KR100929816B1 - 배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판처리 장치 - Google Patents

배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 장치 내 배기를 수행하는 배기유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 배기유닛은 기판 처리 공정이 수행되는 공정유닛들과 연결되는 배기라인들, 배기라인들로부터 배기되는 가스를 통합하는 통합부재, 그리고 통합부재로 유입되는 배기가스 내 유기성가스를 회수하는 회수부재를 가진다. 본 발명은 공정유닛으로부터 배기되는 배기가스 내 유기성가스에 의해 배기라인들 및 배기라인들에 설치되는 구성들이 오염되는 것을 방지한다.
반도체, 배기, 통합, 베이크, 스피너,

Description

배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치{EXHAUST UNIT AND METHOD, AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE EXHAUST UNIT}
본 발명은 기판 처리 공정이 수행되는 공정유닛의 배기를 수행하는 유닛 및 상기 유닛의 배기 방법, 그리고 상기 배기 유닛을 구비하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치는 반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조용 유리기판 등과 같은 기판을 처리하는 장치이다. 이 중 반도체 웨이퍼를 처리하는 장치는 보통 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정유닛과 공정유닛의 배기를 수행하는 배기유닛을 구비한다. 배기유닛은 보통 공정유닛에 연결되어 공정시 공정유닛 내 가스를 외부로 배출시키는 적어도 하나의 배기라인을 구비한다.
그러나, 이러한 배기유닛은 공정시 공정유닛으로부터 발생되는 가스에 의해 배기라인 및 배기라인에 설치되는 구성들이 오염되는 현상이 발생된다. 예컨대, 반도체 베이크 공정(bake process)을 수행하는 장치는 베이크 공정시 웨이퍼 상에 도포된 감광액(photoresist)을 가열하는 과정에서 발생되는 유기성 가스에 의해 배기 라인이 오염된다. 특히, 이러한 유기성가스들은 배기라인의 내벽 및 배기라인에 설치되는 각종 개폐밸브, 유량조절밸브, 유량계, 센서, 기타 피팅류와 같은 구성들에 집중적으로 증착되어 배기라인의 배기 효율을 저하시킨다. 만약, 배기라인 및 배기라인에 설치되는 구성들에 유기성가스들 증착되어 오염되면, 공정유닛에서 발생되는 가스의 배기가 원활히 이루어지지 않아 기판 처리 공정의 효율이 저하된다.
본 발명은 기판 처리 공정을 수행하는 공정유닛의 배기 효율을 향상시키는 배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 공정유닛의 배기를 수행하는 배기라인 및 배기라인에 설치되는 구성들이 공정유닛로부터 발생되는 가스에 의해 오염되는 것을 방지하는 배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 배기유닛은 기판 처리 공정이 수행되는 공정유닛들에 연결되어 각각의 공정유닛 내 가스를 배기시키기는 복수의 배기라인들, 상기 각각의 배기라인과 연결되어 상기 배기가스들을 유입받는 하우징, 상기 하우징의 일측벽에 형성되는 개구의 개구량을 조절하는 조절부, 그리고 상기 하우징으로부터 통합된 배기가스를 배출시키는 배출라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기 유닛은 상기 하우징 내부로 유입되는 배기가스들 내 유기성 가스를 회수하는 회수부재를 더 포함하되, 상기 회수부재는 상기 하우징 내부에 배치되며, 표면에 다수의 나사산이 형성되는 회수통 및 상기 회수통이 냉각되도록 상기 회수통 주변을 따라 냉각유체가 흐르도록 제공되는 냉각유체라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징은 원기둥 형상을 가지고, 상기 개구는 복수개가 상기 일측벽의 중심을 기준으로 링을 이루도록 배치되고, 상기 배기 라인들은 상기 하우징의 둘레에 구비되는 유입포트들에 연결되고, 상기 조절부는 상기 하우징의 일측면에 회전가능하도록 설치되며 상기 개구와 상응하는 형상의 홀들이 형성되는 조절판을 포함한다.
