KR20150103531A - 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150103531A
KR20150103531A KR1020140025086A KR20140025086A KR20150103531A KR 20150103531 A KR20150103531 A KR 20150103531A KR 1020140025086 A KR1020140025086 A KR 1020140025086A KR 20140025086 A KR20140025086 A KR 20140025086A KR 20150103531 A KR20150103531 A KR 20150103531A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust pipe
gas
pressure
pipe
exhaust
Prior art date
Application number
KR1020140025086A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101594930B1 (ko
Inventor
이창원
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020140025086A priority Critical patent/KR101594930B1/ko
Publication of KR20150103531A publication Critical patent/KR20150103531A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101594930B1 publication Critical patent/KR101594930B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 배기관 클리닝 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 배기관 클리닝 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버에서 공정 진행시 발생하는 부산물 및 잔류 가스를 배출하는 배기관을 갖는 배기 유닛; 및 상기 배기 유닛에 연결되어 상기 배기관을 클리닝하는 배기관 클리닝 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 배기관에 설치되어 상기 배기관을 개폐하는 배기관 밸브와, 상가 배기관 밸브보다 하류에서 상기 배기관에 설치되는 감압 부재를 포함하고, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 가스 버퍼 탱크와, 상기 가스 버퍼 탱크와 상기 배기관을 연결하여 상기 가스 버퍼 탱크로부터 상기 배기관에 가스를 공급하는 제1 가스 공급관과, 상기 제1 가스 공급관에 설치되어 상기 제1 가스 공급관을 개폐하는 제1 공급관 밸브를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND EXHAUST LINE CLEANING METHOD}
본 발명은 배기관 클리닝 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 배기관 클리닝 방법에 관한 것이다.
반도체를 제조하는 공정에 사용되는 반도체 장치들은 원하는 공정을 구현하기 위하여 다양한 종류의 가스들을 사용한다. 이때 다양한 반응들이 공정 챔버에서 진행되고 이로부터 다양한 부산물들이 발생된다. 이러한 부산물들은 공정 챔버에 연결된 배기관을 통해서 배출되는데 배출되는 부산물들이 배기관에 누적 적층되면서 배기관을 막는(clogging) 현상이 발생한다.
이를 제어하기 위한 일반적인 기술들의 일예가 도 1a 및 도 1b에 도시되어 있다. 도 1a에서는 챔버(1)에 연결되고 펌프(3)가 설치된 배기관(2)을 히터(5) 등에 의해 가열하여 부산물이 배기관(2) 내에 적층되지 않고 배출되도록 한다. 또한, 도 1b에서는 콜드 트랩(cold trap,6)을 배기관(2) 중간에 설치하여 부산물을 콜드 트랩(6)에 쌓이도록 하여 일정 기간이 지나면 이를 교체하는 방법을 이용한다.
그러나 상기와 같은 기술들은, 도 1a와 같이 히터(5)를 감는 방법은 배기관(2)의 길이가 길어지면 전체 배기관을 히터로 감싸게 되어 너무 많은 비용이 소요되는 단점이 있다. 또한, 도 1b의 경우는 일정 기간마다 부산물이 모아진 콜드 트랩(6)을 장비의 운용을 정지한 상태에서 주기적으로 교체해 주어야 하는 문제점이 있다. 이는 장치의 유지 비용의 증가와 생산성 저하로 연결된다.
