배기통로(31)이 설치되어 있고, 이 배기통로(31)내에 배기팬(32)가 설치되어 있고, 상측으로부터 도입된 공기가 강제적으로 하측으로 배출되도록 되어 있다. 따라서, 처리부(2)내에서 해상도를 저하시키는 불순물이 발생하여도 반도체웨이퍼(W)에 영향을 미치는 일 없이 장치의 하측으로 배출된다.

레지스트도포유니트(18)을 예를 들어 설명하면, 도 2에서 도시하듯이, 레지스트의 비산을 방지하기 위한 컵(22)내의 스핀척(23)상에 반도체웨이퍼(W)를 진공흡착시켜, 그 상측으로부터 공기청정기구(27)에서 청정화된 공기를 컵내에 도입하면서, 펄스(pulse)모터(24)에 의해 스핀척(23) 및 반도체웨이퍼(W)를 회전시키면서, 노즐(도시하지 않음)로부터 레지스트액을 공급함으로써 레지스트막의 도포작업이 행하여 진다.

이와 같은 공기청정기구(27)은 인터페이스부(4)에도 설치되어 있어, 인터페이스부(4)에도 청정화된 공기가 공급된다.

도 1 및 도 2에서 도시하듯이, 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20) 및 인터페이스부(4)의 내부의 공기청정기구(27) 바로 밑에는 공기도입구(35)가 설치되어 있고, 또 케미컬필터(28)의 외측부분에 1개소, 공기도입구(36)이 설치되어 있다. 이들 공기도입구(35), (36)은 채출관(37)을 매개로 농도검출기구(40)에 접속되어 있고, 이 농도검출기구(40)에 의해 채출되는 공기의 해상도를 저하시키는 불순물, 예를 들어 암모니아의 농도를 검출한다.

이 농도검출기구(40)은 순수(42)를 수용하는 탱크(41)과 농도분석부(44)를 가지고 있다. 또, 탱크(41)의 순수(42)중에는 흡기팬(도시하지 않음)을 구비한 송출관(43)이 삽입되어 있다. 그리고, 공기도입구(35) 또는 (36)으로부터 채출된 공기는 채출관(37)을 매개로 탱크내에 도달하고, 그 안의 순수중에 용해되고, 암모니아가 용해된 순수가 송출관(43)을 매개로 농도분석부(44)에 도달한다. 그리고, 이 농도분석부(44)에서 암모니아등의 분석이 이루어진다.

농도분석부(44)의 분석결과는 CPU(50)에 출력되고 여기서 소정의 처리가 이루어지고, 표시장치(51)에 소정의 표시가 이루어짐과 동시에, 이와 같은 경우에는 알람장치(52)에 의해 경고표시가 이루어지든가, 또는 경보가 발하여 진다든가, 또는 그 양측이 다 이루어진다. 또, CPU(50)는 주반송기구(5)의 모터 및 스핀척(23)의 모터(24)등에도 접속되어 있고, 이들을 제어가능하게 되어 있다. 또한, 현상처리유니트(20)의 스핀척의 모터도 이와 동일하게 제어하는 것이 가능하다.

케미컬필터(28)의 외측에 있는 공기도입구(36)으로부터 채출된 공기는 케미컬필터에서 해상도저하 불순물이 제거되기 전의 공기, 즉 이 도포현상시스템이 배치되어 있는 클린룸내의 공기이고, 농도검출기구(40)에서 이 공기중의 해상도저하 불순물, 예를 들어 암모니아의 농도를 검출함으로써, 케미컬필터에 어느 정도의 불순물이 트랩(trap)되는가를 파악할 수 있다. 케미컬필터의 능력은 총불순물의 트랩량으로 파악할 수 있기 때문에, 이와 같이 케미컬필터를 통과하기 전의 공기의 불순물농도를 계속적으로 검출함으로써 케미컬필터의 수명을 예측할 수 있다.

이 경우, CPU(50)은 그 농도검출결과를 기초로 케미컬필터의 수명을 예측하는 수명예측수단으로서 기능한다. 즉, 케미컬필터(28)의 외측부분의 불순물농도 검출결과가 CPU(50)에 입력되고, 그것을 기초로 하여 케미컬필터의 평균 잔여 수명(餘命)을 산출한다.

