TWI459490B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method, and a memory medium - Google Patents
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Description
本發明是有關對半導體晶圓或液晶面板的玻璃板等各種的基板實施所要的液處理之基板處理裝置，特別是從共通的處理液供給單元分配供給處理液至複數的處理單元之基板處理裝置。
在半導體或液晶面板等的製造工程中，有洗淨或蝕刻等，將處理液吐出至被處理體，或將被處理體浸漬於處理液的液處理工程。為了使如此的處理工程自動化，而使用將對基板實施液處理的複數的液處理單元及供給處理液至上述複數的液處理單元的處理液供給單元予以收納於共通的框體，且具備在連結至上述框體的卡匣與上述複數的液處理單元之間進行處理對象的基板的搬入‧搬出的基板搬送手段之基板處理裝置。
如此的基板處理裝置是從共通的處理液供給單元供給處理液至複數個的液處理單元。並且，處理液供給單元是具備：調合從複數的原液供給源所供給的原液，而生成處理液的處理液調合槽。而且，也會有具備用以存積從上述處理液調合槽移送的處理液之處理液存積槽，而從上述處理液存積槽來分配供給處理液至複數個的液處理單元的情況。並且，也會有設置還流路的情況，其係便在液處理單元未被使用(剩餘的)處理液還流至處理液存積槽(例如專利文獻1)。
又，基板處理裝置具備用以檢測出在處理液供給單元處理液的剩餘量之感測器，一旦處理液供給單元内的處理液的剩餘量形成0，則使基板處理裝置強制停止。
[專利文獻1]特開2007-109738號公報
然而，若處理液供給單元内的處理液的剩餘量形成0之後，使基板處理裝置強制停止，則到處理液被補充至處理液供給單元為止，基板的液處理是停止，因此會有基板處理裝置的生產能力降低的問題。
又，一旦使基板處理裝置強制停止，則位於複數個的液處理單元内的所有基板會形成不良品，因此會有成品率變差的問題。
另一方面，也會有即使處理液供給單元内的處理液的剩餘量形成0，還是可使用處理液供給單元與液處理單元之間的配管中所殘留的處理液來完成液處理單元内的基板的處理的情況。並且，也會有經由還流路，以從液處理單元返回至處理液存積槽的處理液來供給在運轉中的液處理單元所必要的處理液的情況。
本發明是有鑑於上記的實情而研發者，其目的是在提供一種使因為處理液供給單元内的處理液的減少而引起基板處理裝置的強制停止的頻率減少，而有效地使用處理液，成品率良好的基板處理裝置。
本發明的基板處理裝置，係具備：
複數的液處理單元，其係對基板實施液處理；
基板搬送手段，其係對上述複數的液處理單元進行基板的搬入‧搬出；
處理液供給單元，其係供給處理液至上述複數的液處理單元；及
處理液剩餘量檢出手段，其係檢測出上述處理液供給單元内的處理液的剩餘量，
其特徵係具備控制手段，其係上述處理液剩餘量檢出手段所檢測出之上述處理液供給單元內的處理液的剩餘量低於所定量時，停止上述基板搬送手段搬入基板至上述液處理單元。
又，上述處理液供給單元係具備：
處理液調合槽，其係調合從複數的原液供給源所供給的原液，而生成處理液；
處理液存積槽，其係存積處理液；
處理液移送手段，其係從上述處理液調合槽移送處理液至上述處理液存積槽；及
處理液配送手段，其係從上述處理液存積槽配送處理液至上述複數的液處理單元。
又，上述處理液剩餘量檢出手段可為檢測出上述處理液存積槽内的處理液的剩餘量之存積槽内處理液剩餘量檢出手段。
或，上述處理液剩餘量檢出手段可為檢測出上述處理液調合槽内的處理液的剩餘量之調合槽内處理液剩餘量檢出手段。
又，本發明的基板處理裝置，除了上述構成以外，還可具備：檢知上述處理液移送手段的異常之移送異常檢知手段，且
上述控制手段，係於上述移送異常檢知手段檢知上述處理液移送手段的異常時，停止上述基板搬送手段之基板的搬入。
又，本發明的基板處理裝置，除了上述構成以外，還可具備：檢知上述原液供給源的異常之供給源異常檢知手段，且
上述控制手段，係於上述供給源異常檢知手段檢知上述原液供給源的異常時，停止上述基板搬送手段之基板的搬入。
又，本發明的基板處理裝置，除了上述構成以外，還可具備：在每個液處理單元檢測出供給至上述複數的液處理單元的處理液的流量之供給量檢出手段，且
上述控制手段，係於上述供給量檢出手段檢測出往液處理單元之處理液的供給量低於所定量時，停止供給處理液至該液處理單元，且記錄該液處理單元内之基板的液處理未完了的訊息。
又，上述控制手段，可在上述供給流量檢出手段檢測出往液處理單元之處理液的供給量低於所定量時，停止供給處理液至該液處理單元，使在該液處理單元進行利用純水之基板的洗淨及乾燥。
又，本發明的基板處理裝置，除了上述構成以外，還可具備：
處理液還流手段，其係將在上述複數的液處理單元未被使用的處理液予以彙總還流至上述處理液供給單元；及
還流量檢出手段，其係檢測出流動於上述處理液還流手段内的處理液的流量，且
上述控制手段，係於上述還流量檢出手段檢測出之處理液的流量低於所定量時，記錄利用處理液的液處理未終了之液處理單元内的基板的液處理未完了的訊息。
又，上述控制手段，可在上述還流量檢出手段所檢測出之處理液的流量低於所定量時，使在利用處理液的液處理未終了的液處理單元進行基板之利用純水的洗淨及乾燥。
