KR101933081B1 - 기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법을 제공한다. 기판처리장치는 기판을 처리하는 공정 처리부 및 상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 외부로 배출시키는 배기부를 포함하되, 상기 배기부는 상기 공정 처리부에서 배출되는 가스를 임시 저장하는 버퍼유닛을 포함하고, 상기 버퍼유닛은 상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 보조배기라인 및 상기 보조배기라인에 연결되는 버퍼탱크를 포함한다. 이로 인해 기판처리설비의 배기 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법{Appratus, for treating substrate, System for treating substrate with the apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후에는 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다.
도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)에는 각각의 공정을 수행하기 위한 기판처리장치들(2a,3a,4a)이 배치되고, 각각의 기판처리장치(2a,3a,4a) 내에서 발생되는 가스를 배기하는 배기 시스템이 설치된다. 배기 시스템은 통합 배기라인(5)을 통해 복수의 기판처리장치들(2a,3a,4a)과 연결된다. 이 중 세정공정을 수행하는 기판처리장치(2a)에서는 다양한 종류의 약액을 공급하여 기판을 세정하며, 약액으로는 일반적으로 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 암모니아(NH3), 불산(HF) 등과 같은 케미칼이 사용된다. 이들 중 황산(H2SO4)은 공정 진행 시 발열반응으로 인해 다른 케미칼보다 매우 많은 양의 퓸을 발생시킨다.
그러나 통합 배기라인(5)을 통해 가스를 배기시키기 위한 전체 배기량이 한정되어 있어 황산으로 인해 대량의 퓸이 발생되는 세정장치는 그 내부가 원활하게 배기되지 않는다. 이로 인해 퓸은 장치(2a) 내에 잔류되어 모터 및 베어링 등과 같은 부품을 부식시킨다.
또한 황산으로 인해 대량으로 발생되는 퓸은 통합 배기라인의 배기압을 증가시키고, 증가된 배기압만큼 다른 기판처리장치들(3a,4a)에 요구되는 배기압을 제공할 수 없다. 이로 인해 다른 기판처리장치(3a,4a)에서 발생되는 가스들은 원활하게 배기되지 않는다.
또한 황산을 이용한 세정장치(2a)에서는 대량의 퓸을 단시간에 발생함에 따라 통합배기라인(5)에 가해지는 압력이 급상승된다. 이로 인해 퓸은 통합배기라인(5)을 통해 다른 기판처리장치(3a,4a)로 역류될 수 있다.
본 발명은 기판처리설비의 배기 효율을 향상시키고자 한다.
또한 본 발명은 황산으로 인해 대량으로 발생되는 퓸을 효율적으로 배기하고자 한다.
또한 본 발명은 황산을 이용하는 세정장치에서 대량으로 발생되는 퓸으로 인해 다른 기판처리장치에서 발생되는 가스가 원활하게 배기되지 않는 문제점을 해결하고자 한다.
또한 본 발명은 황산을 이용하는 세정장치에서 대량으로 발생된 퓸이 다른 처리장치에 역류되는 것을 방지하고자 한다.
또한 본 발명은 황산을 이용하는 세정장치에서 대량으로 발생된 퓸을 균일한 압력으로 배기하고자 한다.
또한 본 발명은 황산을 이용하는 세정장치에서 퓸이 대량으로 발생될지라도 부품의 손상없이 배기하고자 한다.
본 발명의 실시예는 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법을 제공한다. 기판처리장치는 기판을 처리하는 공정 처리부 및 상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 외부로 배출시키는 배기부를 포함하되, 상기 배기부는 상기 공정 처리부에서 배출되는 가스를 임시 저장하는 버퍼유닛을 포함하고, 상기 버퍼유닛은 상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 보조배기라인 및 상기 보조배기라인에 연결되는 버퍼탱크를 포함한다.
상기 버퍼탱크는 복수 개로 제공되며, 각각의 상기 버퍼탱크는 상기 보조배기라인에 병렬로 연결될 수 있다. 상기 배기부는 상기 공정 처리부에서 발생되는 가스를 배출하도록 상기 공정 처리부에 연결되는 메인배기라인을 더 포함하되, 상기 보조배기라인은 상기 메인배기라인으로부터 분기될 수 있다. 상기 버퍼유닛은 상기 메인배기라인 상에 설치되는 제1밸브 및 상기 보조배기라인 상에 설치되는 제2밸브를 조절하는 제어기를 더 포함할 수 있다.