본 발명은 공정 중 발생하는 부산물 및 잔류 가스가 배기관에서 원활하게 배출될 수 있도록 함으로써 배기 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 부산물 및 잔류 가스에 의해 배기관이 막히지 않도록 배기관을 용이하게 클리닝할 수 있는 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버에서 공정 진행시 발생하는 부산물 및 잔류 가스를 배출하는 배기관을 갖는 배기 유닛; 및 상기 배기 유닛에 연결되어 상기 배기관을 클리닝하는 배기관 클리닝 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 배기관에 설치되어 상기 배기관을 개폐하는 배기관 밸브와, 상가 배기관 밸브보다 하류에서 상기 배기관에 설치되는 감압 부재를 포함하고, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 가스 버퍼 탱크와, 상기 가스 버퍼 탱크와 상기 배기관을 연결하여 상기 가스 버퍼 탱크로부터 상기 배기관에 가스를 공급하는 제1 가스 공급관과, 상기 제1 가스 공급관에 설치되어 상기 제1 가스 공급관을 개폐하는 제1 공급관 밸브를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 가스 버퍼 탱크 내에 상기 가스를 유입시키는 가스 유입관과, 상기 가스 유입관에 설치되어 상기 가스 유입관을 개폐하는 유입관 밸브를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 가스 버퍼 탱크 내의 압력을 측정하는 탱크 압력 센서를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 탱크 압력 센서에서 측정한 압력값을 전송받아 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 탱크 압력 센서의 측정 압력이 설정 압력 이상인 상태에서 상기 배기관 밸브를 닫은 후 상기 제1 공급관 밸브를 열도록 제어한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 배기관 밸브와 상기 감압 부재 사이에 위치되어 상기 배기관 내의 압력을 측정하는 배기관 압력 센서를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 배기관 압력 센서에서 측정한 압력값을 전송받아 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 배기관 압력 센서의 측정 압력이 일정 압력 이상이면 상기 배기관 밸브를 닫은 후 상기 제1 공급관 밸브를 열도록 제어한다.
일 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 배기관 압력 센서에서 측정된 압력값에 따라 상기 가스 버퍼 탱크 내의 압력을 조절한다.
일 예에 의하면, 상기 제1 가스 공급관은 상기 배기관 밸브보다 하류에서 상기 배기관에 연결된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 가스 공급관은 상기 배기관에 수직하게 연결된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 가스 공급관은 상기 배기관의 하류를 향해 상기 배기관에 경사지게 연결된다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 제1 가스 공급관에서 분기되는 제2 가스 공급관과, 상기 제2 가스 공급관에 설치되어 상기 제2 가스 공급관을 개폐하는 제2 공급관 밸브를 더 포함하되, 상기 제2 가스 공급관은 상기 제1 가스 공급관보다 단면적이 작도록 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 배기관 내의 상태에 따라 상기 제1 가스 공급관 또는 상기 제2 가스 공급관 중 어느 하나, 혹은 상기 제1 가스 공급관 및 상기 제2 가스 공급관 모두를 통해 상기 배기관에 상기 가스를 공급하도록 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브 및/또는 상기 제2 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 클리닝 유닛은, 상기 가스 버퍼 탱크 내의 압력을 측정하는 탱크 압력 센서와, 상기 배기관 밸브와 상기 감압 부재 사이에 위치되어 상기 배기관 내의 압력을 측정하는 배기관 압력 센서와, 상기 탱크 압력 센서에서 측정한 압력값과 상기 배기관 압력 센서에서 측정한 압력값을 전송받아 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 탱크 압력 센서의 측정 압력이 상기 배기관 압력 센서의 측정 압력보다 높은 상태에서 상기 배기관 압력 센서의 측정 압력이 일정 압력에 도달하면, 상기 배기관 밸브를 닫은 후 상기 제1 공급관 밸브를 열도록 제어한다.
일 예에 의하면, 상기 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 또는 에어(air) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 본 발명은 배기관 클리닝 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 배기관 클리닝 방법은 챔버에 연결된 배기관에 가스 버퍼 탱크를 연결하고 상기 가스 버퍼 탱크 내부가 설정 압력 이상으로 유지되도록 가스를 채우고, 상기 배기관 세정시 상기 가스 버퍼 탱크 내의 상기 가스를 상기 배기관으로 공급한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 내부의 압력을 측정하고 그 측정 압력이 기설정된 세정 압력에 도달하면 상기 가스 버퍼 탱크 내의 상기 가스를 상기 배기관으로 공급한다.
일 예에 의하면, 상기 배기관 내부가 상기 세정 압력에 도달하기 전에 상기 가스 버퍼 탱크 내부는 상기 가스가 채워져 상기 설정 압력 이상으로 유지된다.