구체적으로는, 공기도입구(36)으로부터 채출된 공기의 불순물농도를 계속적으로 측정하고, CPU(50)에 의해, 이하의 (1)식에 의해 평균농도(C)를 구한다.

[수학식 1]

단, a : 전회 분석으로부터 금회 분석까지의 일수, b : 가장 가까운 과거의 분석값이다.

그리고, 이하의 (2)식에 의해 잔여 수명일수(R)을 구한다.

[수학식 2]

단, α : 일수, β : 농도 이고, α×β는 신품 필터의 수명, 즉 필터의 용량을 나타낸다. 즉, 예를 들어 농도(β)가 2ppb인 경우에는 α는 1년, 농도β가 1ppb인 경우에는 α는 2년이라고 하듯이 필터의 능력을 도시하는 것이다.

즉, 도 3에서 도시하듯이, 미리 분석한 (a), (b), (c)의 농도검출결과를 기초로 하여 평균농도를 계산함과 동시에, 필터의 용량으로부터 이미 소모한 사선부분의 면적을 빼고 X부분의 면적을 구하고, 그것을 평균농도로 나눈 잔여 수명(R)을 구한다.

CPU(50)에 의해 이와 같은 계산을 각 필터마다에 행하고, 각 필터에 잔여 수명등의 데이터를 표시장치(51)에 표시할 수 있도록 이루어져 있다. 구체적으로는, 도 4A의 현재의 스테이터스(status)를 나타내는 화면과, 도 4B의 설정화면인 2개의 화면을 각 필터마다에 준비하고, 필터수명을 관리한다. 이와 같이, 각 필터마다에 화면을 준비하는 것은 필터마다 탑재일이 달라 각 필터마다 잔여 수명이 다르기 때문이다. 또, 설정화면을 스테이터스화면과 나눈 것은 α, β나 레세트(reset)등이 간단히 억제되지 않도록 하기 위해서이다.

이와 같이, 케미컬필터의 수명을 예측할 수 있기 때문에, 미리 필터의 교환타이밍을 파악할 수 있다. 따라서, 필터의 노후화(열등화)에 따른 불량품의 발생을 미연에 방지할 수 있기 때문에, 수율의 저하를 초래하는 일 없이, 신뢰성높은 처리를 실현할 수 있다. 또, 암모니아등의 해상도저하 불순물을 가동시간에 대해 적산(積算)하고, 그 적산값으로부터, 즉 실적값으로부터 필터의 수명을 예측하도록 하였기 때문에, 필터의 노후화정도를 정확히 파악할 수 있고, 필터의 교환수명을 고정도(高精度)로 예측할 수 있다.

또한, 표시장치(51)에 의해 케미컬필터(28a)의 외측 공기, 즉 클린룸내의 공기의 불순물농도를 모니터하여, 클린룸내의 해상도저하 불순물의 농도의 한계값, 예를 들어 10ppb가 되지 않도록 감시하는 것도 가능하다.

상기 실시형태에서는 케미컬필터를 1층으로 하였으나, 도 5에서 도시하듯이, 2층의 케미컬필터(28a), (28b)를 설치함으로써 해상도저하 불순물을 보다 확실히 제거할 수 있다. 이 경우 상측의 케미컬필터(28a)의 외측에 공기도입구(36a)가 설치되고, 케미컬필터(28a)와 (28b)와의 사이에 공기도입구(36b)가 설치되어 있기 때문에, 공기도입구(36a)로부터 도입된 공기의 불순물농도를 검출함으로써 상술한 순서로 케미컬필터(28a)의 수명을 예측할 수 있고, 또, 공기도입구(36b)로부터 도입된 공기의 불순물농도를 검출함으로써 동일한 순서로 케미컬필터(28b)의 수명을 예측할 수 있다. 필터를 3단이상으로 적층한 경우에도 각 층 사이의 불순물농도를 검출함으로써, 동일하게, 각 층의 수명예측을 행할 수 있다.

이와 같이 필터를 다층으로 하고, 각 층의 수명예측을 행함으로써, 장치내의 청정도를 높게 유지한 채로 필터의 교환이 가능하다. 즉, 어느 층의 필터교환이 필요해진 것이 검출되었을 경우, 다른 층의 필터의 수명이 남아 있으면, 교환이 필요해진 필터를 떼어 내어도 장치내의 청정도가 저하되는 일이 없다.