본 발명에 따른 배기방법은 기판 처리 공정을 수행하는 공정유닛들의 배기 방법에 있어서, 상기 공정유닛들로부터 배기되는 각각의 배기가스를 하우징 내부로 유입시켜 통합하고, 통합된 배기가스 내 유기성가스를 제거한 후 상기 하우징 외부로 배출시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기 방법은 상기 하우징으로부터 배출되는 상기 통합된 배기가스의 배출량을 조절하여, 상기 공정유닛들의 배기량을 동일하게 조절한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정유닛들의 배기량 조절은 상기 공정유닛들로부터 상기 하우징으로 상기 배기가스를 유입시키는 배기라인들 상에 유량조절밸브의 설치 없이 수행된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정유닛들은 베이크 공정을 수행하고, 상기 배기 방법은 상기 공정유닛들 중 동일한 베이크 공정을 수행하는 공정유닛들의 배기를 수행한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛들 및 상기 베이크 유닛들의 배기를 수행하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 베이크 유닛들과 연결되는 배기라인들 및 상기 배기라인들로부터 배기되는 배기가스들을 통합하는 통합부재를 포함하고, 상기 통합부재는 상기 배기라인들과 연결되어 상기 배기가스들을 유입받는 하우징, 상기 하우징의 일측벽에 형성되는 개구의 개구량을 조절하는 조절부, 그리고 상기 하우징으로부터 통합된 배기가스를 배출시키는 배출라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 유닛들은 상기 어드히젼 공정을 수행하는 제1 베이크 유닛들, 도포 공정 전 베이크 공정을 수행하는 제2 베이크 유닛들, 도포 공정 후 베이크 공정을 수행하는 제3 베이크 유닛들, 그리고 노광 공정 후 베이크 공정을 수행하는 제4 베이크 유닛들을 포함하고, 상기 배기라인들은 상기 제1 내지 제4 베이크 유닛들 중 어느 하나의 베이크 유닛들과 연결된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기 유닛은 상기 하우징 내부로 유입되는 배기가스들 내 유기성 가스를 회수하기 위한 회수부재를 더 포함하되, 상기 회수부재는 상기 하우징 내부에 배치되며 표면에 다수의 나사산이 형성되는 회수통 및 상기 회수통이 냉각되도록 상기 회수통 주변을 따라 냉각유체가 흐르도록 제공되는 냉각유체라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징은 원기둥 형상을 가지고, 상기 개구는 복수개가 상기 일측벽의 중심을 기준으로 링을 이루도록 배치되고, 상기 배기라인들은 상기 하우징의 둘레에 구비되는 유입포트들에 연결되고, 상기 조절부는 상기 하우징의 일측면에 회전가능하도록 설치되며, 상기 개구와 상응하는 형상의 홀들이 형성되는 조절판을 포함한다.
본 발명에 따른 배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치는 공정유닛으로부터 발생되는 가스에 의해 배기라인 및 배기라인에 설치되는 구성들이 오염되는 것을 방지하여 공정유닛의 배기 효율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 배기유닛 및 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치는 공정유닛들 각각으로부터 배기되는 배기가스를 통합한 후 통합된 배기가스의 배출유량을 조절하여 공정유닛들의 배기량을 조절한다. 특히, 본 발명은 배기라인들 상에 별도의 유량조절밸브의 설치 없이, 공정유닛들의 배기를 수행할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 반도체 사진 공정을 수행하는 스피너 설비를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 처리하는 모든 장치에 적용이 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 보여주는 측면도이다. 그리고, 도 3은 본 발명에 따른 베이크 유닛 및 배기유닛을 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 통합부재의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W) 상에 사진 공정(photo-lithography process)을 수행한다. 예컨대, 기판 처리 장치(1)는 도포 공정, 현상 공정, 베이크 공정, 그리고 노광 공정을 일괄적으로 처리하는 스피너 설비(spinner facility)일 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 인덱스부(index member)(10), 제1 공정부(first process member)(20), 인터페이스부(interface member)(30), 그리고 제2 공정부(second process member)(40)를 포함한다.