일 예에 의하면, 상기 가스 버퍼 탱크 내부의 압력을 측정하고 그 측정 압력이 상기 설정 압력에 도달하면 상기 가스 버퍼 탱크 내의 상기 가스를 상기 배기관으로 공급한다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법은 공정 중 발생하는 부산물 및 잔류 가스가 배기관에서 원활하게 배출될 수 있도록 함으로써 배기 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법은 부산물 및 잔류 가스에 의해 배기관이 막히지 않도록 배기관을 용이하게 클리닝할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법은 내부 부품 등의 교체가 필요 없어 유지 비용이 저렴한 장점이 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1a 및 도 1b는 배기관의 막힘을 방지하는 방법의 일반적인 예이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 8은 도 2의 기판 처리 장치의 다른 실시예들을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따라 배기관과 가스 버퍼 탱크 내의 압력 변화를 보여주는 그래프이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이고, 도 3 내지 도 8은 도 2의 기판 처리 장치의 다른 실시예들을 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 배기 유닛(200) 및 배기관 클리닝 유닛(300)을 포함한다. 이하 각 구성에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예에서 기판은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 기판 처리 장치는 플라즈마 또는 가스를 이용하여 애싱, 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.
챔버(100)에서는 상기와 같은 기판의 각종 처리 공정이 수행된다. 챔버(100)의 일면에는 배기홀(미도시)이 형성된다. 배기홀에는 배기 유닛(200)이 연결된다.
배기 유닛(200)은 배기관(210), 배기관 밸브(220) 및 감압 부재(230)를 포함한다. 배기관(210)은 챔버(100)의 배기홀에 연결되어 챔버(100)에서 공정 진행시 발생하는 파우더 등의 부산물 및/또는 각종 잔류 가스(residual gas)를 챔버(100) 외부로 배출한다. 배기관 밸브(220)는 배기관(210)에 설치되어 배기관(220)을 개폐한다. 감압 부재(230)는 배기관 밸브(220)보다 하류에서 배기관(210)에 설치된다. 또한, 감압 부재(230)는 제1 가스 공급관(320)이 연결되는 지점보다 하류에서 배기관(210)에 설치된다. 감압 부재(230)는 음압을 제공하여 배기관(210) 내의 압력을 낮춘다. 일예로 감압 부재(230)는 펌프가 동원될 수 있다.
배기관 클리닝 유닛(300)은 배기 유닛(200)에 연결되어 배기관(220)을 클리닝 한다. 배기관 클리닝 유닛(300)은 가스 버퍼 탱크(310), 제1 가스 공급관(320) 및 제1 공급관 밸브(330)를 포함한다.
가스 버퍼 탱크(310)에는 가스(g)가 채워진다. 가스 버퍼 탱크(310) 내부는 배기관(220)에 가스(g)를 공급 전 또는 공급 후 일정 시간 경과시에는 항상 일정 압력으로 유지된다. 가스 버퍼 탱크(310)에 채워지는 가스(g)는 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 또는 에어(air) 등의 비활성 가스 중 어느 하나가 제공될 수 있다.
제1 가스 공급관(320)은 가스 버퍼 탱크(310)와 배기관(210)을 연결하여 가스 버퍼 탱크(310)로부터 배기관(210)에 가스(g)를 공급한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 가스 공급관(320)은 배기관 밸브(220)보다 하류에서 배기관(210)에 연결된다.
제1 가스 공급관(320)은 도 2와 같이 배기관(210)에 수직하게 연결될 수 있다. 또한, 도 3을 참조하면, 제1 가스 공급관(320)은 배기관(210)의 하류를 향해 배기관(210)에 경사지게 연결될 수 있다. 도 3과 같이 경사지게 연결된 제1 가스 공급관(320)은 수직하게 연결된 것보다 가스(g)의 흐름을 원활하게 제공할 수 있다. 이러한 구조는 수직 연결 구조보다 와류의 발생을 감소시킴으로써 배기관(210) 내부를 클리닝하는데 있어 도움을 줄 수 있다.
제1 공급관 밸브(330)는 제1 가스 공급관(320)에 설치되어 제1 가스 공급관(320)을 개폐한다. 즉, 제1 가스 공급관(320)은 제1 공급관 밸브(330)의 개폐를 통해 배기관(210)에 상기 가스를 공급하거나 상기 가스의 공급을 중단한다.
따라서, 배기관 클리닝 유닛(300)은 가스 버퍼 탱크(310) 내의 가스(g)를 제1 공급관 밸브(330)를 조작하여 제1 가스 공급관(320)을 통해 배기관(210)에 공급하여 배기관(210)의 클리닝을 수행한다.