本發明的基板處理方法，係逐次搬入基板至複數的液處理單元，從處理液供給單元供給處理液至上述複數的液處理單元，而對基板實施液處理，在上述液處理的完了後，從上述複數的液處理單元逐次搬出基板之基板處理方法，其特徵為：
上述處理液供給單元内的處理液的剩餘量低於所定量時，停止搬入基板至上述液處理單元。
又，上述處理液供給單元，係具有處理液調合槽、處理液存積槽、處理液移送手段及處理液配送手段，
在上述處理液調合槽調合從複數的原液供給源供給的原液，而生成處理液，
以處理液移送手段來將生成於上述處理液調合槽的處理液移送至上述處理液存積槽，存積，
以上述處理液配送手段來將存積於上述處理液存積槽的處理液配送至上述複數的液處理單元。
又，上述處理液存積槽内的處理液的剩餘量低於所定量時，停止搬入基板至上述液處理單元。
或，上述處理液調合槽内的處理液的剩餘量低於所定量時，停止基板搬入至上述液處理單元。
又，本發明的基板處理方法，除了上述構成以外，還可在檢知上述處理液移送手段的異常時，停止搬入基板至上述液處理單元。
又，本發明的基板處理方法，除了上述構成以外，還可在檢知上述原液供給源的異常時，停止搬入基板至上述液處理單元。
又，本發明的基板處理方法，除了上述構成以外，還可在每個液處理單元檢測出供給至上述複數的液處理單元之處理液的流量，
在檢測出往液處理單元之處理液的供給停止時，停止該液處理單元的運轉，且記錄該液處理單元内的基板的液處理未完了的訊息。
又，本發明的基板處理方法，除了上述構成以外，還可在檢測出往液處理單元之處理液的供給停止時，使在該液處理單元進行利用純水之基板的洗淨及乾燥。
又，亦可將在上述複數的液處理單元未被使用的處理液予以彙總還流至上述處理液供給單元，
還流於上述處理液供給單元的處理液的流量低於所定量時，停止基板處理，且記錄運轉中的全部的液處理單元内的基板的液處理未完了的訊息。
又，除了上述構成以外，還可在還流於上述處理液供給單元的處理液的流量低於所定量時，使在運轉中的全部的液處理單元進行基板之利用純水的洗淨及乾燥。
又，本發明的記憶媒體，係儲存在控制基板處理裝置的電腦所被執行的程式，該基板處理裝置係具備：
複數的液處理單元，其係對基板實施液處理；
基板搬送手段，其係對上述複數的液處理單元進行基板的搬入‧搬出；
處理液供給單元，其係供給處理液至上述複數的液處理單元；及
處理液剩餘量檢出手段，其係檢測出上述處理液供給單元内的處理液的剩餘量，其特徵為：
上述程式係具有：上述處理液供給單元内的處理液的剩餘量低於所定量時，停止搬入基板至上述液處理單元的步驟。
本發明的基板處理裝置是在處理液存積槽内或處理液調合槽内的處理液缺乏、或從處理液調合槽移送處理液至處理液存積槽的處理液移送手段發生異常時，停止搬入新的(素材)基板至液處理單元，現在處理中的基板的處理是繼續進行，因此可有效地使用處理液，提升高基板的保護及成品率。
以下，一邊參照圖面一邊說明有關用以實施本發明的最佳形態。
圖1是表示本發明的基板處理裝置的基本構成的概念平面圖。
如圖1所示，基板處理裝置1是由基板搬出入部2及液處理部3所構成。
基板搬出入部2是由卡匣載置部4及副搬送部5所構成。卡匣載置部4是載置卡匣6而氣密連結的介面。由於卡匣6是被氣密連接至卡匣載置部4，因此可在不將卡匣6内的基板7暴露於外部的環境下搬入至副搬送部5。並且，在副搬送部5具備第1搬送臂8及交接台9。第1搬送臂8是由被連接至卡匣載置部4的卡匣6來搬出入基板7的機械手臂。又，交接台9是用以在副搬送部5與液處理部3之間進行基板7的交接之暫置台。另外，卡匣6是在水平狀態下收容複數的基板7之運搬容器。
液處理部3是具備：具有第2搬送臂10的主搬送部11、及配列於主搬送部11兩側的8台的基板處理單元12。並且，第2搬送臂10是在交接台9與基板處理單元11之間進行基板7的搬送。亦即，若第1搬送臂8從卡匣6搬出處理前的基板7來載置於交接台9，則第2搬送臂10會予以接收來搬送至基板處理單元12。又，一旦基板處理單元12的處理終了，則第2搬送臂10會從基板處理單元12取出處理完成的基板7，而搬送至交接台9。
基板處理單元12是對基板7塗佈處理液來進行蝕刻，以蒸餾水來洗淨，最後乾燥基板7之蝕刻裝置。另外，在基板處理裝置1具備電腦20、及其次說明的處理液供給單元13。第1搬送臂8、第2搬送臂10、基板處理單元12及處理液供給單元13是接受電腦20的支配來自動運轉。
圖2是表示處理液供給單元13的概念構成的配管系統圖。在此是僅顯示本發明的說明所必要的裝置。以下一邊參照圖2一邊說明處理液供給單元13的構成及機能。
如圖2所示，處理液供給單元13是對基板處理單元12供給所定的處理液(腐蝕液)的單元，具備處理液調合槽14，15及處理液存積槽16。
處理液調合槽14，15是在於混合從純水供給源17(例如配置於設備的純水供給管)所供給的純水、及從藥液供給源18(例如配置於設備的原液供給管)所供給的藥液(原液)，而生成所定濃度的處理液之容器。因應於此，在純水供給源17與處理液調合槽14，15之間設有流量調整閥141，151，在藥液供給源18與處理液調合槽14，15之間設有流量調整閥142，152，純水與藥液(原液)可以所定的比率來流入至處理液調合槽14，15。並且，在處理液調合槽14，15具備液位計143，153，可檢測出處理液調合槽14，15内的處理液的剩餘量。並且，處理液調合槽14，15與處理液存積槽16是以配管來連絡，在處理液調合槽14，15所生成的處理液是被移送至處理液存積槽16。因應於此，在處理液調合槽14，15與處理液存積槽16之間的配管具備開閉閥144，154及泵145，155。
