KR20100134698A - 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치 - Google Patents

전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100134698A
KR20100134698A KR1020107023848A KR20107023848A KR20100134698A KR 20100134698 A KR20100134698 A KR 20100134698A KR 1020107023848 A KR1020107023848 A KR 1020107023848A KR 20107023848 A KR20107023848 A KR 20107023848A KR 20100134698 A KR20100134698 A KR 20100134698A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tool
electronic device
device manufacturing
operating
process tool
Prior art date
Application number
KR1020107023848A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101553286B1 (ko
Inventor
다니엘 오. 클락
필 챈들러
제이 제이. 정
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20100134698A publication Critical patent/KR20100134698A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101553286B1 publication Critical patent/KR101553286B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/38—Removing components of undefined structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes
    • Y10T137/0402—Cleaning, repairing, or assembling
    • Y10T137/0419—Fluid cleaning or flushing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키기 위한 방법이 제공되며, 상기 방법은, 프로세스 툴이 프로세스 모드에서 동작하고 있는 동안 제 1 유속으로 불활성 가스를 프로세스 툴 진공 펌프(process tool vacuum pump)로 도입하는 단계; 및 상기 프로세스 툴이 세정 모드(clean mode)에서 동작하고 있는 동안 제 2 유속으로 상기 불활성 가스를 상기 프로세스 툴 진공 펌프로 도입하는 단계를 포함한다. 많은 다른 실시예들이 제공된다.

Description

전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치{METHODS AND APPARATUS FOR CONSERVING ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING RESOURCES}
본 출원은 2008년 3월 25일 출원된 발명의 명칭이 "APPARATUS AND METHODS FOR REDUCING ENERGY USE IN ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING"인 미국 임시 특허출원 번호 제61/039,415호(대리인 명부 번호 13418/L)에 우선권을 주장하며, 전술한 출원은 모든 목적들을 위해 전체 내용에 있어 참조에 의해 본 명세서에 통합된다.
본 발명은 일반적으로 전자 디바이스 제조에 관한 것이고 보다 구체적으로는 전자 디바이스 제조 프로세스들에서 사용되는 자원들의 양을 감소시키는 것에 관한 것이다.
일부 전자 디바이스 제조 프로세스들은 대량의 시약(reagent)들 및/또는 다른 물질들을 사용할 수 있고, 이러한 시약들의 일부는 대기에 방출되면 해롭고/해롭거나 위험하다. 시약들 또는 이들의 부산물들을 덜 해롭고/해롭거나 덜 위험한 화합물들로 변환하는 경감 시스템들의 사용을 통해 해롭거나 달리 위험한 영역들 및 시약 부산물들을 경감시키는 것이 알려져 있다. 이러한 시약들 및 이들의 부산물들의 경감은 시약들/부산물들의 해롭고/해롭거나 위험한 본성의 이슈를 해결할 수 있지만, 시약들이 프로세스 챔버를 통해 사용되지 않고 통과할 때 값비싼 시약들의 상당한 양이 결과적으로 낭비될 수 있다는 사실은 해결하지 않는다.
다른 물질들은, 비록 이들이 해롭거나 위험하지 않을지라도, 여전히 전자 디바이스 제조 시스템들에 대해 큰 비용을 나타낸다.
따라서, 전자 디바이스 제조 프로세스들에서 사용하기 위해 생산되고/생산되거나 구매될 필요가 있는 시약들 및/또는 다른 물질들의 양을 감소시킬 방법들 및 장치를 발전시키는 것이 바람직하다.
일 양상에서, 전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키기 위한 방법이 제공되며, 상기 방법은, 프로세스 툴이 프로세스 모드에서 동작하고 있는 동안 제 1 유속으로 불활성 가스를 프로세스 툴 진공 펌프(process tool vacuum pump)로 도입하는 단계; 및 상기 프로세스 툴이 세정 모드(clean mode)에서 동작하고 있는 동안 제 2 유속으로 상기 불활성 가스를 상기 프로세스 툴 진공 펌프로 도입하는 단계를 포함한다.
다른 양상에서, 전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 프로세스 툴 ― 상기 프로세스 툴에 대해 경감 툴(abatement tool)이 유출물(effluent)을 경감시킴 ― 이 프로세스 모드에서 동작하고 있을 때, 제 1 유속으로 불활성 가스를 상기 경감 툴의 입구로 도입하는 단계; 및 상기 프로세스 툴이 세정 모드에서 동작하고 있을 때, 제 2 유속으로 상기 불활성 가스를 상기 경감 툴의 상기 입구로 도입하는 단계를 포함한다.
또 다른 양상에서, 전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 전자 디바이스 제조 툴로부터의 유출물 오존을 산화제로서 사용하기 위해 경감 툴로 지향시키는 단계를 포함한다.
다른 양상에서, 전자 디바이스 제조 시스템이 제공되며, 상기 시스템은, 프로세스 툴; 상기 프로세스 툴로 오존을 공급하도록 적응되는 오존 공급부; 상기 프로세스 툴로부터의 유출물을 수용하도록 적응되는 경감 유닛; 및 상기 경감 유닛을 상기 프로세스 툴에 연결하는 도관 ― 상기 도관은 상기 프로세스 툴을 나가는 오존을 산화제로서 상기 경감 유닛으로 지향시키도록 적응됨 ―을 포함한다.
