KR20210082200A - 반도체 제조를 위한 방법 및 배열 장치 - Google Patents

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Abstract

세척용수 공급 배열 장치(50)는 초순수 생산 유닛(54), 공급 파이프(52), 운전 제어기(53) 및 초순수 추력 배열(55)를 포함한다. 공급 파이프(52)의 제1말단부는 초순수 생산 유닛(54)의 출력과 연결되어 있다. 공급 파이프(52)의 제2말단부는 반도체 세척 장비와 연결되도록 적응된다. 운전 제어기(53)는 초순수 생산 유닛(54)를 제어하여 요구시 기결정된 양의 초순수를 생산하도록 구성된다. 초순수 추력 배열(55)은 불활성 기체의 공급원에 접근할 수 있고, 기결정된 양의 초순수를 전달한 후에 불활성 가스를 사용하여 공급 파이프(52)를 물로부터 헹궈내도록 구성된다. 반도체 세척 시스템, 반도체 생산 시스템 및 세척용수를 공급하는 방법 역시 개시된다.

Description

반도체 제조를 위한 방법 및 배열 장치
본 발명은 전반적인 반도체 제조와 관련되고, 특히 반도체 제조 중의 세척 과정과 관련된다.
반도체 제품들의 질은 생산 과정 중의 청결도에 크게 좌우된다. 오늘날 반도체 웨이퍼의 생산은 보통 적어도 일부분이라도 청결한 공간에 포함된 생산 라인에서 이루어진다. 생산되는 반도체 제품들의 구성요소들의 라인 폭들이 줄어들면서 생산 중 청결 조건의 중요성이 점점 커지고 있다.
전자 부품의 생산에서, 오늘날의 일반적인 추세는 더욱더 작고 작은 라인 폭을 가지는 전자 회로를 생산하는 것이다. 오늘날, 일부 전자제품 생산자들은 대략 400nm의 라인 폭을 가지는, 상업적으로 이용 가능한 나노칩들을 제공한다. 하지만, 연구 프로젝트들에서는, 10nm 또는 심지어 5nm의 더 작은 라인 폭들도 보고되고 있다. 따라서 많은 소형 전자회로 사용자들에 의해, 10nm 또는 5nm 이하의 라인 폭을 가진 칩이 상용 제품으로 사용될 수 있도록 요구되고 있다.
하지만, 연구 결과와 사용 가능한 상용 제품 간에는 항상 상당한 차이가 존재한다. 연구 개발 중에 사용되는 방식들이 대규모 생산에서 직접 구현하기에 항상 적절한 것은 아니다.
생산 라인은 50개 또는 심지어 최대 100개 이상의 공정 단계를 포함할 수 있다. 제조 과정에서 칩과 접촉하는 입자는 소형 라인 폭 전자제품 생산의 한계 요인들 중 하나이다. 이를 위해, 전체 생산 라인은 일반적으로 가능한 한 사람과의 접촉을 줄일 수 있는 초 청정 환경 내에 위치한다. 특정한 프로세스 단계들 사이에, 칩을 세척하는 것이 필요한데, 예를 들어 이전 프로세스 단계에서 생긴 과도한 화학 물질 또는 입자들을 제거하기 위해 필요하다.
일반적으로, 초순수(Ultra-pure water, UPW) 생산 유닛은 초순수를 생산하고, 이를 탱크에 저장한다. 각각의 세척 단계에서 이 UPW는 화학 물질과 입자를 제거하기 위해 칩을 플러싱하도록 이용된다.
공개된 미국특허 US6461519 B1에서는 반도체 제조용 초순수 생산 공정이 개시된다. 첫 번째 처리 단계에서, 처리되지 않은 물, 예를 들어 도시 용수 또는 샘물은 일정 수준의 청결도에 도달하기 위해 사전 처리된다. 최종 처리 단계는 분산되어 있는데, 각각의 최종 정화 유닛은 각 제조 유닛의 청정 영역에 가까운 서비스 영역에 제공된다. 이와 같은 최종 처리의 분산은 최초 처리 유닛과 각각의 최종 처리 유닛 간에 가격이 저렴한 파이프를 사용할 수 있도록 한다. 각각의 최종 처리 유닛과 이에 대응하는 제조 유닛 간의 짧은 거리는 이들 사이에 고품질 파이프를 사용할 수 있도록 하고, 이는 오염이 덜 일어나도록 할 수 있다.
