KR101147191B1 - 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 반도체 소자 제조 시에 FOUP 내에 수납된 웨이퍼에 이물질을 제거하기 위해 주입되는 가스를 현저하게 절감시킬 수 있는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에 관한 것이다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부, 웨이퍼 수납부와 분리되거나 안착되며, 안착된 웨이퍼 수납부를 지지하는 스테이지부, 스테이지부에 배치되어 웨이퍼 수납부가 스테이지부에 안착되는 경우 웨이퍼 수납부에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 발생하고 설정된 기준신호와 비교하여 하이신호 또는 로우신호를 출력하는 로드셀부, 로드셀부로부터 하이신호를 제공받으면 가스공급신호를 출력하고, 로우신호를 제공받으면 가스차단신호를 출력하는 로드셀제어부, 로드셀제어부로부터 가스공급신호를 제공받으면 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 제공하거나 로드셀제어부로부터 가스차단신호를 제공받으면 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 차단하는 가스공급부를 포함한다.

Description

반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치{A Gas reduction apparatus for using semiconductor process facility}
본 발명은 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 반도체 소자 제조 시에 FOUP 내에 수납된 웨이퍼에 이물질을 제거하기 위해 주입되는 가스를 현저하게 절감시킬 수 있는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정, 연마 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 검사 공정, 열처리 공정 등이 선택적이면서도 반복적으로 수행되어 제조되며, 이렇게 반도체 소자로 형성되기 위하여 웨이퍼는 각 공정에서 요구되는 특정 위치로 운반되어 진다.
반도체 제조 공정 시에, 가공되는 웨이퍼는 고정밀도의 물품으로 보관 및 운반 시 외부의 오염 물질과 충격으로부터 오염되거나 손상되지 않도록 개구 통합형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)과 같은 웨이퍼 수납 용기에 수납되어 이송하였다.
이와 같이, 웨이퍼 이송 장치 내로 유입되는 공기는 필터링되어 여과되지만, 밀폐된 풉(FOUP) 내는 필터링되지 않은 공기가 존재하였다. 이러한 공기는 산소(O2), 수분(H2O), 그리고 오존(O3)과 같은 분자성 오염물질들을 포함하고 있다.
따라서 밀폐된 풉(FOUP) 내에 존재하는 산소 함유의 가스오염물질들은, 밀폐된 풉(FOUP) 내의 웨이퍼 표면을 자연 산화시켜 웨이퍼 상에 자연 산화막(natural oxide)을 형성하였다. 이러한 자연 산화막은 경우에 따라서 양품의 반도체 생산을 저해하는 원인으로 작용하였으며, 밀폐된 풉(FOUP)의 내부 습도가 40%~50%로 놓일 경우, 웨이퍼의 자연 산화막이 활성화됨으로 인해 공정 특성을 변화시켜 반도체 품질을 저화시켰다.
이러한 웨이퍼의 자연 산화막이 활성화되는 것을 방지하기 위해 웨이퍼 수납 용기 내에 가스를 주입하였으나 빈 웨이퍼 수반 용기에도 가스가 주입됨으로써 많은 가스가 낭비되는 문제점이 발생하였다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 밀폐된 풉(FOUP) 내에 존재하는 산소 함유의 가스오염물질들을 제거할 수 있는 가스를 효율적으로 공급할 수 있는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부, 웨이퍼 수납부와 분리되거나 안착되며, 안착된 웨이퍼 수납부를 지지하는 스테이지부, 스테이지부에 배치되어 웨이퍼 수납부가 스테이지부에 안착되는 경우 웨이퍼 수납부에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 발생하고 설정된 기준신호와 비교하여 하이신호 또는 로우신호를 출력하는 로드셀부, 로드셀부로부터 하이신호를 제공받으면 가스공급신호를 출력하고, 로우신호를 제공받으면 가스차단신호를 출력하는 로드셀제어부, 로드셀제어부로부터 가스공급신호를 제공받으면 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 제공하거나 로드셀제어부로부터 가스차단신호를 제공받으면 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 차단하는 가스공급부를 포함한다.
또한, 로드셀부는 전원을 제공받아 동작하는 전원공급부, 전원공급부로부터 전원을 제공받아 동작하되, 웨이퍼 수납부가 스테이지부에 안착되는 경우 웨이퍼 수납부에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 출력하고, 미리 설정된 기준신호를 출력하는 메인칩부, 메인칩부로부터 유도신호와 기준신호를 제공받아 노이즈신호를 제거하는 노이즈제거부, 노이즈제거부로부터 노이즈신호가 제거된 유도신호와 기준신호를 제공받아 증폭하는 신호증폭부, 신호증폭부로부터 증폭된 유도신호와 기준신호를 제공받아 비교하되, 유도신호가 기준신호이상의 높은 신호이면 하이신호를 출력하고, 유도신호가 기준신호보다 낮은 신호이면 로우신호를 출력하는 신호비교부 및 신호비교부로부터 하이신호 또는 로우신호를 제공받아 로드셀제어부에 제공하는 신호출력부를 포함할 수 있다.