또한 기판처리설비는 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 제1공정처리부 및 상기 제1공정처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 제1배기부를 가지는 제1기판처리장치, 상기 제1공정처리부와 상이한 공정으로 기판을 처리하는 제2공정처리부 및 상기 제2공정처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 제2배기부를 가지는 제2기판처리장치, 그리고 상기 제1기판처리장치 및 상기 제2기판처리장치에서 발생된 가스를 외부로 배출시키는 통합배기라인을 포함하되, 상기 제1배기부는 상기 제1공정처리부에서 발생되는 가스를 상기 통합배기라인으로 배출시키는 제1메인배기라인 및 상기 제1공정처리부에서 발생되는 가스를 임시 저장하는 버퍼유닛을 포함한다.
상기 버퍼유닛은 상기 제1공정처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 보조배기라인 및 상기 보조배기라인에 연결되는 버퍼탱크를 포함할 수 있다. 상기 버퍼탱크는 복수 개로 제공되며, 각각의 상기 버퍼탱크는 상기 보조배기라인으로부터 분기된 분기라인들에 각각 연결될 수 있다. 상기 버퍼유닛은 상기 메인배기라인 상에 설치되는 제1밸브 및 상기 보조배기라인 상에 설치되는 제2밸브를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 상기 제2배기부는 상기 제2공정처리부에서 발생되는 가스를 상기 통합배기라인으로 배출시키는 제2메인배기라인을 포함할 수 있다. 상기 보조배기라인은 그 일단이 상기 제1메인배기라인 또는 상기 제1공정처리부에 직접 연결되고, 타단은 상기 통합배기라인에 연결될 수 있다. 상기 케미칼은 황산(H2SO4)일 수 있다.
기판처리방법은 상기 제1공정처리부에서 발생된 가스를 상기 제1메인배기라인을 통해 배출시키되, 가스의 유량이 기설정된 유량보다 많을 경우에는, 가스를 상기 보조배기라인으로 배출시키고, 상기 보조배기라인으로 배출되는 가스는 상기 버퍼탱크에 임시 저장한다.
상기 제1공정처리부에서 발생된 가스의 유량이 기설정된 유량보다 적어지면, 상기 버퍼탱크 내에 임시 저장된 가스를 상기 통합배기라인으로 배출시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판처리설비의 배기 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 황산으로 인해 대량으로 발생되는 퓸을 효율적으로 배기할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 황산을 이용하는 세정장치에서 대량으로 퓸이 발생될지라도 다른 기판처리장치에서 발생되는 가스를 원활하게 배기할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 황산을 이용하는 세정장치에서 대량으로 발생된 퓸이 다른 처리장치에 역류되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 황산을 이용하는 세정장치에서 대량으로 발생된 퓸을 균일한 압력으로 배기할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 황산을 이용하는 세정장치에서 퓸이 대량으로 발생될지라도 부품의 손상없이 배기할 수 있다.
도 1은 종래의 기판처리설비를 보여주는 도면이다.
도 2은 본 발명의 기판처리설비의 제1실시예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 "A"영역의 제1기판처리장치를 확대하여 나타낸 단면이다.
도 4는 도 2의 "A"영역의 제1배기부를 확대하여 나타낸 단면이다.
도 5 내지 도 8은 제1기판처리장치에서 발생된 퓸을 배기하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 9은 도 2의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 2의 제3실시예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 2의 제4실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도 2 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 2은 본 발명의 기판처리설비의 제1실시예를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판처리설비(10)는 복수 개의 기판처리장치(300,500,600) 및 배기장치(700)를 가진다. 각각의 기판처리장치(300,500,600)는 기판(W)을 처리하는 공정 처리부(310,510,610) 및 공정 처리부(310,510,610)에서 발생되는 퓸을 배기하는 배기부(400,530,630)를 가진다. 각각의 기판처리장치(300,500,600)는 서로 상이한 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 제1기판처리장치(300)는 기판(W)을 황산(H2SO4)으로 처리하여 퓸이 많이 발생되는 장치이고, 제2기판처리장치(500) 및 제3기판처리장치(600)는 증착, 식각, 그리고 애싱 등 제1기판처리장치(300)에 비해 가스가 적게 발생되는 장치일 수 있다. 이와 달리 제1기판처리장치(300)는 황산(H2SO4)과 같은 제1케미칼을 이용하는 세정장치이고, 제2기판처리장치(500) 및 제3기판처리장치(600)는 제1케미칼과 상이한 케미칼을 이용하는 세정장치일 수 있다.