이와 같은 접근은 세척용수의 청결도를 한 단계 발전시킨다. 하지만, 남아 있는 저오염 공급 라인은 여전히 오염의 원인이 되고, 저장고 및/또는 파이프에 저장된 다음 세척 단계를 기다리는 모든 초순수는 여전히 오염 증가를 초래한다.
전반적인 목적은 반도체 생산을 위한 초순수의 청정도를 개선할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은 독립항들에 따른 방법 및 장치에 의해 달성된다. 바람직한 실시예는 종속항들에 정의된다.
제안된 기술의 한 장점은 반도체 생산라인의 세척 단계에 제공되는 초순수의 청정도가 개선된다는 점이다. 다른 장점들은 상세한 설명을 읽으면서 확인될 수 있을 것이다.
초순수는 세척용으로 사용할 수 있는 흥미로운 특성을 가지고 있다. 식수 수준에 비해 용존 물질이 훨씬 부족하기 때문에, 초순수는 거의 모든 물질에 대한 친화력이 강하다. 따라서 반도체 제조 라인에서 초순수를 세척액으로 사용하는 것은 매우 유리하고, 수년 전부터 알려져 있다. 세척액에 남아 있는 입자는 제조 과정에서 얻어진 기하학적 구조를 어긋나게 할 수 있기 때문에, 나노칩을 생산할 때 입자가 없는 것이 중요하다.
오염에 대한 친화력이 높아, 초순수는 저장과 운송 과정에서도 물질을 용해할 수 있다. 반도체 제조라인 내 초순수 생산 유닛과 세척 단계 간 저장시간 및 운송 거리를 최소화하는 데에 많은 노력이 투입되었다. 초순수의 작용에 어느 정도 견딜 수 있는 재료로 덮인 파이프와 저장 용기가 사용된다. 하지만, 이와 같은 재료는 비싸고, 오염에서 완전히 자유롭지는 않다. 수 나노미터의 라인 폭을 가지는 생산 칩으로 가면, 서로 다른 생산 단계에서 세척에 사용되는 물의 질을 확보하는 것은 매우 어려워진다.
초순수에 물질이 용해되는 것은 그 물질을 둘러싼 물질에만 달려 있는 것이 아니라, 접촉 시간, 즉 초순수가 물질을 용해하는 데에 사용할 수 있는 시간에도 달려 있다. 따라서, 모든 유형의 저장 장치는 좋지 않다. 또한, 수송관이 길 경우, 초순수의 다른 물질로의 노출 시간도 증가된다.
따라서, 여기에 개시된 기술은 초순수가 세척 대상물이 아닌 다른 부품과 접촉하는 시간을 줄이는 것을 목표로 한다.
본 발명은, 그 추가적인 목적 및 장점과 함께, 이하 설명과 함께 첨부된 도면을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다:
도 1은 반도체 생산 시스템의 일 실시예를 도식적으로 도시한다.
도 2는 반도체 제조 단계의 일 실시예를 도시한다.
도 3은 세척용수 공급 방법의 일 실시예의 단계들에 대한 흐름도를 도시한다.
도 4는 세척용수 공급 장치의 일 실시예에 대한 대략적인 도면을 도시한다.
도면 전체에서, 유사하거나 대응되는 요소들에 같은 참조 번호가 사용된다.
도 1은 클린룸 지역(20)에 포함된 반도체 제조 단계(10)를 포함하는 반도체 생산 시스템(1)의 일 실시예를 도식적으로 보여준다. 이 라인은 적어도 하나의 반도체 제조 단계(10)를 포함하지만, 일반적으로 복수, 예를 들어 50-100개의 단계를 포함한다. 서비스 지역(25)은 클린룸 지역(20)에 배치될 수 없거나 최소한 배치될 필요가 없는 필요한 서비스를 제공하기 위해 클린룸 지역 주변 또는 이와 연동된 위치에 위치한다.