인덱스부(10)는 로드포트(load port)(12) 및 제1 이송유닛(first transfer unit)(14)을 포함한다. 로드포트(12)는 복수의 웨이퍼(W)를 수납하는 카세트(cassette)(C)를 로드/언로드(load/unload)한다. 로드포트(12)는 일렬로 나란히 배치되는 로드 테이블(12a)들을 가진다. 각각의 로드 테이블(12a)은 카세트(C)가 놓여지면, 카세트(C)의 도어를 오픈시키는 오프너(미도시됨)를 가진다. 제1 이송유닛(14)은 로드포트(12)에 놓여진 카세트(C)와 공정처리부(20) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 제1 이송유닛(14)는 적어도 하나의 이송로봇(14a)을 구비한다.
제1 공정부(20)는 제2 이송유닛(second transfer unit)(22), 다수의 공정유 닛들(process unit)(24, 26, 100), 그리고 배기유닛(exhaust unit)(200)을 가진다. 제2 이송유닛(22)은 제1 이송유닛(14)과 공정유닛(24, 26, 100)들 상호간에 웨이퍼(W)를 이송하는 이송로봇(22a)을 가진다. 공정유닛들(24, 26, 100)은 도포유닛(coat unit)(24), 현상유닛(develope unit)(26), 그리고 베이크 유닛(bake process unit)(100)으로 나뉜다. 도포유닛(24)은 웨이퍼(W) 상에 감광액(photoresist)를 도포하는 도포 공정을 수행한다. 현상유닛(26)은 웨이퍼(W) 상에 현상액을 분사하여 웨이퍼(W) 상의 감광액막을 현상한다. 그리고, 베이크 유닛(100)은 웨이퍼(W)를 기설정된 공정온도로 가열 및 냉각하는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 유닛(100)은 복수개가 배치된다. 도포유닛(24) 및 현상유닛(26)은 제2 이송유닛(22)의 일측에 배치되고, 베이크 유닛(100)들은 제2 이송유닛(22)의 타측에 배치된다. 도포유닛(24) 및 현상유닛(26), 그리고 베이크 유닛(100)들은 상하좌우로 복수개가 배치된다.
여기서, 베이크 유닛(100)들은 제1 베이크 유닛(100a)들, 제2 베이크 유닛(100b)들, 그리고 제3 베이크 유닛(100c)들로 나뉜다. 제1 내지 제3 베이크 유닛들(100a, 100b, 100c) 각각은 서로 상이한 베이크 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 제1 베이크 유닛(100a)들은 감광액(PR:Photo-resist)의 도포 효율을 상승시키기 위한 약품(이하, '밀착제'라 함)을 웨이퍼 상에 공급하는 어드히젼 공정을 수행한다. 제2 베이크 유닛(100b)들은 도포 공정 전의 베이크 공정을 수행한다. 그리고, 제3 베이크 유닛(100c)은 도포 공정 이후의 베이크 공정을 수행한다. 제1 내지 제3 베이크 유닛(100a, 100b, 100c)들 각각은 웨이퍼(W)를 냉각 및 가열하는 플레이트들 을 가진다. 여기서, 본 실시예에서는 노광 공정 이전에 베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛들(100a, 100b, 100c)만을 도시하였다. 그러나, 노광 공정 이후의 베이크 공정을 수행하는 제4 베이크 유닛들(미도시됨)은 또한 상술한 베이크 유닛(100)들과 동일한 구성 및 배치를 가질 수 있다.
배기유닛(100)은 베이크 유닛(28)의 배기를 수행한다. 즉, 배기유닛(100)은 제1 내지 제3 베이크 유닛(100a, 100b, 100c) 각각의 배기를 수행한다. 배기유닛(100)의 구성들에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
인터페이스부(30)는 공정처리부(20)와 노광공정부(40) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스부(30)는 적어도 하나의 이송로봇(미도시됨)을 구비할 수 있다. 그리고, 제2 공정부(40)는 웨이퍼(W) 에 패턴(pattern)을 형성시키는 노광 공정을 수행한다. 제2 공정부(40)는 웨이퍼(W) 상에 마스크 패턴을 형성시키는 적어도 하나의 스텝퍼(stepper)(미도시됨)를 구비할 수 있다.
계속해서, 본 발명에 따른 베이크 유닛(100)의 구성들을 상세히 설명한다. 도 3을 참조하면, 베이크 유닛(100)은 베이크 유닛(100)은 유닛몸체(unit body)(110), 냉각부재(cooling member)(120), 가열부재(heating member)(130), 그리고 이송부재(transfering member)(150)를 가진다.