또한, 로드셀제어부와 연결되어 스테이지부에 웨이퍼 수납부가 안착되는 과정과 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스가 공급되는 과정을 모니터링할 수 있는 웨이퍼모니터링부를 포함할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부는 모니터링되는 것에 대한 정보와 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부와 송수신할 수 있는 관리통신부를 포함하고, 관리센터부에서 제공하는 기준신호에 대한 정보를 제공받아 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부는 터치 스크린으로 형성되어 기준신호에 대한 값을 직접 입력하여 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부, 웨이퍼 수납부와 분리되거나 안착되며, 안착된 웨이퍼 수납부를 지지하는 스테이지부, 스테이지부로 웨이퍼 수납부를 이송하여 안착하거나 안착된 웨이퍼 수납부를 스테이지부로부터 분리하여 이송하는 FOUP 이송로봇부, FOUP 이송로봇부로부터 이송된 웨이퍼 수납부가 안착되도록 지지하는 FIMS부, FIMS부에 배치되되, FIMS부에 안착된 웨이퍼 수납부가 FOUP 이송로봇부에 의해 FIMS부에서 스테이지부로 이송되기 전에 웨이퍼 수납부에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 발생하고, 설정된 기준신호와 비교하여 하이신호 또는 로우신호를 출력하는 로드셀부, 로드셀부로부터 하이신호를 제공받으면 가스공급신호를 출력하고, 로우신호를 제공받으면 가스차단신호를 출력하는 로드셀제어부 및 로드셀제어부로부터 가스공급신호를 제공받으면 FIMS부에서 이송되어 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 제공하거나 로드셀제어부로부터 가스차단신호를 제공받으면 FIMS부에서 이송되어 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 차단하는 가스공급부를 포함할 수 있다.
또한, 로드셀부는 전원을 제공받아 동작하는 전원공급부, 전원공급부로부터 전원을 제공받아 동작하되, 웨이퍼 수납부가 FIMS부에 안착되는 경우 웨이퍼 수납부에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 출력하고, 미리 설정된 기준신호를 출력하는 메인칩부, 메인칩부로부터 유도신호와 기준신호를 제공받아 노이즈신호를 제거하는 노이즈제거부, 노이즈제거부로부터 노이즈신호가 제거된 유도신호와 기준신호를 제공받아 증폭하는 신호증폭부, 신호증폭부로부터 증폭된 유도신호와 기준신호를 제공받아 비교하되, 유도신호가 기준신호이상의 높은 신호이면 하이신호를 출력하고, 유도신호가 기준신호보다 낮은 신호이면 로우신호를 출력하는 신호비교부 및 신호비교부로부터 하이신호 또는 로우신호를 제공받아 로드셀제어부에 제공하는 신호출력부를 포함할 수 있다.
또한, 로드셀제어부와 연결되어 스테이지부에 웨이퍼 수납부가 안착되는 과정과 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스가 공급되는 과정을 모니터링할 수 있는 웨이퍼모니터링부를 포함할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부는 모니터링되는 것에 대한 정보와 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부와 송수신할 수 있는 관리통신부를 포함하고, 관리센터부에서 제공하는 기준신호에 대한 정보를 제공받아 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부는 터치 스크린으로 형성되어 기준신호에 대한 값을 직접 입력하여 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치는 밀폐된 웨이퍼 수납부에 비산화성 가스 또는 불활성 가스를 효율적으로 공급함으로써, 낭비되는 비산화성 가스 또는 불활성 가스를 현저하게 줄이는 동시에 존재하는 산소 함유의 가스오염물질들을 제거하여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치의 정면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치의 블럭도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 로드셀부의 블럭도.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 로드셀부의 회로도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에서 로드셀부가 동작하는 흐름도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에서 로드셀부가 동작하는 흐름도.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치의 블럭도.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 로드셀부의 블럭도.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 로드셀부의 회로도.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에서 로드셀부가 동작하는 흐름도.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하되, 본 발명에 따른 동작 및 작용을 이해하는데 필요한 부분을 중심으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치의 정면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치의 블럭도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 로드셀부의 블럭도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 로드셀부의 회로도이고, 도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에서 로드셀부가 동작하는 흐름도이다.
도 1 및 2를 살펴보면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치는 웨이퍼 수납부(100), 로드 포트부(200), FOUP 이송로봇부(300), 스테이지부(400), 로드셀부(410), 로드셀제어부(430), 가스공급부(450), FIMS부(500), 웨이퍼 이송로봇부(600), 보트부(700) 및 공정 챔버부(800)를 포함하여 구성된다.
웨이퍼 수납부(100)는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납할 수 있다. 즉, 웨이퍼 수납부(100)는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하고, 하부에는 가스를 배급하는 수납배급홀(미도시)과 가스를 배출하는 수납배출홀(미도시)이 형성된다.