배기관 클리닝 유닛(300)은 챔버(100)에서 처리 공정이 수행되는 횟수, 처리되는 기판의 개수 또는 미리 설정된 일정 시간마다 배기관(210)을 클리닝할 수 있다.
도 4를 참조하면, 배기관 클리닝 유닛(300)은 가스 유입관(340) 및 유입관 밸브(350)를 더 포함한다. 가스 유입관(340)은 가스 저장부(미도시)로부터 가스 버퍼 탱크(310) 내부로 가스(g)를 유입시킨다. 유입관 밸브(350)는 가스 유입관(340)에 설치되어 가스 유입관(340)을 개폐한다. 가스 버퍼 탱크(310)는 가스 유입관(340)과 유입관 밸브(350)를 통해 필요한 양의 가스를 제공받아 내부가 항상 일정 압력으로 유지될 수 있다.
도 5 내지 도 6을 참조하면, 배기관 클리닝 유닛(300)은 탱크 압력 센서(360) 또는 배기관 압력 센서(370) 중 어느 하나와 제어기(380)를 더 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 탱크 압력 센서(360)는 가스 버퍼 탱크(310)에 설치되어 가스 버퍼 탱크(310) 내의 압력을 측정한다. 따라서 가스 버퍼 탱크(310)는 탱크 압력 센서(360)를 통해 내부에 보유되는 가스(g)의 양을 적절히 조절할 수 있다.
제어기(380)는 탱크 압력 센서(360)에서 측정한 압력값을 전송받아 배기관 밸브(220)와 제1 공급관 밸브(330)를 제어한다. 제어기(380)는 탱크 압력 센서(360)의 측정 압력이 설정 압력 이상인 상태에서 배기관 밸브(220)를 닫은 후 제1 공급관 밸브(330)를 열도록 제어한다.
가스 버퍼 탱크(310)의 설정 압력은 배기관(210) 내의 압력보다 매우 높게 설정될 수 있다. 즉, 가스 버퍼 탱크(310) 내의 고압의 가스(g)를 배기관(210)에 높은 압력차를 통해 공급함으로써 배기관(210) 내에 쌓이는 부산물 및/또는 잔류 가스를 클리닝할 수 있다. 또한, 배기관(210)에 공급되는 가스(g)의 챔버(100) 내의 유입 또는 배출되어야 하는 부산물 등이 챔버(100) 내로 역류하는 것을 방지하기 위해 가스(g) 공급 전에는 배기관 밸브(220)를 닫는 것이 선행되어야 한다.
도 6을 참조하면, 배기관 압력 센서(370)는 배기관 밸브(220)와 감압 부재(230) 사이에 위치되어 배기관(210) 내의 압력을 측정한다. 제어기(380)는 배기관 압력 센서(370)에서 측정한 압력값을 전송받아 배기관 밸브(220)와 제1 공급관 밸브(330)를 제어한다. 제어기(380)는 배기관 압력 센서(370)의 측정 압력이 일정 압력 이상이면 배기관 밸브(220)를 닫은 후 제1 공급관 밸브(330)를 열도록 제어한다.
배기관(210)을 통해서 배출되는 부산물 및/또는 잔류 가스 등은 배기관(210) 내에 누적 적층되면서 배기관(210)을 막는(clogging) 현상이 발생한다. 배기관(210) 내부에 부산물 등이 쌓일수록 배기관(210)을 통한 부산물 등의 배출은 어렵게 되고 배기관(210) 내의 압력은 점점 높아지게 된다.
따라서 제어기(380)는 배기관 압력 센서(370)가 측정한 압력값이 미리 설정된 기준값 이상이면 배기관 밸브(220)를 닫은 후 제1 공급관 밸브(330)를 열도록 작동시켜 배기관(210)을 클리닝한다.
또한, 제어기(380)는 배기관 압력 센서(370)에서 측정된 압력값에 따라 가스 버퍼 탱크(310) 내의 압력을 조절할 수 있다. 제어기(380)는 배기관 압력 센서(370)의 측정값을 전송받아 유입관 밸브(350)를 적절히 개폐함으로써 가스 버퍼 탱크(310) 내의 압력을 조절한다.