일반적으로는 복수 개인, 적어도 하나의 반도체 제조 단계(10)는, 반도체 세척 장비(40) 및 세척용수 공급 배열 장치(50)를 포함하는 반도체 세척 시스템(30)을 포함한다. 세척 장비(40)는 dipping, agitating 또는 centrifuging 또는 이들의 조합을 사용해 반도체 부품들을 세척하고, 수동 또는 자동으로 작동된다. 세척용수 공급 배열 장치(50)는 수도관(51)을 통해 서비스 지역(25)로부터 물을 공급받는다. 수도관(51)에서 공급되는 물은 깨끗하지만, 초순수가 아닌 일반적인 수돗물이다.
종래 기술의 시스템에서는, 일반적으로 초순수의 생산은 서비스 지역에서 대신 제공되고, 그 이후에 초순수가 공급 배관을 통해 클린룸 지역으로 운반된다.
세척용수 공급 배열 장치(50)를 클린룸 지역(20)에 배치함으로써, 세척용수 공급 배열 장치(50)를 반도체 세척 장비(40)와 연결하는 공급 파이프(52)는 매우 짧게 만들어질 수 있다. 세척용수 공급 배열 장치의 본 발전은 클린룸 작동을 가능케 한다. 초순수를 생산할 때, 일정량의 열이 생산 유닛 주변의 공간으로 방출된다. 오늘날 서비스 지역에서 사용되는 것과 같이 큰 생산 유닛의 경우, 큰 생산 유닛을 클린룸 지역으로 이동시킬 때 방출되는 열의 양이 문제를 일으킬 수 있다. 하지만, 전체 생산 라인을 따라 퍼져 있는 소규모 국소 초순수 생산 유닛의 경우, 열 방출은 특별한 냉각 장치 없이도 일반적으로 허용될 수 있다.
반도체 생산 시스템(1)은 물론 클린룸 지역(20)과 서비스 지역(25) 모두에서 많은 다른 기능을 포함한다. 하지만, 그러한 기능들은 선행 기술에서 잘 알려져 있으며, 본 설명에 개시된 기술에 있어 큰 중요성은 없으므로 본 설명에서는 생략된다.
도 2는 반도체 제조 단계(10)의 일 실시예에 대해 더욱 자세히 도시한다. 반도체 제조 단계(10)는 반도체 제조 공정의 프로세싱 단계를 수행할 수 있는 프로세스 유닛(11)을 포함한다. 반도체 제품들은 원재료 또는 이전 단계인 상태에서 인입구(12)를 통해 프로세스 유닛(11)에 투입된다. 반도체 제품들은 종래 기술에 따른 공정에 따라 프로세스 유닛(11)에 의해 처리된다. 공정이 완료되고 처리된 반도체 제품이 세척되어야 할 경우, 연결부(13)를 통해 반도체 세척 시스템(30)의 반도체 세척 장비(40)로 반도체 제품들이 이관된다.
또는, 프로세스 유닛(11)과 반도체 세척 장비(40)가 하나의 공통 유닛으로 통합될 수도 있다.
반도체 세척 장비(40)의 세척 과정에는 일정량의 초순수가 필요하다. 이 양은 일반적으로 라인의 장치와 연동하여 결정되는데, 예를 들어 초순수량을 변수로 하는 함수에 대한 폐기율을 모니터링함으로써 결정된다. 이와 같이 결정되는 초순수의 요구되는 양은 추후의 제조 공정 중의 다른 상황에 따라 업데이트될 수도 있다.
처리된 반도체 제품들의 세척 준비가 완료되면, 세척용수 공급 배치 장치(50)는, 반도체 세척 장비(40)의 필요량에 대응하는 기결정된 양의 초순수를 반도체 세척 장비(40)에 공급하도록 요구된다. 이와 같은 공급의 작동 방식에 대해서는 이하 더욱 자세히 설명될 것이다.
세척 프로세스가 완료되면, 세척된 반도체 제품들이 인출구(14)를 통해 내보내져, (i) 이후의 반도체 제조 단계(10)으로 이관되거나, (ii) 최종 제품으로 산출된다.
