KR20190074922A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치 및 방법에 관한 기술이다. 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 기판상에 박막을 증착하는 공정 챔버의 내부의 소스 가스를 배기하는 방법으로서, 먼저, 공정 챔버 배기 라인을 연결하는 메인 배기 밸브를 클로우즈한다. 상기 배기 라인내의 미반응된 상기 소스 가스들과 반응하는 반응 가스를 공급하여 반응물을 생성한다. 상기 배기 라인에 불활성 가스를 공급한다. 다음, 상기 배기 라인 내부를 대기 반응시킨다. 상기 대기 반응시, 상기 불활성 가스에 의해, 유입되는 대기 가스와 잔류하는 상기 반응물간의 반응을 지연시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method of Processing wafer}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 배기 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 층 증착 방식의 하나로 ALD(atomic layer deposition) 방식은 단차 피복이 용이하며 옴스트롱(Angstrom) 단위의 박막을 제작할 수 있다.
이와 같은 ALD 방식은 유기 금속 전구체로 된 소스 가스를 제공하는 단계, 잔류하는 소스 가스를 퍼지하는 단계, 반응 가스(reactant)를 제공하는 단계 및 잔류하는 반응 가스를 퍼지하는 단계를 주기적으로 진행하여, 반도체층을 증착하는 방법이다.
잔류하는 소스 가스 및 반응 가스를 제거하는 퍼지 단계는 펌프를 구비하는 배기 시스템을 통해 진행되고 있다. 또한, 퍼지 공정 외에, 기판 처리 장치의 유지 보수를 위해, 배기 라인내의 배기 공정이 진행되고 있다.
배기 공정은 배기 가스내에 잔류하는 소스 가스 성분을 고형화하는 단계 및 고형화된 소스 성분을 대기 반응시키는 단계로 구성될 수 있다.
그런데, 대기 반응 시, 다량의 대기 가스가 배기 라인에 유입됨에 따라, 배기 라인에 잔류되는 소스 성분과 급격한 반응이 진행되어, 발열 및 화재가 발생되는 문제가 있다.
본 발명은 배기 성능을 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 처리 공간을 구비하며 적어도 하나의 기판을 안착하기 위한 서셉터를 포함하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 상부에 장착되고, 소스 가스를 포함하는 제 1 공정 가스 및 반응 가스를 포함하는 제 2 공정 가스를 상기 기판에 각각 분사하도록 제공되는 가스 분사부; 및 상기 처리 공간내에 잔류하는 제 1 공정 가스를 배출시키도록 제 1 배기 펌프와 연결되며 대기 가스 유입을 단속하는 대기 유입 밸브를 포함하는 제 1 배기 블록과, 상기 제 1 배기 블록과 이격 설치되며 상기 처리 공간내에 잔류하는 제 2 공정 가스를 배출시키도록 제 2 배기 펌프와 연결 연결되는 제 2 배기 블록을 포함하는 배기부를 포함하며, 상기 제 1 배기 블록은 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부 및 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급부를 더 포함한다. 상기 제 1 배기 블록의 유지 보수시, 상기 제 1 배기 블록내에 잔류하는 제 1 공정 가스를 상기 반응 가스 공급부를 통해 공급된 상기 반응 가스와 반응시켜 반응물을 형성하고, 상기 제 1 배기 블록 내부로 상기 불활성 가스 공급부로 부터 공급된 상기 불활성 가스에 의해 상기 반응물과 상기 대기 가스와의 반응을 지연시키도록 상기 반응 가스 공급부, 상기 불활성 가스 공급부 및 상기 대기 유입 밸브를 제어하는 제어부를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 유지 보수 방법으로서, 상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 상기 제 1 공정 가스를 상기 제 1 배기 라인을 통해 배출하는 단계; 상기 제 1 배기 라인 상의 제 1 메인 배기 밸브를 클로우즈하는 단계; 상기 제 1 메인 배기 밸브 하류로 상기 반응 가스를 공급하여 상기 제 1 배기 라인 내의 