JP2004179519A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被処理基板の冷却または待機のためのストック空間を装置全体の占有面積を実質的に増加させることなく配置したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ケース1の正面にはフープFの開口とケース1内とを気密に連結する開口2が左右に離間して一対設けられている。そしてこれら開口2よりも下方位置において、ケース1からフープ載置部4が左右に離間して一対張り出している。そして、これら一対のフープ載置部4の間に膨出部5が形成され、この膨出部の内側空間を被処理基板の冷却または待機のためのストック空間6としている。
【選択図】 図1
【解決手段】ケース1の正面にはフープFの開口とケース1内とを気密に連結する開口2が左右に離間して一対設けられている。そしてこれら開口2よりも下方位置において、ケース1からフープ載置部4が左右に離間して一対張り出している。そして、これら一対のフープ載置部4の間に膨出部5が形成され、この膨出部の内側空間を被処理基板の冷却または待機のためのストック空間6としている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハやガラス基板などの被処理基板にエッチングやアッシングなどのプラズマ処理を施したり、レジスト液などを塗布する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
アッシングなどの減圧下でのプラズマ処理を効率よく行うため、複数枚の被処理基板を収納したカセットから多関節ロボットを用いてプラズマ処理室に1枚ずつ被処理基板を送り込み、処理が終了した被処理基板を多関節ロボットを用いて別のカセットに戻すようにしたプラズマ処理装置が知られている。(特許文献1)
【0003】
上述した処理は浮遊する塵埃などのパーティクル数を少なくしたクリーンルーム内で行っているが、最近では更にパーティクル汚染を抑えるためカセット自体をフープ(FOUP:Front Opening Unified Pod)と称される密閉型の容器内に入れ、一方、プラズマ処理室および多関節ロボットを外部からのパーティクルの侵入を防止したケース内に配置し、このケースに形成した開口に前記フープの開口を気密に連結し、外部から遮断された状態でプラズマ処理を行うようにしたプラズマ処理装置が知られている。(特許文献2)
【0004】
(特許文献1) 特開平10−30183号 図1
(特許文献2) 特開平11−102951号
段落0006、段落0013、段落0015、図2、図9
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献2の図1には、平面視で8角形をなすケース内に多関節ロボットを配置し、この8角形をなすケースの2側面にプラズマ処理室を連結し、また他の2側面に冷却室を兼ねる真空予備室(ロードロック室)を連結し、この真空予備室を介してフープとの間で被処理基板の受け渡しを行う構造が開示され、また特許文献2の図9には、8角形をなすケースの2側面にプラズマ処理室を連結し、また他の2側面にフープを連結し、残りの2側面に冷却室を連結した構造が開示されている。
【0006】
特許文献2の図1に示す構造では、フープの数と同数の真空予備室を設けなければならず装置が大きくなってしまい、また真空予備室を冷却室として使用している間は他の被処理基板をプラズマ処理室に送り込みことができず効率のよい処理が行えない。
また特許文献2の図9に示す構造では、冷却室が装置の左右に広がってしまい、装置全体としての占有面積が大きくなる。
【0007】
また、冷却室を特別に設けずに装置の一部に待機ステーションを設けることも考えられるが、この構造では多関節ロボットと干渉しない箇所に設けなければならず、装置レイアウトに無理が生じやすい。
【0008】
更に、冷却室を設けた場合には、当該冷却室内に塵埃などのパーティクルが経時的に堆積しやすく、これがパーティクル汚染につながるおそれがある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明は、外部からのパーティクルの侵入を防止したケース内にプラズマ処理チャンバーや塗布装置などの処理部と多関節ロボットを配置し、この多関節ロボットによりケース外に配置したフープと処理部との間の被処理基板の受け渡しを行うようにした基板処理装置において、前記ケースの正面にフープの開口とケース内とを気密に連結する開口を左右に離間して一対設け、この開口よりも下方位置にフープ載置部を左右に離間して一対張り出し、またケースの正面で前記一対のフープ載置部の間に膨出部を形成し、この膨出部の内側空間を被処理基板の冷却または待機のためのストック空間とした。
上記構成とすることでデッド空間を効率よく利用してストック空間を配置することにより、装置を大型化することなく高い機能を有する装置を提供することができる。
【0010】
特に、前記フープ載置部の前後方向寸法と前記膨出部の突出寸法とを略同一とすることで、膨出部が邪魔になることがない。
【0011】
