JPH0427113A - レジスト処理装置、レジスト処理方法及びレジストパターン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レジスト処理装置、レジスト処理方法及びレ
ジストパターンに係り、特に高精度のレジストパターン
形成を可能にし、さらに、引き続くドライエツチングに
おいて、極めて高い選択性を有する異方性エツチングを
可能にするレジスト処理装置、レジスト処理方法及びレ
ジストパターンに関する。

［従来の技術］ 近年、ＬＳＩ製造技術の発展は目ざましく、その集積度
は益々増大している。このような集積度の増大は、微細
な寸法のレジストパターンを形成するホトリソグラフプ
ロセス技術の進歩によるところが大きい。

第１図に一般的ホトリソグラフ工程を示す。図中のエツ
チング工程においては、現在、微細パターン形成のため
のドライエツチング、特に反応性イオンエツチング法（
ＲＩＥ）が広く用いられ、これによって、サブミクロン
、ハーフミクロンの微細パターンが正確にエツチングで
きるようになってきた。

しかしながら、第１図に示す工程によりレジストパター
ンを形成し、反応性イオンエツチング法を用いた場合、
エツチングのマスクであるレジストパターンも強いイオ
ンプラズマに曝され、またそのために、局所的高温域を
生じる。この結果、レジストの熱によるパターン弛れ、
物理的衝撃によるパターン欠損等の欠陥が観察されてい
た。

これを、防止するために耐熱性、耐プラズマ性の改善さ
れたレジストの研究開発が鋭意進められてきた。

更に、プロセス側からもＵ　Ｖ　（Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏ
ｌｅｔ紫外光の略）キュア法という、第１図に示すボス
トベークの代わりに、レジストパターンに紫外光を照射
する方法か試みられている。この方法は紫外線の照射自
身による作用と、加熱作用との相乗効果により、レジス
ト樹脂の架橋度を増大させ、それにより、レジストを硬
化させて、耐熱性、耐プラズマ性を向上させんとするも
のである。第２図にＵＶキュア法を用いたホトリソグラ
フ工程を示す。

しかし、第２図に示す工程でレジストパターンを形成し
、ＲＩＥを行った場合、第１図に示す場合に比べると、
より高精度のＲＩＥエツチングを行い得るとはいうもの
の、パターン幅がサブミクロン以下という微細エツチン
グのものについては、高い選択性をもってエツチングを
行い得ないことが判明した。

以上のような理由で、現在のＬＳＩ製造技術では、表面
汚染がなく、同時に欠陥も伴わず、かつ高い選択性をも
って微細なエツチングパターンをドライエツチングで得
ることは困難である。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、ドライエツチング時におけるレジスト
からの脱ガスに起因する種々のエツチングパターン欠陥
や汚染を防止することができ、高い選択性をもって高精
度のエツチングパターン形成を可能にするレジスト処理
装置、レジスト処理方法及びレジストパターンを提供す
ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明のレジスト処理装置は、レジストの形成された基
体に紫外光を照射する手段と、装置内部に不活性ガスを
導入する手段とを少なくとも設けたことを特徴とする。

本発明のレジスト処理方法は、レジストの形成された基
体への紫外光の照射を、不活性ガス雰囲気中において行
うことを特徴とする。

本発明のレジストパターンは、レジストからの溶剤の脱
ガス量が、２３０℃において大気圧イオン化質量分析装
置で検出した相対イオン強度（ＩＲ）で換算して、０．
５％以下であることを特徴とする。

［作用］ 以下に発明の作用を、本発明をなすに際して得た知見と
ともに説明する。

本発明者は、ドライエツチングによる微細パターンの作
成を目的として、欠陥の原因となるパーティクル等の不
純物の除去のため、エツチングチャンバー内表面の電解
研磨技術による加工変質層の無い鏡面仕上げおよび超高
純度酸素雰囲気中における酸化不動態処理技術による高
清浄化、導入ガスの高清浄高品質化の研究を行ってきた
。

しかし、完全制御された微細パターンを得るためには、
導入ガスの高清浄化だけにとどまらず、エツチングの進
行している雰囲気の高清浄化が必要であり、その雰囲気
を最も汚染しているのがレジスト材料自身からの脱ガス
成分であることを本発明者は見い出した。

本発明者は、レジストからの脱ガス成分低減の研究を、
大気圧質量分析装置により鋭意行った。

その結果、レジストからの脱ガス成分が以下の３要素か
らなることを発見した。すなわち第１に水分であり、第
２にレジストの溶媒であり、第３にレジスト樹脂自身で
ある。

