KR100334563B1 - 레지스트처리장치및레지스트처리방법 - Google Patents

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Abstract

레지스트(resist) 처리 장치는, 복수의 카세트가 설치된 반입/반출부와, 이 반입/반출부에 설치되고, 카세트로부터 미처리된 기판을 꺼내고, 상기 카세트에 처리 완료된 기판을 수납하는 제 1 의 반송 기구와, 반입/반출부의 한쪽에 배치되고, 기판에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포부를 가지는 제 1 의 프로세스부와, 이 제 1 의 프로세스부로부터 이격되도록 반입/반출부의 다른쪽에 배치되고, 기판에 도포된 레지스트를 현상하는 현상 처리부를 가지는 제 2 의 프로세스부와, 미처리된 기판을 제 1 의 반송 기구로부터 받아서 제 1 의 프로세스부로 반송하며, 또 레지스트 도포부에서 레지스트 도포된 기판을 제 1 의 반송 기구와 수수(授受)하는 제 2 의 반송기구와, 미처리된 기판을 제 1 의 반송 기구로부터 받아서 제 2 의 프로세스부로 반송하며, 또 현상 처리부에서 현상 처리된 기판을 제 1 의 반송 기구와 수수하는 제 3 의 반송 기구를 가진다.

Description

레지스트 처리장치 및 레지스트 처리 방법
본 발명은 반도체 웨이퍼와 LCD 기판과 같은 기판에 레지스트(resist)를 도포하고, 현상 처리하는 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼에 포토 레지스트(photoresist)를 도포하고, 포토 리소그래피(lithography) 기술을 이용하여 웨이퍼상에 회로 패턴을 축소 형성하고, 도포된 레지스트를 노광(露光)하고, 이것을 현상 처리한다. 이들 일련의 레지스트 처리 공정은, 반도체 디바이스의 고집적화에 있어서 극히 중요한 프로세스이다. 일련의 레지스트 처리를 행하기 위한 장치로서는 레지스트 도포 장치, 노광 장치, 현상 장치 등을 들 수 있다.
그러나, 레지스트 도포, 노광 처리, 현상 처리를 각기 다른 장치에서 행하는 종래의 레지스트 처리 시스템에 있어서는 레지스트 도포 장치 및 현상 장치 등에 각각 카세트 스테이션(cassette station)을 설치하기 때문에 장치가 대형화된다. 또한, 종래의 레지스트 처리 공정에 의해 형성되는 회로 패턴은 선폭의 흐트러짐을 일으키기 쉬어 고집적도의 회로를 고정밀도로 형성할 수 없다.
본 발명의 목적은, 시스템 전체를 소형화할 수 있는 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리 방법을 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 목적은, 처리 공정끼리 상호 간섭을 실질적으로 일으키는 일이 없이 고정밀도의 레지스트 처리를 실현할 수 있는 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리 방법을 제공함에 있다.
회로 패턴의 선폭이 고정밀도로 되지 않는 원인에 대해서 다음과 같이 추측되고 있다. 첫째, 레지스트 도포전의 접착(adhesion) 처리에 아민계 용제가 사용되기 때문에, 아민 등의 알칼리 성분이 생성되어 레지스트와 현상액의 반응에 악영향을 미쳐 회로 패턴의 선폭에 흐트러짐을 일으킨다고 생각된다. 둘째, 이상 노광의 발생을 방지하는 반사 방지막의 형성에 아민계 용제가 사용되기 때문에 마찬가지로 레지스트의 현상 처리에 악영향을 미친다고 생각된다.
따라서, 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 레지스트 처리장치는,
복수의 카세트가 설치된 반입/반출부와,
이 반입/반출부에 설치되고, 상기 카세트로부터 미처리 기판을 취출하며, 상기 카세트에 처리 완료 기판을 수납하는 제 1 반송 기구와,
상기 반입/반출부의 일측부에 배치되고, 기판에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포부를 갖는 제 1 프로세스부와,
이 제 1 프로세스부로부터 이격되도록 상기 반입/반출부의 타측부에 배치되고, 기판에 도포된 레지스트를 현상하는 현상 처리부를 갖는 제 2 프로세스부와,
미처리 기판을 상기 제 1 반송 기구로부터 수취하여 상기 제 1 프로세스부로 반송하며, 또 상기 레지스트 도포부에서 레지스트 도포된 기판을 상기 제 1 반송 기구에 운반하는 제 2 반송 기구와,
미처리 기판을 상기 제 1 반송 기구로부터 수취하여 상기 제 2 프로세스부로 반송하며, 또 상기 현상 처리부에서 현상 처리된 기판을 상기 제 1 반송 기구에 운반하는 제 3 반송 기구를 가진다.