また、前記ストック空間の天井面を手前に向かって下り傾斜面、底面は奥に向かって下り傾斜面とすることで、ストック空間内にパーティクルが堆積しにくくなる。更に、前記ストック空間を空気の流路とすることで、積極的にストック空間内のパーティクルを排除することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図1は本発明に係る基板処理装置をプラズマ処理装置に適用した例の全体斜視図、図2は同プラズマ処理装置の縦断面図、図3は同プラズマ処理装置の横断面図である。
【0013】
プラズマ処理装置は全体が略直方体状をなすケース1内に機器を収納している。このケース1は外部からのパーティクルの侵入が防止される構造になっている。
ケース1の正面にはフープFの開口とケース1内とを気密に連結する開口2が左右に離間して一対設けられている。なお、フープFと連結していない場合には、開口2は蓋3で閉じられケース1内へのパーティクルの侵入を防止している。
【0014】
前記開口2よりも下方位置において、ケース1からフープ載置部4が左右に離間して一対張り出している。そして、これら一対のフープ載置部4の間に膨出部5が形成され、この膨出部5は前後方向寸法が前記フープ載置部4の前後方向寸法と略同一とされ、その内側空間を被処理基板の冷却または待機のためのストック空間6としている。
【0015】
ストック空間6は図2に示すように、内部に載置テーブル7が上下に複数段設けられ、また天井面6aが手前に向かって下り傾斜面となっており、底面6bは奥に向かって下り傾斜面となっており、内面にパーティクルが付着しない構造になっている。
前記載置テーブル7は上段での被処理基板の出し入れによりパーティクル等が下段に落ちないように、載置テーブル7の直上に天板7aを配置している。更に、載置テーブル7には常に必要に応じた枚数のダミーウェーハを待機させておいてもよい。このダミーウェーハは,基板処理装置が稼動し始めて処理状態が不安定なときに、被処理基板の代わりとして処理装置内に搬入され、処理状態が案テしたあとは搬出されて載置テーブル7に載置される。
【0016】
また膨出部5の外側部には排気通路8が設けられ、この排気通路8と前記ストック空間6が壁面に形成した穴9を介して連通し、ストック空間6内から積極的に空気が排出されるようにしている。穴9は書く載置テーブル7に対応して設けられている。
【0017】
一方、ケース1内には多関節ロボット10とプラズマ処理室20が配置されている。多関節ロボット10は本体11と2本の多関節アーム12を備え、本体11は垂直軸を中心として回転自在とされ、多関節アーム12は昇降動の他にティーチングにしたがって伸縮動を行い、更に多関節ロボット10全体が図示しないシリンダユニットなどの駆動によりレール13に沿って左右のプラズマ処理室20に対向する位置まで移動可能とされている。尚、多関節ロボット10の構造は上記に限定されない。
【0018】
また、プラズマ処理室20はロードロック室21を付設し、このロードロック室21を介して、被処理基板の搬入及び搬出を行うようにしている。即ち、ロードロック室21内にも受け渡しアームが設けられ、このアームによって多関節ロボット10との間の被処理基板の受け渡しを行う。
【0019】
また、プラズマ処理室20は、プラズマ発生用の石英チャンバー22の上部に反応性ガス導入部23を設け、石英チャンバー22の外周にはファラデーシールド24を設け、このファラデーシールド24の外側に高周波電源に接続されるプラズマ発生用コイル25を配置している。尚、プラズマ処理室20としては上記に限らず、シート状電極を用いたもの等任意である。
【0020】
以上において、ケース1の開口2にフープFを連結し、蓋3を外してフープF内とケース1内とを連通する。このとき、例えば一方のフープF内には未処理の被処理基板を収納しておき、他方のフープFは空にしておく。
この状態から、多関節ロボット10によって一方のフープF内から未処理の被処理基板を取り出してプラズマ処理室20に送り込み、アッシングやエッチングなどの所定の処理を行う。処理が終了したら前記とは逆の手順でプラズマ処理室20内から被処理基板を取り出す。このとき被処理基板は高温であるのでそのまま空のフープF内に収納すると破損の原因にもなるので、ストック空間6の載置テーブル7に移し、温度が低下してから空のフープF内に収納する。
【0021】
図示例では、プラズマ処理装置に適用した例を示したが、本発明は塗布装置にも適用することができる。
【0022】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明に係る基板処理装置によれば、もともと使用していない空間をストック空間としたので、装置全体の占有面積を増加させることがない。
また、ストック空間自体の形状をパーティクルが堆積しにくい形状とするとともに、積極的にストック空間からのパーティクルの除去を行えるので、パーティクル汚染を有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置を適用したプラズマ処理装置の全体斜視図
【図2】同プラズマ処理装置の縦断面図
【図3】同プラズマ処理装置の横断面図
【符号の説明】