도 3은 세척용수를 공급하는 방법의 일 실시예에 따른 단계들의 흐름도를 도시한다. S2단계에서, 기결정된 양의 초순수의 공급에 대한 요구가 세척용수 공급 배치 장치에 의해 수신된다. S4단계에서, 기결정된 양의 초순수가 생산된다. 이 생산은 따라서 요구에 의해서만(온 디맨드) 진행된다. S6단계에서, 생산과 직접적으로 연동되어, 기결정된 양의 초순수가 공급 파이프를 통해 반도체 세척 장비로 전달된다. 전달이 완료되면, 일반적으로 공급 파이프에 초순수가 일부 남아 있다. 이러한 초순수가 다음 전달까지의 시간 간격 동안 공급 파이프에 머물게 되면, 초순수가 상당히 오염될 수 있다. 따라서, S8단계에서, 공급 파이프는 물로부터 헹궈진다. 이와 같은 행굼은 기결정된 양의 초순수가 공급 파이프를 통해 전달된 이후, 바람직하게는 직후에 불활성 기체를 사용하여 이루어진다. 이와 같은 방식으로, 공급 시스템 내에 남아 있는 초순수가 없게 된다.
도 4는 세척용수 공급 배열 장치(50)의 일 실시예의 개략적인 도면을 도시한다. 수도관(51)은 초순수 생산 유닛(54)과 연결된다. 초순수 추력 배열(55)은 공급 파이프(52)를 통해 초순수를 초순수 생산 유닛(54)로부터 배출할 수 있도록 배치되어 있다. 공급 파이프(52)는 제1말단부를 통해 초순수 추력 배열(55)과 연결되어 있고, 제2말단부를 통해 반도체 세척 장비와 연결되어 있다. 초순수 추력 배열(55)은, 예를 들어 서비스 지역에 위치한 공급원과 연결된 가스 파이프(56)에 나타난 것과 같이, 불활성 기체의 공급원에 접근할 수 있다. 또는, 가스 컨테이너(57)가 제공될 수도 있다.
일 실시예에서, 초순수 생산 유닛(54)는, 이하 자세히 설명되겠지만, 요구에 따라(온 디맨드) 초순수를 생산한다. 초순수는 복수 개의 수용기(60)에 제공된다. 바람직하게는, 수용기(60)는 순차적인 방식으로 채워져, 이하 설명될 단계적 소모 절차를 용이하게 할 수 있다. 수용기(60)의 초순수가 공급 파이프(52)를 통해 비워지면, 압축된 불활성 기체를 포함하는 가스 파이프(56)와 비워질 수용기(60)의 제1말단부 간에 가스 연결(59)이 성립된다. 압축된 불활성 가스는 이에 따라 세척 장비로의 추후의 전달을 위해 수용기(60)의 내용물을 제2말단부를 통해 공급 파이프(52)로 밀어낸다. 일반적인 30psi의 압력을 가지는 불활성 가스는 일반적으로 대부분의 클린룸 시설에 제공되어 있고, 이와 같은 용도로 사용되기에 장점일 수 있다. 초순수 추력 배열(55)은 급수 단계에서 한 번에 하나의 수용기(60)를 비울 수 있도록 배치되어 있다. 이는 도면에 표시된 것과 같은 이동식 가스 연결(59) 또는 별도의 작동식 밸브와의 고정식 가스 연결들을 통해 구현될 수 있다.
즉, 초순수 생산 유닛(54)은 생산된 초순수가 인입되고, 생산된 초순수가 공급 파이프(52)로 제공되면서 인출될 복수 개의 수용기(60)를 포함한다.
다른 실시예에서, 공급 파이프에 공급될 새로이 생산된 초순수를 받기 위해 단일의 수용기가 사용될 수 있다.
또한, 다른 실시예에서, 공급 파이프를 통한 초순수의 전달은 다른 방법, 예를 들어 펌핑에 의해 이루어질 수 있다.
초순수 추력 배열(55)는 공급 파이프(52)를 통해 기결정된 양의 초순수를 공급받은 후 불활성가스로 공급 파이프(52)를 헹구도록 구성되어 있다. 예를 들어 도 4의 수용기(60)와 같은 추가적인 공간 또는 파이프가 초순수와 접촉하는 데에 사용된다면, 이들 역시 바람직하게는 사용 후 헹궈져야 한다. 불활성 가스는 이와 같은 목적, 즉 공급 파이프(52)에 잔류하는 초순수를 밀어내고 공급 파이프(52)의 내부 표면을 최소한 부분적으로 건조시키기 위한 용도로 사용된다. 이렇게 하면, 공급 파이프(52)(또는 수용기도, 존재한다면)에 더 이상 존재하는 물이 확실히 없게 되고, 이는 공급 파이프(52)의 내부 표면에서 용해되는 오염 입자 또는 오염 물질이 없다는 것을 보증한다.
