JPH0957046A

JPH0957046A - 排気ガス濃度制御システム

Info

Publication number: JPH0957046A
Application number: JP7220957A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Fujisaki; 博藤崎
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-08-30
Filing date: 1995-08-30
Publication date: 1997-03-04
Anticipated expiration: 2015-08-30
Also published as: JP3114578B2

Abstract

(57)【要約】【課題】反応生成ガスの濃度制御を積極的に行い、反
応生成ガスを自主規制値以下のガス濃度まで除去する。【解決手段】システムコントローラ２５はガス検知器
ヘッド４の検知濃度が自主規制値以下であれば、ダンパ
バルブ５のみを開いて反応生成ガスを排気ファン２３を
通してスクラバ２４に送る。システムコントローラ２５
はガス検知器ヘッド４の検知濃度が自主規制値を越える
と、ダンパバルブ６を開いて反応生成ガスを吸着塔１０
〜１２側に送る。システムコントローラ２５は吸着塔１
０〜１２各々の後段に設置されたガス検知器ヘッド１３
〜１５の検知濃度が自主規制値以下であればダンパバル
ブ１６，１８，２０を開けて反応生成ガスをスクラバ２
４に送り、ガス検知器ヘッド１３〜１５の検知濃度が自
主規制値を越えるとダンパバルブ１７，１９，２１を開
けて反応生成ガスを吸着塔１０〜１２側に送る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は排気ガス濃度制御シ
ステムに関し、特に半導体製造工程等で使用される特殊
高圧ガスを含む反応生成ガスを処理する排ガス処理施設
に使用する排気ガス濃度制御システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の排気ガス濃度制御システ
ムにおいては、生産設備からの反応生成ガスを排出する
ための配管（ダクト配管）内に、反応生成ガスの濃度が
除減量以下となるようにＡｒやＮ2 等の不活性ガスを予
め導入している。

【０００３】この配管を通して排出される反応生成ガス
に対しては希釈を行うか、あるいは吸着フィルタを通し
て排出する等の簡易除害処理を実施している。これらの
処理が実施された反応生成ガスに対しては最終処理とし
てスクラバ（Ｓｃｒｕｂｂｅｒ）処理（気体浄化処理）
が実施され、その後に外部に放出される。

【０００４】ここで、スクラバ処理とは微細な水滴を噴
霧することによって、気体中に含まれる粉塵やガス等を
除去する空気浄化処理のことである。

【０００５】また、スクラバ処理の前段にガス検知器を
設置し、このガス検知器がガスを検知した際に、高圧ガ
ス消費設備への高圧ガスの供給を制御するガス供給バル
ブを停止させるインタロックが設けられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の排気ガ
ス濃度制御システムでは、反応生成ガスの濃度制御を積
極的に行うのではなく、反応生成ガスをモニタして警報
等を発するだけなので、反応生成ガスの濃度が管理濃度
に達すると生産設備を停止させ、その原因追及を行わな
ければならない。

【０００７】また、反応生成ガスに対して簡易除害処理
を実施している場合でも、高濃度の反応生成ガスが排出
された時にスルー成分が自主規制値を越えることがある
が、その場合にスクラバ処理では反応生成ガスが完全に
除害されないことが考えられる。

【０００８】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、反応生成ガスの濃度制御を積極的に行うことがで
き、反応生成ガスを自主規制値以下のガス濃度まで除去
することができる排気ガス濃度制御システムを提供する
ことにある。

【０００９】また、本発明の他の目的は、反応生成ガス
の種類に対応した排気ガス濃度制御を実施することがで
きる排気ガス濃度制御システムを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による排気ガス濃
度制御システムは、生産設備から排出される反応生成ガ
スを気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含
む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであっ
て、前記反応生成ガスの濃度を検出するガス検出手段
と、前記反応生成ガスを吸着するガス吸着手段と、前記
ガス検出手段の検出結果に応じて前記反応生成ガスを前
記気体浄化手段と前記ガス吸着手段とのうち一方に選択
的に供給する供給手段とを備えている。