또, 케미컬필터는 그 흡착능력의 약 70%의 양의 불순물을 흡착하면, 그 이후의 필터링의 성능이 저하하기 때문에, 케미컬필터가 1단인 경우에는 그 능력의 약 70%밖에 사용되지 않은 채 폐기시키지 않을 수 없으나, 이와 같이 다단계로 배치함으로써 케미컬필터를 그 능력의 거의 100%까지 사용할 수 있다. 즉, 가장 내측의 케미컬필터에 대해, 흡착능력의 70%보다 낮은 불순물흡착량이 되어 있기만 하면, 그 외측의 케미컬필터는 흡착능력의 70%이상의 불순물을 흡착하고 있어도 좋고, 따라서, 케미컬필터의 흡착능력을 거의 100%사용할 수 있다.

이와 같은 경우의 구체적인 케미컬필터의 교환순서에 대해, 도 6A ~ 도 6C를 참조하면서 설명한다. 도시하듯이, 3단의 케미컬필터의 탑재포트(60a), (60b), (60c)를 준비하여 두고, 그 중 2단을 사용하도록 한다. 도 6A에서 도시하듯이, 포트(60a)에 케미컬필터(61)이 탑재되고, 포트(60b)에 케미컬필터(62)가 탑재되어 있다. 그리고, 케미컬필터(62)의 수명이 없어지고 그것을 교환하는 경우에는, 도 6B에서 도시하듯이, 케미컬필터(62)를 새로운 케미컬필터(63)과 교환한다. 이어, 도 6C에서 도시하듯이, 케미컬필터(61)을 외측의 탑재포트(60c)에 이동시킨다. 이로써, 케미컬필터(61)이 외측에 배치되기 때문에, 케미컬필터(61)을 그 흡착능력의 거의 100%까지 사용할 수 있다.

또한, 이와 같이 케미컬필터가 2단으로 적층한 경우에는, 도 4A의 현재의 스테이터스를 도시하는 화면과 도 4B의 설정화면의 2개의 화면을 각 필터마다에 준비하면 화면수가 현저히 증가하나, 이것을 회피하기 위해, 1개의 화면에 상하필터의 잔여 수명을 표시하여 화면의 수를 반으로 할 수도 있다.

이상과 같 하여, 케미컬필터의 교환타이밍을 파악할 수 있으나, 실제로 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20), 인터페이스부(4)내의 농도도 검출하도록 하면, 예측된 수명 전에 필터가 노후 열등화한 경우에도 대응할 수 있다.

따라서, 본 실시형태에서는 상술한 바와 같이, 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20) 및 인터페이스부(4)의 내부에서의 공기청정기구(27) 바로 아래위치에 공기도입구(35)를 설치하고, 거기서 채출한 공기의 해상도저하 불순물농도, 예를 들어 암모니아농도를 농도검출기구(40)으로 검출한다.

농도검출기구(40)에서 검출된 검출신호는 CPU(50)에 입력되고, 모니터장치로서 기능하는 표시장치(51)에 검출된 농도가 표시된다. 이로써, 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20), 인터페이스부(4)의 실제의 불순물농도를 항시 파악할 수 있다.

또, 입력된 검출신호는 CPU(50)에 미리 설정된 하한계치와 비교연산된다. 즉, 이와 같은 불순물의 해상불량에 영향을 미치지 않는 한계치가 예를 들어 1ppb인 경우, CPU(50)에 이 값을 하한계치로서 설정하여 두고, 이 값과 검출값이 비교연산되고, 그 불순물농도가 1ppb를 넘으면, CPU(50)로부터 알람장치(52)에 지령이 나오고, 알람장치(52)로부터 경고가 발하여 진다. 이 경고로서는 경고표시, 경보, 또는 이들 둘 다가 이루어진다. 또한, 이와 같은 경고는 표시장치(51)에 표시되도록 해도 좋다. 또한, 상기 필터(28) 또는 (28a)의 외측, 또는 필터(28a)와 필터(28b)와의 사이로부터 도입된 공기의 불순물농도가 소정값보다도 높은 경우에 알람장치(52)를 작동시키도록 할 수도 있다.