另外，之所以具備兩槽的處理液調合槽14，15，是為了交替進行處理液的生成及移送。例如，關閉開閉閥144且停止泵145，而在處理液調合槽14内進行處理液的生成及濃度的調整期間，開啟開閉閥154，運轉泵155，將處理液調合槽15内的處理液移送至處理液存積槽16。處理液的移送終了而處理液調合槽15内的處理液變無時，在處理液調合槽14内的處理液的生成終了後，開始處理液調合槽14内的處理液往處理液存積槽16的移送，且開始在處理液調合槽15内之處理液的生成。
由於如此交替使用處理液調合槽14，15，因此可連績移送處理液至處理液存積槽16。並且，處理液調合槽14，15是在停止往處理液存積槽16的移送之狀態下進行處理液的生成，因此可正確地調整處理液的濃度。
處理液存積槽16是暫時存積從處理液調合槽14，15移送的處理液，且經由配送管19來分配‧送給至8座的基板處理單元12。並且，處理液存積槽16具備液位計161，而可檢測出處理液存積槽16内的處理液的剩餘量。
配送管19是將處理液存積槽16内的處理液分配‧送給至8座的基板處理單元12的管系，形成從處理液存積槽16出發，返回處理液存積槽16的循環路。並且，在配送管19的途中具備泵191及流量計192。
配送管19與基板處理單元12之間是如其次那樣連接。從配送管19是分歧有枝管121，處理液會通過枝管121來流至轉換閥122。轉換閥122是在於切換從枝管121供給的處理液及從純水供給源17供給的純水，而送給至基板處理單元12。並且，在轉換閥122與基板處理單元12之間具有流量計123。而且，在轉換閥122與配送管19之間設有返流管124，在轉換閥122不選擇處理液時可使從枝管121流入轉換閥122的處理液返流至配送管19。
基板處理裝置1是將從連結至卡匣載置部4的卡匣6所取出的基板7予以逐次搬入至基板處理單元12而進行液處理，處理終了的基板7會返回卡匣6，且將新(未處理)的基板7予以逐次搬入基板處理單元12。並且，隨著在基板處理單元12的液處理被重複進行，處理液存積槽16内的處理液會消耗，但消耗的處理液可從處理液調合槽14，15移送‧補充。而且，一旦處理液調合槽14，15内的處理液變無，則處理液調合槽14，15會產生處理液。
在基板處理裝置1的運轉中，若處理液單元13發生某些的異常，而處理液不被供給，則位在基板處理單元12内的基板7之處理液的處理會中斷，放置，未完成處理的基板7會流出至其次的工程。於是，在處理液單元13發生某些的異常時，基板處理裝置1會執行其次那樣的處理。另外，在以下的說明中，只要沒有特別的理由，進行「判斷」「命令」的是控制基板處理裝置1的電腦20。
(1)處理液存積槽16内的處理液量降低時
液位計161所檢測出之處理液存積槽16内的處理液的剩餘量低於所定值時，電腦20會命令副搬送部5不要將新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1中。但，有關現在位於基板處理單元12内的基板7是繼續處理液的處理。這是因為若將(未處理的)基板7搬入至基板處理裝置1中，而使重複進行利用處理液的處理，則基板處理裝置1内的處理液會完全缺乏，無法進行利用處理液的處理，但有關現在位於基板處理單元12内的基板7則可使用處理液存積槽16及配送管19中所剩下的處理液來進行處理。又，此時，電腦20會將處理液存積槽16内的處理液的剩餘量低於所定值的訊息之警報輸出至外部。操作員會接受該警報來進行異常的除去(處理液單元13的修理、或往處理液存積槽16之處理液的補充)，一旦處理液存積槽16内的處理液的剩餘量恢復上述所定值，則電腦20會許可新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1，回到通常的運轉。
(2)處理液調合槽14，15的處理液量降低時
若處理液調合槽14，15的處理液量異常降低而未恢復，則不久處理液存積槽16内的處理液會缺乏。於是，液位計143，153所檢測出的處理液調合槽14，15同時(因為處理液調合槽14，15是交替進行處理液的生成及往處理液存積槽16的移送，所以其中任一方成空是正常的現象)低於所定值時，電腦20會命令副搬送部5不要將新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1中。但，此情況，有關現在位於基板處理單元12内的基板7也是繼續進行利用處理液的處理。並且，此時，電腦20會將處理液調合槽14，15内的處理液的剩餘量同時低於所定值的訊息之警報輸出至外部。操作員會接受該警報來進行處理液調合槽14，15的修理等，一旦處理液調合槽14，15恢復上述所定值，則電腦20會許可新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1，回到通常的運轉。
(3)處理液移送手段發生異常時
若處理液移送手段，亦即連結處理液調合槽14，15與處理液存積槽16的管路及設於該管路的機器發生異常，則會停止從處理液調合槽14，15移送處理液至處理液存積槽16，因此不久處理液存積槽16内的處理液會缺乏。於是，當開閉閥144，154或泵145，155不回應電腦20的命令時，判斷處理液移送手段發生異常，電腦20會命令副搬送部5不要將新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1中。但，此情況，有關現在位於基板處理單元12内的基板7也是繼續進行利用處理液的處理。並且，此時，電腦20會將處理液移送手段發生異常的訊息之警報輸出至外部。操作員會接受該警報來進行開閉閥144，154或泵145，155的修理等，一旦處理液移送手段的異常解消，則電腦20會許可新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1，回到通常的運轉。