【００１１】本発明による他の排気ガス濃度制御システ
ムは、生産設備から排出される複数種の反応生成ガスを
気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含む排
ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであって、前
記複数種の反応生成ガスの種類及び濃度を検出するガス
検出手段と、前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する
複数のガス吸着手段と、前記ガス検出手段の検出結果に
応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記複数
のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する供
給手段とを備えている。

【００１２】本発明による別の排気ガス濃度制御システ
ムは、生産設備から排出される複数種の反応生成ガスを
気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含む排
ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであって、前
記複数種の反応生成ガスの種類及び濃度を検出するガス
検出手段と、前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する
複数のガス吸着手段と、前記ガス検出手段の検出結果が
予め設定された規制値以下の時に前記反応生成ガスを前
記気体浄化手段に供給する第１の供給手段と、前記ガス
検出手段の検出結果が前記規制値以下でない時に前記反
応生成ガスを前記複数のガス吸着手段各々に順次供給す
る第２の供給手段とを備えている。

【００１３】

【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について以下
に述べる。

【００１４】高圧ガス消費設備を使用する半導体製造ラ
イン等で特殊高圧ガスを含有する反応生成ガスを排出す
る際にダンパバルブを制御し、スクラバによるスクラバ
処理の前に反応生成ガスの濃度が自主規制値以下となる
まで吸着塔によるガス吸着処理で反応生成ガスを吸着す
る。これによって、反応生成ガスの濃度制御を積極的に
行うことができ、反応生成ガスを自主規制値以下のガス
濃度まで除去することが可能となる。

【００１５】また、スクラバによるスクラバ処理の前に
反応生成ガスの濃度が種類毎に自主規制値以下となるま
で、その種類に対応する吸着塔によるガス吸着処理で反
応生成ガスを吸着する。これによって、反応生成ガスの
種類に対応した排気ガス濃度制御を実施することが可能
となる。

【００１６】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例のシステム構成
を示すブロック図である。図において、本発明の一実施
例による半導体製造システムは高圧ガス消費設備１−ｉ
（ｉ＝１，２，３，４，５，……）と、簡易除害処理部
２−ｉと、ダクト配管３と、ガス検知器ヘッド４，１３
〜１５と、ダンパバルブ５〜９，１６〜２１と、吸着塔
１０〜１２と、排気ブロア２２と、排気ファン２３と、
スクラバ２４と、システムコントローラ２５とから構成
されている。

【００１７】図２〜図４は本発明の一実施例による反応
生成ガスの濃度制御を示すフローチャートである。これ
ら図１〜図４を用いて本発明の一実施例による反応生成
ガスの濃度制御について説明する。

【００１８】高圧ガス消費設備１−ｉは半導体製造ライ
ンのＣＶＤ、ドライエッチング、エピ成長工程等におい
て、シランやホスフィン、及びアルシン等の多量の特殊
高圧ガスが使用される装置を示している。

【００１９】簡易除害処理部２−ｉは高圧ガス消費設備
１−ｉから排出される反応生成ガスを多量の不活性ガス
（ＡｒやＮ2 等）で希釈するか、あるいは反応生成ガス
を吸着フィルタ等を通して簡易除害処理を実施し、その
気体を排気ガスとしてダクト配管３に排出する。

【００２０】ダクト配管３にはガス検知器ヘッド４が設
置されており、ガス検知器ヘッド４によってダクト配管
３内のガスの種類や濃度を検知し、その検知結果をシス
テムコントローラ２５の検知器コントローラ２５ａに通
知しかつ表示している。

【００２１】検知器コントローラ２５ａは反応生成ガス
の各種類に応じて予め決定された自主規制値等をプリセ
ットする機能を有している。尚、システムコントローラ
２５は検知器コントローラ２５ａと、吸着塔コントロー
ラ２５ｂと、バルブコントローラ２５ｃとから構成され
ている。

【００２２】通常、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド４の検知濃度が自主規制値以下であれば（図
２ステップＳ１，Ｓ２）、ダンパバルブ５を開いて他の
ダンパバルブ６〜９，１６〜２１を閉じた状態とする
（図２ステップＳ３）。