또한, 본 발명에 따른 레지스트 처리 방법은, (a) 기판을 세정하는 공정과, (b) 세정한 기판에 레지스트를 도포하는 공정과, (c) 도포된 레지스트를 베이킹(baking)하는 공정과, (d) 도포된 레지스트를 노광하는 공정과, (e) 상기 레지스트 도포 공정(b)으로부터의 분위기의 영향을 실질적으로 받지 않도록, 상기 레지스트 도포 공정(b)의 실시 장소로부터 충분히 떨어진 곳에서 도포된 레지스트를 현상하는 공정을 구비한다.
상기 현상 공정(e)에 있어서, 알칼리 성분을 제거한 청정 공기의 하향 흐름(down flow)의 분위기하에서 도포된 레지스트를 현상하는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 처리장치를 도시한 개요 평면도.
도 2는 반입/반출부의 부분을 도시한 개요 사시도.
도 3은 현상 유니트를 포함하는 처리부를 도시한 종단면 블럭도.
도 4는 화학적 필터(chemical filter)의 설치 영역을 도시한 개요 평면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 처리 방법을 도시한 흐름도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레지스트 처리장치를 도시한 개요 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 제 1 프로세스부 20 : 노광 처리부
25 : 인터페이스부 51 : 가이드 레일
30 : 제 2 프로세스부 40 : 반입/반출부
42a, 42b : 카세트 50 : 반송 로보트
51 : 가이드 레일
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명한다. 이하의 실시예에서, 본 발명의 레지스트 처리장치를 반도체 웨이퍼(W)의 레지스트 도포/현상 처리 시스템에 이용한 예에 대해서 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 레지스트 도포/현상 처리 시스템은, 제 1 프로세스부(10), 제 2 프로세스부(30), 반입/반출부(40) 및 노광 처리부(20)를 구비한다. 제 1 프로세스부(10)와 제 2 프로세스부(30)간에는 반입/반출부(40)가 설치되고, 이 반입/반출부(40)에 의해 양 프로세스부(10, 30)는 서로 떨어져 위치된다. 노광 처리부(20)는 인터페이스부(25)를 거쳐서 제 2 프로세스부(30)에 연결된다. 그러나, 노광 처리부(20)는 도 6에 도시한 바와 같이 인터페이스부(25)를 거쳐서 반입/반출부(40)에 연결되도록 해도 좋다. 이들 처리부(10, 20, 30, 40)는 연결 기구(도시하지 않음)에 의해 서로 착탈가능하게 연결된다.
가이드 레일(51)이 X축 방향으로 직렬로 나란히 처리부(10, 20, 30, 40)를 따라 설치된다. 이 가이드 레일(51) 상에는 복수의 반송 로보트(50)가 주행가능하게 설치되고, 이들 반송 로보트(50)에 의해 제 1 및 제 2 카세트(42a, 42b)가 반입/반출부(40)로 반입 및 반출된다. 반송 로보트(50)는 예를 들면 볼나사 기구, 벨트 기구, 리니어 모터(linear moter), 공기 반송 기구 등을 구비한다.
반입/반출부(40)의 스테이션상에는 2 종류의 카세트(42a, 42b)가 배치된다. 제 1 카세트(42a)에는 예를 들면 25 매의 미처리 반도체 웨이퍼(W)가 수용된다. 제 2 카세트(42b)에는 기처리 웨이퍼(W)가 수용된다. 반입/반출부(40)의 중앙 통로(31)를 따라서 제 1 반송 기구(41)가 주행가능하게 설치된다.