배기장치(700)는 각각의 기판처리장치(300,500,600)의 배기부(400,530,630)를 통해 각각의 기판처리장치(300,500,600)에서 발생된 가스를 외부로 배기시킨다.
도 3은 도 2의 "A"영역의 제1기판처리장치를 확대하여 나타낸 단면이다. 도 3을 참조하면, 제1기판처리장치(300)는 기판(W)의 세정 공정을 수행한다. 제1기판처리장치(300)는 제1공정 처리부 및 제1배기부를 가진다. 제1공정 처리부는 기판을 세정 처리한다. 제1공정 처리부(310)는 하우징(320), 기체공급부(400), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사유닛(380)을 가진다. 하우징(320)은 공정이 수행되는 공간을 제공하고, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 복수의 회수통을 가진다. 일 예에 의하면, 하우징(320)은 내통(322) 및 외통(326)을 가진다. 내통(322) 및 외통(326)은 공정에 사용된 약액 중 서로 상이한 약액을 분리 회수한다. 내통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공되고, 외통(326)은 내통(322)을 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공된다. 내통(322)의 내측공간(322a), 내통(322)과 외통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내통(322) 및 외통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 내통(322) 및 외통(326) 각각에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 내통(322) 및 외통(326) 각각을 통해 유입된 약액을 배출한다. 배출된 약액은 외부의 약액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사유닛(380)은 기판처리공정 시 기판(W)으로 약액을 공급한다. 분사유닛(380)은 지지축(386), 구동기(388), 노즐지지대(382), 그리고 노즐(384)을 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 및 승강 운동 가능하다. 노즐지지대(382)는 지지축(386)의 상단에서 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정위치는 노즐(384)이 하우징(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기위치는 노즐(384)이 하우징(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 예컨대, 약액은 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2), 그리고 탈이온수(DIW)가 혼합된 케미칼일 수 있다.
제1배기부(400)는 제1공정 처리부(310) 내에서 발생된 가스를 외부로 배출시킨다. 도 4는 도 2의 "A"영역의 제1배기부를 확대하여 나타낸 단면이다. 도 4를 참조하면, 제1배기부(400)는 메인배기라인(410), 버퍼유닛(415), 그리고 제어기를 가진다. 메인배기라인(410)은 제1공정 처리부(310)와 통합배기라인(710)을 연결한다. 메인배기라인(410)은 제1공정 처리부(310)에서 발생된 퓸을 통합배기라인(710)으로 배출한다.
버퍼유닛(415)은 제1공정 처리부(310)에서 발생된 퓸이 통합배기라인(710)으로 공급되기 전에 선택적으로 퓸을 임시 저장한다. 버퍼유닛(415)은 퓸을 임시 저장하여 제1공정 처리부(310)에서 통합배기라인(710)으로 공급되는 퓸의 양을 조절한다. 버퍼유닛(415)은 보조배기라인(420), 버퍼탱크(430,440,450), 그리고, 밸브(430a,440a,450a,430b,440b,450b)를 가진다. 보조배기라인(420)은 그 일단이 메인배기라인(410)으로부터 분기되고, 타단이 통합배기라인(710)에 연결된다. 메인배기라인(410) 상에는 제1밸브(412)가 설치되고, 보조배기라인(420) 상에 제2밸브(422)가 설치된다. 이와 달리 메인배기라인(410)과 보조배기라인(420)이 분기되는 지점에는 삼방밸브가 제공될 수 있다.
버퍼탱크(430,440,450)는 그 내부에 퓸을 임시 저장하는 공간이 제공된다. 버퍼탱크(430,440,450)는 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 버퍼탱크(430,440,450)는 3 개로 제공될 수 있다. 각각의 버퍼탱크(430,440,450)는 보조배기라인(420)에 병렬로 연결된다. 각각의 버퍼탱크(430,440,450)과 보조배기라인(420) 사이에는 분기라인(432,442,452)이 각각 제공된다. 버퍼탱크(430,440,450)의 상류에 위치되는 각각의 분기라인(432,442,452) 상에는 상류밸브들(430a,440a,450a)이 설치된다. 버퍼탱크(430,440,450)의 하류에 위치되는 각각의 보조배기라인(432,442,452) 상에는 하류밸브들(430b,440b,450b)이 설치된다.