更に、段階的昇温解析によるレジストからの脱ガス成分
解析を詳しく行った結果、水分は高分子樹脂としては驚
くほど脱ガスしないこと、溶剤成分が、例えば通常使用
される設定温度１３０℃での、ボストベーク後も大量に
残存し、これがレジストからの脱ガス成分のほとんどを
占めること、レジストからの樹脂成分自身の脱ガス発生
温度が、そのレジストパターンの熱弛れ温度とほとんど
同一であることを発見した。

更に、研究を続けた結果、本発明者は、溶剤成分のレジ
ストからの脱ガスは、その溶剤の沸点以上にレジストを
ベータすることでほぼ０にすることができることを明ら
かにした。しかし溶剤の沸点以上の温度においてベータ
した時のレジストパターンは、熱フローによりパターン
断面形状がかまぼこ状に丸まることも判明した。

−例を挙げると、現在ＬＳ　Ｉ　Ｓ　Ｉプロセスに汎用
されるレジスト、例えばＧ線用ポジ型レジスト（フェノ
ールノボラック樹脂）の熱フロー発生温度は通常のボス
トベークでは約１３０℃〜１５０℃である。また、２３
℃空気中でスピン塗布特性の良い溶剤としては、例えば
、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（
商標名エチルセルソルブアセテート以下ＥＣＡと略す。

）があり、その沸点は大気圧で１５６℃である。この様
に、通常のプロセスにおいては、レジストパターンの熱
弛れを伴なうこと無くして、ＥＣＡの沸点温度以上にレ
ジストの温度を上昇させることは不可能であった。−例
として、第４図に、本発明者が解明した、走査電子顕微
鏡によるノボラ・ン、り系樹脂レジストパターン断面の
熱フローの様子を示す。

第４図に示すように、１４３℃までのベーキングであれ
ば、レジスト形状は正確に保持されているが、１４９℃
以上のベーキングになると次第にレジスト形状は変形し
ている。このように、溶剤の沸点以上にベーキング温度
を上げることが不可能なことを、第４図は示している。

そこで、熱変形を生じさせることなく、高温ベーキング
可能な手段の探究を鋭意行ったところ、ＵＶキュアを不
活性ガス雰囲気中に行うと、溶剤の沸点以上でベーキン
グを行っても熱フローが生じないことを見い出した。

つまり、例えばＧ線用ポジ型レジスト（フェノールノボ
ラック樹脂）は、例えば、波長２５０〜３００１ｍの紫
外光を用いてＵＶキュア処理を窒素ガス７囲気中で行う
ことにより、その熱フロー開始温度が２３０℃以上に改
善される。

上記結論に従って研究を行った結果、ついに、レジスト
溶剤成分の沸点より更に高い温度まで、レジストパター
ンの変形の全く無い、しかも、レジストからの脱ガスが
同様に殆ど全く無いレジスト処理装置、および方法を発
明するに到った。上記の方法および装置を用いて実験を
行った結果を第５図に示す。すなわち、例えば２５０〜
３００ｎｍの紫外光によるＵＶキュアを不活性ガス雰囲
気大気圧下で行った後、不活性ガス雰囲気大気圧下で２
３０℃においてベーキング（以下、ＵＣベーキング、Ｕ
ＣＢと略＃Ｉ）シて得られたレジストパターンの走査電
子顕微鏡写真を第５図に示す。レジスト形状は、２３０
℃まで温度が上げられているにもかかわらず、全く変形
していないことを第５図は示している。

また、上記研究をパターンの無いレジストのベタ膜でも
行ったが、上記レジストパターンの場合と同じくレジス
トからの脱ガスが殆ど全く無い結果が同時に得られた。

これら上記目的を達成するためのさらなる研究の結果、
レジストからの脱ガス量低減のため、レジストパターン
の形成された基板に紫外光を照射する装置に於いて、前
記ＵＶ光が照射される基板が不活性ガス雰囲気中に設置
されていることが重要な事を見いだした。ＵＶ光が照射
される基体が設置されている雰囲気ガスは不活性ガスで
なくては本発明の効果を充分に発揮することができない
。ここで不活性ガスとしては例えばＮ２゜Ａｒ、Ｎｅ、
Ｈｅ等をあげることができ、特にＮ２が顕著な効果が得
られ好ましい。導入する不活性ガスは含まれる水分が数
１　ｏｐｐｂ以下（より好ましくは数ＰＰｂ以下）で、
かつ、その他の不純物も可能な限り含まない高清浄なも
のが望ましい。しかし、これに限定されるものではない
。