(4)原液供給源發生異常時
若原液供給源，亦即純水供給源17或藥液供給源18發生異常，則因為處理液調合槽14，15的處理液的生成會停止，所以不久處理液存積槽16内的處理液會缺乏。於是，一旦從上位的系統通報原液供給源的異常，則電腦20會命令副搬送部5不要將新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1中。但，此情況，有關現在位於基板處理單元12内的基板7也是繼續進行處理。並且，此時，電腦20會將原液供給源發生異常的訊息之警報輸出至外部。操作員會接受該警報來進行純水供給源17或藥液供給源18的修理等，一旦原液供給源的異常解消，則電腦20會許可新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1，回到通常的運轉。
如此，上述(1)～(4)的情況是電腦20會命令不要將新(未處理)的基板7搬入至基板處理裝置1中，但有關現在位於基板處理單元12内的基板7則是繼續進行蝕刻處理。因此，與在處理液供給單元13被檢測出異常時，立即地強制停止基板處理裝置1全體時相較之下，可減少液處理被中斷而成為不良品的基板7的數量。
(5)在各基板處理單元12不被供給處理液時
上述(1)～(4)的情況是有關現在位於基板處理單元12内的基板7會繼績進行利用處理液的處理，但處理液的補充或處理液單元13的修理等未被執行時，會有不久在基板處理單元12不被供給處理液之情況。又，有時會因為配送管19或基板處理單元12本身的異常，在基板處理單元12不被供給處理液。
於是，電腦20會以流量計123來監控供給至基板處理單元12的處理液的流量，一旦檢測出往基板處理單元12的處理液供給量低於所定量，則對該基板處理單元12進行其次那樣的處理。亦即，將供給處理液的轉換閥122轉換成純水，將純水供給至基板處理單元12，而以純水來洗淨基板處理單元12内的基板7。若洗淨終了，則乾燥基板7。若乾燥終了，則從基板處理單元12取出基板7，經由主搬送部11及副搬送部5來將基板7搬出至基板處理裝置1外。並且，此時，電腦20會記錄該基板7未正常地完成利用處理液的處理之訊息。或將該訊息報告上位的系統(例如管理包含基板處理裝置1的設備全體的系統)。另外，之所以洗淨及乾燥該中斷處理液的處理之基板7，是因為若原封不動地將被處理液沾溼的基板7從基板處理單元12取出，則處理液會污染主搬送部11及副搬送部5。
如此在基板處理單元12不被供給處理液的情況，是個別地停止基板處理單元12，因此可將被中斷液處理而成為不良品的基板7的數量止於最小限度。並且，記錄該基板7的液處理未完成的訊息，通報上位的系統，因此可防止不良品流出至其次的工程。
(6)處理液未流動於配送管19時
一旦流量計192檢測出配送管19内的處理液的流量低於所定量，則電腦20會停止包含泵191的基板處理裝置1全體的運轉。但，此情況，有關利用處理液的液處理未終了之全部的基板處理單元12也是在進行上述(5)所說明那樣的處理，亦即該基板處理單元12内之基板7的洗淨及乾燥後，從基板處理裝置1搬出該基板7，且記錄該基板7的蝕刻處理未完了的訊息，或將該訊息報告上位的系統。
如此，在處理液未流動於配送管19時，可避免受到大的損傷。
在處理液供給單元13發生某些的異常時，上述(1)～(6)的處理會被進行，該等的處理是藉由基板處理裝置1内的電腦20來自動地執行。以下，簡單說明有關用以進行該等的處理的程式。另外，該程式是被儲存於裝置在電腦20的記憶媒體201(記憶體、硬碟，碟狀記憶體等)。
圖3是表示基板處理裝置1的控制程式的概略流程圖。以下，一邊引用圖3所附的步驟號碼一邊說明基板處理裝置1的控制程式。
(步驟1)從卡匣6取出基板7，搬入至液處理單元12。
(步驟2)對搬入至液處理單元12的基板7進行液處理。
(步驟3)從完成液處理的液處理單元12搬出基板7。
(步驟4)若卡匣6内有未處理的基板7剩下，則前進至步驟5，若無剩下則終了。
(步驟5)讀取液位計161，若處理液存積槽16内的處理液的剩餘量為所定量以上，則前進至步驟6，若低於所定量，則輸出警報，回到步驟2。
(步驟6)讀取液位計143，153，若處理液調合槽14，15的任一至少一方的處理液的剩餘量為所定量以上，則前進至步驟7，若雙方低於所定量，則輸出警報，回到步驟2。
(步驟7)若泵145，155無異常，則前進至步驟8，若有異常，則輸出警報，回到步驟2。
(步驟8)若純水供給源17及藥液供給源18無異常，則回到步驟1，若有任一異常，則輸出警報，回到步驟2。
如此，若處理液存積槽16内的處理液的剩餘量、處理液調合槽14，15内的處理液的剩餘量、泵145，155、純水供給源17及藥液供給源18全部處於正常的範圍，則至有關卡匣6内的全部基板7的處理終了為止，重複往液處理單元12之基板7的搬入及搬出，當有某些異常時，停止住液處理單元12搬入新的基板7，有關現在處理中的基板7則繼績液處理。