【００２３】ダンパバルブ５の排出側に排出される反応
生成ガスは排気ファン２３によってスクラバ２４内に取
込まれ（図２ステップＳ４）、スクラバ２４内でスクラ
バ処理（最終処理）が実施されて外部の大気中に放出さ
れる（図２ステップＳ５）。

【００２４】一方、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド４の検知濃度が自主規制値を越えた場合（図
２ステップＳ１，Ｓ２）、まずダンパバルブ５を閉じて
ダンパバルブ６を開く（図２ステップＳ６）。

【００２５】その後に、システムコントローラ２５はダ
ンパバルブ７を開き（図２ステップＳ７）、吸着塔１０
で反応生成ガスに対してガス吸着処理を実施する（図２
ステップＳ８）。ここで、吸着塔１０には一定の表面積
を持った金属酸化物の固体粒子（吸着充填剤）が充填さ
れるとともに、吸引ブロア（図示せず）が配設されてい
る。

【００２６】また、吸着塔１０の後段にはガス検知器ヘ
ッド１３が設置されており、吸着塔１０でガス吸着処理
が実施された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器
ヘッド１３で検知する（図２ステップＳ９）。

【００２７】システムコントローラ２５はガス検知器ヘ
ッド１３による検知結果が自主規制値（設定値）以下と
なったか否かを確認する（図２ステップＳ１０）。シス
テムコントローラ２５はガス検知器ヘッド１３による検
知結果が自主規制値以下であればダンパバルブ１６を開
き（図２ステップＳ１１）、吸着塔１０でガス吸着処理
が実施された反応生成ガスを排気ファン２３によってス
クラバ２４内に取込み（図２ステップＳ１２）、スクラ
バ２４内でスクラバ処理を実施して外部の大気中に放出
する（図２ステップＳ１３）。

【００２８】また、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド１３による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ１７を開き（図３ステップＳ１
４）、吸着塔１１で反応生成ガスに対してガス吸着処理
を実施する（図３ステップＳ１５）。

【００２９】吸着塔１１の後段にはガス検知器ヘッド１
４が設置されており、吸着塔１１でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
１４で検知する（図３ステップＳ１６）。

【００３０】システムコントローラ２５はガス検知器ヘ
ッド１４による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する（図３ステップＳ１７）。システムコント
ローラ２５はガス検知器ヘッド１４による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ１８を開き（図３ス
テップＳ１８）、吸着塔１１でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン２３によってスクラバ２４
内に取込み（図３ステップＳ１９）、スクラバ２４内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する（図３
ステップＳ２０）。

【００３１】また、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド１４による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ１９を開き（図４ステップＳ２
１）、吸着塔１２で反応生成ガスに対してガス吸着処理
を実施する（図４ステップＳ２２）。

【００３２】吸着塔１２の後段にはガス検知器ヘッド１
５が設置されており、吸着塔１２でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
１５で検知する（図４ステップＳ２３）。

【００３３】システムコントローラ２５はガス検知器ヘ
ッド１５による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する（図４ステップＳ２４）。システムコント
ローラ２５はガス検知器ヘッド１５による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ２０を開き（図４ス
テップＳ２５）、吸着塔１２でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン２３によってスクラバ２４
内に取込み（図４ステップＳ２６）、スクラバ２４内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する（図４
ステップＳ２７）。

【００３４】また、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド１５による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ２１を開き（図４ステップＳ２
８）、吸着塔１２でガス吸着処理が実施された反応生成
ガスを排気ブロア２２によってダンパバルブ７を通して
吸着塔１０に吸引する（図４ステップＳ２９）。

【００３５】上記のステップＳ７〜Ｓ２９の処理は、吸
着塔１０〜１２でガス吸着処理が実施された反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し実行
される。

【００３６】尚、多数の高圧ガス消費設備１−ｉが接続
されている場合には、ガス検知器ヘッド４で高濃度のガ
スが検出された時にダンパバルブ６を開くとともに、ダ
ンパバルブ７〜９を同時に開くことで、吸着塔１０〜１
２によるガス吸着処理の多段同時処理も可能である。