제어기는 제1밸브(412), 제2밸브(422), 상류밸브들(430a,440a,450a), 그리고 하류밸브들(430b,440b,450b)을 각각 개폐한다. 일 예에 의하면, 제어기는 퓸이 각각의 버퍼탱크(430,440,450)에 순차적으로 저장되도록 각각의 상류밸브(430a,440a,450a)를 순차적으로 개방할 수 있다. 제어기는 제1공정처리부(310)에서 발생된 퓸의 양이 줄어들 경우, 하류밸브(430b,440b,450b)를 개폐하여 버퍼탱크(430,440,450) 내에 임시 저장된 퓸을 배출시킨다. 일 예에 의하면, 제어기는 퓸이 균일하게 배출되도록 순차적으로 어느 하나의 하류밸브만을 개방할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 제2기판처리장치(500)는 제2공정처리부(510) 및 제2배기부(530)를 가진다. 제2공정처리부(510)는 기판(W)에 대해 증착, 식각, 그리고 애싱 등과 같이 다양한 공정을 수행한다. 예컨대, 제2공정처리부(510)는 기판(W)의 증착 공정이 수행될 수 있으며, 한국 특허출원번호 10-2006-72614호와 같은 구조를 가질 수 있다.
제2배기부(530)는 제2공정처리부(510)에서 발생되는 가스를 통합배기라인(710)으로 배출시킨다. 제2배기부(530)는 제1배기부(400)와 달리 가스를 배출하는 배기라인으로는 메인배기라인(530)만을 가진다.
배기장치(700)는 통합배기라인(710) 및 배기부재(730)를 가진다. 통합배기라인(710)은 기판처리장치들(300,500,600)에서 발생된 가스를 배기한다. 통합배기라인(710)은 각각의 배기부(400,530,630)를 통해 공정처리부들(310,510,610) 내에 발생된 가스를 제공받는다. 통합배기라인(710)의 끝단에는 배기부재(730)가 설치된다. 배기부재는 통합배기라인(710) 내에 공급된 가스를 기판처리설비(10)의 외부로 배출시킨다. 예컨대, 배기부재(730)는 팬 필터일 수 있다.
다음은 상술한 제1기판처리장치(300)를 이용하여 퓸을 배기시키는 과정을 설명한다. 도 5 내지 도 8은 제1기판처리장치에서 발생된 퓸을 배기하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 5 내지 도 8을 참조하면, 제1기판처리장치(300)는 제1공정 처리부(310)에서 발생된 퓸의 양이 기설정량을 초과 시, 제1밸브(412)를 닫아 메인배기라인(410)을 차단하고, 제2밸브(422)를 열어 보조배기라인(420)을 개방한다. 선택적으로 제1기판처리장치(300)는 메인배기라인(410) 및 보조배기라인(420)을 모두 개방하여 퓸의 일부를 메인배기라인(410)으로 배출하고, 다른 일부를 보조배기라인(420)으로 배출하여 퓸의 유량을 조절할 수 있다.
제어기는 제1밸브(412)를 닫는 동시에 제1상류밸브(430a)를 개방하고, 제2상류밸브(440a) 및 제3상류밸브(450a)를 닫는다. 퓸은 제1분기라인(432)을 통해 제1버퍼탱크(430)로 공급된다. 제1버퍼탱크(430)에 퓸이 가득차면, 제어기는 제1상류밸브(430a)를 닫는다. 이와 동시에 제어기는 제2상류밸브(440a)를 개방하여 퓸을 제2버퍼탱크(440)로 공급한다. 제2버퍼탱크(440)에 퓸이 가득차면, 제어기는 제2상류밸브(440a)를 닫아 제2분기라인(442)을 통해 공급되는 제2버퍼탱크(440)로 퓸을 중지한다. 이와 동시에 제어기는 제3상류밸브(450a)를 개방하여 퓸을 제3버퍼탱크(450)로 공급한다.