不活性ガス雰囲気は大気圧が望ましく、数１０Ｔｏｒｒ
未溝の減圧にすると、レジストからの脱ガス量は増加す
る。またＵＶ光照射時の基体温度は、レジスト形状が正
確に保たれる温度、例えばＧ線用ポジ型レジストでは１
３０℃程度が望ましい。

更に、基体表面に紫外光を照射した後、レジストからの
脱ガス量低減のため、前記基体を加熱する手段を有し、
基体温度を紫外光照射時よりも高く設定できる様に構成
することが重要である。特に、レジストからの脱ガスの
主成分であるレジストの溶剤の沸点よりも高い温度、例
えばＧ線用ポジ型レジストでは１５６℃以上で処理する
ことが有効である。

ＵＣベーキング温度は、レジスト溶剤の沸点温度よりも
高くし、レジスト形状が正確に保たれる限り、高い温度
であるほど脱ガス量は低下する。

しかも、この紫外光照射後のＵＣベーキングも空気中で
はなく不活性ガス雰囲気中大気圧下で行うことが好まし
い。

また、ＵＶ光照射後の高温ベータ時に、不活性ガス雰囲
気は高清浄の不活性ガスを４　Ｉｔ　／　ｍ　ｉ　ｎ程
度以上の流速で流すことが望ましい。減圧にする場合、
好ましくは、１０−４Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは１
０−４Ｔｏｒｒ以下の減圧状態にした場合に、本発明の
効果がより一層発揮される。

［実施態様例］ 以下に、図面を用いて本発明の実施態様例を具体的に説
明する。第３図は、本発明におけるＵＶキュア後更に再
ベータを行うホトリソグラフ工程図である。

ＵＶキュアは、第６図に模式的に示される様なレジスト
処理装置を用いて行われた。図中、１はＵＶ光源であり
、２は基板加熱用ホットプレート、３は内面を電解複合
研磨した５ＵＳ３１６Ｌ製のチャンバー、４は基板搬出
入用のゲートバルブ、５は搬送アーム、９は不活性ガス
気流が効率良く基板表面に当たるように工夫された不活
性ガス導入配管ノズルである。

露光現像された基板は、充分に水洗リンス後窒素ガス等
で乾燥され、搬送アームにて、４のゲートバルブを通し
てＵＶチャンバー内へ搬入される。搬送アームは裏面接
触形式のものである。基板が２のホットプレート上に置
かれる前に、４のゲートバルブは閉じられ、充分に雰囲
気ガスを不活性ガスに置換し、２のホットプレート上に
基板が接地すると同時にＵＶ光照射が開始される。この
時のホットプレート温度はレジストパターンの熱変形を
防止するために、通常ポストベーク温度程度以下に設定
される。所定エネルギー（例えば、数１００ｍＪ／ｃｍ
２〜数Ｊ／ｃｍ２）のＵＶ光照射後、照射を停止し、そ
のままホットプレートを昇温し、レジスト中に含まれる
溶媒の沸点以上で、ＵＶキュア後向上したレジストの熱
変形温度以下の温度に保たれる。ＵＶ光照射エネルギー
は、照射時の基板温度を高くすることによって低くでき
る。また、ＬＩＶキュア後の熱変形開始温度はほぼ２５
０℃程度である。この操作によって、脱ガスのほとんど
無いレジストパターンが得られる。

第７図は現在汎用されている最も基本的なＵＶキュア装
置の一例である。

第８図は、ＵＶキュア前の不活性ガスへの完全雰囲気置
換を容易にするため、もしくは、不活性ガス雰囲気中大
気圧下でのＵＶキュア後レジストからの脱ガス除去を容
易にするために、磁気浮上型のターボ分子ポンプ等で瞬
時に高真空に減圧できるようにした装置例である。図中
６はターボ分子ポンプ等の真空ポンプを、７は油回転型
等の真空ポンプを示す。

第９図は不活性ガストンネルを用いたりソグラフ工程の
システム構成例である。本発明の装置は、リソグラフ工
程の前後の装置とドツキングしたり、共用されても問題
なく、特に単一構成品に限定されるものではない。図中
８は、基板搬送用の不活性ガストンネルを示す。