이와 같이, 해상도를 저하시키는 불순물의 영향을 받는 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20), 및 인터페이스부(4)에서의 불순물농도를 검출하고, 그 불순물농도가 허용한계, 예를 들어 1ppb를 넘은 것이 경고되면, 설령 상술한 바와 같은 수명예측에 의해 파악할 수 없는 돌발적인 케미컬필터의 노후 열등화가 있는 경우라도, 확실히 필터를 교환할 수 있다. 이 경우에, CPU(50)에 설정하는 하한계치를 이와 같은 허용한계치가 아니라, 그보다도 낮은 값, 예를 들어 0.7ppb로 설정하면, 보다 여유를 가지고 필터의 교환을 실시할 수 있다.

이와 같이 하여, 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20), 및 인터페이스부(4)의 어느 부분이 하한계치를 넘은 경우에, CPU(50)은 각 구동부에 정지지령을 발하고, 처리를 정지시킨다. 이와 같이 처리를 정지함으로써, 수율저하를 보다 확실히 방지할 수 있다.

이 처리정지의 모양으로서는 농도검출값이 하한계치, 예를 들어 1ppb를 넘은 시점에서 모든 처리동작을 정지하든가 또는 처리부(2)등에 잔존하고 있는 미처리의 웨이퍼를 처리하고 나서 처리동작을 정지하는 등이 있다. 전자는 해상불량에 의한 웨이퍼의 수율저하를 보다 확실히 방지할 수 있으나, 처리부(2)에 투입된 미처리 웨이퍼가 쓸모없어 진다. 이에 대해, 후자는 해상도불량에 의한 영향은 잔존하나, 웨이퍼(W)의 낭비를 없앨 수 있다. 따라서, 상황에 따라 어느 하나을 사용하도록 한다.

또, 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20), 및 인터페이스부(4)의 어느 부분의 농도검출값이 하한계치를 넘은 것을 파악한 경우, CPU(50)이 그 부분으로의 반도체웨이퍼(W)의 반입을 금지하도록 주반송기구(5)를 제어하도록 해도 좋다.

이 경우에는 농도검출값이 하한계치를 넘은 부분으로의 반도체웨이퍼(W)의 반입이 금지되나, 다른 부분에서의 처리를 행할 수 있기 때문에, 수율의 저하를 보다 확실히 방지할 수 있음과 동시에 스루풋의 저하를 최대한 방지할 수 있다.

또, CPU(50)은 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20), 인터페이스부(4)에서 검출된 불순물농도의 차가 소정값 이상으로 되는 이상사태가 발생했을 시, 자동적으로 재차 검출하는 지령을 발하는 기능을 가지고 있다. 이로써, 검출의 확인을 행할 수 있음과 동시에, 문제의 원인을 구명할 수 있다.

또한, CPU(50)은 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20) 또는 인터페이스부(4)에서 검출된 불순물농도가 상기 하한계치 이상인 경우에 자동적으로 재차 검출하는 지령을 발하는 기능도 가지고 있다. 구체적으로는, 도 7에서 도시하듯이, 먼저 검출을 개시하고(ST 1), 검출값을 하한계치와 비교한다(ST 2). 검출값이 하한계치 이하인 경우이면 검출을 종료한다(ST 3). 검출값이 하한계치를 넘는 경우에는 재차 검출을 행한다. 검출을 n회 반복해도 검출값이 하한계치를 넘고 있을 경우에는, 알람장치(52)로 신호를 출력하고, 알람을 발생한다(ST 4). 그 후는 상술한 바와 같이 처리를 정지한다든가, 하한계치를 넘은 부분으로의 반도체웨이퍼(W)의 반입을 금지하는 등의 적당한 제어를 행한다.

이와 같이, 몇번이고 농도검출을 반복함으로써, 1회의 농도검출결과가 배관에 부착한 불순물 등에 의한 이상(異常)값인 경우라도 몇번이고 검출동작을 반복함으로써, 보다 고정도로 불순물농도를 측정할 수 있다.

또한, 이와 같은 검출동작의 반복은 레지스트도포유니트(18), 현상처리유니트(20) 또는 인터페이스부(4)뿐만 아니라, 케미컬필터(28)의 외측부분의 불순물 농도검출에 있어서도 채용할 수 있다. 이 경우에도 농도검출결과가 소정값을 넘은 경우에 재차 검출하도록 하면, 보다 고정도의 불순물농도를 측정할 수 있다.