본 발명의 다른 특징들 및 양상들은 다음의 상세한 설명, 첨부된 청구범위, 및 첨부하는 도면들로부터 보다 충분히 명백해질 것이다.
도 1은 유출물의 펌핑을 용이하게 하고 진공 펌프를 보호하기 위하여 불활성 가스의 사용을 감소시키기 위한 시스템의 개략적 도시이다.
도 2는 경감 유닛 내부의 유출물 가스 주변에 불활성 가스의 환형 쉬스를 형성하기 위하여 불활성 가스의 사용을 감소시키기 위한 시스템의 개략적 도시이다.
도 3은 경감 유닛에서 프로세스 툴 유출물 오존을 산화제로서 사용하기 위한 시스템의 개략적 도시이다.
도 4는 도 3의 시스템의 대안의 실시예의 개략적 도시이다.
도 5는 도 3의 시스템의 제2 대안의 실시예의 개략적 도시이다.
도 6은 도 3의 시스템의 제3 대안의 실시예의 개략적 도시이다.
도 7은 도 3의 시스템의 제4 대안의 실시예의 개략적 도시이다.
도 8은 도 3의 시스템의 제5 대안의 실시예의 개략적 도시이다.
도 9는 전자 디바이스 제조 시스템에서 불활성 가스들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 방법의 흐름도이다.
도 10은 전자 디바이스 제조 시스템에서 불활성 가스들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 방법의 흐름도이다.
도 11은 전자 디바이스 제조 시스템 유출물을 경감시키기 위해 경감에 대한 필요성 및 산화제에 대한 필요성을 감소시키기 위한 본 발명의 방법의 흐름도이다.
전자 디바이스 제조 프로세스들들은 대량의 불활성 가스들, 예를 들어, 질소를 사용할 수 있다. 질소는, 비록 전자 디바이스 제조에서 사용되는 일부 시약들만큼 비싸지는 않을 수 있지만, 일반적으로 전자 디바이스 제조 설비에 대한 현저한 비용에 해당할 만큼 충분히 큰 볼륨으로 사용된다.
예를 들어, 본 발명 이전에, 질소는 일반적으로, 그 크기로 인해 펌핑하기 어려울 수 있는 수소의 펌핑을 용이하게 할 목적을 위해, 진공 펌프들로 공급되었다. 질소를 진공 펌프들로 공급하는 것은 펌핑될 가스의 점성을 증가시킬 수 있고, 이에 따라 가스를 펌핑하기 위해 요구되는 펌프 노력을 감소시키고 이에 의해 펌핑되고 있는 가스에 가해질 수 있는 열의 양을 감소시킨다. 또한, 액체 질소의 용기로부터 끓여졌을 수 있는 질소는 일반적으로 대기 온도(ambient temperature)에 있거나 또는 그보다 낮을 수 있고 따라서 진공 펌프들을 냉각시키도록 기능할 수 있다. 질소를 진공 펌프들로 흘려보내는 다른 이유는, 질소가 펌프들을 통해 통과하고 있을 수 있는 세정 화학제(cleaning chemistry)를 희석하고 따라서 펌프 부품 또는 윤활유들에 대한 세정 화학제의 해로운 효과를 감소시킬 수 있다는 이유일 수 있다.
본 발명의 방법들은 프로세스가 프로세스 툴에서 수행되고 있는지 여부, 및 수행되고 있는 경우, 예를 들어 기판 프로세싱 또는 챔버 세정과 같은 프로세스의 본질에 따라 진공 펌프들로 공급되는 질소의 양을 조절함으로써 전자 디바이스 제조 설비를 동작시키기 위해 요구되는 질소의 양을 감소시킨다.
질소는 경감 툴들내의 반응 챔버 벽들이 입자성 물질(particulate matter)로 코팅되는 것으로부터 보호하기 위해 사용될 수도 있다. 따라서, 질소가 경감 툴 입구로 도입될 수 있고, 상기 입구를 통해 경감될 유출물이 경감 툴에 진입한다. 상기 입구는 경감될 유출물 주변의 환형 쉬스(sheath)의 형태로 경감 툴로 질소를 주입하도록 설계될 수 있다. 이는 유출물이 경감 툴로 추가로 이동했을 때까지 유출물의 산화를 방지하는 유용한 효과를 가질 수 있고 반응 챔버의 벽들 근처에 불활성 가스의 보호 영역을 형성할 수 있고, 이를 통해 입자성 물질이 투과하기는 어려울 수 있다.
본 발명의 방법들은 프로세스가 프로세스 툴에서 수행되고 있는지 여부, 및 수행되고 있는 경우, 프로세스의 본질에 따라 경감 툴들로 공급되는 질소의 양을 조절함으로써 경감 툴들을 동작시키기 위해 요구되는 질소의 양을 감소시킨다. 예를 들어, 세정 사이클이 수행되고 있을 때, 본 발명자들은 질소를 경감 툴 입구에 공급하는 것을 중단하는 것이 유용하고 경감 툴에서 유용한 세정 효과가 발생할 수 있음을 발견하였다.
본 발명 이전의 다른 예에서, 예를 들어, 대기 화학 기상 증착과 같은 일부 전자 디바이스 제조 프로세스들 및 유기 발광 다이오드들의 생산에서 시약으로 사용될 수 있는 오존은 일반적으로 별도로 경감될 수 있다. 이는 추가의 경감 장비를 구매 및 동작시키는 비용을 요구할 수 있다.