圖4是表示個別地緊急停止液處理單元12的緊急停止程式的概略流程圖。緊急停止程式是在流量計123檢測出往液處理單元12的處理液的流量低於所定量時起動。以下，一邊引用圖4所附的步驟號碼一邊說明緊急停止程式。
(步驟11)中止該液處理單元12的液處理。
(步驟12)切換轉換閥122，將純水導入該液處理單元12，洗淨該液處理單元12内的基板7。
(步驟13)一旦洗淨終了，則乾燥該基板7。
(步驟14)將有關該基板7的液處理未完了的訊息記錄於電腦20，且通報上位的系統。
圖5是表示強制停止基板處理裝置1的強制停止程式的概略流程圖。強制停止程式是在流量計192所檢測出之還流至處理液存積槽16的處理液的流量低於所定量時被起動。以下，一邊引用圖5所附的步驟號碼一邊說明強制停止程式。
(步驟21)中止運轉中的全部液處理單元12的液處理。
(步驟22)切換轉換閥122，將純水導入液處理單元12，洗淨液處理單元12内的基板7。
(步驟23)一旦洗淨終了，則乾燥基板7。
(步驟24)將有關該基板7的液處理未完了的訊息記錄於電腦20，且通報上位的系統。
(步驟25)停止基板處理裝置1。
1．．．基板處理裝置
2．．．基板搬出入部
3．．．液處理部
4．．．卡匣載置部
5．．．副搬送部
6．．．卡匣
7．．．基板
8．．．第1搬送臂
9．．．交接台
10．．．第2搬送臂
11．．．主搬送部
12．．．基板處理單元
121．．．枝管
122．．．轉換閥
123．．．流量計
124．．．返流管
13．．．處理液供給單元
14，15．．．處理液調合槽
141，142，151，152．．．流量調整閥
143，153．．．液位計
144，154．．．開閉閥
145，155．．．泵
16．．．處理液存積槽
161．．．液位計
17．．．純水供給源
18．．．藥液供給源
19．．．配送管
191．．．泵
192．．．流量計
20．．．電腦
201．．．記憶媒體
圖1是表示本發明的基板處理裝置的基本構成的概念平面圖。
圖2是表示處理液供給單元的概念構成的配管系統圖。
圖3是表示基板處理裝置的控制程式的概略流程圖。
圖4是表示個別緊急停止液處理單元的緊急停止程式的概略流程圖。
圖5是表示強制停止基板處理裝置的強制停止程式的概略流程圖。
12．．．基板處理單元
121．．．枝管
122．．．轉換閥
123．．．流量計
124．．．返流管
13．．．處理液供給單元
14，15．．．處理液調合槽
141，142，151，152．．．流量調整閥
143，153．．．液位計
144，154．．．開閉閥
145，155．．．泵
16．．．處理液存積槽
161．．．液位計
17．．．純水供給源
18．．．藥液供給源
19．．．配送管
191．．．泵
192．．．流量計
Claims (18)
- 一種基板處理裝置，係具備：複數的液處理單元，其係對基板實施液處理；基板搬送手段，其係對上述複數的液處理單元進行基板的搬入‧搬出；處理液供給單元，其係供給處理液至上述複數的液處理單元；及處理液剩餘量檢出手段，其係檢測出上述處理液供給單元內的處理液的剩餘量，其特徵係具備控制手段，其係上述處理液剩餘量檢出手段所檢測出之上述處理液供給單元內的處理液的剩餘量低於所定量時，停止上述基板搬送手段搬入基板至上述液處理單元，上述處理液供給單元係具備：處理液調合槽，其係調合從複數的原液供給源所供給的原液，而生成處理液；處理液存積槽，其係存積處理液；處理液移送手段，其係從上述處理液調合槽移送處理液至上述處理液存積槽；及處理液配送手段，其係從上述處理液存積槽配送處理液至上述複數的液處理單元，上述控制手段係在對於被搬入至上述液處理單元的基 板進行液處理的期間，藉由上述處理液剩餘量檢出手段所檢測出的剩餘量低於所定量時，繼續進行複數的液處理單元的基板的液處理。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理液剩餘量檢出手段係檢測出上述處理液存積槽內的處理液的剩餘量之存積槽內處理液剩餘量檢出手段。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理液剩餘量檢出手段係檢測出上述處理液調合槽內的處理液的剩餘量之調合槽內處理液剩餘量檢出手段。
- 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理裝置，其中，具備：檢知上述處理液移送手段的異常之移送異常檢知手段，且上述控制手段，係在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，於上述移送異常檢知手段檢知上述處理液移送手段的異常時，停止上述基板搬送手段之基板的搬入，且繼續進行複數的液處理單元的基板的液處理。
- 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理裝置，其中，具備：檢知上述原液供給源的異常之供給源異常檢知手段，且上述控制手段，係在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，於上述供給源異常檢知手段檢知上述原液供給源的異常時，停止上述基板搬送手段之基板的搬入，且繼續進行複數的液處理單元的基板的液處理。