本発明におけるレジストとは、光や放射線に反応し、露
光、未露光部の差でレジストパターンの描けるものであ
れば何でも良く、特に限定されるものではないが、ＵＶ
キュア処理効果の有するものである必要がある。また、
紫外光（ＵＶ光）とは短波長紫外（２００〜３５０ｎｍ
）、近紫外（３５０〜４００ｎｍ）があり、これら波長
に限定されるものではないが、ＵＶキュア効果の有る波
長帯でかつＵＶ光がレジスト−基板界面まで達するよう
にレジストを透過できるものが望ましい。

一例を挙げると、Ｇ線用ポジ型レジスト（フェノールノ
ボラック樹脂）は、約２５０ｎｍ以下の波長ではレジス
ト中をＵＶ光がほとんど透過できず、約３００ｎｍ以上
ではＵＶキュア効果がほとんど見られなかった。故にこ
のレジストに対しては、２５０〜３００ｎｍの波長帯が
有効である。

［実施例コ （実施例１） 本例では不活性ガスの一例として窒素ガスを使用した例
を説明する。

第１図〜第３図で示した工程にしたがって、予め３イン
チシリコウェハにレジスト（東京応化社製ＴＳＭＲ−８
９００）を膜厚１．５μｍにスピン塗布し、１．０μｍ
ラインアンドスペースをステッパー（キャノン社製ＦＰ
Ａ−１５５０Ｍ２）にて露光、現像液（東京応化社製Ｎ
ＭＤ−３）にてデイツプ現像を行い、第１図〜第３図ま
でに示されるそれぞれの工程での処理を行った。

これらのサンプルは、ウェハの一方向のみを５ｍｍの短
冊状にカッティングし、内表面を複合電解研磨した３／
８インチの５ＵＳ３１６Ｌチユーブで製作した試験用カ
ラム中に、上記カッティングサンプル３枚を挿入後、そ
れぞれ測定を行う温度条件まで連続して昇温し、アルゴ
ン（１℃／ｍ１ｎ）をキャリアガスとして大気圧イオン
化買量分析装置（日立東京エレクトロニクス社製ＵＧ−
２４０Ａ型、以下、ＡＰＩＭＳと略）にて脱ガス分析を
行った。挿入サンプルの総レジスト塗布表面積は約１１
．２ｃｍ２である。実験は数置におよび再現性の確認を
行った。

分析結果を表１〜３に示す。

表中の数字はサンプルガス中の各成分ガスイオンの相対
イオン強度［％コである。ここで、相対イオン強度（Ｉ
Ｒ）とはＡＰＩＭＳ検出されたすべてのイオン量（ＩＴ
）に対する目的とする脱ガス成分量（ＩＸ　）の割合と
して定義する。

Ｉ＊＝（Ｉｘ／ＩＴ）Ｘ１００　　［％］ここで、レジ
ストからの脱ガス量の増加、減少は、上記定義した相対
イオン強度の増減と１：１の関係にある。つまり、本実
施例において、相対イオン強度の増減は、レジスト脱ガ
ス量の増減をボしている。

各表中、いちばん左の列は、脱ガス測定時のサンプル温
度を示す。項目Ａはこのレジストの標準のボストベーク
温度１３０℃で処理したプロセスであり、項目ＢはＵＶ
キュアを１３０℃ホットプレート上で行フたプロセスで
ある。また、項目Ｃは項目Ｂと同一条件で処理後、続け
て２３０℃で最終ベータで処理したプロセスであり、項
目りは項目Ｃと全く同一処理を完全窒素雰囲気中で窒素
ガスを流しながら行ったプロセスである。

表１は、レジストからの水分成分の脱ガスに関する相対
イオン強度の積算値である０項目Ａの通常ベーキング法
、項目ＢのＵＶキュア単一の場合、脱ガスの増加が見ら
れるが、項目りの本発明における大気圧窒素気中ＵＶキ
ュア後ＵＣベーキングを行ったものは、キャリアガスか
らの脱ガス成分とほぼ同等となった。項目Ｃの、大気圧
空気中ＵＶキュア後ＵＣベークキングに比較しても、項
目りの本発明法の方が脱ガス量が少ないことが明らかで
ある。

同様に、表２は、レジストからの溶媒成分（ＥＣＡ）の
脱ガスに関する相対イオン強度の積算値である。上記表
１の結果と同様に、項目りの本発明法を用いた場合、各
温度条件にわたってレジストからの脱ガスをほぼＯにす
ることができた。