본 발명의 추가적인 방법들 및 장치를 이용하는 것에 의해, 프로세스 챔버를 나가는 오존을 경감 툴에서의 산화제로서 사용함으로써 오존을 경감하기 위한 필요성이 줄어들 수 있다. 이는, 구매되거나 또는 달리 경감 툴에 공급될 필요가 있을 수 있는 산화제의 양을 감소시키는 추가된 이점을 가진다.
도 1은 불활성 가스의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(100)의 개략도이다. 시스템(100)은 임의의 전자 디바이스 제조 프로세스 툴(102)을 포함할 수 있다. 프로세스 툴(102)은 CVD 챔버, PVD 챔버, 에피텍셜 챔버, 또는 경감을 요하는 유출물 부산물을 생성하는 임의의 다른 전자 디바이스 제조 프로세스 툴일 수 있다. 프로세스 툴(102)은 도관(104)에 의해 블로어(106), 기계적 펌프(108), 및 경감 툴(110)에 연결될 수 있다. 시스템(100)은 또한 혼합 접합부(mixing junction, 114)에서 도관(104)을 통해 유동하는 유출물 스트림으로 질소를 도입하도록 적응될 수 있는 질소 공급부(112)를 포함할 수도 있다. 혼합 접합부(114)는 T 접합부 또는 임의의 다른 적절한 접합부일 수 있다. 전술한 것처럼, 도관(104)을 통해 유동하는 유출물 스트림으로의 질소의 도입은 기계적 펌프(108)에 의해 수소와 같은 더 작은 분자들을 펌핑하는 것을 용이하게 한다. 대기 온도 또는 그 미만일 수 있는 질소는, 펌프(108) 및 펌프를 통해 유동하는 유출물의 온도를 감소시키는 것을 보조하도록 기능할 수도 있다. 시스템(100)은 또한 신호 라인(118)을 통해서 프로세스 툴(102)로 그리고 신호 라인(120)을 통해서 질소 공급부(112)로 연결될 수 있는 제어기(116)를 포함할 수도 있다. 제어기(116)는 컴퓨터 또는 PLC 등과 같은 임의의 논리 디바이스일 수 있다.
동작시에, 프로세스 툴(102)은 일반적으로 여러 동작 모드들 중 하나에 있을 수 있다. 예를 들어, 프로세스 툴(102)은 이것이 전자 디바이스 또는 기판 상에 제조 단계를 수행하고 있을 수 있는 프로세스 모드에 있을 수 있거나, 또는 프로세스 툴(102)의 프로세스 챔버들(비도시)이 세정될 수 있는 세정 모드에 있을 수 있다. 이들 모드들 모두에 있어서, 프로세스 툴(102)은 경감을 요하는 유출물을 생산할 수 있다. 프로세스 툴(102)은 또한 예를 들어, 유지보수가 프로세스 툴에 대해 수행될 필요가 있을 때, 오프(off) 모드에 있을 수도 있다.
프로세스 툴(102)이 프로세스 모드 또는 세정 모드에 있을 때, 유출물은 일반적으로 도관(104)을 통해 프로세스 툴(102) 외부로 유출될 수 있다. 루트(roots) 타입 블로어(blower)일 수 있는 블로어(106)는, 유출물을 프로세스 툴(102)로부터 도관(104)을 통해서 펌프(108)로 이동시키는 진공을 생성할 수 있다. 펌프(108)는 기계적 펌프이거나 한 세트의 다단식(staged) 기계적 펌프들일 수 있다. 펌프(108)는 도관(104) 내에 포함된 유출물이 경감 툴(110)로 이동하게 할 수 있고, 상기 경감 툴에서 유출물이 경감될 수 있다.
전술한 것처럼, 질소는 질소 공급부(112)로부터 혼합 접합부(114)를 통해 도관(104)에 있는 유출물 스트림으로 도입될 수 있다. 본 발명에 따르면, 질소 공급부(112)로부터 도관(104)으로 공급될 수 있는 질소의 양은, 그 후 프로세스 툴(102)의 동작 모드에 기초하여 유용하게 선택될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 프로세스 툴이 프로세스 모드에 있을 때, 프로세스 툴은 알려진 속도로 유출물을 생성하고 있을 수 있다. 이는 경험에 기초하여 알려져 있을 수 있거나, 계산될 수 있다. 유사하게, 유출물의 점성은 임의의 적절한 수단에 의해 측정될 수 있거나, 계산될 수 있다. 일단 유출물의 점성이 알려지면, 적절한 양의 질소가 혼합 접합부(114)를 통해 유출물 스트림으로 주입될 수 있다.