- 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理裝置，其中，具備：在每個液處理單元檢測出供給至上述複數的液處理單元的處理液的流量之供給量檢出手段，且上述控制手段，係在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，於上述供給量檢出手段檢測出往液處理單元之處理液的供給量低於所定量時，停止供給處理液至該液處理單元，且記錄該液處理單元內之基板的液處理未完了的訊息。
- 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述控制手段，係在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，於上述供給流量檢出手段檢測出往液處理單元之處理液的供給量低於所定量時，停止供給處理液至該液處理單元，使在該液處理單元進行利用純水之基板的洗淨及乾燥。
- 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理裝置，其中，具備：處理液還流手段，其係將在上述複數的液處理單元未被使用的處理液予以彙總還流至上述處理液供給單元；及還流量檢出手段，其係檢測出流動於上述處理液還流手段內的處理液的流量，且上述控制手段，係在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，於上述還流量檢出手段檢測出之處理液的流量低於所定量時，記錄利用處理液的液處理未 終了之液處理單元內的基板的液處理未完了的訊息。
- 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述控制手段，係在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，於上述還流量檢出手段所檢測出之處理液的流量低於所定量時，使在利用處理液的液處理未終了的液處理單元進行基板之利用純水的洗淨及乾燥。
- 一種基板處理方法，係逐次搬入基板至複數的液處理單元，從處理液供給單元供給處理液至上述複數的液處理單元，而對基板實施液處理，在上述液處理的完了後，從上述複數的液處理單元逐次搬出基板之基板處理方法，其特徵為：上述處理液供給單元，係具有處理液調合槽、處理液存積槽、處理液移送手段及處理液配送手段，在上述處理液調合槽調合從複數的原液供給源供給的原液，而生成處理液，以處理液移送手段來將生成於上述處理液調合槽的處理液移送至上述處理液存積槽，存積，以上述處理液配送手段來將存積於上述處理液存積槽的處理液配送至上述複數的液處理單元，上述處理液供給單元內的處理液的剩餘量低於所定量時，停止搬入基板至上述液處理單元，在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，藉由上述處理液剩餘量檢出手段所檢測出的剩餘量低於所定量時，繼續進行複數的液處理單元的基板的液處 理。
- 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，上述處理液存積槽內的處理液的剩餘量低於所定量時，停止搬入基板至上述液處理單元，且繼續進行複數的液處理單元的基板的液處理。
- 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中，在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，上述處理液調合槽內的處理液的剩餘量低於所定量時，停止基板搬入至上述液處理單元，且繼續進行複數的液處理單元的基板的液處理。
- 如申請專利範圍第10~12項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，在檢知上述處理液移送手段的異常時，停止搬入基板至上述液處理單元，且繼續進行複數的液處理單元的基板的液處理。
- 如申請專利範圍第10~12項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，在檢知上述原液供給源的異常時，停止搬入基板至上述液處理單元，且繼續進行複數的液處理單元的基板的液處理。
- 如申請專利範圍第10~12項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，在每個液處理單元檢測出供給至上述複數的液處理單元之處理液的流量， 在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，在檢測出往液處理單元之處理液的供給停止時，停止該液處理單元的運轉，且記錄該液處理單元內的基板的液處理未完了的訊息。
- 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，在檢測出往液處理單元之處理液的供給停止時，使在該液處理單元進行利用純水之基板的洗淨及乾燥。
- 如申請專利範圍第10~12項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，將在上述複數的液處理單元未被使用的處理液予以彙總還流至上述處理液供給單元，且在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，還流於上述處理液供給單元的處理液的流量低於所定量時，停止基板處理，且記錄運轉中的全部的液處理單元內的基板的液處理未完了的訊息。