이러한 웨이퍼 수납부(100)는 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납할 수 있도록 실질적으로 직육면체 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 웨이퍼 수납부(100)는 도어를 포함함으로써, 웨이퍼를 용이하게 반입하거나 반출할 수 있다.
로드 포트부(200)는 이전 공정이 끝난 웨이퍼 수납부(100)를 안착할 수 있다. 이때, 웨이퍼 수납부(100)의 내부에는 웨이퍼가 수납(Charge)되어 있다.
FOUP 이송로봇부(300)는 로드 포트부(200)에 안착된 웨이퍼 수납부(100)를 스테이지부(400)로 이송하여 스테이지부(400)에 안착할 수 있다. 또한, 안착된 웨이퍼 수납부(100)를 로드 포트부(200) 또는 후술할 FIMS부(500)로 이송시킬 수 있다.
스테이지부(400)는 웨이퍼 수납부(100)를 안착하고, 안착된 웨이퍼 수납부(100)에 가스를 배급하거나 웨이퍼 수납부(100)에서 가스를 배출할 수 있다. 이러한 스테이지부(400)는 Front스테이지부와 Rear스테이지부로 나눠져 형성될 수 있다.
또한, 스테이지부(400)는 웨이퍼 수납부(100)와 분리되거나 안착되되, 안착된 웨이퍼 수납부(100)를 지지하면서 수납배급홀(미도시)과 대응되는 위치에 가스를 배급하는 가스배급홀(401) 및 수납배출홀(미도시)과 대응되는 위치에 가스를 배출하는 가스배출홀(402)이 형성된다. 이러한 스테이지부(400)는 상단에 웨이퍼 수납부(100)가 안정적으로 안착되도록 하고, 하단에는 가스 배급홀에 가스배급포트부(미도시)가 체결되거나 가스배출홀에 가스배출포트부(미도시)가 체결되도록 함으로써, 웨이퍼 수납부(100)에 가스를 배급하거나 웨이퍼 수납부(100)로부터 가스를 배출할 수 있다. 여기서 가스배급포트부는 후술할 가스공급부(450)와 연결된다.
또한, 스테이지부의 형상은 도 2에 도시된 스테이지부에 한정되지 않으며, 웨이퍼 수납부(100)를 안착할 수 있으면 어떤한 형상으로도 가능할 수 있다.
로드셀부(410)는 스테이지부(400)에 배치되어 웨이퍼 수납부(100)가 스테이지부(400)에 안착되는 경우 웨이퍼 수납부(100)에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 발생하고 설정된 기준신호와 비교하여 하이(high)신호 또는 로우(low)신호를 출력한다. 이러한 로드셀부(410)에 자세한 설명은 후술하기로 한다.
로드셀제어부(430)는 로드셀부(410)로부터 하이(high)신호를 제공받으면 가스공급신호를 출력하고, 로우(low)신호를 제공받으면 가스차단신호를 출력한다. 이러한 로드셀제어부(430)는 로드셀부(410)와 전기적으로 연결되어, 로드셀부(410)로부터 하이(high)신호를 제공받으면, 웨이퍼 수납부(100)에 가스를 공급할 수 있는 가스공급신호를 출력하고, 로드셀부(410)로부터 로우(low)신호를 제공받으면, 가스를 웨이퍼 수납부(100)에 공급되는 가스를 차단할 수 있는 가스차단신호를 출력할 수 있다.
가스공급부(450)는 로드셀제어부(430)로부터 가스공급신호를 제공받으면 스테이지부(400)에 안착된 웨이퍼 수납부(100)에 가스를 제공하거나 로드셀제어부(430)로부터 가스차단신호를 제공받으면 스테이지부(400)에 안착된 웨이퍼 수납부(100)에 가스를 차단한다. 이러한 가스공급부(450)는 가스배급포트부(미도시)와 연결되어 가스를 공급하거나 차단할 수 있다.
FIMS부(500)는 FOUP 이송로봇부(300)를 통해 이송된 웨이퍼 수납부(100)를 안착할 수 있다. 이러한 FIMS부(500)는 웨이퍼 수납부(100)에 수납된 웨이퍼를 후술할 공정 챔버부(800)로 이송하기 위해 웨이퍼 수납부(100)를 잠시 동안 안착시킬 수 있다.
웨이퍼 이송로봇부(600)는 FIMS부(500)에 안착된 웨이퍼 수납부(100)로부터 웨이퍼를 보트부(700)로 이송하거나 보트부(700)에 수납된 웨이퍼를 웨이퍼 수납부(100)로 이송할 수 있다. 즉, FIMS부(500)에 안착된 웨이퍼 수납부(100)에 도어가 열리면 웨이퍼 이송로봇부(600)가 웨이퍼를 순서대로 보트부(700)에 이송하여 보트부(700)에 수납할 수 있다.
보트부(700)는 웨이퍼 이송로봇부(600)로부터 이송받은 웨이퍼를 안착할 수 있다. 웨이퍼가 모두 수납되면 공정 챔버부(800)로 이동될 수 있다.