프로세스 툴(102)이 세정 모드에 있을 때, 질소가 도관(104) 내의 유출물 스트림으로 주입될 수도 있다. 세정 모드에서, 질소는 프로세스 툴(102)로부터 유동하는 유출물의 점성을 증가시킬 수 있을뿐만 아니라, 질소와 같은 불활성 가스를 유출물 스트림으로 주입하기 위한 추가적인 이유가 존재할 수 있다. 프로세스 툴이 세정 모드에 있을 때 유출물은 상당히 반응성일 수 있고, 만약 희석되지 않는다면, 펌프의 컴포넌트들 및/또는 윤활유들에 악영향을 미칠 수 있다. 프로세스 툴(102)의 세정 모드 동안 도관(104)을 통해 유동하는 세정 모드 유출물의 양 및 농도는 또한 알려져 있거나 계산될 수 있다. 일단 세정 모드 유출물의 양 및 농도가 알려지면, 그 후 질소와 같은 적절한 양의 불활성 가스가 세정 모드 유출물을 희석시키기 위하여 혼합 접합부(114)로 주입될 수 있다.
프로세스 모드 동안 요구될 수 있는 불활성 가스의 제1 양 및 세정 모드 동안 요구될 수 있는 불활성 가스의 제2 양은 동일하거나 상이할 수 있다. 그러나, 불활성 가스의 제1 양 및 제2 양의 더 많은 양을 선택하고 이러한 양을 꾸준히 공급하는 것보다는, 본 발명의 시스템(100)은 충분하지만 임의의 특정 모드에서 필요로 되는 것 보다 많지 않은 불활성 가스를 제공할 수 있다.
프로세스 모드 및 세정 모드에 부가하여, 프로세스 툴(102)은 오프 모드에 있을 수도 있다. 프로세스 툴(102)이 오프 모드에 있을 때, 펌프(108)는 펌핑하는 것을 보조하거나 세정 모드 유출물을 희석하기 위해 질소를 필요로 하지 않을 수 있다. 그러나, 대기가 도관(104) 내에 있을 수 있는 임의의 먼지와 접촉할 때 발생할 수 있는 잠재적으로 해로운 상태들로 인하여, 대기가 도관(104)에 진입하는 것을 방지하도록, 프로세스 툴(102)이 오프 모드에 있는 시간들 동안 충분한 양의 질소를 도관(104)으로 유동시키는 것이 유용할 수 있다.
제어기(116)는 신호 라인(118)을 통해 프로세스 툴과 통신할 수 있고 프로세스 툴이 어떤 모드에 있는지를 언제나 알 수 있다. 프로세스 툴이 어떤 모드에 있는지를 알고 있는 제어기(116)는 그 후 적절한 양의 질소를 혼합 접합부(114)를 통해 도관(104)으로 공급하라고 질소 공급부에 명령할 수 있다. 비록 도시되지는 않지만, 제어기(116)는 질소 공급부(112)로부터 유출물 스트림으로 유동하는 질소의 양을 조절(modulate)하기 위하여 하나 이상의 밸브들을 사용할 수 있다.
도 2는 불활성 가스의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(200)의 개략도이다. 시스템(200)은 시스템(100)의 프로세스 툴(102)과 유사한 프로세스 툴(102)을 포함할 수 있다. 프로세스 툴(102)은 도관(104)을 통해 경감 툴(110)의 입구(106)에 연결될 수 있고, 상기 입구를 통해 프로세스 툴(102)로부터의 유출물이 경감 툴(110)에 진입할 수 있다. 시스템(200)은 또한 도관(114)을 통해 입구(106)에 연결될 수 있는 불활성 가스 공급부(112)를 포함할 수 있다. 제어기(116)는 신호 라인(118)을 통해 프로세스 툴(102)에, 그리고 신호 라인(120)을 통해 질소 공급부(112)에 연결될 수 있다.
동작시에, 시스템(200)은 도 1의 시스템(100)과 유사한 방식으로 동작할 수 있다. 따라서, 프로세스 툴(102)은 프로세스 모드, 세정 모드, 또는 오프 모드에 있을 수 있다. 프로세스 툴(102)이 프로세스 모드에 있을 때, 이것은 경감될 필요가 있는 부산물 유출물을 생성할 수 있다. 유출물은 도관(104)을 통해 입구(106)로 유동할 수 있다. 전술한 것처럼, 질소는 질소 공급부(112)로부터 도관(114)을 통해 입구(106)로 도입될 수 있다. 입구(106)는 질소 가스의 환형 쉬스의 형태로 질소를 경감 툴로 도입하도록 적응될 수 있다. 유출물이 프로세스 툴로부터 입구(106)로 유동하고 있을 때, 입구(106)는 질소의 환형 쉬스에 의해 둘러싸이는 유출물 가스 스트림의 형태로 유출물을 경감 툴(110)에 도입할 수 있다.
본 발명 이전에, 입구(106)에 공급되는 질소는 프로세스 툴(102)의 모드를 고려하지 않고 연속적으로 공급될 수 있다. 본 발명자들은, 프로세스 툴(102)이 세정 모드에 있을 때, 질소의 유동을 정지시키는 것이 경감 툴(110)에 유용할 수 있다는 점을 발견하였다. 세정 모드 동안 질소의 유동을 정지시키는 것은 경감 툴(110)의 내부 챔버 벽들 상에 더 적은 입자성 증착물들을 발생시킬 수 있다. 유사하게, 프로세스 툴(102)이 오프 모드에 있을 때, 질소의 입구(106)로의 유동이 정지될 수 있다.