유닛몸체(110)는 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 유닛몸체(110)는 대체로 직육면체 형상을 가진다. 제2 이송유닛(22)과 마주보는 유닛몸체(110)의 전면에는 웨이퍼(W)의 출입을 위한 출입구(112)가 형성된다.
냉각부재(120)는 웨이퍼(W)를 기설정된 공정온도로 냉각하고, 가열부재(130)는 웨이퍼(W)를 기설정된 공정온도로 가열한다. 냉각부재(120)는 냉각플레이트(cooling plate)(122)를 가지고, 가열부재(130)는 가열플레이트(heating plate)(132)를 가진다. 가열플레이트(122)와 냉각플레이트(132)는 유닛몸체(110) 내부에서 나란히 배치된다.
이송부재(150)는 냉각플레이트(122) 및 가열플레이트(132) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 이송부재(150)는 가이드레일(guide rail)(151), 제1 이송암(first transfer arm)(152), 제2 이송암(second transfer arm)(154), 구동모터(driving motor)(156), 그리고 타이밍 벨트(timing belt)(158)를 가진다. 제1 이송암(152) 및 제2 이송암(154)은 제1 아암(152a) 및 제2 아암(154a)을 가진다. 제1 및 제2 아암(152a, 154a)은 냉각플레이트(122) 및 가열플레이트(132)의 상부에서 대체로 수평으로 배치되는 긴 바(bar) 형상을 가진다. 제1 및 제2 아암(152a, 154a)은 웨이퍼(W)가 놓여지는 상부면을 가진다. 제1 및 제2 아암(152a, 154a)은 구동모터(156)에 의해 타이밍 벨트(158)가 이동되어 제1 및 제2 방향(X1, X2)을 따라 직선 왕복 이동된다. 제1 및 제2 아암(152a, 154a)은 가이드레일(151)을 따라 제1 및 제2 방향(X1, X2)으로 직선 왕복 이동된다. 따라서, 제1 및 제2 아암(152a, 154a)이 제1 및 제2 방향(X1, X2)을 따라 직선 왕복 이동되어, 제1 및 제2 아암(152a, 154a)은 냉각플레이트(122) 및 가열플레이트(132)에 교대로 웨이퍼(W)를 로드/언로드(load/unload)한다.
계속해서, 본 발명에 따른 배기유닛(200)의 구성들에 대해 상세히 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 배기유닛(200)은 제1 내지 제3 베이크 유닛(100a, 100b, 100c)들 각각에 하나씩 구비된다. 즉, 각각의 배기유닛(200)은 서로 상이한 베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛들에 배기를 독립적으로 수행한다.
배기유닛(200)은 배기라인(exhaust line)(210), 통합부재(intergration member)(220), 그리고 회수부재(recovery member)(230)를 가진다.
배기라인(210)은 베이크 유닛(100) 내 가스를 배기한다. 배기라인(210)은 복수개가 구비된다. 각각의 배기라인(210)의 일단은 상하로 적층되는 베이크 유닛(100)들 중 어느 하나의 베이크 유닛에 연결되고, 배기라인(210)의 타단은 통합부재(220)에 연결된다.
통합부재(220)는 배기라인(210)들로부터 배출되는 배기가스를 통합한다. 통합부재(220)는 하우징(housing)(222), 유입포트(inflow port)(224), 배출라인(discharge line)(226), 그리고 조절부(control member)(228)를 포함한다. 하우징(222)은 내부에 각각의 배기라인(210)들로부터 배출되는 배기가스를 유입받는 공간을 가진다. 유입포트(224)는 배기라인들(210)들의 타단을 하우징(222)에 체결시키기 위해 제공된다. 유입포트(224)들은 하우징(222)의 둘레(222a)를 따라 배치될 수 있다. 배출라인(226)은 각각의 유입포트(224)들을 통해 하우징(222) 내부로 유입되는 가스를 기판 처리 장치(1)의 외부로 배출시킨다. 배출라인(226)은 하우징(222)의 일측벽(222b)에 연결된다.