더욱이, 레지스트도포유니트(18) 및 현상처리유니트(20)에는 메인티넌스(maintenance)를 위한 문이 설치되어 있다. 예를 들어 레지스트도포유니트(18)을 예로 들면, 도 8에서 도시하듯이, 1개의 레지스트도포유니트(18)은 그 반송로(7)과는 반대측의 면에 슬라이드가능한 2장의 문짝(71)을 가지고 있다. 또한, 참조부호(73)은 지주이다. 그리고, 그 개폐부분에는 마그네트센서(72)가 설치되어 있다. 도 9A에서 도시하듯이, 마그네트센서(72)는 마그네트(75)와 검출부(74)로 구성되고, 문짝(71)에 마그네트(75)가 부착되고, 지주(73)에 검출부(74)가 부착되어 있고, 문짝(71)이 열리면 도 9B에서 도시하듯이, 닫힘상태에서는 검출부(74)에 근접하고 있던 마그네크(75)가 검출부(74)로부터 격리하여 검출부(74)에 의해 검출되는 자계가 변화하기 때문에, 문짝(71)이 열린 것이 검출된다. 그리고, 메인티넌스(maintenance)를 위해 이 문짝(71)이 열렸을 시에 CPU(50)으로부터 알람장치(52)에 경고를 발하는 신호가 출력된다. 이로써, 처리동작을 정지하는 등의 필요한 조작을 신속히 행할 수 있다.

또, 문짝(71)이 열린 검출신호를 받은 CPU(50)이 문짝이 열린 처리유니트(이 경우에는 레지스트도포유니트(18))로의 접근을 금지하는 지령을 주반송기구(5)에 출력하고, 그리고 그 처리유니트의 불순물농도검출을 정지하는 지령을 농도검출기구(40)에 출력하도록 할 수도 있다. 이와 같이 제어함으로써 주반송기구(5)가 반도체웨이퍼(W)를 반송하고 있을 때 작동기에 접촉하는 등의 문제를 일으키는 일 없이, 또, 불필요한 농도검출을 생략함으로써 시간이 걸리는 불순물농도검출을 효율좋게 행할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 여러 가지로 변형가능하다.

예를 들어, 상기 실시예에서는 1대의 레지스트 도포현상시스템에 대해 1개의 농도검출기구를 설치하였으나, 복수의 시스템에 대해 1개의 농도검출기구를 설치해도 좋고, 역으로 각 공기도입구 마다에 농도검출기구를 설치하여도 좋다.

또, 레지스트도포유니트, 현상처리유니트, 인터페이스부내의 불순물을 검출하도록 하였으나, 반드시 이들 전부의 농도를 검출하지 않아도 좋고, 역으로 다른 부분, 예를 들어 반송부(7)의 불순물농도를 측정하도록 해도 좋다.

또한, 케미컬필터의 상태를 도시하는 화면에 대해서도, 도 4A 및 도 4B에 한정되지 않고, 적당히 설치할 수 있다. 게다가, 케미컬필터를 2층 적층하여 이용하였으나, 물론 1층이라도 좋고, 3층이상 적층해도 상관없다.

또, 레지스트 도포현상시스템에서의 각 유니트의 배치도 상기 실시예에 한정되지 않고, 피처리체도 반도체웨이퍼에 한정되지 않고 LCD기판 등 다른 피처리체라도 물론 좋다.

도 1은 본 발명이 적용된 반도체웨이퍼의 도포·현상처리시스템을 도시한 평면도이다.

도 2는 도 1의 시스템의 A-A'선에 의한 단면도이다.

도 3은 본 발명에서의 필터의 수명예측의 일예를 설명하기 위한 개념도이다.

도 4A 및 도 4B는 본 발명에서의 필터의 수명예측에 사용되는 표시장치의 화면의 예를 도시한 도이다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 관계하는 반도체웨이퍼의 도포·현상처리시스템을 도시한 단면도이다.

도 6A ~ 도 6C은 필터를 다단계로 적층하여 배치하는 경우의 필터의 교환동작의 일예를 도시한 도이다.

도 7은 본 발명에서의 불순물농도검출의 바람직한 형태를 도시한 순서도이다.

도 8은 도 1의 시스템에서의 레지스트도포유니트를 도시한 측면도이다.