세척용수 공급 배열 장치(50)은 초순수 생산 유닛(54)의 작동을 제어하는 운전 제어기(53)를 추가적으로 포함한다. 운전 제어기(53)는 초순수에 대한 요구를 수신하도록 구성되어 있다. 생산될 초순수의 양은 미리 구성되어 있거나 요구에 첨부되어 있다. 따라서, 운전 제어기(53)는 바람직하게는 기결정된 양의 초순수를 세팅하기 위해 구성된다. 운전 제어기(53)는, 요구에 대응하여, 초순수 생산 유닛을 제어하여 기결정된 양의 초순수를 생산하도록 구성된다.
바람직하게는, 초순수에 대한 요구는, 초순수가 제공될 전달 시간에 대한 정보를 동반한다. 운전 제어기(53)는, 바람직하게는, 요청된 양의 새로이 생산된 초순수가 요구된 시간에 만들어질 수 있도록 보증하는 생산 시작 시간을 결정한다. 이 생산 시간은 세척이 시작될 때 초순수가 사용 가능하여 생산 라인에 남아있는 것이 없도록 보증할 수 있는 시간으로 계획되어야 한다. 하지만, 동시에, 생산 시간은, 생산과 소비 사이의 평균 시간이 최대한 적도록, 즉 마지막에 생산된 초순수 방울들이 공급 파이프(52)에 제공되기 직전에 생산되도록 계획되어야 한다.
즉, 운전 제어기(53)는 수신된 요구에 의해 설정된 시간에 새로이 생성된 기설정된 양의 초순수를 제공할 수 있도록 초순수 생산 유닛(54)의 운전 타이밍을 제어할 수 있도록 구성된다.
도 4의 실시예에서, 수용기(60)는 순차적으로 채워질 수 있고, 반도체 세척 장비가 초순수를 받을 준비가 되면, 수용기(60)는 같은 순서로 비워진다. 이는 심지어, 마지막(또는 마지막 몇 개의) 수용기(60)가 첫 번째 수용기들이 비워짐과 동시에 채워지도록 타이밍을 최적화할 수 있는 가능성 역시 부여한다. 수용기 내부에서의 보관 시간 역시 따라서 감소된다.
바람직하게는, 초순수의 기결정된 양은 전술한 바와 같이 반도체 세척 장비의 세척 작업에 필요한 물의 양과 동일하다.
바람직한 실시예에서, 세척용수 공급 배열 장치(50)는 용수 분석부를 추가적으로 포함한다. 이러한 용수 분석부는 기결정된 양의 초순수에서 추출된 초순수 테스트용 부피에 포함된 입자 함량을 측정하기 위해 배치된다. 초순수 테스트용 부피의 물은 분석 후에 세척 절차에 다시 들어갈 수 없고, 이는 초순수의 기결정된 양은 이와 같이 변경된 부피에 대한 보상을 포함해야 한다는 것을 의미한다. 이에 따라 초순수의 청결도에 대한 검증 역시 이루어질 수 있다. 만일 불량 반도체 제품의 양이 지나치게 많아지면, 실제로 사용된 물의 수질을 역참조할 수 있게 되고, 이는 생산라인에서 오작동한 부품을 찾는 데에 도움이 될 수 있다. 이러한 분석은 종래 기술, 예를 들어 Precision Resistivity Measurements 방식에 의해, 최소한 그 사이즈가 100nm보다 크거나 100nm보다 약간 작은 입자에 대해 수행될 수 있다.
이상 설명된 실시예는 본 발명의 몇 가지 설명적인 예시로 이해되어야 한다. 통상의 기술자는 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 실시예에 여러 수정, 조합 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 이해할 것이다. 특히, 기술적으로 가능한 경우, 다른 실시예에서의 다른 부분에 대한 솔루션이 조합될 수도 있다. 하지만, 본 발명의 범위는, 첨부된 청구항에 의해 정의된다.