【００３７】また、吸着塔１０〜１２に夫々異なる種類
の反応生成ガスに対応する吸着剤を充填することで、吸
着塔１０〜１２では各々異なる種類の反応生成ガスに対
するガス吸着処理が可能となる。

【００３８】これによって、異なる種類の反応生成ガス
が混合された場合、その混合ガスに対して吸着塔１０〜
１２で順次ガス吸着処理を繰り返し実施することで、異
なる種類の反応生成ガスを夫々除害することが可能とな
る。

【００３９】ここで、反応生成ガスとしてはシランやホ
スフィン、及びアンモニア等があり、シランの許容濃度
は５ｐｐｍ、ホスフィンの許容濃度は０．３ｐｐｍ、ア
ンモニアの許容濃度は２５ｐｐｍである。

【００４０】したがって、例えばシランの自主規制値を
４ｐｐｍ、ホスフィンの自主規制値を０．２ｐｐｍ、ア
ンモニアの自主規制値を２４ｐｐｍとすれば、吸着塔１
０〜１２によるガス吸着処理でスクラバ２４によるスク
ラバ処理の前に許容濃度以下とすることが可能となる。

【００４１】図５は本発明の他の実施例のシステム構成
を示すブロック図である。図において、本発明の他の実
施例による半導体製造システムは排気ブロア２２を除去
し、ダンパバルブ１７，１９，２１各々の排出側を吸着
塔１０〜１２各々の吸入側に接続した以外は図１の本発
明の一実施例による半導体製造システムと同様の構成と
なっており、同一構成要素には同一符号を付してある。
また、同一構成要素の動作も本発明の一実施例と同様で
ある。

【００４２】但し、ガス検知器ヘッド４はマルチガスヘ
ッドとなっており、複数種類の反応生成ガス各々の種類
及び濃度を検知することが可能となっている。つまり、
ガス検知器ヘッド４は反応生成ガスを種類毎に検知する
複数の検知ヘッドから構成されており、それら複数の検
知ヘッドで夫々反応生成ガスを検知することによって複
数種類の反応生成ガス各々の種類及び濃度が検知可能と
なっている。

【００４３】図６〜図９は本発明の他の実施例による反
応生成ガスの濃度制御を示すフローチャートである。こ
れら図５〜図９を用いて本発明の他の実施例による反応
生成ガスの濃度制御について説明する。

【００４４】通常、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド４の検知濃度が自主規制値以下であれば（図
６ステップＳ３１，Ｓ３２）、ダンパバルブ５を開いて
他のダンパバルブ６〜９，１６〜２１を閉じた状態とす
る（図２ステップＳ３３）。

【００４５】ダンパバルブ５の排出側に排出される反応
生成ガスは排気ファン２３によってスクラバ２４内に取
込まれ（図６ステップＳ３４）、スクラバ２４内でスク
ラバ処理（最終処理）が実施されて外部の大気中に放出
される（図６ステップＳ３５）。

【００４６】一方、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド４の検知濃度が自主規制値を越えた場合（図
２ステップＳ３１，Ｓ３２）、まずダンパバルブ５を閉
じてダンパバルブ６を開く（図６ステップＳ３６）。

【００４７】その後に、システムコントローラ２５はガ
ス検知器ヘッド４で検知されたガスの種類を判定し（図
６ステップＳ３７）、夫々反応生成ガスの種類（ガス
〜）に応じて吸着塔１０〜１２によるガス吸着処理が
実施されるよう制御する。

【００４８】システムコントローラ２５は反応生成ガス
の種類をガスと判定した場合、ダンパバルブ７を開き
（図７ステップＳ３８）、吸着塔１０で反応生成ガスに
対してガス吸着処理を実施する（図７ステップＳ３
９）。ここで、吸着塔１０にはガスの種類に対応する
吸着充填剤が充填されている。

【００４９】吸着塔１０の後段にはガス検知器ヘッド１
３が設置されており、吸着塔１０でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
１３で検知する（図７ステップＳ４０）。

