JP2010207771A - 排ガス処理装置および排ガス処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】排ガス処理装置10は、複数の半導体製造装置20から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置10であって、複数の半導体製造装置20から排出されるそれぞれの排ガスを集めて混合し収容するガス収容部40と、ガス収容部40で混合された混合ガスを希釈ガスで希釈する希釈部50と、混合ガスを除害する除害部52と、を備える。
【選択図】図1
Description
H2+(1/2)O2=H2O+285kJ/mol
SiH4+2O2=SiO2+1505kJ/mol
となり、特にモノシランの燃焼熱が高い。そのため、モノシランの濃度が高い場合は、窒素による希釈倍率を高めることで除害部52における分解炉やその他の部品に燃焼熱が与える影響を軽減することができる。
Claims (7)
- 複数の半導体製造装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置であって、
前記複数の半導体製造装置から排出されるそれぞれの排ガスを集めて混合し収容するガス収容部と、
前記ガス収容部で混合された混合ガスを希釈ガスで希釈する希釈部と、
前記混合ガスを除害する除害部と、
を備えることを特徴とする排ガス処理装置。 - 前記ガス収容部で混合された混合ガスに含まれる除害の必要な除害ガスの濃度を算出する濃度算出部を更に備え、
前記希釈部は、算出された除害ガスの濃度に応じて、導入される希釈ガスの量を制御することを特徴とする請求項1に記載の排ガス処理装置。 - 前記除害ガスは、モノシランであることを特徴とする請求項2に記載の排ガス処理装置。
- 前記ガス収容部から前記除害部までの経路におけるガスの圧力を検出する圧力検出部を更に備え、
前記除害部は、複数の除害装置を有するとともに、検出したガスの圧力に応じた数の除害装置に混合ガスを分配することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の排ガス処理装置。 - 前記ガス収容部に向かう排ガスの少なくとも一部を非常時に収容可能なバッファーを更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の排ガス処理装置。
- 前記排ガスまたは前記混合ガスの圧力を検出する圧力検出部と、
前記ガス収容部に向かう排ガスの少なくとも一部を非常時に収容可能なバッファーと、
前記圧力検出部で検出したガスの圧力が所定値よりも大きい場合に、前記ガス収容部に向かって流れる排ガスの少なくとも一部が前記バッファーに貯留されるように流路を切り替える流路切替部と、
を更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の排ガス処理装置。 - 複数の半導体製造装置から排出される排ガスを集めて混合する混合工程と、
混合された混合ガスに含まれる除害の必要な除害ガスの濃度に応じて希釈ガスで希釈する希釈工程と、
希釈された前記混合ガスを除害する除害工程と、
を備えることを特徴とする排ガス処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009059507A JP2010207771A (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | 排ガス処理装置および排ガス処理方法 |
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JP2010207771A true JP2010207771A (ja) | 2010-09-24 |
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JP2009059507A Pending JP2010207771A (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | 排ガス処理装置および排ガス処理方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2010207771A (ja) |
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