表３は、レジストからのレジスト樹脂自体の分解に伴う
脱ガスに関する相対イオン強度の積算値である。上記表
１および表２と同様な結果が得られた。本発明による項
目りにおいて、熱によるレジスト分解に対してもその脱
ガス量を低減させる効果が確認できる。

これらのプロセスの比較の結果、大気圧窒素中で本発明
の方法および装置を用いた項目りにおいて、項目ＡやＢ
の従来方法と比較して、および大気圧空気中ＵＶとＵＣ
ベーキングを行った項目Ｃと比較して、レジストの脱ガ
ス量が２３０℃高温域においても極端に低く抑えられて
いることが分かる。

このため、ドライエツチング時にたとえイオンによりレ
ジストがたたかれても、レジストからの脱ガス量を、極
端に少なくすることができ、エツチング雰囲気を劣化さ
せること無く高精度エツチングパターンの精密制御が可
能となった。また、エツチングチャンバーのレジスト脱
ガス成分による汚染を低減することができる。

（実施例２） 実施例１と全く同一方法で、通常のポストベークによる
方法、及び、本発明による大気圧下窒素気中でのＵＶキ
ュア後にＵＣベーク処理する方法の二条性について、レ
ジストからの脱ガスのＡＰＩＭＳによるマススペクトル
データを採取した。この時の、ウェハ温度は２００℃で
あった。

第１０図に、通常のポストベークを行った時のマススペ
クトルを、第１１図に本発明による大気圧下窒素気中で
のＵＶキュア後ＵＣベークを処理したときのマススペク
トルを示す。図中、補軸に各マスナンバーが示され、縦
軸にそれぞれのマスイオンの強度がボルトで示される。

第１０図及び第１１図は、感度等全く同一のＡＰＩＭＳ
条件で測定された。

図より、ＵＣベーク処理のスペクトルが、アルゴンキャ
リアガスのマス（ｍ／ｚ）＝３６゜４０．４１．７６．
８０．８１以外は、殆ど検出されないのに対して、通常
ベータによるものは、ｍ／ｚ＝１８を中心とする水ビー
ク、３１．４４を中心とする溶媒のピーク、ｍ　／　ｚ
　＝　６４　。

１０８．１２１を中心とするレジスト樹脂ピークと多種
多様にかつ大量に出現している。

また、通常ベータ処理のものは、本実験条件である２０
０℃に連続昇温する間、大量の溶剤成分脱ガスが有った
後の溶剤成分としては減少時点のスペクトルデータであ
るが、ＵＣベーク処理したものについては、昇温時は更
にピークの無いものであった。

（実施例３） 上記実施例の項目りの実験を、最終ベーク特派圧下窒素
気流中で行った。

表４は、レジストからの溶媒成分の脱ガスに関する相対
イオン強度の積算値である。表中多縦列は、それぞれ窒
素雰囲気下、大気圧、２０Ｔｏｒｒ減圧、３０ｍＴｏｒ
ｒ減圧、０，０３ｍＴ　ｏ　ｒ　ｒ減圧の条件下でのデ
ータである。３０ｍＴｏｒｒ減圧では窒素による脱ガス
抑止効果が薄れてきているが、減圧度を上げることによ
って大気圧窒素雰囲気下と同一の効果が得られることが
確認された。

なお、以上の例では、不活性ガスとして窒素ガスを用い
た場合を示したが、他の不活性ガスを用いた場合も実施
例１〜実施例３とほぼ同様の結果が得られた。

また、基体として半導体ウェハ（シリコンウェハ）を用
いた例を示したが、もちろん、他の基体、例えば超伝導
体、伝導体、絶縁体の基体を用いた場合にもほぼ同様の
結果が得られた。