【００５０】システムコントローラ２５はガス検知器ヘ
ッド１３による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する（図７ステップＳ４１）。システムコント
ローラ２５はガス検知器ヘッド１３による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ１６を開き（図７ス
テップＳ４２）、吸着塔１０でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン２３によってスクラバ２４
内に取込み（図７ステップＳ４３）、スクラバ２４内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する（図７
ステップＳ４４）。

【００５１】また、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド１３による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ１７を開き（図７ステップＳ４
５）、ステップＳ３９に戻って吸着塔１０で反応生成ガ
スに対してガス吸着処理を実施する。

【００５２】上記の処理は、種類がガスの反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し行わ
れる（図７ステップＳ３９〜Ｓ４１，Ｓ４５）。尚、ダ
ンパバルブ１７を開く前にはシステムコントローラ２５
の制御でダンパバルプ７が閉じられている。

【００５３】システムコントローラ２５は反応生成ガス
の種類をガスと判定した場合、ダンパバルブ８を開き
（図８ステップＳ４６）、吸着塔１１で反応生成ガスに
対してガス吸着処理を実施する（図８ステップＳ４
７）。ここで、吸着塔１１にはガスの種類に対応する
吸着充填剤が充填されている。

【００５４】吸着塔１１の後段にはガス検知器ヘッド１
４が設置されており、吸着塔１１でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
１４で検知する（図８ステップＳ４８）。

【００５５】システムコントローラ２５はガス検知器ヘ
ッド１４による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する（図８ステップＳ４９）。システムコント
ローラ２５はガス検知器ヘッド１４による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ１８を開き（図８ス
テップＳ５０）、吸着塔１１でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン２３によってスクラバ２４
内に取込み（図８ステップＳ５１）、スクラバ２４内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する（図８
ステップＳ５２）。

【００５６】また、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド１４による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ１９を開き（図８ステップＳ５
３）、ステップＳ４７に戻って吸着塔１１で反応生成ガ
スに対してガス吸着処理を実施する。

【００５７】上記の処理は、種類がガスの反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し行わ
れる（図８ステップＳ４７〜Ｓ４９，Ｓ５３）。尚、ダ
ンパバルブ１９を開く前にはシステムコントローラ２５
の制御でダンパバルプ８が閉じられている。

【００５８】システムコントローラ２５は反応生成ガス
の種類をガスと判定した場合、ダンパバルブ９を開き
（図９ステップＳ５４）、吸着塔１２で反応生成ガスに
対してガス吸着処理を実施する（図９ステップＳ５
５）。ここで、吸着塔１２にはガスの種類に対応する
吸着充填剤が充填されている。

【００５９】吸着塔１２の後段にはガス検知器ヘッド１
５が設置されており、吸着塔１２でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
１５で検知する（図９ステップＳ５６）。

【００６０】システムコントローラ２５はガス検知器ヘ
ッド１５による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する（図９ステップＳ５７）。システムコント
ローラ２５はガス検知器ヘッド１５による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ２０を開き（図９ス
テップＳ５８）、吸着塔１２でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン２３によってスクラバ２４
内に取込み（図９ステップＳ５９）、スクラバ２４内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する（図９
ステップＳ６０）。

【００６１】また、システムコントローラ２５はガス検
知器ヘッド１５による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ２１を開き（図９ステップＳ６
１）、ステップＳ５５に戻って吸着塔１２で反応生成ガ
スに対してガス吸着処理を実施する。

【００６２】上記の処理は、種類がガスの反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し行わ
れる（図９ステップＳ５５〜Ｓ５７，Ｓ６１）。尚、ダ
ンパバルブ２１を開く前にはシステムコントローラ２５
の制御でダンパバルプ９が閉じられている。

【００６３】これによって、自主規制値をガス〜の
種類毎に許容濃度以下に設定しておけば、ガス〜と
いう複数種類の反応生成ガス各々を種類毎に、その濃度
を吸着塔１０〜１２によるガス吸着処理でスクラバ２４
によるスクラバ処理の前に許容濃度以下とすることが可
能となる。また、反応生成ガスが複数種類からなる場合
には、一つのガス吸着処理が終了した後に次のガス吸着
処理を行えるようスクラバ２４の前段で吸着塔１０〜１
２の前段まで戻るようにすればよい。