도 9A 및 도 9B는 레지스트도포유니트의 문짝을 열었을 시의 마그네트센서에 의한 검출원리를 설명하기 위한 도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 카세트재치대 2 : 처리부

3 : 반송기구 4 : 인터페이스부

5 : 주반송기구 6 : 웨이퍼지지 아암

7 : 통로 12 : 반송로

13, 17 : 베이크 유니트 14 : 브러시세정 유니트

15 : 어드히죤처리 유니트 16 : 냉각유니트

18 : 레지스트도포 유니트 19 : 물세정유니트

20 : 현상처리유니트 21 : 노광장치

22 : 컵 23 : 스핀척

24 ; 펄스모터 25 : 케이스

27 : 공기청정기구

28a, 28b, 61, 62, 63 : 케미컬 필터 29 : ULPA필터

30 : 송풍팬 31 : 배기통로

32 : 배기팬 35, 36 : 공기도입구

37 : 채출관 38 : 덕트(duct)

39 : 통로 40 : 농도검출기구

41 : 탱크 42 : 순수

43 : 송출관 44 : 농도분석부

50 : CPU 51 : 표시장치

52 : 알람장치 60a, 60b, 60c : 탑재포트

71 : 문짝 72 : 마그네트 센서

73 : 지주 75 : 마그네트

W : 반도체웨이퍼 C : 카세트

Claims

하우징과,

상기 하우징내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와,

각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와,

상기 하우징 내부에 도입된 공기중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와,

상기 필터 내외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 농도검출수단과,

상기 농도검출수단의 검출결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단과,

상기 처리유니트의 적어도 일부는 문짝을 가지고, 피처리체의 처리중에는 문짝이 닫혀 있고, 어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 상기 경고수단에 대해, 경고를 발하는 신호를 출력하는 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 1에 있어서,

상기 제어수단은 상기 반송기구에 문짝이 열린 처리유니트로의 접근을 금지하는 신호를 출력함과 동시에, 문짝이 열린 처리유니트의 또 다른 농도검출수단에 검출을 정지하는 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
하우징과,

상기 하우징내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와,

각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와,

상기 하우징 내부에 도입된 공기중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 제 1의 농도검출수단과,

상기 필터의 내측처리장치의 소정의 부분에서 불순물의 농도를 검출하는 1 또는 2이상의 제 2 농도 검출부와,

상기 농도검출수단의 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단과,

상기 제 2 농도검출수단의 검출신호를 모니터하는 모니터수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 3에 있어서,

상기 수명예측수단은 제 1 농도검출수단이 검출한 농도를 가동시간에 대해 적산하고, 그 적산값으로부터 상기 필터의 수명을 예측하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 3에 있어서,

상기 처리유니트의 적어도 일부는 문짝을 가지고, 피처리체의 처리중에는 문짝이 닫혀 있고, 어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 상기 경고수단에 대해, 경고를 발하는 신호를 출력하는 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 5에 있어서,

상기 제어수단은 상기 반송기구에 문짝이 열린 처리유니트로의 접근을 금지하는 신호를 출력함과 동시에, 문짝이 열린 처리유니트의 또 다른 농도검출수단에 검출을 정지하는 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 3에 있어서,

상기 필터는 복수의 층으로 적층된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 7에 있어서,

상기 필터의 층간에 배치된, 상기 해상도를 저하시키는 불순물의 농도를 검출하는 1 또는 2이상의 제 3의 농도검출수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
하우징과,

상기 하우징내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와,

각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와,

상기 하우징 내부에 도입된 공기중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 제 1 농도검출수단과,

장치내에서의 상기 필터 내측의 소정부분의 상기 불순물의 농도를 검출하는 1 또는 2 이상의 제 2 농도검출수단과,

상기 제 1 농도검출수단의 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단과,

상기 제 2 농도검출수단의 검출신호와 미리 설정된 하한계치와를 비교연산하는 연산수단과,

경고를 발하는 경고수단과,

상기 연산수단이 상기 검출신호가 상기 하한계치를 넘은 것을 검출하였을 시에 상기 경고수단에 대해 경고를 발하는 신호를 출력하는 제 1 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 9에 있어서,