1…ケース、2…開口、3…蓋、4…フープ載置部、5…膨出部、6…ストック空間、6a…ストック空間の天井面、6b…ストック空間の底面、7…載置テーブル、7a…天板、8…排気通路、9…穴、10…多関節ロボット、11…ロボット本体、12…ロボットのアーム、13…レール、20…プラズマ処理室、21…ロードロック室。22…石英チャンバー、23…反応性ガス導入部、24…ファラデーシールド、25…プラズマ発生用コイル25、F…フープ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハやガラス基板などの被処理基板にエッチングやアッシングなどのプラズマ処理を施したり、レジスト液などを塗布する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
アッシングなどの減圧下でのプラズマ処理を効率よく行うため、複数枚の被処理基板を収納したカセットから多関節ロボットを用いてプラズマ処理室に1枚ずつ被処理基板を送り込み、処理が終了した被処理基板を多関節ロボットを用いて別のカセットに戻すようにしたプラズマ処理装置が知られている。(特許文献1)
【0003】
上述した処理は浮遊する塵埃などのパーティクル数を少なくしたクリーンルーム内で行っているが、最近では更にパーティクル汚染を抑えるためカセット自体をフープ(FOUP:Front Opening Unified Pod)と称される密閉型の容器内に入れ、一方、プラズマ処理室および多関節ロボットを外部からのパーティクルの侵入を防止したケース内に配置し、このケースに形成した開口に前記フープの開口を気密に連結し、外部から遮断された状態でプラズマ処理を行うようにしたプラズマ処理装置が知られている。(特許文献2)
【0004】
(特許文献1) 特開平10−30183号 図1
(特許文献2) 特開平11−102951号
段落0006、段落0013、段落0015、図2、図9
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献2の図1には、平面視で8角形をなすケース内に多関節ロボットを配置し、この8角形をなすケースの2側面にプラズマ処理室を連結し、また他の2側面に冷却室を兼ねる真空予備室(ロードロック室)を連結し、この真空予備室を介してフープとの間で被処理基板の受け渡しを行う構造が開示され、また特許文献2の図9には、8角形をなすケースの2側面にプラズマ処理室を連結し、また他の2側面にフープを連結し、残りの2側面に冷却室を連結した構造が開示されている。
【0006】
特許文献2の図1に示す構造では、フープの数と同数の真空予備室を設けなければならず装置が大きくなってしまい、また真空予備室を冷却室として使用している間は他の被処理基板をプラズマ処理室に送り込みことができず効率のよい処理が行えない。
また特許文献2の図9に示す構造では、冷却室が装置の左右に広がってしまい、装置全体としての占有面積が大きくなる。
【0007】
また、冷却室を特別に設けずに装置の一部に待機ステーションを設けることも考えられるが、この構造では多関節ロボットと干渉しない箇所に設けなければならず、装置レイアウトに無理が生じやすい。
【0008】
更に、冷却室を設けた場合には、当該冷却室内に塵埃などのパーティクルが経時的に堆積しやすく、これがパーティクル汚染につながるおそれがある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明は、外部からのパーティクルの侵入を防止したケース内にプラズマ処理チャンバーや塗布装置などの処理部と多関節ロボットを配置し、この多関節ロボットによりケース外に配置したフープと処理部との間の被処理基板の受け渡しを行うようにした基板処理装置において、前記ケースの正面にフープの開口とケース内とを気密に連結する開口を左右に離間して一対設け、この開口よりも下方位置にフープ載置部を左右に離間して一対張り出し、またケースの正面で前記一対のフープ載置部の間に膨出部を形成し、この膨出部の内側空間を被処理基板の冷却または待機のためのストック空間とした。
上記構成とすることでデッド空間を効率よく利用してストック空間を配置することにより、装置を大型化することなく高い機能を有する装置を提供することができる。
【0010】
特に、前記フープ載置部の前後方向寸法と前記膨出部の突出寸法とを略同一とすることで、膨出部が邪魔になることがない。
【0011】
また、前記ストック空間の天井面を手前に向かって下り傾斜面、底面は奥に向かって下り傾斜面とすることで、ストック空間内にパーティクルが堆積しにくくなる。更に、前記ストック空間を空気の流路とすることで、積極的にストック空間内のパーティクルを排除することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図1は本発明に係る基板処理装置をプラズマ処理装置に適用した例の全体斜視図、図2は同プラズマ処理装置の縦断面図、図3は同プラズマ処理装置の横断面図である。
【0013】
プラズマ処理装置は全体が略直方体状をなすケース1内に機器を収納している。このケース1は外部からのパーティクルの侵入が防止される構造になっている。
ケース1の正面にはフープFの開口とケース1内とを気密に連結する開口2が左右に離間して一対設けられている。なお、フープFと連結していない場合には、開口2は蓋3で閉じられケース1内へのパーティクルの侵入を防止している。