미 반응된 상기 제 1 공정 가스와 반응시켜 반응물을 생성하는 단계; 상기 제 1 배기 라인 상의 상기 대기 유입 밸브를 통해 상기 대기 가스를 유입시켜, 상기 제 1 배기 라인 내에 잔류하는 상기 반응물과 상기 대기 가스를 반응시키는 단계;를 포함하되, 상기 대기 반응 단계 전, 상기 제 1 배기 라인 상에 상기 불활성 가스를 공급하여, 상기 대기 가스 유입 시, 상기 반응물과 상기 대기 가스의 반응을 지연하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 배기부의 유지 보수를 위한 대기 공정시 배기 라인내에 불활성 가스를 충진하여, 대기 가스 유입 속도를 감소시킴으로써, 잔류 공정 가스와 대기 가스의 반응 속도를 감소시킬 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 가스 분사부(200), 배기부(300), 반응 가스 공급부(400) 및 불활성 가스 공급부(500)를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)는 내부에 기판 처리 공간을 구비할 수 있으며, 적어도 하나의 기판(102)이 수용될 수 있는 서셉터(101)를 포함할 수 있다. 상기 서셉터(101)는 기판 처리 공정 중 기판(102)을 안정적으로 지지하는 테이블의 역할을 수행할 수 있다. 상기 서셉터(101)는 그 내부 혹은 하단에 발열 히터를 포함하여, 온도 조절 장치로서의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 공정 챔버(100)는 바닥부(103), 외벽부(104) 및 상층 플레이트(105)를 포함하여, 외기의 유입을 차단하도록 구성될 수 있다.
가스 분사부(200)는 공정 챔버(100)의 상측 플레이트(105) 부근에 위치하여, 공정 챔버(100) 내부로 적어도 하나, 예를 들어, 제 1 및 제 2 공정 가스(201a,202a)를 공급할 수 있다
예를 들어, 가스 분사부(200)는 제 1 공정 가스(201a) 및 제 2 공정 가스(202a)를 기판(102) 상에 제공할 수 있도록 복수의 샤워 헤드를 구비할 수 있다. 즉, 가스 분사부(200)는 제 1 공정 가스 분사부(200a), 제 2 공정 가스 분사부(200b) 및 퍼지 가스 분사부(200c)를 포함할 수 있다. 제 1 공정 가스 분사부(200a) 및 제 2 공정 가스 분사부(200b)는 가스 분사부(200)의 둘레 방향을 따라 방사형으로 배치될 수 있고, 제 1 및 제 2 공정 가스 분사부(200a,200b) 사이 혹은 가스 분사부(200)의 중간에 퍼지 가스 분사부(200c)가 구비될 수 있다.
본 실시예의 기판 처리 장치(10)는 공간 분할 방식의 처리 장치로서, 상기 서셉터(101)와 가스 분사부(200)가 상대 회전함으로써, 복수의 기판(102)을 동시에 처리할 수 있다. 즉, 상기 서셉터(101)상에 안착되는 복수의 기판(102) 중 어느 하나의 기판상에 상기 가스 분사부(200)에서 분사되는 제 1 공정 가스, 퍼지 가스, 제 2 공정 가스 및 퍼지 가스가 순차적으로 공급될 수 있도록 서셉터(101)를 회전시키거나 가스 분사부(200)를 회전시킬 수 있다.
여기서, 상기 제 1 공정 가스(201)는 금속 전구체를 포함하는 소스 가스 일 수 있고, 제 2 공정 가스(202)는 반응성 가스를 포함할 수 있다. 상기 제 1 공정 가스(201)는 Zr, Ti, Si, Ta 및 Hf 중 선택되는 하나의 가스를 포함할 수 있으나, 여기에 제한되지는 않는다. 제 2 공정 가스(202)는 제 1 공정 가스와 반응하여, 기판상에 원자층을 형성할 수 있는 물질로서, O2, O3 또는 NH3가 이용될 수 있다.
본 실시예에서는, CpZr[N(CH3)2]3 또는 Zr(N(CH3)(C2H5))4와 같은 지르코늄 소스를 제 1 공정 가스(201a)로 이용하는 경우, O3, O2, H2O 또는 OH를 제 2 공정 가스(202)로서 이용할 수 있다. 또한, TiCl4와 같은 티타늄 소스를 제 1 공정 가스(201)로 이용하는 경우, O3, O2 또는 NH3를 제 2 공정 가스(202)로서 이용할 수 있다. 또한, Si2Cl6, C8H22N2Si 또는 C3H22N2Si와 같은 실리콘 소스를 제 1 공정 가스(201)로 이용하는 경우, O3, O2 또는 NH3를 제 2 공정 가스(202)로서 이용할 수 있다.