【００６４】このように、高圧ガス消費設備１−ｉを使
用する半導体製造ライン等で特殊高圧ガスを含有する反
応生成ガスを排出する際にダンパバルブ５〜９，１６〜
２１を制御し、スクラバ２４によるスクラバ処理の前に
反応生成ガスの濃度が自主規制値以下となるまで吸着塔
１０〜１２によるガス吸着処理で反応生成ガスを吸着す
ることによって、反応生成ガスの濃度制御を積極的に行
うことができ、反応生成ガスを自主規制値以下のガス濃
度まで除去することができる。

【００６５】また、スクラバ２４によるスクラバ処理の
前に反応生成ガスの濃度が種類毎に自主規制値以下とな
るまで、その種類に対応する吸着塔１０〜１２によるガ
ス吸着処理で反応生成ガスを吸着することによって、反
応生成ガスの種類に対応した排気ガス濃度制御を実施す
ることができる。

【００６６】尚、請求項の記載に関連して本発明はさら
に次の態様をとりうる。

【００６７】（１）生産設備から排出される複数種の
反応生成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄
化手段を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システ
ムであって、前記生産設備から排出された前記反応生成
ガスの種類及び濃度を検出する第１のガス検出手段と、
前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数のガス吸
着手段と、前記複数のガス吸着手段各々から排出される
前記反応生成ガスの種類及び濃度を検出する複数の第２
のガス検出手段と、前記第１のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記複
数のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する
第１の供給手段と、前記第２のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と次段の
ガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する複数
の第２の供給手段とを有することを特徴とする排気ガス
濃度制御システム。

【００６８】（２）前記第１の供給手段は、前記第１
のガス検出手段の検出結果が予め設定された規制値以下
の時に前記反応生成ガスを前記気体浄化手段に供給しか
つ前記第１のガス検出手段の検出結果が前記規制値以下
でない時に前記反応生成ガスを前記複数のガス吸着手段
のうちの先頭のガス吸着手段に供給するよう構成し、前
記複数の第２の供給手段各々は、前記第２のガス検出手
段の検出結果が予め設定された規制値以下の時に前記反
応生成ガスを前記気体浄化手段に供給しかつ前記第２の
ガス検出手段の検出結果が前記規制値以下でない時に前
記反応生成ガスを前記複数のガス吸着手段のうちの次段
のガス吸着手段に供給するよう構成したことを特徴とす
る（１）記載の排気ガス濃度制御システム。

【００６９】（３）生産設備から排出される複数種の
反応生成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄
化手段を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システ
ムであって、前記生産設備から排出された前記反応生成
ガスの種類及び濃度を検出する第１のガス検出手段と、
前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数のガス吸
着手段と、前記複数のガス吸着手段各々から排出される
前記反応生成ガスの種類及び濃度を検出する複数の第２
のガス検出手段と、前記第１のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記複
数のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する
第１の供給手段と、前記第２のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記第
２のガス検出手段の前段のガス吸着手段とのうち一方に
供給する複数の第２の供給手段とを有することを特徴と
する排気ガス濃度制御システム。

【００７０】（４）前記第１の供給手段は、前記第１
のガス検出手段の検出結果が予め設定された規制値以下
の時に前記反応生成ガスを前記気体浄化手段に供給しか
つ前記第１のガス検出手段の検出結果が前記反応生成ガ
スの種類毎に予め設定された規制値以下でない時に前記
反応生成ガスを前記規制値以下でない反応生成ガスに対
応するガス吸着手段に供給するよう構成し、前記複数の
第２の供給手段各々は、前記第２のガス検出手段の検出
結果が予め設定された規制値以下の時に前記反応生成ガ
スを前記気体浄化手段に供給しかつ前記第２のガス検出
手段の検出結果が前記規制値以下でない時に前記反応生
成ガスを前記第２のガス検出手段の前段のガス吸着手段
に供給するよう構成したことを特徴とする（３）記載の
排気ガス濃度制御システム。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の排気ガス濃
度制御システムによれば、生産設備から排出される反応
生成ガスの濃度の検出結果が予め設定された規制値以下
の時に反応生成ガスに対して気体浄化処理を実施し、反
応生成ガスの濃度の検出結果が規制値以下でない時に反
応生成ガスに対してガス吸着処理を実施することによっ
て、反応生成ガスの濃度制御を積極的に行うことがで
き、反応生成ガスを自主規制値以下のガス濃度まで除去
することができるという効果がある。