제 1 프로세스부(10)는, 그의 프레임(10a)의 중앙 반송로(11)를 따라서 이동 가능한 제 2 반송 기구(12)를 구비한다. 이 제 2 반송 기구(12)는 암(13)을 갖고, 암(13)은 X축, Y축, Z축의 각 방향으로 이동가능하며, Z축을 중심으로 θ회전가능하게 된다. 중앙 반송로(11)의 일측부에는 브러시 세정부(14), 접착부/냉각부(15) 및 베이크(bake)부(제 1 열처리부)(16)가 배치되고, 중앙 반송로(11)의 다른 쪽에는 제트(jet) 물세척부(17) 및 2개의 레지스트 도포부(18)가 배치된다. 접착부/냉각부(15)는 그의 상부에 접착부(15a)를 갖고, 하부에 냉각부(15b)를 갖는다. 즉, 접착부(15a)와 냉각부(15b)는 상하로 다층으로 적층된다.
노광 처리부(20)는, 웨이퍼(W)를 운반하기 위한 인터페이스부(25)를 거쳐서 제 2 프로세스부(30)에 연결된다. 이 노광 처리부(20)에는, 웨이퍼 배치대(21)와, 광조사(光照射)수단(도시안함)이 배치된다. 또한, 노광 처리부(20)의 일측부에는마스크(M)를 수용하는 카세트(22)가 배치된다. 노광 처리부(20)는 2개의 반송 암(23, 24)을 구비한다. 한쪽의 반송 암(23)은, 카세트(22)와 웨이퍼 배치대(21)간에 마스크(M)를 운반하기 위한 것이다. 다른쪽 반송 암(24)은 웨이퍼 배치대(21)와 인터페이스부(25)간에 웨이퍼(W)를 운반하기 위한 것이다. 각각의 반송 암(23, 24)은 X축, Y축, Z축의 각 방향으로 이동가능하며, Z축을 중심으로 θ 회전가능하다.
제 2 프로세스부(30)는, 프레임(30a)의 중앙 반송로(31)를 따라 이동가능한 제 3 반송 기구(32)를 구비한다. 이 제 3 반송 기구(32)는, X축, Y축, Z축의 각 방향으로 이동가능하며, Z축을 중심으로 θ 회전가능한 웨이퍼 반송 암(33)을 구비한다. 중앙 반송로(31)의 일측부에는 2개의 베이크부(제 2 열처리부)(34)가 배치되고, 중앙 반송로(31)의 타측부에는 2개의 현상부(35)가 배치된다. 또한, 베이크부(34)에서는 노광후의 레지스트막을 화학 증감하기 위한 사전 베이크(prebake) 처리가 행해진다. 현상부(35)에서는 사전 베이크후의 레지스트막을 현상하기 위한 현상액이 웨이퍼(W)에 뿌려진다.
다음으로, 도 3을 참조하면서 제 2 프로세스부(30)에 대해서 더욱 상세히 설명한다.
제 1 및 제 2 프로세스부(10, 30)의 측방 및 상방은 커버(10a, 30a)로 덮혀 있고, 상부 덕트(62)를 거쳐서 공기 조화기(air conditioner)(82)로부터 처리부내로 청정 공기가 공급된다. 공기 조화기(82)의 전원 회로는 제어기(80)에 접속되고, 그의 동작은 제어기(80)에 의해 제어된다.
상부 덕트(62)의 개구에는 필터(65A, 65B)가 설치되고, 이들 필터(65A, 65B)상호간에는 팬(64)이 설치된다. 필터(65A, 65B)는 미세 입자를 제거하기 위한 ULPA 필터이다. 팬(64)에 의해 청정 공기의 하향 흐름이 형성되어 청정 공기를 현상부(35)를 향해 흐르게 한다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 현상부(35)의 상부에는 화학적 필터(60A)가 설치된다. 화학적 필터(60A)는 아민 등의 알칼리 성분을 제거할 수 있는 필터 요소를 구비한다. 이와 같은 화학적 필터(60A) 및 ULPA 필터(6SA, 65B)는, 미국 특허 출원 제 08/245,668 호(1994년 5월 18일 출원)의 명세서에 개시되어 있다.