배기부(300)는 공정 챔버(100) 내부에 잔류하는 제 1 및 제 2 공정 가스(201a,202a)를 외부로 배기시키도록 구성된다.
본 실시예의 배기부(300)는 공정 챔버(100) 하부에 위치될 수 있다. 배기부(300)는 제 1 공정 가스를 배출시키기 위한 제 1 배기 블록(310a) 및 제 2 공정 가스를 배출시키기 위한 제 2 배기 블록(310b)을 포함할 수 있다.
제 1 배기 블록(310a)은 제 1 배기 라인(L1) 및 제 1 메인 배기 밸브(MV1)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 배기 라인(L1)은 상기 공정 챔버(100)와 제 1 배기 펌프(340a)를 연결하는 라인일 수 있다. 제 1 메인 배기 밸브(MV1)는 상기 공정 챔버(100)의 상기 제 1 공정 가스의 배출을 단속하기 위하여 제 1 배기 라인(L1) 상에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 메인 배기 밸브(MV1)는 대기 유입 밸브로 사용될 수 있다. 또한, 제 1 배기 블록(310a)은 제 1 메인 배기 밸브(MV1)의 하류에 위치하는 플라즈마 처리부(320) 및 파우더 포집부(330)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 처리부(320)는 제 1 메인 배기 밸브(MV1)와 상기 파우더 포집부(33) 사이의 제 1 배기 라인(L1) 상에 위치될 수 있다. 퍼지 공정 또는 그 밖의 배기 공정시, 공정 챔버(100) 내부의 미반응 제 1 공정 가스(201)는 펌프(340a)의 구동에 의해 플라즈마 처리부(320)에 전달된다. 플라즈마 처리부(320)는 일반적인 플라즈마 프로세스에 의해, 유입된 상기 제 1 공정 가스(201)를 플라즈마 처리하여, 안정화 상태로 해리시켜, 고형화한다. 플라즈마 처리부(320)는 플라즈마가 형성될 내부 공간(도시되지 않음)을 포함할 수 있고, 상기 내부 공간에서 플라즈마 처리가 진행될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 처리부(320)는 상기 내부 공간으로 대기를 선택적으로 유입시키기 위한 대기 유입 밸브(도시되지 않음)을 추가적으로 포함할 수 있다.
파우더 포집부(330)는 플라즈마 처리부(320)와 제 1 펌프(340a) 사이에 위치되어, 공정 챔버(100)에서 발생되는 파우더 및 플라즈마 처리부(320)에서 발생될 수 있는 파우더를 추가로 포집한다. 파우더 포집부(330)는 예를 들어, 콜드 트랩(cold trap) 또는 핫 트랩(hot trap)을 적용할 수 있으며, 주기적으로 교체될 수 있다.
반응 가스 공급부(400)는 상기 제 2 공정 가스 분사부(200b)에 제 2 공정 가스를 공급함과 동시에, 제 1 배기 블록(310a)의 배기 라인(L1) 중 적어도 한 부분에 상기 제 2 공정 가스를 반응 가스로서 제공할 수 있다.
제 2 공정 가스 분사부(200b)에 제공되는 제 2 공정 가스(202)에 해당하는 반응 가스는 제 1 공정 가스와 공정 챔버(100)내에서 반응되어, 반도체 막을 증착할 수 있다. 한편, 제 1 배기 블록(310a)의 제 1 배기 라인(L1)내에 제공되는 상기 반응 가스는 상기 제 1 배기 라인(L1)내에 잔류되는 제 1 공정 가스 성분과 추가로 반응을 일으켜 반응물을 생성할 수 있다.
즉, 공정 챔버(100)로 부터 배기된 제 1 공정 가스(201a)는 플라즈마 처리부(320) 및 파우더 포집부(330)를 거쳐 고형화 및 파우더 포집 공정이 진행된다고 하더라도, 잔류 부산물들이 상기 제 1 배기 라인(L1)에 잔류될 수 있어, 상기 제 1 배기 라인(L1)의 내경을 축소시킬 수 있다.