신호 라인(118)을 통해 프로세스 툴(102)에 연결될 수 있는 제어기(116)는, 언제나 프로세스 툴(102)의 모드에 대해 알고 있을 수 있다. 프로세스 툴(102)의 동작 모드를 알고 있는 제어기는, 그 후 프로세스 툴(102)이 프로세스 모드에 있을 때 입구(106)로 질소를 공급하거나, 프로세스 툴(102)이 세정 모드 또는 오프 모드에 있을 때 입구(106)로 질소의 유동을 정지시키도록 질소 공급부(112)에 명령할 수 있다.
도 3은 자원들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(300)의 개략도이다. 시스템(300)은 오존 및 프로세스를 사용하는 프로세스 툴(302)을 포함할 수 있다. 오존은 도관(306)을 통해 프로세스 툴(302)에 연결된 오존 공급부(304)로부터 프로세스 툴(302)로 공급될 수 있다. 프로세스 툴(302)은 또한 도관(308)을 통해 경감 툴(310)에 연결될 수 있어서, 유출물이 프로세스 툴(302)로부터 경감 툴(310)로 통과하여 경감될 수 있다. 산화제 공급부(312)는 도관(314)을 통해 경감 툴(310)에 연결되어 산화제를 공급할 수 있다. 산화제 공급부(312)는 또한 도관(316) 및 밸브(318)를 통하여 도관(308)에 연결될 수 있다.
제어기(320)는 신호 라인(322)을 통하여 프로세스 툴(302)에, 신호 라인(324)를 통하여 밸브(318)에 연결될 수 있다.
동작시에, 시스템(300)의 프로세스 툴(302)은 다수의 동작 모드들에서 동작할 수 있다. 예를 들어, 프로세스 툴(302)은 오존 모드 및 비-오존 모드에서 동작할 수 있다. 오존 모드는 오존이 오존 공급부(304)로부터 프로세스 툴(302)로 도입되고 반응되지 않은 오존이 유출물로서 프로세스 툴(302)을 나가는 임의의 동작일 수 있다. 비-오존 모드는 오존이 프로세스 툴(302)에 공급되고 있지 않고 프로세스 툴(302)을 유출물로서 나가고 있지 않은 임의의 다른 모드일 수 있다.
프로세스 툴(302)이 프로세스 모드에서 동작하고 있을 때, 제어기는 도관(308)을 통해 프로세스 툴(302)을 나가고 있을 수 있는 오존을 도관(316)으로 그 후 산화제 공급부(312)로 전환시키도록 밸브(318)를 구성할 수 있다. 오존이 산화제 공급부(312)로 전환될 때, 이는 경감될 필요가 없고, 외부적으로 공급되는 산화제에 대한 요구를 감소시킬 수 있다. 반대로, 프로세스 툴(302)이 비-오존 모드에 있을 때, 제어기(320)는 프로세스 툴(302)로부터의 임의의 유출물을 경감 툴(310)로 지향시키도록 밸브(318)를 구성할 수 있다.
도 4는 자원들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(400)의 개략도이다. 시스템(400)은 다음의 차이점들을 가지면서 도 3의 시스템(300)과 유사할 수 있다. 시스템(400)의 산화제 공급부(312)는 도 3의 시스템(300)에서처럼 도관(316) 및 밸브(318)를 통해 도관(308)에 연결되지 않는다. 대신, 산화제 공급부(312)는 도관(326) 및 밸브(328)를 통해 프로세스 툴(302)에 직접 연결될 수 있다. 또한, 시스템(400)은 도관(308)과 프로세스 툴(302) 사이에 위치될 수 있고 신호 라인(332)을 통해 제어기(320)에 연결될 수 있는 밸브(330)를 포함할 수 있다.
동작시에, 시스템(400)은 다음의 차이점을 가지면서 시스템(300)과 유사한 방식으로 동작할 수 있다. 시스템(400)에서, 프로세스 툴(302)이 오존 모드에 있을 때, 제어기(320)는 밸브(330)에게 폐쇄할 것을 그리고 밸브(328)에게 개방할 것을 명령할 수 있고, 이에 의해, 오존을 프로세스 툴(302)로부터 산화제 공급부(312)로 전환시킨다. 비-오존 모드에서, 제어기(320)는 경감을 요하는 유출물을 경감 툴(310)로 전환시키기 위하여 밸브(328)를 폐쇄하고 밸브(330)를 개방할 수 있다.
도 5는 자원들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(500)의 개략도이다. 시스템(500)은 다음의 차이점들을 가지면서 도 3의 시스템(300)과 유사할 수 있다. 시스템(500)에서, 산화제 공급부(312)는 오존을 수용하도록 적응되지 않을 수 있다. 대신, 도관(308)이 밸브들(318, 334) 및 도관(316)을 통해 도관(314)에 연결될 수 있다.
동작시에, 시스템(500)은 다음의 차이점을 가지면서 도 3의 시스템(300)의 것과 유사한 방식으로 동작할 수 있다. 시스템(500)에서, 프로세스 툴(302)이 오존 모드에 있을 때, 제어기(320)는 밸브(318)에 명령하여 오존을 도관(316)을 통해 밸브(334)를 통과하여 도관(314)으로 전환시키도록 명령할 수 있고, 이는 도관(314)으로부터 도관(316)으로의 산화물의 역류를 방지할 수 있다. 프로세스 툴이 비-오존 모드에 있을 때, 시스템(500)은 프로세스 툴(302)로부터의 경감을 요하는 유출물을 도관(308) 및 밸브(318)를 통하여 경감 툴(310)로 지향시킬 수 있다.