공정 챔버부(800)는 보트부(700)에 수납된 웨이퍼를 공정 처리할 수 있다.
여기서 공정 챔버부(800)가 보트부(700)에 수납된 웨이퍼를 공정하는 동안 FOUP 이송로봇부(300)는 웨이퍼가 없는 빈 웨이퍼 수납부(100)를 FIMS부(500)에서 스테이지부(400)로 이송할 수 있다. 이때, 웨이퍼 수납부(100)는 웨이퍼가 공정 챔버부(800)에서 공정되는 동안 스테이지부(400)에서 대기할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부(470)는 로드셀제어부(430)와 연결되어 스테이지부(400)에 웨이퍼 수납부(100)가 안착되는 과정과 스테이지부(400)에 안착된 웨이퍼 수납부(100)에 가스가 공급되는 과정을 모니터링할 수 있다. 이러한 웨이퍼모니터링부(470)는 영상화면을 통해 스테이지부(400)에 웨이퍼 수납부(100)가 안착되는 과정을 실시간으로 디스플레이하며, 스테이지부(400)에 안착된 웨이퍼 수납부(100)에 가스가 공급되는 과정을 디스플레이하되, 웨이퍼 수납부(100)에 공급되는 가스의 양 또는 압력 등을 디지털로 표시할 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼모니터링부(470)가 형성됨으로써, 관리자는 더욱 정확하게 웨이퍼가 공정되는 과정을 알 수 있으며, 이상이 발생하였을 때 빠르게 대비를 할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부(470)는 모니터링되는 것에 대한 정보와 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부(900)와 송수신할 수 있는 관리통신부(471)를 포함할 수 있다. 이때 관리통신부(471)는 도시되지는 않았지만 신호를 외부로 송신할 수 있는 송신부와 외부로부터 신호를 수신할 수 있는 수신부를 포함할 수 있다.
관리센터부(900)는 원거리에서 본 발명의 웨이퍼를 공정하는 설비를 관리하고 제어할 수 있다. 이러한 관리센터부(900)는 웨이퍼 수납부(100)에 수납된 웨이퍼의 개수 및 웨이퍼 수납부(100)의 자체 무게 등등을 고려하여 기준신호의 범위를 설정할 수 있다. 즉, 관리센터부(900)는 관리통신부(471)에서 송신되는 기준신호에 대한 정보를 제공받아 체크하고 저장한 후 저장된 데이터와 함께 분석한 후 상황에 적합한 기준신호를 설정하여 수신할 있다.
이와 같이, 관리통신부(471)는 상황에 적합한 기준신호를 수신받아 로드셀부(410)에 제공함으로써, 기준신호를 설정할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부(470)는 터치 스크린으로 형성되어 기준신호에 대한 값을 직접 입력하여 기준신호를 설정할 수 있다. 즉, 관리자는 관리센터부(900)에서 제공받은 정보를 통해 현장에 방문하여 터치 스크린으로 형성된 웨이퍼모니터링부(470)에 기준신호를 직접 입력하여 설정할 수 있다.
도 3 및 4를 살펴보면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치의 로드셀부(410)는 전원공급부(411), 메인칩부(412), 노이즈제거부(413), 신호증폭부(414), 신호비교부(415) 및 신호출력부(416)를 포함하여 구성될 수 있다.
전원공급부(411)는 전원을 제공받아 동작한다. 이러한 전원공급부(411)는 외부로부터 상용전원을 제공받아 로드셀부(410)에 적합한 전원으로 변환하여 공급할 수 있다. 이때, 전원공급부(411)는 안정적인 전원을 공급하기 위해 복수 개의 커패시터 소자(C4,C5,C6), 저항 소자(R9,R10), 트랜지스터 소자(Q1) 및 반도체 소자(U6)를 포함하여 구성될 수 있다.
메인칩부(412)는 전원공급부(411)로부터 전원을 제공받아 동작하되, 웨이퍼 수납부(100)가 스테이지부(400)에 안착되는 경우 웨이퍼 수납부(100)에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 출력하고, 미리 설정된 기준신호를 출력한다. 이러한 메인칩부(412)는 웨이퍼 수납부(100)가 스테이지부(400)에 안착되는 경우 발생하는 유도신호를 제공받아 출력하는 동시에 관리통신부(471)를 통해 설정된 기준신호를 출력할 수 있다. 이때, 메인칩부(412)는 반도체 소자(U1)를 포함하여 구성될 수 있다.
노이즈제거부(413)는 메인칩부(412)로부터 유도신호와 기준신호를 제공받아 노이즈신호를 제거할 수 있다. 즉, 웨이퍼 수납부(100)가 스테이지부(400)에 안착되는 과정에서 발생하는 유도신호에 노이즈신호가 포함될 수 있기 때문에 노이즈제거부(413)는 유도신호에 포함된 노이즈신호를 제거할 수 있다. 또한, 관리센터부(900)에서 무선 또는 유선으로 공급되는 과정에서 기준신호에 노이즈신호가 포함될 수 있기 때문에 노이즈제거부(413)는 기준신호에 포함된 노이즈신호를 제거할 수 있다. 이때, 노이즈제거부(413)는 유도신호에서 노이즈신호를 제거하는 필터 소자(L12)와 기준신호에서 노이즈신호를 제거하는 필터 소자(L2)를 포함하여 구성될 수 있다.