상술한 바와 같이 제어기는 각각의 버퍼탱크(430,440,450)에 퓸을 순차적으로 임시 저장한다. 제1공정처리부(310)에서 발생된 퓸의 양이 기설정량 이하로 줄어들면, 제어기는 제1밸브(412)를 개방하고, 제2밸브(422)를 닫는 동시에 하류밸브(430b,440b,450b)들 중 어느 하나의 하류밸브를 개방한다.
상술한 바와 달리 보조배기라인(420)은 도 9와 같이 통합배기라인(710)을 거치지 않고 퓸을 외부로 배출시킬 수 있다. 보조배기라인(420)은 그 일단이 메인배기라인(410)으로부터 분기되고, 타단이 기판처리설비(10)의 외부에 위치되도록 제공될 수 있다. 이 경우, 제1기판처리장치(300)에서 발생된 퓸은 제2기판처리장치(500) 및 제3기판처리장치(600)에서 발생된 가스로부터 분리 배출될 수 있다.
또한 도 10의 보조배기라인(420)과 같이 메인배기라인(410)을 통해 배출되는 퓸을 우회시키는 구조로 제공될 수 있다. 보조배기라인(420)은 그 일단 및 타단 각각이 메인배기라인(410)에 연결될 수 있다.
또한 도 11의 보조배기라인(420)은 메인배기라인(410)과 통합배기라인(710)에 직접 연결될 수 있다.
또한 제1기판처리장치(300)는 메인배기라인(410)없이 버퍼유닛(415)만을 통해 퓸을 배기할 수 있다.
310: 제1공정 처리부 400: 제1배기부
415: 버퍼유닛 420: 보조배기라인
430,440,450:버퍼탱크

Claims (13)

  1. 기판을 처리하는 복수의 공정 처리부와;
    상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 외부로 배출시키는 배기부를 포함하되;
    상기 배기부는,
    상기 공정 처리부에서 배출되는 가스를 임시 저장하는 버퍼유닛과;
    제어기을 포함하되;
    상기 버퍼유닛은,
    상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 보조배기라인과;
    상기 보조배기라인에 연결되고 상기 가스를 임시 저장하는 버퍼탱크를 포함하며,
    상기 버퍼탱크는 복수 개로 제공되며, 각각의 상기 버퍼탱크는 상기 보조배기라인에 병렬로 연결되고,
    각각의 상기 버퍼탱크와 상기 보조배기라인 사이에는 분기 라인이 각각 제공되고,
    상기 버퍼탱크의 상류에 위치되는 각각의 분기라인 상에는 상류밸브들이 설치되고,
    상기 버퍼탱크의 하류에 위치되는 각각의 상기 보조배기라인 상에는 하류밸브들이 설치되고,
    상기 배기부는,
    상기 공정 처리부에서 발생되는 가스를 배출하도록 상기 공정 처리부에 연결되는 메인배기라인을 더 포함하되;
    상기 보조배기라인은 상기 메인배기라인으로부터 분기되고,
    상기 제어기는,
    상기 공정처리부에서 발생된 가스를 상기 메인배기라인을 통해 배출시키되, 가스의 유량이 기설정된 유량보다 많을 경우에는, 가스를 상기 보조배기라인으로 배출시키고, 상기 보조배기라인으로 배출되는 가스는 상기 상류 밸브를 개방하여 상기 버퍼탱크에 임시 저장하며,
    상기 공정처리부에서 발생된 가스의 유량이 기설정된 유량보다 적어지면, 상기 하류 밸브를 개방하여 상기 버퍼탱크 내에 임시 저장된 가스를 상기 보조배기라인으로 배출시키도록 상기 버퍼 유닛을 제어하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼유닛은,
    상기 메인배기라인 상에 설치되는 제1밸브 및 상기 보조배기라인 상에 설치되는 제2밸브를 조절하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 제1공정처리부 및 상기 제1공정처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 제1배기부를 가지는 제1기판처리장치와;
    상기 제1공정처리부와 상이한 공정으로 기판을 처리하는 제2공정처리부 및 상기 제2공정처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 제2배기부를 가지는 제2기판처리장치와;
    상기 제1기판처리장치 및 상기 제2기판처리장치에서 발생된 가스를 외부로 배출시키는 통합배기라인과;
    제어기를 포함하되,
    상기 제1배기부는,
    상기 제1공정처리부에서 발생되는 가스를 상기 통합배기라인으로 배출시키는 제1메인배기라인과;
    상기 제1공정처리부에서 발생되는 가스를 임시 저장하는 버퍼유닛을 포함하며,
    상기 버퍼유닛은,