배기관 클리닝 유닛(300)이 배기관(210)을 원활하게 클리닝하기 위해서는 가스 버퍼 탱크(310) 내의 압력이 배기관(210) 내의 압력보다 항상 일정 수준 높게 유지되어야 한다. 따라서 가스 버퍼 탱크(310) 내의 압력은 배기관 압력 센서(370)의 측정값에 따라 적절하게 조절될 수 있다.
즉, 가스 버퍼 탱크(310) 내의 압력은 배기관(210) 내의 압력값보다 항상 일정 수준 정도만 높으면 되므로, 가스 버퍼 탱크(310) 내에 항상 최고의 압력을 유지시킬 필요는 없다. 이와 달리, 가스 버퍼 탱크(310) 내의 압력은 배기관(210) 내의 압력값과 관계없이 항상 높은 수준의 일정 압력을 유지할 수도 있다.
도 7을 참조하면, 배기관 클리닝 유닛(300)은 탱크 압력 센서(360), 배기관 압력 센서(370) 및 제어기(380)를 포함할 수 있다. 즉, 배기관 클리닝 유닛(300)은 탱크 압력 센서(360)와 배기관 압력 센서(370)를 모두 포함할 수 있다. 탱크 압력 센서(360)와 배기관 압력 센서(370)의 기능과 이에 대한 설명은 상기와 동일하므로 생략한다.
제어기(380)는 탱크 압력 센서(360)에서 측정한 압력값과 배기관 압력 센서(370)에서 측정한 압력값을 모두 전송받아 배기관 밸브(220)와 제1 공급관 밸브(330)를 제어한다.
즉, 제어기(380)는 탱크 압력 센서(360)의 측정 압력이 배기관 압력 센서(370)의 측정 압력보다 높은 상태에서, 배기관 압력 센서(370)의 측정 압력이 미리 설정된 일정 압력에 도달하면, 먼저 배기관 밸브(220)를 닫은 후 제1 공급관 밸브(330)를 열도록 제어한다.
도 8을 참조하면, 배기관 클리닝 유닛(300)은 제2 가스 공급관(322), 제2 공급관 밸브(324) 및 제어기(380)를 더 포함할 수 있다.
제2 가스 공급관(322)은 제1 가스 공급관(320)에서 분기되어 배기관(210)에 연결된다. 제2 공급관 밸브(324)는 제2 가스 공급관(322)에 설치되어 제2 가스 공급관(322)을 개폐한다. 여기서 제2 가스 공급관(322)은 제1 가스 공급관(320)보다 단면적이 작도록 제공된다.
제어기(380)는 배기관(210) 내의 상태에 따라 제1 가스 공급관(320) 또는 제2 가스 공급관(322) 중 어느 하나, 혹은 제1 가스 공급관(320) 및 제2 가스 공급관(322) 모두를 통해 배기관(210)에 가스(g)를 공급하도록 배기관 밸브(220)와, 제1 공급관 밸브(330) 및/또는 제2 공급관 밸브(324)를 제어한다.
여기서 배기관(210) 내의 상태는 챔버(100)에서 처리 공정이 수행되는 횟수, 처리되는 기판의 개수 또는 미리 설정된 일정 시간 단위로 판단할 수 있다. 더불어, 배기관(210) 내의 상태는 배기관 압력 센서(370)를 통해 측정된 압력값의 변화로 체크할 수도 있다.
제어기(380)는 공정 횟수나 기판의 매수의 증가, 단위 시간의 장단 또는 압력값이 미리 설정된 기준 압력에 도달할 때마다 상기 밸브들을 적절히 조절하여 배기관(210)에 공급되는 가스(g)의 양을 조절할 수 있다.
예를 들어, 배기관(210) 내의 압력값이 높으면 제1 공급관 밸브(330)만을 열거나, 제1 공급관 밸브(330)와 제2 공급관 밸브(324)를 모두 오픈한다. 만약 배기관(210) 내의 측정 압력이 낮으며 단면적이 작은 제2 공급관 밸브(324)만을 열 수 있다. 물론, 제1 공급관 밸브(330) 및/또는 제2 공급관 밸브(324)를 오픈하기 전에는 배기관 밸브(220)를 닫는 동작이 선행되어야 한다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따라 배기관과 가스 버퍼 탱크 내의 압력 변화를 보여주는 그래프이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 배기관 클리닝 방법은 챔버(100)에 연결된 배기관(210)에 가스 버퍼 탱크(310)를 연결하고, 가스 버퍼 탱크(310) 내부가 설정 압력 이상으로 유지되도록 가스(g)를 채우고, 배기관(210) 세정시 가스 버퍼 탱크(310) 내의 고압의 가스(g)를 배기관(210)으로 공급한다.