상기 수명예측수단은 제 1 농도검출수단이 검출한 농도를 가동시간에 대해 적산하고, 그 적산값으로부터 상기 필터의 수명을 예측하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 9에 있어서,

상기 연산수단이 상기 검출신호가 상기 하한계치를 넘은 것을 검출하였을 시에 상기 피처리체의 처리를 정지시키는 제 2 제어수단을 더 구비하는 것을 특징을 하는 처리장치.
청구항 9에 있어서,

장치내에서 상기 필터 내측의 소정부분의 어느 하나에 대응하는 상기 제 2 농도검출수단으로부터의 검출신호가 상기 하한계치를 넘은 것을 상기 연산수단이 검출하였을 시에, 그 부분으로의 피처리체의 반입을 금지하도록 상기 반송기구를 제어하는 제 3 제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 9에 있어서,

상기 제 2 농도검출수단에서 검출된 불순물농도가 상기 하한계치를 넘은 경우 검출동작을 반복하는 지령을 상기 제 2 농도검출수단에 출력하고, 검출동작을 소정횟수 반복한 후, 불순물농도가 여전히 상기 값을 넘고 있을 경우에 상기 경고 수단에 대해 경고를 발하는 신호를 출력하고, 한편, 검출동작을 반복하고 있을 동안에 검출된 불순물농도가 상기 하한계치 이하가 된 시점에서 검출동작의 반복을 정지하는 신호를 출력하는 제 4 제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 13에 있어서,

상기 경보수단 상기 제 4 제어수단은, 상기 제 1 농도검출수단에서 검출된 불순물농도가 미리 설정된 값을 넘었을 경우에 상기 경고수단에 대해 경고를 발하는 신호를 출력하고, 한편, 검출동작을 반복하고 있을 동안에 검출된 불순물농도가 미리 설정된 값이하가 된 시점에서 검출동작의 반복을 정지하는 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 9에 있어서,

상기 처리유니트의 적어도 일부는 문짝을 가지고, 피처리체의 처리중에는 문짝이 닫혀 있고, 어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 상기 경고수단에 대해, 경고를 발하는 신호를 출력하는 제 5 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 15에 있어서,

상기 제 5 제어수단은 상기 반송기구에 문짝이 열린 처리유니트로의 접근을 금지하는 신호를 출력함과 동시에, 문짝이 열린 처리유니트의 제 2 농도검출수단에 검출을 정지하는 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 9에 있어서,

상기 필터는 복수의 층으로 적층된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
청구항 17에 있어서,

상기 필터의 층간에 배치된, 상기 해상도를 저하시키는 불순물의 농도를 검출하는 1 또는 2이상의 제 3 농도검출수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
하우징내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과,

상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과,

상기 하우징에 도입되는 공기에 포함되고 해상도를 저하시키는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과,

상기 필터의 내외측에 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 농도검출 공정에서 농도 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과,

상기 처리유니트의 적어도 일부는 문짝을 가지고, 피처리체의 처리중에는 문짝이 닫혀 있고, 어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 상기 경고수단에 대해, 경고를 발하는 신호를 출력하는 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 19에 있어서,

어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 문짝이 열린 처리유니트로의 상기 반송기구의 전송을 금지하고, 또한 그 처리유니트의 불순물농도의 검출을 정지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
하우징내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과,

상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과,

상기 하우징에 도입되는 공기에 포함되고 해상도를 저하시키는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과,

상기 필터의 외측에 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 농도검출공정에서 농도 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과,

상기 필터는 복수의 층으로 적층된 구조를 가지고, 필터 층간의 상기 불순물 농도를 검출하는 공정을 더 포함하고, 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정은, 상기 필터 외측의 상기 불순물 농도와 상기 필터 층간의 상기 불순물 농도를 검출하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
하우징내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과,

상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과,

상기 하우징에 도입되는 공기에 포함되고 해상도를 저하하는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 내외측의 상기 불순물의 농도 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분의 상기 불순물의 농도를 모니터하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리방법.
하우징내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과,

상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과,

상기 하우징에 도입되는 공기에 포함되고 해상도를 저하하는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터의 외측의 상기 불순물의 농도를 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분의 상기 불순물의 농도를 모니터하는 공정과,

상기 수명예측수단은 필터 외측의 농도검출수단이 검출한 불순물을 가동시간에 대해 적산하고, 그 적산값으로 상기 필터의 수명을 예측하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
하우징내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과,