이에 따라, 본 실시예에서는 제 1 배기 라인(L1)에 상기 반응 가스를 추가로 공급하여, 미반응 제 1 공정 가스(소스 가스)와 상기 반응 가스를 반응시켜, 반응물을 생성할 수 있다. 상기 반응물 생성시, 상기 제 1 메인 배기 밸브(MV1)는 클로우즈된 상태에서 진행될 수 있다.
이때, 반응 가스 공급부(400) 및 불활성 가스 공급부(500)는 제 1 배기 라인(L1)의 소정 부분에 연결될 수 있다. 반응 가스 공급부(400)는 통합 라인(L11) 및 제 1 분기 라인(L12)에 의해 상기 제 1 배기 라인(L1)과 연결될 수 있다. 통합 라인(L11)은 제 1 배기 라인(L1)으로 부터 분기되며, 제 1 분기 라인(L12)은 상기 통합 라인(L11)으로부터 분기될 수 있다. 제 1 분기 라인(L12)상에 제 1 밸브(V1)가 설치되어, 제 2 공정 가스(202a)에 해당하는 반응 가스의 유입을 단속할 수 있다. 제 1 배기 라인(L1)으로의 반응 가스의 공급은 증착 공정 단계(증착 중 퍼지 단계) 뿐만 아니라, 유지 보수 단계에서도 지속적으로 공급될 수 있다.
불활성 가스 공급부(500)는 제 1 배기 라인(L1)의 적어도 한 부분과 연결되어, 상기 제 1 배기 라인(L1) 내부를 Ar 또는 N2와 같은 불활성 가스로 채울 수 있다. 불활성 가스 공급부(500)는 상기 제 1 배기 라인(L1) 내부의 압력을 상압과 유사한 범위, 예컨대, 740 내지 760 Torr로 변경시킬 수 있도록 상기 불활성 가스를 공급할 수 있다. 이에 따라, 이후, 상기 반응물을 제거하기 위한 대기 반응시, 대기 가스의 유입 속도를 조절할 수 있다. 불활성 가스 공급부(500)는 상기 통합 라인(L11) 및 제 2 분기 라인(L13)을 통해 제 1 배기 라인(L1)과 연결될 수 있다. 상술한 바와 같이, 통합 라인(L11)은 제 1 배기 라인(L1)로부터 분기되고, 제 2 분기 라인(L13)은 상기 제 1 분기 라인(L12)와 마찬가지로 통합 라인(L11)으로부터 분기될 수 있다. 또한, 상기 제 2 분기 라인(L13) 상에 제 2 밸브(V2)가 구비되어, 상기 제 1 배기 라인(L1)내에 유입되는 불활성 가스를 선택적으로 단속할 수 있다. 여기서, 상기 제 1 메인 밸브(MV1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 배기 라인(L1)과 통합 라인(L11)의 연결 부위의 상류에 위치될 수 있다.
또한, 상기 제 1 메인 밸브(MV1)는 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 배기 라인(L1)과 통합 라인(L11)의 연결 부위의 상류에 위치될 수 있고, 제 1 배기 라인(L1)과 통합 라인(L11)의 연결 부위의 하류에 추가의 대기 유입 밸브(MV3)가 더 구비될 수 있다.
상기 제 1 배기 라인(L1) 내부에 상압 수준의 불활성 가스가 채워지게 되면, 잔류 파우더의 제거를 위한 대기 반응시, 대기 가스의 유입 속도를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 제 1 배기 라인(L1)에 잔류될 수 있는 제 1 공정 가스 부산물과, 대기 가스인 O2 또는 H2O 가스와의 반응이 더뎌지게 된다. 그러므로, 유기 금속 성분을 포함할 수 있는 제 1 공정 가스 부산물과 대기 가스의 반응 속도가 감소되어, 발열 및 발화 문제점이 감소된다. 여기서, 미설명 부호 V3는 펌프(340a)의 동작을 차단하는 제 3 밸브일 수 있다.