Claims (13)

  1. 세척용수 공급 배열 장치(50)에 있어서,
    초순수(Ultra-pure Water) 생산 유닛(54); 및
    상기 초순수 생산 유닛(54)의 출력부에 연결된 제1말단부를 가진 공급 파이프(52)를 포함하되; 상기 공급 파이프(52)의 제2말단부는 반도체 세척 장비(40)와 연결되도록 적응되고,
    요구에 따라 상기 초순수 생산 유닛(54)을 제어하여 기결정된 양의 초순수를 생성하기 위해 구성된, 상기 초순수 생산 유닛(54)을 위한 운전 제어기(53); 및
    상기 공급 파이프(52)를 통해 상기 기결정된 양의 초순수를 운반한 후에 불활성 기체를 사용해 상기 공급 파이프(52)를 물로부터 헹구기 위해 구성된, 상기 불활성 기체의 공급원에 접근할 수 있는 초순수 추력 배열(55)
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 세척용수 공급 배열 장치(50).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 초순수 추력 배열(55)은 상기 기결정된 양의 초순수를 상기 불활성 기체에 의한 추진에 의해 상기 공급 파이프(52)를 통해 운반하도록 설정된 것을 특징으로 하는 세척용수 공급 배열 장치(50).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 초순수 생산 유닛(54)이 클린룸 지역(20) 내에서 작동 가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 세척용수 공급 배열 장치(50).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 운전 제어기(53)는 상기 기결정된 양의 초순수를 세팅할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 세척용수 공급 배열 장치(50).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 운전 제어기(53)는 수신된 요구에 의해 설정된 시간에 상기 기결정된 양의 새로이 생산된 초순수를 제공하기 위해 상기 초순수 생산 유닛(54)의 작동 타이밍을 제어하기 위해 구성된 것을 특징으로 하는 세척용수 공급 배열 장치(50).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 초순수 생산 유닛(54)은 복수 개의 수용기(60)를 포함하되, 생산된 초순수가 상기 복수 개의 수용기(60)로 인입되고, 상기 복수 개의 수용기(60)로부터 인출된 상기 생산된 초순수가 상기 공급 파이프(52)에 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 세척용수 공급 배열 장치(50).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서,
    용수 분석부가, 상기 기결정된 양의 초순수로부터 추출된 초순수 테스트용 부피에 포함된 입자 함량을 측정하기 위해 배열된 것을 특징으로 하는 세척용수 공급 배열 장치(50).
  8. 반도체 세척 시스템(30)에 있어서,
    제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 따른 세척용수 공급 배열 장치(50); 및
    상기 공급 파이프(52)의 제2말단부와 연결된 반도체 세척 장비(40)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세척 시스템(30).
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기결정된 양의 초순수는 상기 반도체 세척 장비(40)의 세척 작업에서 요구되는 물의 양과 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 세척 시스템(30).
  10. 반도체 생산 시스템(1)에 있어서,
    적어도 하나의 반도체 제조 단계(10)를 포함하는 클린룸 지역(20); 및
    상기 클린룸 지역(20)과 연동된 위치에 위치한 서비스 지역(25)을 포함하되,
    상기 적어도 하나의 반도체 제조 단계(10)는, 상기 클린룸 지역(20) 내부에 위치한, 제8항 또는 제9항에 따른 반도체 세척 시스템(30)을 포함하고,
    상기 반도체 세척 시스템(30)의 상기 세척용수 공급 배열 장치(50)는 상기 서비스 지역(25)으로부터 물을 공급받는 것을 특징으로 하는 반도체 생산 시스템(1).
  11. 세척용수를 공급하는 방법에 있어서,
    기결정된 양의 초순수를 요구에 따라 생산하는 단계(S4); 및
    상기 생산과 연동하여, 상기 기결정된 양의 초순수를 공급 파이프(52)를 통해 반도체 세척 장비(40)에 전달하는 단계(S6)를 포함하되,
    상기 공급 파이프(52)를 통해 상기 기결정된 양의 초순수를 전달한 후에 불활성 기체를 사용해 상기 공급 파이프(52)를 물로부터 헹궈내는 단계(S8)
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 공급 파이프(52)를 통해 상기 초순수를 전달하는 상기 단계는 상기 불활성 기체에 의해 상기 초순수를 상기 공급 파이프(52)를 통해 추진하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항 및 제12항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기결정된 양의 초순수로부터 추출된 초순수 테스트용 부피에 포함된 입자 함량을 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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