- 如申請專利範圍第17項之基板處理方法，其中，在對於被搬入至上述液處理單元的基板進行液處理的期間，還流於上述處理液供給單元的處理液的流量低於所定量時，使在運轉中的全部的液處理單元進行基板之利用純水的洗淨及乾燥。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI656915B (zh) * | 2017-03-16 | 2019-04-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5474666B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
| US8950414B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
| JP5313074B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
| JP5146526B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2013-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP5786417B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2015-09-30 | 三浦工業株式会社 | 洗浄装置 |
| JP6228359B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2017-11-08 | 住友化学株式会社 | 偏光フィルムの製造方法 |
| US10780461B2 (en) * | 2015-05-15 | 2020-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Methods for processing substrate in semiconductor fabrication |
| JP6393661B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
| JP7303678B2 (ja) | 2019-07-08 | 2023-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
| JP2022073574A (ja) | 2020-11-02 | 2022-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW561075B (en) * | 2002-11-19 | 2003-11-11 | Mosel Vitelic Inc | Method and pause run controller for controlling the coater when the photoresist source is empty |
| TWI249218B (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Measuring equipment and monitor method for the wet cleaning process |
| TW200723381A (en) * | 2005-10-11 | 2007-06-16 | Tokyo Electron Ltd | Processing system, treatment liquid supply method and computer-readable recording medium having treatment liquid supply program |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2846891B2 (ja) | 1988-06-03 | 1999-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2838175B2 (ja) | 1992-02-18 | 1998-12-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3530426B2 (ja) * | 1993-08-06 | 2004-05-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の浸漬処理装置 |
| JP3494765B2 (ja) * | 1994-08-01 | 2004-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置およびその制御方法 |
| JP2868722B2 (ja) | 1996-03-13 | 1999-03-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2868721B2 (ja) * | 1996-03-13 | 1999-03-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3442218B2 (ja) * | 1996-03-18 | 2003-09-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