중앙 반송로(31)의 저부(低部)에는 배기 통로(66)가 설치되고, 이 배기 통로(66)내에 배기 팬(67)이 설치된다. 배기 통로(66)는 배기 덕트(69)와 연통(連通)한다. 게다가, 배기 덕트(69)는 알칼리 제거기(81)를 거쳐서 공기 조화기(82)와 연통한다. 즉, 공기 조화기(82), 공급 덕트(62), 프로세스부(10, 30) 및 배기 덕트(69)는 1개의 공기 순환 회로를 이룬다. 또한, 베이크부(34)는, 그의 상부에 2개의 접착부(34b)를 구비하며, 그의 하부에 2개의 냉각부(34c)를 구비한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 카세트 반송로(51)측의 반입/반출부(40)에는 4 개의 카세트(42a, 42b)가 배치된다. 이중 2개의 카세트(42a)에는 미처리 웨이퍼(W)가 수용되고, 다른 2개의 카세트(42b)에는 기처리 웨이퍼(W)가 수용된다. 또한, 반입/반출부(40)은 2개의 위치를 맞추기 위한 배치대(43a, 43b)를 구비한다. 일측부의 배치대(43a)는 제 1 프로세스부(10)에 가깝게 설치되고, 타측부의 배치대(43b)는 제 2 프로세스부(30)에 가깝게 설치된다.
이와 같은 반입/반출부(40)에 있어서, 예를 들면 미처리 웨이퍼(W)를카세트(42a)로부터 핀셋(41)으로 꺼내어 배치대(43a)상에 반송하거나, 레지스트 도포된 웨이퍼(W)를 배치대(43a)로부터 핀셋(41)으로 수취하여 타측부의 배치대(43b)상으로 반송하거나, 노광 처리 및 현상 처리된 웨이퍼(W)를 배치대(43b)로부터 핀셋(41)으로 수취하여 카세트(42b)로 반송할 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하여, 상기 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 레지스터 처리하는 경우에 대해서 설명한다.
우선, 제 1 반송 기구(41)에 의해 카세트(42a)로부터 미처리 웨이퍼(W)를 꺼내고, 이것을 배치대(43a)상에 배치하고, 제 1 프로세스부(10)에 대해서 웨이퍼(W)를 중심 위치에 맞춘다. 이어서, 제 2 반송 기구(12)에 의해 웨이퍼(W)를 제 1 프로세스부(10)내로 반입한다(공정 S1). 그리고, 웨이퍼(W)를 브러시 세정부(14)에서 브러시 세정하고(공정 S2), 그리고 제트 물세척부(17)에서 제트 물세척한다(공정 S3).
제트 물세척후, 제어기(80)는, 그 웨이퍼(W)에 반사 방지막을 도포할지 여부를 판정한다(공정 S4). 공정 S4의 판정 결과가 예(YES)인 경우에는, 레지스트 도포부(18)내에서 그 웨이퍼(W)에 반사 방지막을 도포한다(공정 S5). 이 반사 방지막은 카본 블랙(carbon black)과 같은 반사율이 낮은 입자를 주성분으로 하는 혼합 조성물로 이루어진다. 더우기, 웨이퍼(W)를 베이크부(16)내로 반입하고, 도포한 반사 방지막을 베이킹한다(공정 S6).
한편, 공정 S4의 판정 결과가 아니오(NO)인 경우에는, 그 웨이퍼(W)를 접착처리부(15a)내에서 접착 처리한다(공정 S7). 이어서, 웨이퍼(W)를 냉각부(15b)내에서 냉각하고, 그 온도를 조정한다(공정 S8). 그리고, 레지스트 도포부(18)내에서 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포한다(공정 S9). 웨이퍼(W)를 베이크부(16)로 반입해서 도포된 레지스트를 베이크한다(공정 S10). 이어서, 웨이퍼(W)를 냉각부(15b)내에서 냉각하고, 그의 온도를 조정한다(공정 S11).
제 2 반송 기구(12)에 의해 웨이퍼(W)를 배치대(43a)상에 배치한다. 그리고, 이것을 제 1 반송 기구(41)에 의해 타측부의 배치대(43b)상에 배치하고, 제 2 프로세스부(30)에 대해서 웨이퍼(W)를 중심 위치에 맞춘다. 이어서, 제 3 반송 기구(32)에 의해 웨이퍼(W)를 제 2 프로세스부(30)내로 반입하고, 이 웨이퍼(W)를 인터페이스(25)의 배치대(25a)상에 배치하고, 노광부(20)에 대해서 웨이퍼(W)의 위치를 맞춘다. 또한, 제 4 반송 기구(24)에 의해 웨이퍼(W)를 노광부(20)내의 배치대(21)상에 배치한다. 또한, 마스크(M)는 제 5 반송 기구(23)에 의해 카세트(22)로부터 꺼내고, 상부 보유 부재(도시안함)에 의해 보유된다. 광원(도시안함)으로부터 마스크(M)를 거쳐 웨이퍼(W)에 광이 조사되면, 웨이퍼(W)에 소정 패턴이 축소 투영되고, 도포된 레지스트가 노광된다(공정 S12).