한편, 제 1 펌프(340a)는 배기부(300) 외부에 위치되어, 공정 챔버(100) 내부의 압력을 조절하도록 구성된다. 즉, 제 1 펌프(340a)는 공정 챔버(100)의 압력을 조절하여, 미반응된 제 1 공정 가스를 공정 챔버(100) 외부의 제 1 배기 라인(L1)으로 배출시킬 수 있다.
제 1 펌프(340a)의 하류측에 스크러버(350)가 더 연결될 수 있다. 스크러버(350)는 펌핑 공정 이후에도 남아있는 오염물들을 포집하도록 구성된다.
한편, 제 2 배기 블록(310b)은 제 2 배기 라인(L2) 및 제 2 배기 라인(L2)상에 위치된 제 2 메인 배기 밸브(MV2)를 포함할 수 있다. 제 2 메인 배기 밸브(MV2)는 제 2 공정 가스가 상기 제 2 배기 라인(L2)의 유입을 단속할 수 있다. 제 2 배기 라인(L2)는 제 2 배기 펌프(340b)와 연결될 수 있다.
제 2 배기 블록(310b)은 O2 또는 O3와 같은 반응 가스 만을 배출하기 때문에, 별도의 고형화 처리부가 요구되지 않는다.
또한, 본 실시예의 기판 처리 장치(10)는 상기 배기부(300)의 각 구성 요소를 제어하는 제어 블록(600)을 더 포함할 수 있다. 제어 블록(600)은 펌프(340a,340b)의 구동 순서 및 구동 시간은 물론, 제 1 및 제 2 배기 라인(L1,L2)과 연결된 각 밸브(M1V1,MV2, V1~V3)의 개폐 여부 등을 제어할 수 있다. 제어 블록(600)의 기능은 여기에 한정되지 않고, 기판 처리 장치(10)의 다양한 구성 요소들을 개별적으로 제어할 수 기능을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
먼저, 제 1 메인 배기 밸브(MV1)를 클로우즈 한다(S1). 그 후, 제 1 배기 블록(310)내에 잔류하는 제 1 공정 가스들(201a)을 효과적으로 제거할 수 있도록, 공정 챔버(110)내의 잔류하는 제 1 공정 가스(201a)를 상기 제 1 배기 블록(310)으로 배출된다음, 제 1 배기 라인(L1)내에서 고형화 처리된다. 상기 고형화 처리는 상기 플라즈마 처리부(320)의 처리 동작 및 상기 파우더 포집부(330)의 포집 동작을 통해 수행될 수 있다. 상기 플라즈마 처리 단계 및 파우더 포집 단계는 각각 적어도 1회 이상 수행될 수 있다.
다음, 제 1 배기 라인(L1) 내부에 제 2 공정 가스(202a)에 해당하는 반응 가스를 제공한다(S2). 이에 따라, 제 1 배기 라인(L1) 내부에 잔류할 수 있는 미반응 제 1 공정 가스들은 주입되는 반응 가스와 반응되어, 제거 가능한 반응물이 형성될 수 있다. 상기 반응 가스는 예를 들어, 50 내지 70분간 반응 가스를 공급할 수 있다. 반응 가스 공급 단계시, 퍼지가 동시에 진행될 수 있도록, 상기 불활성 가스 공급부(500)에서 제공되는 불활성 가스를 소정 시간, 예컨대, 5 내지 15분간 추가로 공급할 수 있다.
그 후, 제 1 메인 배기 밸브(MV1)은 여전히 클로우즈된 상태에서, 제 3 밸브(V3)를 클로우즈하고, 제 2 밸브(V2)를 오픈시켜, 제 1 배기 라인(L1) 내부에 불활성 가스를 공급한다(S3). 상기 불활성 가스는 음압 상태를 유지하는 제 1 배기 라인(L1)의 내부의 압력을 상압 수준에 도달될 때까지 공급될 수 있다.