그리고, 조절부(228)는 하우징(222)으로부터 배출라인(226)을 통해 배출되는 가스의 유량을 조절한다. 조절부(228)는 하우징(222)의 타측벽(222c)에 형성되는 개구들(222c')의 개구량을 조절하는 조절판(control plate)(228a)을 가진다. 조절판(228a)에는 복수의 홀(228a')들이 형성된다. 홀(228a')들은 조절판(228a)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 환형으로 배치될 수 있다. 각각의 홀(228a')들은 하우징(222)의 개구들(222c')과 상응하는 크기를 가진다. 작업자는 조절판(228a)을 회전시켜, 하우징(222)의 개구들(222c')의 개구량을 조절함으로써, 배기라인들(210)과 연결되는 모든 베이크 유닛(100)들의 유량을 동일하게 조절한다. 따라서, 배기라인들(210) 상에는 배기가스의 배기량 조절을 위한 구성(예컨대, 유량조절밸브)이 설치될 필요가 없다.
회수부재(230)는 하우징(222)으로 유입되는 배기가스 내 유기성가스를 회수한다. 회수부재(230)는 포집통(232) 및 냉각유체라인(234)을 포함한다. 회수통(232)은 하우징(222) 내부에 설치된다. 회수통(232)의 표면에는 다수의 나사산(232a)이 형성된다. 이는 회수통(232)의 표면적을 증가시켜, 회수통(232)배기가스 내 유기성가스와 충돌되는 면적을 증가시킴으로써, 다량의 유기성가스가 회수통(232)의 표면에 증착되도록 하기 위함이다. 냉각유체라인(234)은 회수통(232)을 냉각시킨다. 베이크 공정시 감광액막의 가열로인해 발생되는 유기성가스는 상대적으로 저온의 대상물로 이동되어 증착되는 성질을 가진다. 따라서, 냉각유체라인(234)은 회수통(232)을 냉각시켜, 배기가스 내 유기성가스가 효과적으로 회수통(232)의 표면에 증착되도록 한다. 냉각유체라인(234)은 공급라인(234a) 및 배출라인(234b)을 가진다. 공급라인(234a)은 회수통(232)으로 냉각유체를 공급하고, 배 출라인(234b)은 회수통(232)으로부터 냉각유체를 배출한다.
본 실시예에서는 하우징(222) 내부에 소정의 온도로 냉각되는 회수통(232)을 설치하여, 유기성가스를 회수하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 통합부재(220)가 유기성가스를 회수하는 방식은 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 배기유닛(200)은 트랩(trap)과 같은 유기성가스를 포집할 수 있는 구성을 배기라인(210) 또는 통합부재(220)에 설치하여, 유기성 가스를 포집할 수 있다.
본 실시예에서는 하우징(222) 및 회수통(232)이 원통형상인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 하우징(222) 및 회수통(232)의 형상은 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 회수통(232) 표면에 다수의 나사산(232a)을 형성시켜, 회수통(232)의 표면적을 증가시키는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 회수통(232)의 표면은 다양한 형상으로 제작되어, 회수통(232)의 표면적을 증가시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 5는 본 발명에 따른 배기 유닛의 배기 처리 과정을 보여주는 순서도이고, 도 6은 본 발명에 따른 통합 부재의 배기 처리 모습을 보여주는 도면이다.
기판 처리 공정이 개시되면, 인덱스부(10)의 로드포트(12)로 카세트(C)가 로드(load)된다. 제1 이송유닛(14)의 이송로봇(14a)은 카세트(C)로부터 제1 공정처리부(20)의 제2 이송유닛(22)으로 웨이퍼(W)들을 순차적으로 이송한다. 제2 이송유닛(22)은 이송받은 웨이퍼(W)들을 순차적으로 제1 베이크 유닛(a)들로 이송되어 어드히젼 공정이 수행된다. 어드히젼 공정이 수행된 웨이퍼(W)들은 다시 제2 베이크 유닛(b)들로 이송되어 도포 전 베이크 공정이 수행된 후 도포 유닛(24)들로 이송된다. 도포 유닛(24)은 웨이퍼(W) 상에 감광액을 도포하고, 도포 공정이 완료된 웨이퍼(W)들은 다시 제3 베이크 유닛(c)들로 이송되어 도포 후 베이크 공정이 수행된다.