신호증폭부(414)는 노이즈제거부(413)로부터 노이즈신호가 제거된 유도신호와 기준신호를 제공받아 증폭한다. 이러한 신호증폭부(414)는 낮은 전압 값을 가지는 유도신호와 기준신호를 증폭하여 높은 전압 값을 갖도록 할 수 있다. 이와 같이, 유도신호와 기준신호를 증폭함으로써, 오차범위를 줄여 더욱 정확한 웨이퍼 수납부(100)에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호의 전압 값을 측정할 수 있다. 이때 신호증폭부(414)는 기준신호를 증폭하는 반도체 소자(U2), 유도신호를 증폭하는 반도체 소자(U3) 및 복수 개의 저항 소자(R1,R2,R3)를 포함하여 구성될 수 있다.
신호비교부(415)는 신호증폭부(414)로부터 증폭된 유도신호와 기준신호를 제공받아 비교하되, 유도신호가 기준신호이상의 높은 신호이면 하이(high)신호를 출력하고, 유도신호가 기준신호보다 낮은 신호이면 로우(low)신호를 출력한다. 이러한 신호비교부(415)는 일단에 기준신호를 공급하고, 타단에 유도신호를 공급하여 기준신호와 유도신호를 비교하여 하이(high)신호 또는 로우(low)신호를 출력하는 반도체 소자(U4)를 포함하여 구성될 수 있다.
신호출력부(416)는 신호비교부(415)로부터 하이(high)신호 또는 로우(low)신호를 제공받아 로드셀제어부(430)에 제공한다. 이러한 신호출력부(416)는 안정적인 하이(high)신호 또는 로우(low)신호를 출력하기 위해 복수 개의 커패시터 소자(C1,C2,C3), 다이오드 소자(D1) 및 반도체 소자(U5)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 5를 살펴보면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에서 로드셀부가 동작하는 것을 나타낸 것이다.
스테이지부(400)에 웨이퍼 수납부(100)가 안착된다.(S101)
스테이지부(400)에 웨이퍼 수납부(100)가 안착되면, 웨이퍼 수납부(100) 내에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호가 발생할 수 있다.(S102) 즉, 웨이퍼 수납부(100) 내에 수납된 웨이퍼의 개수에 따라 유도신호가 다른 전압 값을 가질 수 있다.
이와 같이 유도신호가 발생하면, 유도신호에서 노이즈 신호를 제거하고 증폭한 후 신호비교부(415)의 타단에 공급된다. 이와 동시에 기준신호도 기준신호에서 노이즈 신호를 제거하고 증폭한 후 신호비교부(415)의 일단에 공급된다.
신호비교부(415)에 기준신호와 유도신호가 공급되면, 유도신호가 기준신호보다 높으면 하이(high)신호를 출력하고, 낮으면 로우(low)신호를 출력한다.(S103)
여기서 기준신호는 웨이퍼가 수납되지 않은 웨이퍼 수납부(100)를 기준으로 전압 값을 설정할 수 있다.
신호비교부(415)에서 하이(high)신호가 출력되어 로드셀제어부(430)에 공급되면, 로드셀제어부(430)는 가스공급신호를 출력한다.(S104)
로드셀제어부(430)에서 가스공급신호를 출력되어 가스공급부(450)에 공급되면, 가스공급부(450)는 가스배급포트부(미도시)를 통해 웨이퍼 수납부(100)에 가스를 공급할 수 있다.(S105)
또한, 신호비교부(415)에서 로우(low)신호가 출력되어 로드셀제어부(430)에 공급되면, 로드셀제어부(430)는 가스차단신호를 출력한다.(S106)
로드셀제어부(430)에서 가스차단신호를 출력되어 가스공급부(450)에 공급되면, 가스공급부(450)는 가스배급포트부(미도시)를 통해 웨이퍼 수납부(100)에 공급되던 가스를 차단할 수 있다.(S107)
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치의 블럭도이고, 도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 로드셀부의 블럭도이고, 도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 로드셀부의 회로도이고, 도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에서 로드셀부가 동작하는 흐름도이다.
도 6 내지 8을 살펴보면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치는 웨이퍼 수납부, 로드 포트부, FOUP 이송로봇부, 스테이지부, FIMS부(500), 로드셀부(510), 로드셀제어부(530), 가스공급부(550), 웨이퍼 이송로봇부, 보트부 및 공정 챔버부를 포함하여 구성된다.