【0014】
前記開口2よりも下方位置において、ケース1からフープ載置部4が左右に離間して一対張り出している。そして、これら一対のフープ載置部4の間に膨出部5が形成され、この膨出部5は前後方向寸法が前記フープ載置部4の前後方向寸法と略同一とされ、その内側空間を被処理基板の冷却または待機のためのストック空間6としている。
【0015】
ストック空間6は図2に示すように、内部に載置テーブル7が上下に複数段設けられ、また天井面6aが手前に向かって下り傾斜面となっており、底面6bは奥に向かって下り傾斜面となっており、内面にパーティクルが付着しない構造になっている。
前記載置テーブル7は上段での被処理基板の出し入れによりパーティクル等が下段に落ちないように、載置テーブル7の直上に天板7aを配置している。更に、載置テーブル7には常に必要に応じた枚数のダミーウェーハを待機させておいてもよい。このダミーウェーハは,基板処理装置が稼動し始めて処理状態が不安定なときに、被処理基板の代わりとして処理装置内に搬入され、処理状態が案テしたあとは搬出されて載置テーブル7に載置される。
【0016】
また膨出部5の外側部には排気通路8が設けられ、この排気通路8と前記ストック空間6が壁面に形成した穴9を介して連通し、ストック空間6内から積極的に空気が排出されるようにしている。穴9は書く載置テーブル7に対応して設けられている。
【0017】
一方、ケース1内には多関節ロボット10とプラズマ処理室20が配置されている。多関節ロボット10は本体11と2本の多関節アーム12を備え、本体11は垂直軸を中心として回転自在とされ、多関節アーム12は昇降動の他にティーチングにしたがって伸縮動を行い、更に多関節ロボット10全体が図示しないシリンダユニットなどの駆動によりレール13に沿って左右のプラズマ処理室20に対向する位置まで移動可能とされている。尚、多関節ロボット10の構造は上記に限定されない。
【0018】
また、プラズマ処理室20はロードロック室21を付設し、このロードロック室21を介して、被処理基板の搬入及び搬出を行うようにしている。即ち、ロードロック室21内にも受け渡しアームが設けられ、このアームによって多関節ロボット10との間の被処理基板の受け渡しを行う。
【0019】
また、プラズマ処理室20は、プラズマ発生用の石英チャンバー22の上部に反応性ガス導入部23を設け、石英チャンバー22の外周にはファラデーシールド24を設け、このファラデーシールド24の外側に高周波電源に接続されるプラズマ発生用コイル25を配置している。尚、プラズマ処理室20としては上記に限らず、シート状電極を用いたもの等任意である。
【0020】
以上において、ケース1の開口2にフープFを連結し、蓋3を外してフープF内とケース1内とを連通する。このとき、例えば一方のフープF内には未処理の被処理基板を収納しておき、他方のフープFは空にしておく。
この状態から、多関節ロボット10によって一方のフープF内から未処理の被処理基板を取り出してプラズマ処理室20に送り込み、アッシングやエッチングなどの所定の処理を行う。処理が終了したら前記とは逆の手順でプラズマ処理室20内から被処理基板を取り出す。このとき被処理基板は高温であるのでそのまま空のフープF内に収納すると破損の原因にもなるので、ストック空間6の載置テーブル7に移し、温度が低下してから空のフープF内に収納する。
【0021】
図示例では、プラズマ処理装置に適用した例を示したが、本発明は塗布装置にも適用することができる。
【0022】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明に係る基板処理装置によれば、もともと使用していない空間をストック空間としたので、装置全体の占有面積を増加させることがない。
また、ストック空間自体の形状をパーティクルが堆積しにくい形状とするとともに、積極的にストック空間からのパーティクルの除去を行えるので、パーティクル汚染を有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置を適用したプラズマ処理装置の全体斜視図
【図2】同プラズマ処理装置の縦断面図
【図3】同プラズマ処理装置の横断面図
【符号の説明】
1…ケース、2…開口、3…蓋、4…フープ載置部、5…膨出部、6…ストック空間、6a…ストック空間の天井面、6b…ストック空間の底面、7…載置テーブル、7a…天板、8…排気通路、9…穴、10…多関節ロボット、11…ロボット本体、12…ロボットのアーム、13…レール、20…プラズマ処理室、21…ロードロック室。22…石英チャンバー、23…反応性ガス導入部、24…ファラデーシールド、25…プラズマ発生用コイル25、F…フープ。
Claims (4)