상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과,

상기 하우징에 도입되는 공기에 포함되고 해상도를 저하하는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터의 외측의 상기 불순물의 농도를 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분의 상기 불순물의 농도를 모니터하는 공정과,

상기 처리유니트의 적어도 일부는 문짝을 가지고, 피처리체의 처리중에는 문짝이 닫혀 있고, 어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 상기 경고수단에 대해, 경고를 발하는 신호를 출력하는 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 24에 있어서,

상기 제어수단은 상기 반송기구에 문짝이 열린 처리유니트로의 접근을 금지하는 신호를 출력함과 동시에, 문짝이 열린 처리유니트의 농도처리검출수단에 검출을 정지하는 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
하우징내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과,

상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과,

상기 하우징에 도입되는 공기에 포함되고 해상도를 저하하는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 내측의 처리장치의 1 또는 2 이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 모니터하는 공정과,

상기 필터는 복수의 층으로 적층된 구조를 가지고, 필터 층간의 상기 불순물 농도를 검출하는 공정을 더 포함하고, 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정은, 상기 필터 외측의 상기 불순물 농도와 상기 필터 층간의 상기 불순물 농도를 검출하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
하우징내에 설치된 복수의 처리유니트에 대해 피처리체를 선택적으로 반입반출하는 공정과,

상기 피처리체에 대해 처리액 도포 및 노광후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 공정과,

상기 하우징에 도입되는 공기에 포함되고 해상도를 저하하는 불순물을 필터에 의해 제거하는 공정과,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분에서 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정과,

상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도 검출결과를 기초로 하여 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 개소에서의 상기 불순물의 농도와 미리 설정된 하한계치와를 비교연산하는 공정과,

상기 필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분에서 검출된 상기 불순물의 농도가 하한계치를 넘는 경우에 경고를 발하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 27에 있어서,

상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정은, 검출된 상기 필터 외측의 상기 불순물의 농도를 가동시간에 대해 적산하고, 그 적산값으로부터 상기 필터의 수명을 예측하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 27에 있어서,

필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분에서의 상기 불순물의 농도와 미리 설정된 하한계치와를 비교연산하는 공정에 있어서, 상기 불순물의 농도가 상기 하한계치를 넘은 것을 검출하였을 시에, 상기 피처리체의 처리를 정지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 27에 있어서,

필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분 중 어느 한 부분에서 상기 불순물의 농도가 상기 하한계치를 넘었을 시에, 그 부분으로의 피처리체의 반입을 금지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 27에 있어서,

필터 내측의 1 또는 2 이상의 부분 중 어느 한 부분에서 검출된 상기 불순물의 농도가 상기 하한계치를 넘었을 경우, 검출동작을 소정횟수 반복한 후, 불순물 농도가 여전히 상기 값을 넘었을 경우에 경고를 발하고, 한편, 검출동작을 반복하고 있는 사이에 검출된 불순물농도가 상기 하한계치 이하가 된 시점에서 검출동작의 반복을 정지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 31에 있어서,

상기 필터 외측에서 검출된 불순물농도가 미리 설정된 값을 넘었을 경우, 검출동작을 소정횟수 반복하고, 그 후 불순물농도가 여전히 상기 값을 넘었을 경우에 경고를 발하고, 한편, 검출동작을 반복하고 있는 사이에 검출된 불순물농도가 미리 설정된 값 이하가 된 시점에서 검출동작의 반복을 정지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 27에 있어서,

상기 처리유니트의 적어도 일부는 문짝을 가지고, 피처리체의 처리중에는 문짝이 닫혀 있고, 어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 경고를 발하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 33에 있어서,

어느 하나의 처리유니트의 문짝이 열렸을 시에 문짝이 열린 처리유니트로의 상기 반송기구의 접근을 금지하고, 또한 그 처리유니트의 불순물농도의 검출을 정지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
청구항 27에 있어서,

상기 필터는 복수의 층으로 적층된 구조를 가지고, 필터 층간의 상기 불순물의 농도를 검출하는 공정을 더 구비하고, 상기 필터의 교환수명을 예측하는 공정은, 상기 필터 외측의 상기 불순물농도와 상기 필터 층간의 상기 불순물농도를 검출하는 것을 특징으로 하는 처리방법.