【００７２】また、本発明の他の排気ガス濃度制御シス
テムによれば、生産設備から排出される反応生成ガスの
濃度の検出結果が予め設定された規制値以下の時に反応
生成ガスに対して気体浄化処理を実施し、反応生成ガス
の濃度の検出結果が反応生成ガスの種類毎に予め設定さ
れた規制値以下でない時にその反応生成ガスに対して規
制値以下でない反応生成ガスに対応するガス吸着処理を
実施することによって、反応生成ガスの種類に対応した
排気ガス濃度制御を実施することができるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のシステム構成を示すブロッ
ク図である。

【図２】本発明の一実施例による反応生成ガスの濃度制
御を示すフローチャートである。

【図３】本発明の一実施例による反応生成ガスの濃度制
御を示すフローチャートである。

【図４】本発明の一実施例による反応生成ガスの濃度制
御を示すフローチャートである。

【図５】本発明の他の実施例のシステム構成を示すブロ
ック図である。

【図６】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。

【図７】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。

【図８】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。

【図９】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。

【符号の説明】

３ダクト配管４，１３〜１５ガス検知器ヘッド５〜９，１６〜２１ダンパバルブ１０〜１２吸着塔２２排気ブロア２３排気ファン２４スクラバ２５システムコントローラ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】生産設備から排出される反応生成ガスを
気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含む排
ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであって、前
記反応生成ガスの濃度を検出するガス検出手段と、前記
反応生成ガスを吸着するガス吸着手段と、前記ガス検出
手段の検出結果に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄
化手段と前記ガス吸着手段とのうち一方に選択的に供給
する供給手段とを有することを特徴とする排気ガス濃度
制御システム。
【請求項２】前記ガス検出手段の検出結果が予め設定
された規制値以下の時に前記反応生成ガスを前記気体浄
化手段に供給しかつ前記ガス検出手段の検出結果が予め
設定された規制値以下でない時に前記反応生成ガスを前
記ガス吸着手段に供給するよう前記供給手段を制御する
手段を有することを特徴とする請求項１記載の排気ガス
濃度制御システム。
【請求項３】生産設備から排出される複数種の反応生
成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段
を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであ
って、前記複数種の反応生成ガスの種類及び濃度を検出
するガス検出手段と、前記複数種の反応生成ガス各々を
吸着する複数のガス吸着手段と、前記ガス検出手段の検
出結果に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と
前記複数のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供
給する供給手段とを有することを特徴とする排気ガス濃
度制御システム。
【請求項４】前記ガス検出手段の検出結果が予め設定
された規制値以下の時に前記反応生成ガスを前記気体浄
化手段に供給しかつ前記ガス検出手段の検出結果が前記
反応生成ガスの種類毎に予め設定された規制値以下でな
い時に前記反応生成ガスを前記規制値以下でない反応生
成ガスに対応するガス吸着手段に供給するよう前記供給
手段を制御する手段を有することを特徴とする請求項３
記載の排気ガス濃度制御システム。
【請求項５】生産設備から排出される複数種の反応生
成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段
を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであ
って、前記複数種の反応生成ガスの種類及び濃度を検出
するガス検出手段と、前記複数種の反応生成ガス各々を
吸着する複数のガス吸着手段と、前記ガス検出手段の検
出結果が予め設定された規制値以下の時に前記反応生成
ガスを前記気体浄化手段に供給する第１の供給手段と、
前記ガス検出手段の検出結果が前記規制値以下でない時
に前記反応生成ガスを前記複数のガス吸着手段各々に順
次供給する第２の供給手段とを有することを特徴とする
排気ガス濃度制御システム。