［発明の効果］ 本発明によれば、ドライエツチング時にたとえイオンに
よりレジストがたたかれても、レジストからの脱ガス量
を、極端に少なくすることができ、エツチング雰囲気を
劣化させること無く高精度エツチングパターンの精密制
御が可能となった。また、エツチングチャンバーのレジ
スト脱ガス成分による汚染が低減された。このため、集
積度の著しく大きな大面積の集積素子チップ、例えばＬ
ＳＩチップ、超伝導集積素子チップを実現することがで
き、今後の半導体等の製造技術分野における有用性は絶
大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、フォトリングラフプロセスにおける、通常一
般的に行われる処理の工程図を示す。 第２図は、フォトリングラフ工程の通常一般に行われる
ＵＶキュア処理を含めた工程図である。第３図は、本発
明のＵＶキュア後更に高温ベーキングを施す方法での工
程図である。第４図は、ノボラック系樹脂のレジストパ
ターン断面の熱フローの様子を示す走査電子顕微鏡写真
である。第５図は、本発明法による大気圧窒素雰囲気下
、ＵＶキュア後２３０℃の高温まで再ベーキングを行っ
た後得られたレジストパターンの走査電子顕微鏡写真で
ある。第６図は、本発明に使用したＵＶキュアおよびそ
の後の高温再ベータ装置の断面概要図である。第７図は
、現在汎用されているＵＶキュア装置の概要図の一例で
ある。第８図は、装置チャンバー内＝囲気置換用に、も
しくは、高温再ヘーク時減圧度の高い状態で処理できる
ように、減圧排気系を有する本発明の応用例の装置断面
概要図である。第９図は、基板の窒素トンネル搬送装置
と本発明装置とをドツキングした応用例の装置断面概要
図である。第１０図は、ウェハ温度２００℃での、通常
のボストベークを行った時のマススペクトル図である。 第１１図は、ウェハ温度２００℃での、本発明による大
気圧下窒素気中でのＵＶキュア後ＵＣベークを処理した
ときのマススペクトル図である。 １・・・ＵＶ光光源、２・・・ホットプレート、３・・
・チャンバー、４・・・ゲートバルブ、５・・・搬送ア
ーム、６・・・ターボポンプ、７・・・油回転ポンプ、
８・・・窒素トンネル、９・・・窒素ノズル。 第 図 第 図 第 図 稟１図 第５図

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）レジストの形成された基体に紫外光を照射する手
   段と、装置内部に不活性ガスを導入する手段とを少なく
   とも設けたことを特徴とするレジスト処理装置。
2. （２）基体を加熱するための手段を設けたことを特徴と
   する請求項１記載のレジスト処理装置。
3. （３）前記加熱手段は、基体を、紫外光照射時の基体温
   度よりも高い温度に加熱できるものであることを特徴と
   する請求項２記載のレジスト処理装置。
4. （４）前記不活性ガスを導入する手段のガス出口は、基
   体にガスが当たるように配置されていることを特徴とす
   る請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレジスト処理
   装置。
5. （５）装置内を排気するための手段を設けたことを特徴
   とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレジスト
   処理装置。
6. （６）装置内面は電解複合研磨したステンレス鋼で形成
   されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
   １項に記載のレジスト処理装置。
7. （７）レジストの形成された基体への紫外光の照射を、
   不活性ガス雰囲気中において行うことを特徴とするレジ
   スト処理方法。
8. （８）前記不活性ガス雰囲気は、大気圧であることを特
   徴とする請求項７記載のレジスト処理方法。
9. （９）前記不活性ガスは、水分濃度が数十ｐｐｍ以下で
   ある請求項７または８のいずれか１項に記載のレジスト
   処理方法。
10. （１０）紫外光の照射後、不活性ガス雰囲気もしくは窒
    素ガスを導入した減圧雰囲気中において、前記基体のベ
    ーキングを行うことを特徴とする請求項７乃至９のいず
    れか１項に記載のレジスト処理方法。
11. （１１）ベーキング時の不活性ガス雰囲気を１０＾−＾
    ４Ｔｏｒｒ以下の減圧状態とすることを特徴とする請求
    項１０記載のレジスト処理方法。
12. （１２）ベーキング時の不活性ガス雰囲気を大気圧とす
    ることを特徴とする請求項１０記載のレジスト処理方法
    。
13. （１３）前記ベーキングを、前記レジスト中に含まれる
    溶剤の沸点よりも高い温度で行うことを特徴とする請求
    項１１又は１２記載のレジスト処理方法。
14. （１４）前記不活性ガスは窒素ガスであることを特徴と
    する請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のレジスト
    処理方法。
15. （１５）レジストからの溶剤の脱ガス量が、２３０℃に
    おいて大気圧イオン化質量分析装置で検出した相対イオ
    ン強度（Ｉ＿Ｒ）で換算して、０．５％以下であること
    を特徴とするレジストパターン。
16. （１６）エッチングパターン間隔が１μｍ以下であるこ
    とを特徴とする請求項１５記載のレジストパターン。
17. （１７）前記レジストパターンは、反応性イオンエッチ
    ング用であることを特徴とする請求項１５又は１６のい
    ずれか１項に記載のレジストパターン。