도 6은 자원들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(600)의 개략도이다. 시스템(600)은 다음의 차이점들을 가지면서 시스템(500)과 유사할 수 있다. 시스템(600)에서, 도관(316)은 시스템(500)에서 그랬던 것처럼 도관(314)을 도관(308)으로 연결하는 것이 아니라, 도관(314)을 프로세스 툴(302)로 연결한다.
동작시에, 시스템(600)은 시스템(500)과 유사한 방식으로 동작할 수 있다.
도 7은 자원들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(700)의 개략도이다. 시스템(700)은 다음의 차이점들을 가지면서 시스템(400)과 유사할 수 있다. 시스템(700)에서, 도관(316)은 프로세스 툴을 밸브(328)를 통해서, 산화제 공급부(312)가 아닌 경감 툴에 연결한다.
동작시에, 시스템(700)은 시스템(400)과 유사한 방식으로 동작할 수 있다.
도 8은 자원들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 시스템(800)의 개략도이다. 시스템(800)은 다음의 예외들을 가지면서 시스템(300)과 유사할 수 있다. 시스템(800)에서, 도관(316)은 도관(308)을 밸브(318)를 통해서 경감 툴(310)로 직접 연결하며 시스템(300)에서 그랬던 것처럼 산화제 공급부(312)로 연결하지 않는다.
동작시에, 시스템(800)은 다음의 예외들을 가지면서 시스템(300)과 유사한 방식으로 동작할 수 있다. 프로세스 툴(302)이 오존 모드에 있을 때, 제어기는 오존을 도관(316)을 통해 경감 툴(310)로 전환시키도록 밸브(318)를 구성할 수 있다. 프로세스 툴(302)이 비-오존 모드에 있을 때, 제어기(320)는 프로세스 툴(302)로부터 경감을 요하는 유출물을 경감 툴(310)로 지향하도록 밸브(318)를 구성할 수 있다.
도 9는 전자 디바이스 제조 시스템에서 불활성 가스들의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 방법(900)의 흐름도이다. 단계 902에서, 불활성 가스, 일반적으로 질소가, 프로세스 모드에 있는 프로세스 툴로부터 유출물을 비우기 위해 사용되고 있는 진공 펌프로 제 1 유속으로 도입된다. 전술한 것처럼, 불활성 가스의 제 1 유속은 미리 결정된 점성으로 유출물의 점성을 상승시키기에 충분한 속도일 수 있다. 단계 904에서, 프로세스 툴이 세정 모드에서 동작하고 있을 때 제 2 유속으로 불활성 가스가 진공 펌프로 도입된다. 전술한 것처럼, 불활성 가스의 제 2 유속은 진공 펌프 및/또는 진공 펌프의 윤활을 손상시킬 가능성을 감소시키기 위하여 세정 유출물을 희석하기에 충분한 속도일 수 있다. 마지막으로, 단계 906에서, 프로세스 툴 및/또는 진공 펌프가 오프 모드에 있을 때 제 3 유속으로 불활성 가스가 진공 펌프로 도입된다. 전술한 것처럼, 제 3 유속은 대기가 경감 시스템에 진입하는 것을 방지하기에 충분한 유속일 수 있다.
도 10은 전자 디바이스 제조 시스템에서 불활성 가스의 사용을 감소시키기 위한 본 발명의 다른 방법(1000)의 흐름도이다. 단계 1002에서, 프로세스 툴이 프로세스 모드에서 동작하고 있을 때, 제 1 유속으로 불활성 가스가 경감 툴 입구로 도입된다. 제 1 유속은 일부 입자성 물질이 경감 유닛의 내부 벽으로 부착하는 것을 방지하기에 충분한 유속일 수 있다. 전술한 것처럼, 불활성 가스는 입자성 물질이 경감 유닛의 내부 벽에 도달하도록 통과시키는 데 어려움을 겪을 수 있는 환형 쉬스의 형상으로 경감 유닛에 진입할 수 있다. 단계 1004에서, 프로세스 툴이 세정 모드에서 동작하고 있을 때, 제 2 유속으로 가스가 경감 툴 입구로 도입된다. 전술한 것처럼, 제 2 유속은 영의 유속일 수 있다. 제 2 유속이 영의 유속에 있을 때, 경감 툴은 더 적은 입자들이 경감 툴의 내부 벽에 부착하는 것을 경험할 수 있음이 관측되었다. 단계 1006에서, 프로세스 툴이 오프 모드에 있을 때 제 3 유속으로 불활성 가스가 경감 툴 입구로 도입된다. 제 3 유속은 영의 유속일 수 있다.
도 11은 경감 툴에서 프로세스 툴 유출물 오존을 산화제로서 사용하여 전기 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법의 흐름도이다. 단계 1102에서, 프로세스 툴이 오존 모드에서 동작하고 있을 때 프로세스 툴 유출물 오존은 산화제로서의 사용을 위해 경감 툴로 지향된다. 단계 1104에서, 프로세스 툴이 비-오존 모드에서 동작하고 있을 때 프로세스 툴 유출물이 경감될 경감 유닛로 지향된다.
전술한 기재는 본 발명의 예시적인 실시예들만을 개시한다. 본 발명의 범위 내에 들게 될 위에서 개시된 장치 및 방법들에 대한 개조들은 당업자에게 쉽게 명백할 것이다. 일부 실시예들에서, 본 발명의 장치 및 방법들은 반도체 디바이스 프로세싱 및/또는 전자 디바이스 제조에 적용될 수 있다.