그 후, 제 1 배기 라인(L1) 내부의 대기 반응을 수행한다(S4). 상기 대기 반응은 상기 제 1 배기 라인(L1)내에 잔류하는 상기 반응 가스와 소스 가스의 반응물들을 대기 가스와의 반응을 통해 제거하기 위하여, 대기 가스중에 노출시키는 공정일 수 있다. 대기 공정은 예를 들어, 11 시간 내지 13시간 정도 수행될 수 있다. 이때, 대기 가스중에 장시간 노출시키더라도, 상기 제 1 배기 라인(L1) 내부에 불활성 가스가 충전되어 있기 때문에, O2 및 H2O와 같은 대기 가스들의 유입 속도가 감소된다. 이에 따라, 대기 가스와 잔류하는 제 1 공정 가스 성분들간의 반응 속도 역시 감소되므로, 급작스런 반응에 따른 발열 및 발화 문제를 해결할 수 있다.
그후, 도 3에 도시된 바와 같이, 대기 공정을 완료한 다음, 상기 제 1 배기 라인(L1) 내부의 온도를 측정하여, 일정 온도(Tc) 이하인 경우, 배기부(300)의 유지 보수 단계를 실시하고, 그렇지 않은 경우, 다시 대기 공정을 수행한다(S5). 이때, 상기 일정 온도(Tc)는 35 내지 45℃일 수 있다.
본 발명에 따르면, 배기부의 유지 보수를 위한 대기 공정시 배기 라인내에 불활성 가스를 충진하여, 대기 가스 유입 속도를 감소시킴으로써, 잔류 공정 가스와 대기 가스의 반응 속도를 감소시킬 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
300: 배기부 310a: 제 1 배기 블록
310b: 제 2 배기 블록 320 : 플라즈마 처리부
330 : 파우더 포집부 340a,340b : 펌프
400 : 반응 가스 공급부 500 : 불활성 가스 공급부

Claims (15)

  1. 처리 공간을 구비하며 적어도 하나의 기판을 안착하기 위한 서셉터를 포함하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 상부에 장착되고, 소스 가스를 포함하는 제 1 공정 가스 및 반응 가스를 포함하는 제 2 공정 가스를 상기 기판에 각각 분사하도록 제공되는 가스 분사부; 및
    상기 처리 공간내에 잔류하는 제 1 공정 가스를 배출시키도록 제 1 배기 펌프와 연결되며 대기 가스 유입을 단속하는 대기 유입 밸브를 포함하는 제 1 배기 블록과, 상기 제 1 배기 블록과 이격 설치되며 상기 처리 공간내에 잔류하는 제 2 공정 가스를 배출시키도록 제 2 배기 펌프와 연결 연결되는 제 2 배기 블록을 포함하는 배기부를 포함하며,
    상기 제 1 배기 블록은 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부 및 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급부를 더 포함하고,
    상기 제 1 배기 블록의 유지 보수시, 상기 제 1 배기 블록내에 잔류하는 제 1 공정 가스를 상기 반응 가스 공급부를 통해 공급된 상기 반응 가스와 반응시켜 반응물을 형성하고,
    상기 제 1 배기 블록 내부로 상기 불활성 가스 공급부로 부터 공급된 상기 불활성 가스에 의해 상기 반응물과 상기 대기 가스와의 반응을 지연시키도록 상기 반응 가스 공급부, 상기 불활성 가스 공급부 및 상기 대기 유입 밸브를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는
    상기 반응 가스 공급부를 통해 상기 제 1 배기 블록 내로 상기 반응 가스를 공급하도록 상기 반응 가스 공급부를 온/오프 제어하고,
    상기 반응 가스 공급이 중단된 후, 상기 제 1 배기 블록 내로 상기 불활성 가스를 공급하도록 상기 불활성 가스 공급부를 온/오프 제어하고,
    상기 불활성 가스 공급이 중단된 후, 상기 제 1 배기 블록 내로 상기 대기 가스를 유입하도록 상기 대기 유입 밸브를 온/오프하도록 구성되며,
    상기 제어부는 상기 반응 공급부, 상기 불활성 가스 공급부 및 상기 대기 유입 밸브가 순차적으로 구동되도록 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배기 블록은,
    상기 공정 챔버로부터 상기 제 1 공정 가스를 배출하기 위한 제 1 배기 라인과,
    상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프를 연결하는 제 1 배기 라인과,
    상기 제 1 배기 라인으로 상기 제 1 공정 가스의 유입을 단속하기 위해 상기 제 1 배기 라인상에 설치되는 제 1 메인 배기 밸브와,
    상기 대기 유입 밸브는 상기 제 1 메인 배기 밸브 하류에 구비되는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반응 가스 공급부는,