도포 후 베이크 공정이 수행된 후 인터페이스부(30)에 의해 제2 공정부(40)로 이송된다. 제2 공정부(40)에서 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)들은 인터페이스부(30)에 의해 제1 공정부(20)로 이송되고, 제2 이송유닛(22)은 현상 유닛(26)들로 웨이퍼(W)들을 이송한다. 현상 공정이 완료된 웨이퍼(W)들은 다시 제1 공정처리부(20)로 이송되어 노광 공정 후 베이크 공정 및 현상 공정 등이 수행된다. 그리고, 공정이 완료된 웨이퍼(W)들은 제2 이송유닛(22)에 의해 인덱서부(10)로 이송된 후 카세트(C)에 순차적으로 반입된다.
상술한 베이크 공정이 수행되는 과정에서 베이크 유닛(100)들의 배기는 다음과 같이 수행된다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 공정이 수행되기 전, 작업자는 통합부재(220)의 조절부(228)를 조절하여 베이크 유닛(100)의 배기량을 조절한다(S110). 즉, 작업자는 조절판(228a)을 회전시켜, 하우징(222)의 개구(222c')의 개구량을 조절하여 통합부재(220)와 연결되는 베이크 유닛(100)들의 배기량을 조절한다. 이때, 작업자는 통합부재(220)와 연결되는 모든 베이크 유닛(100)들의 배기량을 동일하게 조절할 수 있다.
기판 처리 공정이 수행되는 과정 중 베이크 유닛(100)들의 베이크 공정이 개 시되면, 배기유닛(200)은 각각의 베이크 유닛(100)들로부터 배기되는 가스를 통합한다(S120). 즉, 베이크 유닛(100)들로부터 배기되는 가스는 배기라인(210)들에 에 의해 통합부재(220)의 하우징(222) 내부로 유입되어 통합된다.
통합부재(220)로 유입되는 가스 내 유기성 가스는 회수부재(230)에 의해 포집된다(S130). 즉, 통합부재(220)로 유입되는 가스에는 베이크 공정시 감광액이 도포된 웨이퍼(W)의 가열시 발생되는 유기성가스가 포함되어 있다. 이러한 유기성가스는 냉각유체라인(234)에 의해 저온으로 냉각되는 회수통(232)의 표면에 증착된다. 이때, 회수통(232)의 표면에는 다수의 나사산(232a)이 형성되어 있어, 유기성가스는 효과적으로 회수통(232)의 표면에 증착된다. 그리고, 회수부재(230))에 의해 유기성가스가 제거된 배기 가스는 배출라인(226)을 통해 장치(1) 외부로 배출된다(S140). 상술한 배기유닛(200)의 배기 처리를 수행하는 과정에서, 일정시간이 경과하면, 작업자는 통합부재(220) 내 회수통(232)을 하우징(222)으로부터 꺼내서 세정하거나, 새로운 회수통으로 교체하는 등의 유지보수 작업을 수행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 베이크 유닛(100)들로부터 배기되는 가스를 통합하여 배기 가스로부터 유기성가스를 제거한 후 장치(1) 외부로 배출시킨다. 이러한 배기 유닛(200)은 베이크 공정시 발생되는 유기성가스에 의해 배기라인들(210) 및 배기라인들(210)에 설치되는 구성들이 오염되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명은 베이크 유닛(100)들의 배기량 조절을 통합부재(220)에 구비되는 조절부(228)를 조절하여 이루어지므로, 배기라인들(210) 상에 설치되는 유량 조절밸브와 같은 배기량 조절을 위한 구성들이 구비되지 않는다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 보여주는 측면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 베이크 유닛 및 배기유닛을 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 통합부재의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 배기 유닛의 배기 처리 과정을 보여주는 순서도이다.