- 外部からのパーティクルの侵入を防止したケース内にプラズマ処理チャンバーや塗布装置などの処理部と多関節ロボットを配置し、この多関節ロボットによりケース外に配置したフープ(FOUP:Front Opening Unified Pod)と処理部との間の被処理基板の受け渡しを行うようにした基板処理装置において、前記ケースの正面にはフープの開口とケース内とを気密に連結する開口が左右に離間して一対設けられ、この開口よりも下方位置からフープ載置部が左右に離間して一対張り出し、またケースの正面で前記一対のフープ載置部の間には膨出部が形成され、この膨出部の内側空間を被処理基板の冷却または待機のためのストック空間としていることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1に記載の基板処理装置において、前記フープ載置部の前後方向寸法と前記膨出部の突出寸法とを略同一としたことを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、前記ストック空間の天井面は手前に向かって下り傾斜面、底面は奥に向かって下り傾斜面となっていることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、前記ストック空間を空気の流路としていることを特徴とする基板処理装置。
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JP2002345984A JP2004179519A (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 基板処理装置 |
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JP2002345984A JP2004179519A (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 基板処理装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006253683A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Asm Japan Kk | クリーニングステージを備えた半導体製造装置及びそれを使った半導体製造方法 |
WO2012133441A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
JP2013080812A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Ulvac Japan Ltd | 基板処理装置 |
JP2017092233A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロボット搬送装置 |
JP2022505473A (ja) * | 2018-10-26 | 2022-01-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前面ダクト式機器フロントエンドモジュール、側面ストレージポッド、及びそれらの操作方法 |
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-
2002
- 2002-11-28 JP JP2002345984A patent/JP2004179519A/ja active Pending
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2003
- 2003-11-21 TW TW92132786A patent/TWI307933B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101271198B1 (ko) * | 2005-03-08 | 2013-06-04 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 냉각 스테이지가 장착된 반도체 제조장치 및 이를 사용한반도체 제조방법 |
WO2012133441A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
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JP2022505473A (ja) * | 2018-10-26 | 2022-01-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前面ダクト式機器フロントエンドモジュール、側面ストレージポッド、及びそれらの操作方法 |
JP7365408B2 (ja) | 2018-10-26 | 2023-10-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前面ダクト式機器フロントエンドモジュール、側面ストレージポッド、及びそれらの操作方法 |
Also Published As
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TWI307933B (en) | 2009-03-21 |
TW200428561A (en) | 2004-12-16 |
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Legal Events
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070417 |