노광 처리후, 웨이퍼(W)를 제 2 프로세스부(30)의 베이크부(34b)로 반입하고, 사전 베이크한다(공정 S13). 이어서, 웨이퍼(W)를 냉각부(34a)에서 냉각하고, 그 온도를 조정한다(공정 S14). 게다가, 현상 처리부(35)내에서 노광 레지스트를 현상 처리한다(공정 S15). 이 때, 제 2 프로세스부(30)에는 공기 청정 기구(60)가 설치되어 있기 때문에, 제 1 프로세스부(10)에 있어서 발생한 아민 등의 알칼리 성분은 하향 흐름 공기와 함께 외부로 배기되고, 제 2 프로세스부(30)에 있어서의 현상 처리에 악영향을 미치지 않는다. 이 때문에, 형성된 패턴은 고정밀도가 된다. 이것은 특히 화학 증폭형 레지스트를 이용하는 경우에 유효하다.
이와 같이 현상 처리된 웨이퍼(W)를 베이크부(34)로 반입하고, 사후 베이크(postbake)한다(공정 S16). 이 사후 베이크에 의해서 도포된 레지스트의 패턴 강도가 강화된다. 이어서, 웨이퍼(W)를 냉각부(34c)내에서 냉각하고, 그 온도를 조정한다(공정 S17). 그리고, 기처리 웨이퍼(W)를 반입/반출부(40)의 카세트(42b)내에 수납하고, 소정 매수의 웨이퍼(W)가 카세트(42b)내에 수납되면, 카세트(42b)마다 기처리 웨이퍼(W)를 반입/반출부(40)로부터 반출한다(공정 S18).
또한, 다른 처리 방법으로서, 반입/반출부(40)로부터 제 1 프로세스부(10)로 반송하여 레지스트 도포된 웨이퍼(W)를 일시적으로 카세트(42b)에 수용하고, 카세트(42b)로부터 꺼내어 이것을 노광부(20) 및 제 2 처리부(30)에서 처리를 행하도록 해도 좋다.
또한, 제 1 프로세스부(10)와 제 2 프로세스부(30)를 각각 따로 따로 동작시키도록 해도 좋다. 이것에 의해 레지스트 도포 처리, 노광, 현상 처리 및 양자의 연속 처리 등, 처리 프로세스에 대응하여 선택해서 동작시킬 수 있다. 더 나아가서 다른 종류의 롯트 웨이퍼의 평행 처리가 가능해진다.
또한, 상기 실시예에서는 본 발명의 처리장치를 반도체 웨이퍼의 도포·현상처리 시스템에 적용한 경우에 대해서 설명하였지만, LCD 기판에 레지스트액을 도포하고, 노광 및 현상 처리하는 경우에 적용하여도 좋다.

Claims (13)

  1. 제어된 분위기하에서 기판을 레지스트 처리하는 레지스트 처리장치에 있어서,
    기판을 저장하는 적어도 하나의 카세트를 반입/반출하기 위한 반입/반출부와,
    상기 반입/반출부에 설치되고, 상기 카세트로부터 미처리 기판을 꺼내며, 상기 카세트에 기처리 기판을 수납하는 제 1 반송 기구와,
    상기 반입/반출부의 일측부에 인접하게 배치되고, 기판상에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포부를 갖는 제 1 프로세스부와,
    상기 제 1 프로세스부로부터 이격되도록 또한 상기 제 1 프로세스부의 분위기에 의해 영향을 받지 않도록 상기 반입/반출부의 타측부에 인접하게 배치되고, 기판에 도포된 레지스트를 현상하는 현상 처리부를 갖는 제 2 프로세스부와,
    미처리 기판을 상기 제 1 반송 기구로부터 수취하여 상기 제 1 프로세스부로 반송하고, 또 상기 레지스트 도포부에서 레지스트 도포된 기판을 상기 제 1 반송 기구에 운반하는 제 2 반송 기구와,
    미처리 기판을 상기 제 1 반송 기구로부터 수취하여 상기 제 2 프로세스부로 반송하며, 또 상기 현상 처리부에서 현상 처리된 기판을 상기 제 1 반송 기구에 운반하는 제 3 반송 기구를 포함하는 레지스트 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반입/반출부에는, 미처리 기판이 수납되는 제 1 카세트와 기처리 기판이 수납되는 제 2 카세트가 각각 설치되고,
    상기 제 1 반송 기구에 의해 상기 제 1 카세트로부터 미처리 기판이 꺼내어지고, 상기 제 1 반송 기구에 의해 상기 제 2 카세트내에 기처리 기판이 수납되는 레지스트 처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스부에 설치되고, 레지스트 도포 전후에 기판을 열처리하는 제 1 열처리부와,