또한, 배기관 압력 센서(370)를 통해 배기관(210) 내부의 압력을 측정하고 그 측정 압력이 기설정된 세정 압력에 도달하면 가스 버퍼 탱크(310) 내의 가스(g)를 배기관(210)으로 공급한다. 이 경우, 배기관(210) 내부가 상기 세정 압력에 도달하기 전에 가스 버퍼 탱크(310) 내부는 가스(g)가 채워져 상기 설정 압력 이상으로 유지된다.
더불어, 탱크 압력 센서(360)를 통해 가스 버퍼 탱크(310) 내부의 압력을 측정하고 그 측정 압력이 상기 설정 압력에 도달하면 가스 버퍼 탱크(310) 내의 가스(g)를 배기관(210)으로 공급한다.
상기와 같은 구성 및 방법을 갖는 본 발명은 공정 중 발생하는 부산물 및/또는 잔류 가스가 배기관에서 원활하게 배출될 수 있도록 함으로써 배기 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 내부 부품 등의 교체가 필요 없어 유지 비용이 저렴한 장점이 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판 처리 장치 100 : 챔버
200 : 배기 유닛 210 : 배기관
220 : 배기관 밸브 230 : 감압 부재
300 : 배기관 클리닝 유닛 310 : 가스 버퍼 탱크
320 : 제1 가스 공급관 330 : 제1 공급관 밸브
340 : 가스 유입관 350 : 유입관 밸브
360 : 탱크 압력 센서 370 : 배기관 압력 센서
380 : 제어기

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판의 처리 공정이 수행되는 챔버;
    상기 챔버에 연결되어 상기 챔버에서 공정 진행시 발생하는 부산물 및 잔류 가스를 배출하는 배기관을 갖는 배기 유닛; 및
    상기 배기 유닛에 연결되어 상기 배기관을 클리닝하는 배기관 클리닝 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 배기관에 설치되어 상기 배기관을 개폐하는 배기관 밸브와,
    상가 배기관 밸브보다 하류에서 상기 배기관에 설치되는 감압 부재를 포함하고,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    가스 버퍼 탱크와,
    상기 가스 버퍼 탱크와 상기 배기관을 연결하여 상기 가스 버퍼 탱크로부터 상기 배기관에 가스를 공급하는 제1 가스 공급관과,
    상기 제1 가스 공급관에 설치되어 상기 제1 가스 공급관을 개폐하는 제1 공급관 밸브를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 가스 버퍼 탱크 내에 상기 가스를 유입시키는 가스 유입관과,
    상기 가스 유입관에 설치되어 상기 가스 유입관을 개폐하는 유입관 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 가스 버퍼 탱크 내의 압력을 측정하는 탱크 압력 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 탱크 압력 센서에서 측정한 압력값을 전송받아 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 탱크 압력 센서의 측정 압력이 설정 압력 이상인 상태에서 상기 배기관 밸브를 닫은 후 상기 제1 공급관 밸브를 열도록 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 배기관 밸브와 상기 감압 부재 사이에 위치되어 상기 배기관 내의 압력을 측정하는 배기관 압력 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 배기관 압력 센서에서 측정한 압력값을 전송받아 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 배기관 압력 센서의 측정 압력이 일정 압력 이상이면 상기 배기관 밸브를 닫은 후 상기 제1 공급관 밸브를 열도록 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제 7항 또는 제 8항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 배기관 압력 센서에서 측정된 압력값에 따라 상기 가스 버퍼 탱크 내의 압력을 조절하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 가스 공급관은 상기 배기관 밸브보다 하류에서 상기 배기관에 연결되는 기판 처리 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 가스 공급관은 상기 배기관에 수직하게 연결되는 기판 처리 장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 가스 공급관은 상기 배기관의 하류를 향해 상기 배기관에 경사지게 연결되는 기판 처리 장치.