이때, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에 해당하는 각각의 구성요소 중 웨이퍼 수납부, 로드 포트부, FOUP 이송로봇부, 스테이지부, 웨이퍼 이송로봇부, 보트부 및 공정 챔버부에 대한 기능 및 그것들 간의 유기적인 관계는 제1 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에 해당하는 각각의 구성요소 중 웨이퍼 수납부(100), 로드 포트부(200), FOUP 이송로봇부(300), 스테이지부(400), 웨이퍼 이송로봇부(600), 보트부(700) 및 공정 챔버부(800)에 대한 기능 및 그것들 간의 유기적인 관계와 실질적으로 동일하므로, 이것에 대한 각각의 부연설명들은 이하 생략하기로 한다.
FIMS부(500)는 FOUP 이송로봇부(미도시)로부터 이송된 웨이퍼 수납부(미도시)가 안착되도록 지지한다. 이러한 FIMS부(500)는 웨이퍼 수납부에 수납된 웨이퍼를 공정 챔버부(800)로 이송하기 위해 웨이퍼 수납부를 잠시 동안 안착시킬 수 있다.
로드셀부(510)는 FIMS부(500)에 배치되되, FIMS부(500)에 안착된 웨이퍼 수납부가 FOUP 이송로봇부에 의해 FIMS부(500)에서 스테이지부로 이송되기 전에 유도신호를 발생하고, 설정된 기준신호와 비교하여 하이(high)신호 또는 로우(low)신호를 출력한다. 이러한 로드셀부(510)는 전원공급부(511), 메인칩부(512), 노이즈제거부(513), 신호증폭부(514), 신호비교부(515) 및 신호출력부(516)를 포함하여 구성될 수 있다.
전원공급부(511)는 전원을 제공받아 동작한다.
메인칩부(512)는 전원공급부(511)로부터 전원을 제공받아 동작하되, 웨이퍼 수납부가 FIMS부(500)에 안착되는 경우 웨이퍼 수납부에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 출력하고, 미리 설정된 기준신호를 출력한다. 이러한 메인칩부(512)는 웨이퍼 수납부가 스테이지부에 안착되는 경우 발생하는 유도신호를 제공받아 출력하는 동시에 관리통신부(571)를 통해 설정된 기준신호를 출력할 수 있다. 이때, 메인칩부(512)는 반도체 소자(U1)를 포함하여 구성될 수 있다.
노이즈제거부(513)는 메인칩부(512)로부터 유도신호와 기준신호를 제공받아 노이즈를 제거한다.
신호증폭부(513)는 노이즈제거부(512)로부터 노이즈신호가 제거된 유도신호와 기준신호를 제공받아 증폭한다.
신호비교부(514)는 신호증폭부(513)로부터 증폭된 유도신호와 기준신호를 제공받아 비교하되, 유도신호가 기준신호이상의 높은 신호이면 하이(high)신호를 출력하고, 유도신호가 기준신호보다 낮은 신호이면 로우(low)신호를 출력한다.
신호출력부(516)는 신호비교부(515)로부터 하이(high)신호 또는 로우(low)신호를 제공받아 로드셀제어부(530)에 제공한다.
로드셀제어부(530)는 로드셀부(510)로부터 하이(high)신호를 제공받으면 가스공급신호를 출력하고, 로우(low)신호를 제공받으면 가스차단신호를 출력한다. 이러한 로드셀제어부(530)는 로드셀부(510)와 전기적으로 연결되어, 로드셀부(510)로부터 하이(high)신호를 제공받으면, 웨이퍼 수납부에 가스를 공급할 수 있는 가스공급신호를 출력하고, 로드셀부(510)로부터 로우(low)신호를 제공받으면, 가스를 웨이퍼 수납부에 공급되는 가스를 차단할 수 있는 가스차단신호를 출력할 수 있다.
가스공급부(550)는 로드셀제어부(530)로부터 가스공급신호를 제공받으면 FIMS부(500)에서 이송되어 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 제공하거나 로드셀제어부(530)로부터 가스공급신호를 제공받으면 FIMS부(500)에서 이송되어 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스를 차단한다. 이러한 가스공급부(550)는 가스배급포트부(미도시)와 연결되어 가스를 공급하거나 차단할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부(570)는 로드셀제어부(530)와 연결되어 스테이지부에 웨이퍼 수납부가 안착되는 과정과 스테이지부에 안착된 웨이퍼 수납부에 가스가 공급되는 과정을 모니터링할 수 있다. 이러한 웨이퍼모니터링부(570)는 모니터링되는 것에 대한 정보와 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부(900)와 송수신할 수 있는 관리통신부(571)를 포함하고, 관리센터부(900)에서 제공하는 기준신호에 대한 정보를 제공받아 기준신호를 설정할 수 있다.
또한, 웨이퍼모니터링부(570)는 터치 스크린으로 형성되어 기준신호에 대한 값을 직접 입력하여 기준신호를 설정할 수 있다.
도 9를 살펴보면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치에서 로드셀부가 동작하는 것을 나타낸 것이다.