도 6은 본 발명에 따른 통합 부재의 배기 처리 모습을 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치 100 : 배기유닛
10 : 인덱서부 110 : 배기라인
20 : 제1 공정부 120 : 통합부재
30 : 인터페이스부 130 : 냉각부재
40 : 제2 공정부 140 : 퍼지부재

Claims (11)

  1. 기판 처리 공정이 수행되는 공정유닛들에 연결되어, 각각의 공정유닛 내 가스를 배기시키기는 복수의 배기라인들과,
    상기 각각의 배기라인과 연결되어 상기 배기라인들로부터 배기되는 배기가스들을 유입받는 하우징과,
    상기 하우징의 일측벽에 형성되는 개구의 개구량을 조절하는 조절부, 그리고
    상기 하우징으로부터 통합된 배기가스를 배출시키는 배출라인을 포함하되,
    상기 하우징은,
    원기둥 형상을 가지고,
    상기 개구는,
    복수개가 상기 일측벽의 중심을 기준으로 링을 이루도록 배치되고,
    상기 배기라인들은,
    상기 하우징의 둘레에 구비되는 유입포트들에 연결되고,
    상기 조절부는,
    상기 하우징의 일측면에 회전가능하도록 설치되며, 상기 개구와 상응하는 형상의 홀들이 형성되는 조절판을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 하우징 내부로 유입되는 배기가스들 내 유기성 가스를 회수하는 회수부재를 더 포함하되,
    상기 회수부재는,
    상기 하우징 내부에 배치되며, 표면에 다수의 나사산이 형성되는 회수통과,
    상기 회수통이 냉각되도록 상기 회수통 주변을 따라 냉각유체가 흐르도록 제공되는 냉각유체라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기 유닛.
  3. 삭제
  4. 베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛들과,
    상기 베이크 유닛들의 배기를 수행하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 베이크 유닛들과 연결되는 배기라인들과,
    상기 배기라인들로부터 배기되는 배기가스들을 통합하는 통합부재를 포함하고,
    상기 통합부재는,
    상기 배기라인들과 연결되어 상기 배기가스들을 유입받는 하우징과,
    상기 하우징의 일측벽에 형성되는 개구의 개구량을 조절하는 조절부, 그리고
    상기 하우징으로부터 통합된 배기가스를 배출시키는 배출라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 베이크 유닛들은,
    어드히젼 공정을 수행하는 제1 베이크 유닛들, 도포 공정 전 베이크 공정을 수행하는 제2 베이크 유닛들, 도포 공정 후 베이크 공정을 수행하는 제3 베이크 유닛들, 그리고 노광 공정 후 베이크 공정을 수행하는 제4 베이크 유닛들을 포함하고,
    상기 배기라인들은,
    상기 제1 내지 제4 베이크 유닛들 중 어느 하나의 베이크 유닛들과 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 하우징 내부로 유입되는 배기가스들 내 유기성 가스를 회수하기 위한 회수부재를 더 포함하되,
    상기 회수부재는,
    상기 하우징 내부에 배치되며, 표면에 다수의 나사산이 형성되는 회수통과,
    상기 회수통이 냉각되도록 상기 회수통 주변을 따라 냉각유체가 흐르도록 제공되는 냉각유체라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 하우징은,
    원기둥 형상을 가지고,
    상기 개구는,
    복수개가 상기 일측벽의 중심을 기준으로 링을 이루도록 배치되고,
    상기 배기라인들은,
    상기 하우징의 둘레에 구비되는 유입포트들에 연결되고,
    상기 조절부는,
    상기 하우징의 일측면에 회전가능하도록 설치되며, 상기 개구와 상응하는 형상의 홀들이 형성되는 조절판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 기판 처리 공정을 수행하는 공정유닛들의 배기 방법에 있어서,
    상기 공정유닛들로부터 배기되는 각각의 배기가스를 하우징 내부로 유입시켜 통합하고, 통합된 배기가스 내 유기성가스를 제거한 후 상기 하우징 외부로 배출시키되,
    상기 공정유닛들의 배기량 조절은,
    상기 공정유닛들로부터 상기 하우징으로 상기 배기가스를 유입시키는 배기라인들 상에 유량조절밸브의 설치 없이 수행되는 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 배기 방법은,
    상기 하우징으로부터 배출되는 상기 통합된 배기가스의 배출량을 조절하여, 상기 공정유닛들의 배기량을 동일하게 조절하는 것을 특징으로 하는 배기 방법.
  10. 삭제
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 공정유닛들은 베이크 공정을 수행하고,
    상기 배기 방법은,
    상기 공정유닛들 중 동일한 베이크 공정을 수행하는 공정유닛들의 배기를 수행하는 것을 특징으로 하는 배기 방법.
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