  13. 제 1항 또는 제 6항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 제1 가스 공급관에서 분기되는 제2 가스 공급관과,
    상기 제2 가스 공급관에 설치되어 상기 제2 가스 공급관을 개폐하는 제2 공급관 밸브를 더 포함하되,
    상기 제2 가스 공급관은 상기 제1 가스 공급관보다 단면적이 작도록 제공되는 기판 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 배기관 내의 상태에 따라 상기 제1 가스 공급관 또는 상기 제2 가스 공급관 중 어느 하나, 혹은 상기 제1 가스 공급관 및 상기 제2 가스 공급관 모두를 통해 상기 배기관에 상기 가스를 공급하도록 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브 및/또는 상기 제2 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 배기관 클리닝 유닛은,
    상기 가스 버퍼 탱크 내의 압력을 측정하는 탱크 압력 센서와,
    상기 배기관 밸브와 상기 감압 부재 사이에 위치되어 상기 배기관 내의 압력을 측정하는 배기관 압력 센서와,
    상기 탱크 압력 센서에서 측정한 압력값과 상기 배기관 압력 센서에서 측정한 압력값을 전송받아 상기 배기관 밸브와 상기 제1 공급관 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 탱크 압력 센서의 측정 압력이 상기 배기관 압력 센서의 측정 압력보다 높은 상태에서 상기 배기관 압력 센서의 측정 압력이 일정 압력에 도달하면, 상기 배기관 밸브를 닫은 후 상기 제1 공급관 밸브를 열도록 제어하는 기판 처리 장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 또는 에어(air) 중 어느 하나인 기판 처리 장치.
  17. 챔버에 연결된 배기관에 가스 버퍼 탱크를 연결하고 상기 가스 버퍼 탱크 내부가 설정 압력 이상으로 유지되도록 가스를 채우고, 상기 배기관 세정시 상기 가스 버퍼 탱크 내의 상기 가스를 상기 배기관으로 공급하는 배기관 클리닝 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 배기관 내부의 압력을 측정하고 그 측정 압력이 기설정된 세정 압력에 도달하면 상기 가스 버퍼 탱크 내의 상기 가스를 상기 배기관으로 공급하는 배기관 클리닝 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 배기관 내부가 상기 세정 압력에 도달하기 전에 상기 가스 버퍼 탱크 내부는 상기 가스가 채워져 상기 설정 압력 이상으로 유지되는 배기관 클리닝 방법.
  20. 제 17항에 있어서,
    상기 가스 버퍼 탱크 내부의 압력을 측정하고 그 측정 압력이 상기 설정 압력에 도달하면 상기 가스 버퍼 탱크 내의 상기 가스를 상기 배기관으로 공급하는 배기관 클리닝 방법.
KR1020140025086A 2014-03-03 2014-03-03 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법 KR101594930B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140025086A KR101594930B1 (ko) 2014-03-03 2014-03-03 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140025086A KR101594930B1 (ko) 2014-03-03 2014-03-03 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150103531A true KR20150103531A (ko) 2015-09-11
KR101594930B1 KR101594930B1 (ko) 2016-02-17

Family

ID=54243712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140025086A KR101594930B1 (ko) 2014-03-03 2014-03-03 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101594930B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101981899B1 (ko) * 2018-08-09 2019-05-23 주식회사 기가레인 클리닝 기능이 구비된 반도체 공정 장비 및 이를 이용한 반도체 공정 장비의 클리닝 방법
KR20190074922A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 방법
CN110581086A (zh) * 2018-06-07 2019-12-17 爱思开海力士有限公司 用于捕获半导体制造设备的粉末的装置
KR20210046903A (ko) * 2019-10-18 2021-04-29 세메스 주식회사 유체 배출 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 유체 배출 방법
KR20210082200A (ko) * 2018-10-24 2021-07-02 나노사이즈드 스웨덴 에이비 반도체 제조를 위한 방법 및 배열 장치
KR20220081116A (ko) * 2020-12-08 2022-06-15 주식회사 한화 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치 및 이를 이용한 파우더 트랩의 세정 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102277550B1 (ko) * 2018-07-10 2021-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102262914B1 (ko) * 2020-01-22 2021-06-09 주식회사 피제이피테크 배기가스 처리 장치 및 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010058396A (ko) * 1999-12-27 2001-07-05 박종섭 배관막힘 방지장치
JP3183269B2 (ja) * 1998-09-09 2001-07-09 日本電気株式会社 反応生成物除去機能付き真空装置及びその反応生成物除去方法