    상기 제 1 메인 배기 밸브와 상기 대기 유입 밸브 사이에 구비되어, 상기 제 1 배기 라인으로 반응 가스를 공급하도록 구성된 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 불활성 가스 공급부는,
    상기 제 1 메인 배기 밸브와 상기 대기 유기 유입 밸브 사이에 구비되어, 상기 제 1 배기 라인으로 상기 불활성 가스를 공급하도록 구성된 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 배기 블록은,
    상기 제 1 배기 펌프와 상기 제 1 메인 배기 밸브 사이에 구비되며, 상기 제 1 공정 가스와 상기 반응 가스를 플라즈마 처리하여 안정화시키는 플라즈마 처리부와,
    상기 플라즈마 처리부와 상기 제 1 배기 펌프 사이에 구비되며, 상기 플라즈마 처리부를 통해 반응된 파우더를 포집하는 파우더 포집부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 대기 유입 밸브는 상기 플라즈마 처리부에 더 구비되는 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 반응 가스 공급부는,
    상기 제 1 메인 배기 밸브와 상기 플라즈마 처리부 사이에 구비되어, 상기 제 1 배기 라인 상으로 상기 제 1 공정가스와 반응하는 상기 반응 가스를 공급하는 기판 처리 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 불활성 가스 공급부는,
    상기 제 1 메인 배기 밸브와 상기 플라즈마 처리부 사이에 구비되어, 상기 제 1 배기 라인 상으로 상기 불활성 가스를 공급하는 것을 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배기 블록은,
    상기 제 1 배기 블록 상의 온도를 측정하기 위한 온도 측정부를 더 포함하며,
    상기 제어부는
    상기 온도 측정부로 부터 측정된 온도 값이 설정 온도 이하인 경우, 유지 보수 개시 신호를 출력하는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 가스는 지르코늄 포함 소스, 티타늄 포함 소스 및 실리콘 포
    함 소스 중 선택되는 하나이고,
    상기 제 2 공정 가스는 O3, O2, H2O 및 OH 가스 중 하나인 기판 처리 장치.
  12. 청구항 3항의 기판 처리 장치의 유지 보수 방법으로서,
    상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 상기 제 1 공정 가스를 상기 제 1 배기 라인을 통해 배출하는 단계;
    상기 제 1 배기 라인 상의 제 1 메인 배기 밸브를 클로우즈하는 단계;
    상기 제 1 메인 배기 밸브 하류로 상기 반응 가스를 공급하여 상기 제 1 배기 라인 내의 미 반응된 상기 제 1 공정 가스와 반응시켜 반응물을 생성하는 단계;
    상기 제 1 배기 라인 상의 상기 대기 유입 밸브를 통해 상기 대기 가스를 유입시켜, 상기 제 1 배기 라인 내에 잔류하는 상기 반응물과 상기 대기 가스를 반응시키는 단계;를 포함하되,
    상기 대기 반응 단계 전, 상기 제 1 배기 라인 상에 상기 불활성 가스를 공급하여, 상기 대기 가스 유입 시, 상기 반응물과 상기 대기 가스의 반응을 지연하는 단계;를 더 포함하는 기판 처리 장치의 유지 보수 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 배기 블록은,
    상기 제1 배기 펌프와 상기 제1 메인 배기 밸브 사이에 구비되며, 상기 제1 공정 가스와 상기 반응 가스를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리부와,
    상기 플라즈마 처리부와 상기 제1 배기 펌프 사이에 구비되는 파우더 포집부를 더 포함하며,
    상기 반응 단계는 상기 플라즈마 처리부에서 수행되고,
    상기 반응 단계를 통해 생성된 파우더는 상기 파우더 포집부를 통해 포집하는 기판 처리 장치의 유지 보수 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 대기 반응 단계 이후,
    상기 제1 배기 블록의 적어도 어느 한 부분의 온도를 측정하여 설정 온도 이하인 경우 상기 배기부의 유지 보수 단계를 진행하고,
    상기 설정 온도 이상인 경우, 상기 대기 반응 단계를 지속하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 유지 보수 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 설정 온도는 35℃ 내지 45℃인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 유지 보수 방법.
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