FIMS부(500)에 웨이퍼 수납부가 안착된다.(S201)
FIMS부(500)에 안착된 웨이퍼 수납부가 스테이지부로 이송되기 전에 웨이퍼 수납부 내에 수납된 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호가 발생할 수 있다.(S202) 이때, FIMS부(500)에 안착된 웨이퍼 수납부가 스테이지부로 이송되기 전은 웨이퍼 수납부가 안착된 후, 웨이퍼 수납부 내에 수납된 웨이퍼가 웨이퍼 이송로봇부를 통해 보트부로 이동된 직후이거나 공정을 마친 웨이퍼가 보트부에서 웨이퍼 이송로봇부를 통해 FIMS부(500)부에 안착된 웨이퍼 수납부 내에 이동된 직후인 것이다.
여기서, 유도신호는 웨이퍼 수납부 내에 수납된 웨이퍼의 개수에 따라 다른 전압 값을 가질 수 있다. 이와 같이 유도신호가 발생하면, 유도신호에서 노이즈 신호를 제거하고 증폭한 후 신호비교부(515)의 타단에 공급된다. 이와 동시에 기준신호도 기준신호에서 노이즈 신호를 제거하고 증폭한 후 신호비교부(515)의 일단에 공급된다.
신호비교부(515)에 기준신호와 유도신호가 공급되면, 유도신호가 기준신호보다 높으면 하이(high)신호를 출력하고, 낮으면 로우(low)신호를 출력한다.(S203)
여기서 기준신호는 웨이퍼가 수납되지 않은 웨이퍼 수납부(100)를 기준으로 전압 값을 설정할 수 있다.
웨이퍼 수납부가 스테이지부로 이동하는 동안 신호비교부(515)에서 하이(high)신호가 출력되어 로드셀제어부(530)에 공급되면, 로드셀제어부(530)는 가스공급신호를 출력한다.(S204)
웨이퍼 수납부가 스테이지부에 안착하고(S205), 로드셀제어부(530)에서 가스공급신호를 출력되어 가스공급부(550)에 공급되면, 가스공급부(550)는 가스배급포트부(미도시)를 통해 웨이퍼 수납부(100)에 가스를 공급할 수 있다.(S206)
또한, 웨이퍼 수납부가 스테이지부로 이동하는 동안 신호비교부(515)에서 로우(low)신호가 출력되어 로드셀제어부(530)에 공급되면, 로드셀제어부(530)는 가스차단신호를 출력한다.(S207)
웨이퍼 수납부가 스테이지부에 안착하고(S208), 로드셀제어부(530)에서 가스차단신호를 출력되어 가스공급부(550)에 공급되면, 가스공급부(550)는 가스배급포트부(미도시)를 통해 웨이퍼 수납부(100)에 공급되던 가스를 차단할 수 있다.(S209)
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (10)

  1. 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부;
    상기 웨이퍼 수납부와 분리되거나 안착되며, 안착된 상기 웨이퍼 수납부를 지지하는 스테이지부;
    상기 스테이지부에 배치되어 상기 웨이퍼 수납부가 상기 스테이지부에 안착되는 경우 상기 웨이퍼 수납부에 수납된 상기 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 발생하고, 설정된 기준신호와 비교하여 하이신호 또는 로우신호를 출력하는 로드셀부;
    상기 로드셀부로부터 상기 하이신호를 제공받으면 가스공급신호를 출력하고, 상기 로우신호를 제공받으면 가스차단신호를 출력하는 로드셀제어부;
    상기 로드셀제어부로부터 상기 가스공급신호를 제공받으면 상기 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 가스를 제공하거나 상기 로드셀제어부로부터 상기 가스차단신호를 제공받으면 상기 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 가스를 차단하는 가스공급부;를 포함하며,
    상기 로드셀제어부와 연결되어 상기 스테이지부에 상기 웨이퍼 수납부가 안착되는 과정과 상기 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 가스가 공급되는 과정을 모니터링할 수 있는 웨이퍼모니터링부;를 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
  2. 청구항 1항에 있어서,
    상기 로드셀부는
    전원을 제공받아 동작하는 전원공급부;
    상기 전원공급부로부터 상기 전원을 제공받아 동작하되, 상기 웨이퍼 수납부가 상기 스테이지부에 안착되는 경우 상기 웨이퍼 수납부에 수납된 상기 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 출력하고, 미리 설정된 상기 기준신호를 출력하는 메인칩부;
    상기 메인칩부로부터 상기 유도신호와 상기 기준신호를 제공받아 노이즈신호를 제거하는 노이즈제거부;
    상기 노이즈제거부로부터 노이즈신호가 제거된 상기 유도신호와 상기 기준신호를 제공받아 증폭하는 신호증폭부;
    상기 신호증폭부로부터 증폭된 상기 유도신호와 상기 기준신호를 제공받아 비교하되, 상기 유도신호가 상기 기준신호이상의 높은 신호이면 하이신호를 출력하고, 상기 유도신호가 상기 기준신호보다 낮은 신호이면 로우신호를 출력하는 신호비교부; 및
    상기 신호비교부로부터 상기 하이신호 또는 상기 로우신호를 제공받아 상기 로드셀제어부에 제공하는 신호출력부;
    를 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
  3. 삭제