따라서, 본 발명이 이의 예시적인 실시예들과 관련하여 개시되었지만, 다른 실시예들이 다음의 청구범위에서 정의되는 대로, 본 발명의 사상 및 범위내에 들 수 있음이 이해되어야 한다.

Claims (14)

  1. 전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키기 위한 방법으로서,
    프로세스 툴이 프로세스 모드에서 동작하고 있는 동안 제 1 유속으로 불활성 가스를 프로세스 툴 진공 펌프(process tool vacuum pump)로 도입하는 단계; 및
    상기 프로세스 툴이 세정 모드(clean mode)에서 동작하고 있는 동안 제 2 유속으로 상기 불활성 가스를 상기 프로세스 툴 진공 펌프로 도입하는 단계
    를 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 펌프가 동작하고 있지 않을 때 제 3 유속으로 상기 불활성 가스를 상기 프로세스 툴 진공 펌프로 도입하는 단계를 더 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 유속은 상기 펌프 및 상기 펌프를 상기 프로세스 툴에 연결하는 도관으로 대기(ambient air)가 진입하는 것을 방지하기에 충분한 속도인,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키기 위한 방법.
  4. 전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법으로서,
    프로세스 툴 ― 상기 프로세스 툴에 대해 경감 툴(abatement tool)이 유출물(effluent)을 경감시킴 ― 이 프로세스 모드에서 동작하고 있을 때, 제 1 유속으로 불활성 가스를 상기 경감 툴의 입구로 도입하는 단계; 및
    상기 프로세스 툴이 세정 모드에서 동작하고 있을 때, 제 2 유속으로 상기 불활성 가스를 상기 경감 툴의 상기 입구로 도입하는 단계
    를 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 유속은 영의 유동(zero flow)인,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 프로세스 툴이 동작하고 있지 않을 때 제 3 유속으로 상기 불활성 가스를 상기 경감 툴의 상기 입구로 도입하는 단계를 더 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 유속은 영의 유동인,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 불활성 가스의 환상 쉬스(annular sheath)가 형성되도록 상기 경감 툴의 상기 입구로 도입되는,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법.
  9. 전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법으로서,
    전자 디바이스 제조 툴로부터의 유출물 오존을 산화제로서 사용하기 위해 경감 툴로 지향시키는 단계
    를 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 오존은 상기 경감 툴의 산화제 공급 도관으로 지향되는,
    전자 디바이스 제조 시스템을 동작시키는 방법.
  11. 전자 디바이스 제조 시스템으로서,
    프로세스 툴;
    상기 프로세스 툴로 오존을 공급하도록 적응되는 오존 공급부;
    상기 프로세스 툴로부터의 유출물을 수용하도록 적응되는 경감 유닛; 및
    상기 경감 유닛을 상기 프로세스 툴에 연결하는 도관 ― 상기 도관은 상기 프로세스 툴을 나가는 오존을 산화제로서 상기 경감 유닛으로 지향시키도록 적응됨 ―
    을 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 도관은 상기 오존을 상기 경감 툴의 산화제 공급 도관으로 지향시키는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 도관은 상기 오존을 상기 경감 툴의 산화제 공급부로 지향시키는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 도관은, 상기 경감 툴로 도입되는 다른 산화제와는 별도로, 상기 오존을 상기 경감 툴로 지향시키는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
KR1020107023848A 2008-03-25 2009-03-24 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치 KR101553286B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3941508P 2008-03-25 2008-03-25
US61/039,415 2008-03-25

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157009520A Division KR101612415B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-24 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100134698A true KR20100134698A (ko) 2010-12-23
KR101553286B1 KR101553286B1 (ko) 2015-09-15

Family

ID=41114655

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157009520A KR101612415B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-24 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치
KR1020107023848A KR101553286B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-24 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치
KR1020167003331A KR101682583B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-24 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157009520A KR101612415B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-24 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167003331A KR101682583B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-24 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8974605B2 (ko)
KR (3) KR101612415B1 (ko)
CN (1) CN101981653B (ko)
TW (1) TWI457994B (ko)
WO (1) WO2009120722A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210082200A (ko) * 2018-10-24 2021-07-02 나노사이즈드 스웨덴 에이비 반도체 제조를 위한 방법 및 배열 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8003067B2 (en) * 2007-09-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ambient air abatement of electronic manufacturing effluent
US8974605B2 (en) * 2008-03-25 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for conserving electronic device manufacturing resources
US20110023908A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for process abatement with recovery and reuse of abatement effluent
US9740182B2 (en) 2012-06-08 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Integrated controller solution for monitoring and controlling manufacturing equipment
US10443127B2 (en) * 2013-11-05 2019-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process
AT14018U1 (de) * 2013-11-08 2015-02-15 Hagleitner Hans Georg Abfallbehälter, insbesondere für Papier
DE112014002477T5 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Intel Corporation Vorrichtung und Verfahren für eine effiziente Grafikverarbeitung in einer virtuellen Ausführungsumgebung