KR20080056454A (ko) * 2006-12-18 2008-06-23 세메스 주식회사 반도체 제조 공정의 배기량 제어 방법 및 장치
KR20110054678A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 원영식 불활성가스를 이용한 잔류가스 제거장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3183269B2 (ja) * 1998-09-09 2001-07-09 日本電気株式会社 反応生成物除去機能付き真空装置及びその反応生成物除去方法
KR20010058396A (ko) * 1999-12-27 2001-07-05 박종섭 배관막힘 방지장치
KR20080056454A (ko) * 2006-12-18 2008-06-23 세메스 주식회사 반도체 제조 공정의 배기량 제어 방법 및 장치
KR20110054678A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 원영식 불활성가스를 이용한 잔류가스 제거장치

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190074922A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 방법
CN110581086A (zh) * 2018-06-07 2019-12-17 爱思开海力士有限公司 用于捕获半导体制造设备的粉末的装置
KR20190138996A (ko) * 2018-06-07 2019-12-17 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 제조 장비의 파우더 포집 장치
KR101981899B1 (ko) * 2018-08-09 2019-05-23 주식회사 기가레인 클리닝 기능이 구비된 반도체 공정 장비 및 이를 이용한 반도체 공정 장비의 클리닝 방법
CN110400736A (zh) * 2018-08-09 2019-11-01 吉佳蓝科技股份有限公司 具备清洁功能的半导体工艺设备及其清洁方法
TWI697583B (zh) * 2018-08-09 2020-07-01 南韓商吉佳藍科技股份有限公司 具備清潔功能的半導體製程設備及其清潔方法
KR20210082200A (ko) * 2018-10-24 2021-07-02 나노사이즈드 스웨덴 에이비 반도체 제조를 위한 방법 및 배열 장치
KR20210046903A (ko) * 2019-10-18 2021-04-29 세메스 주식회사 유체 배출 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 유체 배출 방법
US11752530B2 (en) 2019-10-18 2023-09-12 Semes Co., Ltd. Fluid discharging device, substrate processing system including same, and fluid discharging method thereof
KR20220081116A (ko) * 2020-12-08 2022-06-15 주식회사 한화 반도체 제조 설비의 파우더 트랩용 세정장치 및 이를 이용한 파우더 트랩의 세정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101594930B1 (ko) 2016-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101594930B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법
US9523150B2 (en) Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device and computer-readable recording medium
TWI761389B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
US9305810B2 (en) Method and apparatus for fast gas exchange, fast gas switching, and programmable gas delivery
US20150311100A1 (en) Load port unit and efem system
JP6080506B2 (ja) 真空装置、その圧力制御方法及びエッチング方法
JP2010147451A (ja) Foup用n2パージ装置
US10607819B2 (en) Cleaning method and processing apparatus
CN105374705A (zh) 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
KR20200023220A (ko) 기판 반송 모듈 및 기판 반송 방법
KR20050028943A (ko) 저압 화학기상증착 장치의 압력조절 시스템
JP2013500595A (ja) プロセスチャンバのクリーニング
US20180230597A1 (en) Method and apparatus of remote plasmas flowable cvd chamber
KR100806041B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법
US8029874B2 (en) Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere
KR100549946B1 (ko) 반도체 제조설비의 진공누설 검출장치
JP2019516242A (ja) ウエハガス放出のためのプラズマエンハンストアニールチャンバ
CN107093544B (zh) 预清洗腔室及半导体加工设备
US11270895B2 (en) Gas introduction structure, treatment apparatus, and treatment method
JP2010177357A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
KR20080014938A (ko) 반도체 공정챔버내 정전척의 파티클 제거장치
JP2017112237A (ja) 減圧処理装置
US12031885B2 (en) Leak detection for gas sticks
US20230402268A1 (en) Plasma preclean system for cluster tool
JP5013484B2 (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法および半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 4