    상기 제 2 프로세스부에 설치되고, 현상 처리 전후에 기판을 열처리하는 제 2 열처리부를 더 포함하고,
    상기 제 1 열처리부와 상기 레지스트 도포부간에, 상기 제 2 반송 기구용 통로가 설치되고,
    상기 제 2 열처리부와 상기 현상 처리부간에 상기 제 3 반송 기구용 통로가 설치되는 레지스트 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스부에 설치되고, 레지스트 도포전에 기판을 접착 처리하는 접착 처리부를 더 포함하는 레지스트 처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 프로세스부의 상방으로부터 하방으로 향하는 공기의 하향 흐름을 형성하는 수단과,
    상기 현상 처리부의 상방에 설치되고, 상기 하향 흐름 공기 중에서 알칼리 성분을 제거하는 화학 필터를 더 포함하는 레지스트 처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 공기 하향 흐름 형성 수단은,
    상기 제 2 프로세스부의 상부와 연통하는 덕트와,
    이 덕트를 거쳐 상기 제 2 프로세스부에 정화된 공기를 공급하는 공기 조화기와,
    상기 현상 처리부의 상부에 설치되고, 상기 덕트를 거쳐 공급된 공기를 하부를 향해 보내는 송풍 팬과,
    이 송풍 팬의 하류측에 설치되고, 상기 공기중에서 입자를 제거하는 물리 필터를 구비하는 레지스트 처리장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 프로세스부의 측부에 설치되고, 도포된 레지스트를 노광하는 노광처리부를 더 포함하는 레지스트 처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 반입/반출부내의 기판용 카세트와 노광 처리부내의 노광 마스크용 카세트가 실질적으로 동일 선상에 놓이고, 이들 기판용 카세트 및 노광 마스크용 카세트를 반송하기 위한 공통의 카세트 반송 수단을 구비하는 레지스트 처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반입/반출부의 측부에 설치되고, 도포된 레지스트를 노광하는 노광 처리부를 더 포함하는 레지스트 처리장치.
  10. 하향 흐름 공기의 제어된 분위기하에서 기판을 레지스트 처리하는 레지스트 처리 방법에 있어서,
    (a) 기판이 저장된 카세트를 반입/반출부내로 반입하는 단계와,
    (b) 상기 카세트로부터 기판을 반출하며 상기 기판을 제 1 프로세스부로 반송하는 단계와,
    (c) 상기 제 1 프로세스부에 반송된 기판을 세정하는 단계와,
    (d) 상기 세정된 기판상에 레지스트를 도포하는 단계와,
    (e) 상기 기판상에 도포된 레지스트를 베이킹하는 단계와,
    (f) 상기 기판상에 도포된 레지스트를 노광하는 단계와,
    (g) 상기 노광된 기판을, 상기 반입/반출부를 사이에 두도록 상기 제 1 프로세스부로부터 이격 위치된 제 2 프로세스부로 반송하는 단계와,
    (h) 상기 제 1 프로세스부로부터 충분히 이격된 상기 제 2 프로세스부에서 상기 노광된 기판을 현상하는 단계를 포함하며, 상기 레지스트 도포 단계(d)는, 상기 레지스트 도포 단계(d)의 분위기가 상기 현상 단계(h)에 실질적으로 영향을 주지 않도록 실시되는 레지스트 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 레지스트 도포 단계(d) 전에, 기판상에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 레지스트 처리 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 레지스트 도포 단계(d) 전에 기판을 접착 처리하는 단계를 더 포함하는 레지스트 처리 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 현상 단계(h)는, 알칼리 성분을 제거한 청정 공기의 하향 흐름의 분위기하에서 노광된 레지스트를 현상하는 단계를 구비하는 레지스트 처리 방법.
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