  4. 청구항 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼모니터링부는 상기 모니터링되는 것에 대한 정보와 상기 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부와 송수신할 수 있는 관리통신부를 포함하고, 상기 관리센터부에서 제공하는 상기 기준신호에 대한 정보를 제공받아 상기 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
  5. 청구항 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼모니터링부는 터치 스크린으로 형성되어 상기 기준신호에 대한 값을 직접 입력하여 상기 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
  6. 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부;
    상기 웨이퍼 수납부와 분리되거나 안착되며, 안착된 상기 웨이퍼 수납부를 지지하는 스테이지부;
    상기 스테이지부로 상기 웨이퍼 수납부를 이송하여 안착하거나 안착된 상기 웨이퍼 수납부를 상기 스테이지부로부터 분리하여 이송하는 FOUP 이송로봇부;
    상기 FOUP 이송로봇부로부터 이송된 상기 웨이퍼 수납부가 안착되도록 지지하는 FIMS부;
    상기 FIMS부에 배치되되, 상기 FIMS부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부가 상기 FOUP 이송로봇부에 의해 상기 FIMS부에서 상기 스테이지부로 이송되기 전에 상기 웨이퍼 수납부에 수납된 상기 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 발생하고, 설정된 기준신호와 비교하여 하이신호 또는 로우신호를 출력하는 로드셀부;
    상기 로드셀부로부터 상기 하이신호를 제공받으면 가스공급신호를 출력하고, 상기 로우신호를 제공받으면 가스차단신호를 출력하는 로드셀제어부; 및
    상기 로드셀제어부로부터 상기 가스공급신호를 제공받으면 상기 FIMS부에서 이송되어 상기 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 가스를 제공하거나 상기 로드셀제어부로부터 상기 가스차단신호를 제공받으면 상기 FIMS부에서 이송되어 상기 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 가스를 차단하는 가스공급부;를 포함하며,
    상기 로드셀제어부와 연결되어 상기 스테이지부에 상기 웨이퍼 수납부가 안착되는 과정과 상기 스테이지부에 안착된 상기 웨이퍼 수납부에 상기 가스가 공급되는 과정을 모니터링할 수 있는 웨이퍼모니터링부;를 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
  7. 청구항 6항에 있어서,
    상기 로드셀부는
    전원을 제공받아 동작하는 전원공급부;
    상기 전원공급부로부터 상기 전원을 제공받아 동작하되, 상기 웨이퍼 수납부가 상기 FIMS부에 안착되는 경우 상기 웨이퍼 수납부에 수납된 상기 웨이퍼의 개수에 따른 유도신호를 출력하고, 미리 설정된 상기 기준신호를 출력하는 메인칩부;
    상기 메인칩부로부터 상기 유도신호와 상기 기준신호를 제공받아 노이즈신호를 제거하는 노이즈제거부;
    상기 노이즈제거부로부터 노이즈신호가 제거된 상기 유도신호와 상기 기준신호를 제공받아 증폭하는 신호증폭부;
    상기 신호증폭부로부터 증폭된 상기 유도신호와 상기 기준신호를 제공받아 비교하되, 상기 유도신호가 상기 기준신호이상의 높은 신호이면 하이신호를 출력하고, 상기 유도신호가 상기 기준신호보다 낮은 신호이면 로우신호를 출력하는 신호비교부; 및
    상기 신호비교부로부터 상기 하이신호 또는 상기 로우신호를 제공받아 상기 로드셀제어부에 제공하는 신호출력부;
    를 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
  8. 삭제
  9. 청구항 6항에 있어서,
    상기 웨이퍼모니터링부는 상기 모니터링되는 것에 대한 정보와 상기 기준신호에 대한 정보를 원거리에 있는 관리센터부와 송수신할 수 있는 관리통신부를 포함하고, 상기 관리센터부에서 제공하는 상기 기준신호에 대한 정보를 제공받아 상기 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
  10. 청구항 6항에 있어서,
    상기 웨이퍼모니터링부는 터치 스크린으로 형성되어 상기 기준신호에 대한 값을 직접 입력하여 상기 기준신호를 설정할 수 있는 것을 포함하는 반도체 공정설비에 사용되는 가스 절감장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
KR100509807B1 (ko) * 2003-02-04 2005-08-24 동부아남반도체 주식회사 Ｓｍｉｆ 장치의 그리퍼 아암의 수평이송장치
JP2011071217A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Fujikura Ltd 磁気センサ内蔵フレキシブルプリント基板およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
KR100509807B1 (ko) * 2003-02-04 2005-08-24 동부아남반도체 주식회사 Ｓｍｉｆ 장치의 그리퍼 아암의 수평이송장치
JP2011071217A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Fujikura Ltd 磁気センサ内蔵フレキシブルプリント基板およびその製造方法

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