    상기 제1공정처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 보조배기라인과;
    상기 보조배기라인에 연결되고 상기 가스를 임시 저장하는 버퍼탱크를 포함하고,
    상기 버퍼탱크는 복수개 제공되며 상기 보조배기라인에 서로 병렬로 연결되고,
    각각의 상기 버퍼탱크와 상기 보조배기라인 사이에는 분기 라인이 각각 제공되고,
    상기 버퍼탱크의 상류에 위치되는 각각의 분기라인 상에는 상류밸브들이 설치되고,
    상기 버퍼탱크의 하류에 위치되는 각각의 상기 보조배기라인 상에는 하류밸브들이 설치되고,
    상기 제어기는,
    상기 제1공정처리부에서 발생된 가스를 상기 제1메인배기라인을 통해 배출시키되, 가스의 유량이 기설정된 유량보다 많을 경우에는, 가스를 상기 보조배기라인으로 배출시키고, 상기 보조배기라인으로 배출되는 가스는 상기 상류 밸브를 개방하여 상기 버퍼탱크에 임시 저장하며,
    상기 제1공정처리부에서 발생된 가스의 유량이 기설정된 유량보다 적어지면, 상기 하류 밸브를 개방하여 상기 버퍼탱크 내에 임시 저장된 가스를 상기 보조배기라인으로 배출시키도록 상기 버퍼 유닛을 제어하는 기판처리설비.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    각각의 상기 버퍼탱크는 상기 보조배기라인으로부터 분기된 분기라인들에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리설비.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 버퍼유닛은,
    상기 제1메인배기라인 상에 설치되는 제1밸브 및 상기 보조배기라인 상에 설치되는 제2밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리설비.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2배기부는,
    상기 제2공정처리부에서 발생되는 가스를 상기 통합배기라인으로 배출시키는 제2메인배기라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리설비.
  10. 제5항, 제8항, 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조배기라인은 그 일단이 상기 제1메인배기라인 또는 상기 제1공정처리부에 직접 연결되고, 타단은 상기 통합배기라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리설비.
  11. 제5항, 제8항, 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케미칼은 황산(H2SO4)인 것을 특징으로 하는 기판처리설비.
  12. 기판 처리 설비를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판 처리 설비는,
    기판을 처리하는 복수의 공정 처리부, 상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 외부로 배출시키는 배기부를 포함하고, 상기 배기부는 상기 공정 처리부에서 배출되는 가스를 임시 저장하는 버퍼유닛을 포함하며,
    상기 버퍼유닛은, 상기 공정 처리부에서 발생된 가스를 배출시키는 보조배기라인과 상기 보조배기라인에 연결되는 복수의 버퍼탱크를 포함하며,
    상기 배기부는 상기 공정 처리부에서 발생되는 가스를 배출하도록 상기 공정 처리부에 연결되는 메인배기라인을 더 포함하며,
    상기 보조배기라인은 상기 메인배기라인으로부터 분기되고,
    각각의 상기 버퍼탱크와 상기 보조배기라인 사이에는 분기 라인이 각각 제공되고,
    상기 버퍼탱크의 상류에 위치되는 각각의 상기 분기라인 상에는 상류밸브들이 설치되고,
    상기 버퍼탱크의 하류에 위치되는 각각의 상기 보조배기라인 상에는 하류밸브들이 설치되고,
    상기 기판처리방법은,
    상기 공정처리부에서 발생된 가스를 상기 메인배기라인을 통해 배출시키되, 가스의 유량이 기설정된 유량보다 많을 경우에는, 가스를 상기 보조배기라인으로 배출시키고, 상기 보조배기라인으로 배출되는 가스는 상기 버퍼탱크에 임시 저장하며,
    상기 공정처리부에서 발생된 가스의 유량이 기설정된 유량보다 적어지면, 상기 버퍼탱크 내에 임시 저장된 가스를 상기 보조배기라인으로 배출시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 삭제
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