WO2016182648A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
JP6749287B2 (ja) * 2017-06-26 2020-09-02 株式会社東芝 処理システム
CN109737032B (zh) * 2018-12-29 2020-02-11 通威太阳能（成都）有限公司 一种真空泵停止后再启动防卡死方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005394A (ko) * 1996-06-26 1998-03-30 김광호 반도제 제조 공정의 가스 공급 방법
US6322756B1 (en) * 1996-12-31 2001-11-27 Advanced Technology And Materials, Inc. Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US6197123B1 (en) * 1997-12-18 2001-03-06 Texas Instruments Incorporated Method for cleaning a process chamber used for manufacturing substrates during nonproduction intervals
US5913721A (en) * 1998-04-06 1999-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Ventilation hood with enhanced particle control and method of using
KR20000022566A (ko) 1998-09-08 2000-04-25 윤종용 반도체 제조설비의 배기장치
TW460942B (en) 1999-08-31 2001-10-21 Mitsubishi Material Silicon CVD device, purging method, method for determining maintenance time for a semiconductor making device, moisture content monitoring device, and semiconductor making device with such moisture content monitoring device
US6423284B1 (en) * 1999-10-18 2002-07-23 Advanced Technology Materials, Inc. Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US20040020599A1 (en) * 2000-12-27 2004-02-05 Sumi Tanaka Treating device
US20030059535A1 (en) * 2001-09-25 2003-03-27 Lee Luo Cycling deposition of low temperature films in a cold wall single wafer process chamber
US7129519B2 (en) * 2002-05-08 2006-10-31 Advanced Technology Materials, Inc. Monitoring system comprising infrared thermopile detector
US6874510B2 (en) * 2003-02-07 2005-04-05 Lsi Logic Corporation Method to use a laser to perform the edge clean operation on a semiconductor wafer
US20040159235A1 (en) * 2003-02-19 2004-08-19 Marganski Paul J. Low pressure drop canister for fixed bed scrubber applications and method of using same
KR20130091752A (ko) * 2005-02-14 2013-08-19 로버트 제이 스몰 반도체 세정 방법
US8679287B2 (en) * 2005-05-23 2014-03-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing ALD reactants from damaging vacuum pumps
US20070079849A1 (en) * 2005-10-12 2007-04-12 Richard Hogle Integrated chamber cleaning system
US8318966B2 (en) * 2006-06-23 2012-11-27 Praxair Technology, Inc. Organometallic compounds
US20090017206A1 (en) * 2007-06-16 2009-01-15 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing the consumption of reagents in electronic device manufacturing processes
CN101939079B (zh) * 2008-02-05 2013-06-12 应用材料公司 用于处理来自制程的可燃性废气的系统及方法
US8974605B2 (en) * 2008-03-25 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for conserving electronic device manufacturing resources
US8747762B2 (en) * 2009-12-03 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for treating exhaust gas in a processing system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210082200A (ko) * 2018-10-24 2021-07-02 나노사이즈드 스웨덴 에이비 반도체 제조를 위한 방법 및 배열 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI457994B (zh) 2014-10-21
TW200949916A (en) 2009-12-01
KR101682583B1 (ko) 2016-12-05
US8974605B2 (en) 2015-03-10
WO2009120722A2 (en) 2009-10-01
KR101612415B1 (ko) 2016-04-14
KR20160021908A (ko) 2016-02-26
US20170256425A1 (en) 2017-09-07
CN101981653A (zh) 2011-02-23
KR101553286B1 (ko) 2015-09-15
KR20150046379A (ko) 2015-04-29
US20150136239A1 (en) 2015-05-21
US9685352B2 (en) 2017-06-20
WO2009120722A3 (en) 2009-12-23
US11049735B2 (en) 2021-06-29
CN101981653B (zh) 2012-09-05
US20090246105A1 (en) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100134698A (ko) 전자 디바이스 제조 자원들을 절약하기 위한 방법들 및 장치
US11710623B2 (en) Vacuum pump protection against deposition byproduct buildup
US20090191109A1 (en) Exhaust structure of film-forming apparatus, film-forming apparatus, and method for processing exhaust gas
JP2017534954A (ja) 半導体プロセシング装置放出物の処理のためのコントローラ
KR20200027945A (ko) 펌핑 라인 배열체에서의 또는 그에 관한 개량
JP2010207771A (ja) 排ガス処理装置および排ガス処理方法
TWI675395B (zh) 利用氧電漿清潔循環之電漿除污固體顆粒迴避法
US9597613B2 (en) Pressure-less ozonated DI-water (DIO3) recirculation reclaim system
JP2007021290A (ja) 排ガスの処理方法および処理装置
JP2006313882A (ja) プロセスチャンバの等温制御
CN110894599B (zh) 等离子体化学气相沉积系统及方法
JP2015112603A (ja) 半田付け装置及び接合部材の製造方法
US20110100796A1 (en) System and method for producing supercritical ozone
CN203085491U (zh) 低温等离子体清洗设备
US20230390694A1 (en) Exhaust gas treatment facility
KR20230073291A (ko) 반도체 처리를 위한 폐가스 저감 기술
US20090297420A1 (en) Method of Treating a Gas Stream
KR20110060994A (ko) 플라즈마 배기가스 순환 시스템
KR101666069B1 (ko) 반도체 폐가스 처리용 스크러버의 출력 저감방법 및 장치
JP2006332339A (ja) 真空装置及び除害システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant