CN112970098B - 侧存储舱、电子装置处理系统及其操作方法 - Google Patents

侧存储舱、电子装置处理系统及其操作方法 Download PDF

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Abstract

描述了包括具有至少一个侧存储舱的设备前端模块的电子装置处理系统。侧存储舱具有腔室，腔室包括顶基板保持器和底基板保持器。在一些实施方式中，排气口位于顶基板保持器和底基板保持器之间的中点。还公开了根据这些和其他实施方式的方法和系统。

Description

侧存储舱、电子装置处理系统及其操作方法
技术领域
本公开内容涉及电子装置制造，并且更具体地涉及电子装置处理系统、侧存储舱、以及其操作方法。
背景技术
电子装置制造系统可包括多个处理腔室，所述多个处理腔室被配置以在基板上实行各种处理。在处理期间将基板暴露于某些环境条件下可能会使基板降级(degrade)。例如，在基板的处理期间暴露于湿气会降级或破坏在基板上制造的部件。
因此，需要在处理期间用于控制基板的环境条件的改善的系统、设备和方法。
发明内容
在第一方面中，提供了一种侧存储舱。侧存储舱包括第一腔室，第一腔室具有第一腔室开口，第一腔室开口被配置为位于与设备前端模块(EFEM)的壁相邻；和第一存储容器，第一存储容器被容纳在第一腔室中。第一存储容器包括：第一存储容器开口，第一存储容器开口位于与第一腔室开口相邻；第一存储容器腔室，第一存储容器腔室与第一存储容器开口流体耦接；多个基板保持器，多个基板保持器位于第一存储容器腔室中，多个基板保持器在顶基板保持器和底基板保持器之间延伸；第一排气气室，第一排气气室与第一存储容器开口相对地耦接至第一存储容器腔室，其中多个基板保持器位于第一存储容器开口和第一排气气室之间；和第一排气口，第一排气口具有中心，中心位于第一排气气室上于顶基板保持器和底基板保持器之间的中点的25％内。
在另一方面中，提供了一种电子装置处理系统。电子装置处理系统包括：设备前端模块(EFEM)，设备前端模块具有壁，该壁包括EFEM开口；侧存储舱，侧存储舱包括第一腔室，第一腔室具有第一腔室开口，第一腔室开口经配置为位于与EFEM开口相邻；和第一存储容器，所述第一存储容器被容纳在第一腔室中。第一存储容器包括：第一存储容器开口，第一存储容器开口位于与第一腔室开口相邻；第一存储容器腔室，第一存储容器腔室与第一存储容器开口流体耦接；多个基板保持器，该多个基板保持器位于第一存储容器腔室中，该多个基板保持器在顶基板保持器和底基板保持器之间延伸；排气气室，排气气室与第一存储容器开口相对地耦接至第一存储容器腔室，其中多个基板保持器位于第一存储容器开口和排气气室之间；和排气口，排气口具有中心，中心位于排气气室上于顶基板保持器和底基板保持器之间的中点的25％内。
在另一方面中，提供了一种操作电子装置处理系统的方法。该方法包括：提供具有壁的设备前端模块(EFEM)，壁包括EFEM开口；提供侧存储舱，侧存储舱包括舱腔室和腔室开口；将腔室开口定位于与EFEM开口相邻；将存储容器定位在舱腔室中，存储容器具有存储容器开口和存储容器腔室；将存储容器开口放置于与EFEM开口相邻；将存储容器腔室中的一个或多个基板放置在具有顶基板保持器和底基板保持器的一个或多个基板保持器上；和使气体从EFEM开口流经存储容器开口，流入存储容器腔室，流过一个或多个基板，并从排气口流出，排气口具有中心，中心位于顶基板保持器和底基板保持器之间的中点的25％内。
根据以下实施方式、随附权利要求书、和随附附图，本公开内容的其他特征和方面将变得更加明显。
附图说明
以下面描述的附图是出于说明性的目的，且不一定按比例绘制。附图并不旨在以任何方式限制本公开内容的范围。
图1示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的包括侧存储舱的电子装置处理系统的示意性顶视图。
图2示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的设备前端模块(在下文中称为“EFEM”)的截面侧视图，设备前端模块包括耦接至EFEM主体的壁的侧存储舱。
图3示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的耦接至EFEM主体的壁的侧存储舱的侧视图。