| JPH11207274A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理液槽およびそれを用いた基板処理液装置 |
| DE19910478C2 (de) * | 1998-03-12 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem |
| JP3563605B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2004-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US20030209259A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-13 | Hsuan-Sheng Tung | Method for decreasing wafer scrap rate for a chemical treatment apparatus |
| JP2004247509A (ja) | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Nec Kyushu Ltd | ウェット処理装置およびウェット処理方法 |
| WO2005050724A1 (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2005161284A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Nittetu Chemical Engineering Ltd | 定濃度オゾン水の供給方法 |
| US7364922B2 (en) | 2005-01-24 | 2008-04-29 | Tokyo Electron Limited | Automated semiconductor wafer salvage during processing |
| US20060219268A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Gunilla Jacobson | Neutralization of systemic poisoning in wafer processing |
-
2007
- 2007-12-21 JP JP2007331062A patent/JP4940123B2/ja active Active
-
2008
- 2008-12-10 KR KR1020080125077A patent/KR101267643B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-12 US US12/333,412 patent/US8409359B2/en active Active
- 2008-12-17 DE DE102008062699A patent/DE102008062699A1/de not_active Ceased
- 2008-12-19 TW TW097149801A patent/TWI459490B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW561075B (en) * | 2002-11-19 | 2003-11-11 | Mosel Vitelic Inc | Method and pause run controller for controlling the coater when the photoresist source is empty |
| TWI249218B (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Measuring equipment and monitor method for the wet cleaning process |
| TW200723381A (en) * | 2005-10-11 | 2007-06-16 | Tokyo Electron Ltd | Processing system, treatment liquid supply method and computer-readable recording medium having treatment liquid supply program |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI656915B (zh) * | 2017-03-16 | 2019-04-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200937564A (en) | 2009-09-01 |
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| US20090159105A1 (en) | 2009-06-25 |
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