图4A示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的耦接至EFEM的侧存储舱的局部等距视图，其中侧存储舱的侧壁、顶壁和门被移除。
图4B示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的侧存储容器的排气气室的等距视图。
图4C示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的侧存储容器的排气气室的侧视图。
图5示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的在EFEM主体与侧存储舱之间的接口的横截面侧视图，侧存储舱具有位于其中的侧存储容器。
图6示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的排气挡板的示意图。
图7示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的描绘操作电子装置制造系统的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参照在随附附图中示出的本公开内容的范例实施方式。在许多附图中，将尽可能在所有附图中使用相同的附图标记指示相同或相似的部分。除非另外特别说明，否则本文描述的各种实施方式的特征可彼此组合。
电子装置制造可以涉及在多个处理中将基板暴露于不同的化学物质。在将处理应用于基板之后，基板可能会发生脱气。应用于基板的一些处理可能会使基板脱除腐蚀性化学物质，例如氟、溴和氯。如果这些气体没有从基板上去除，则这些气体可能导致基板上的缺陷。此外，如果将基板暴露于某些气体(例如水蒸气或氧气)中，则可能会损坏基板。
根据本公开内容的一个或多个实施方式，提供了适于改善基板处理的电子装置处理系统和方法。本文所述的系统和方法可通过控制基板的环境暴露，例如与设备前端模块(以下称为“EFEM”)耦接的一个或多个侧存储舱中的条件，来提供基板处理中的效率和/或处理改良。一个或多个侧存储容器(有时称为“存储容器”)可以配置为是可容纳于侧存储舱内的，并且可以包括基板保持器(例如，架子)，基板保持器容纳基板，例如在将处理应用于基板之前和/或之后的空闲期间。惰性气体(例如不与基板反应的气体)可通过容纳在基板保持器上的多个基板。惰性气体流过基板的流动可以是均匀的，以使所有基板都暴露于惰性气体下。
气体可从EFEM流入侧存储舱容器，在此气体流过位于基板保持器上的基板。在一些实施方式中，气体可以在位于顶基板保持器和底基板保持器之间大约中间的排气口处从侧存储容器的后部排出。这样的排气配置改善了流过存储在基板保持器上的所有基板的均匀气流。
参考本文图1至图7描述了侧存储舱、包括侧存储舱的电子装置处理系统、及其操作方法的范例实施方式的进一步细节。
图1图示根据本公开内容的一个或多个实施方式的电子装置处理系统100的范例实施方式的示意图。电子装置处理系统100可包括主机壳体102，主机壳体102具有限定传送腔室104的壳体壁。传送机器人106(显示为虚线圆圈)可以至少部分地容纳在传送腔室104内。传送机器人106可被配置为经由传送机器人106的臂(未示出)的操作来将基板放置到目的地和从目的地提取基板。如本文中所使用的，基板可意指用以制造电子装置或电路部件的制品，例如半导体晶片、含硅晶片、图案化晶片、玻璃板等。
可以通过适当的命令至驱动组件(未示出)来控制传送机器人106的各种臂组件的运动，该驱动组件包括从控制器110命令的传送机器人106的多个驱动马达。来自控制器110的信号可以引起传送机器人106的各种部件的运动。
于图1所描绘的实施方式中所示出的实施方式的传送腔室104可以是方形或略呈矩形的形状，并且可包括第一小面104A、与第一小面104A相对的第二小面104B、第三小面104C、和与第三小面104C相对的第四小面104D。第一小面104A、第二小面104B、第三小面104C、和第四小面104D可以是平坦的且是例如，可以沿着各个小面布置的进入腔室组的入口。然而，主机壳体102、传送腔室104、和/或小面104A-104D的其他合适形状和/或小面和/或处理腔室的其他数量也是可能的。
传送机器人106的目的地可以是耦接至小面104A-104C的处理腔室108A-108F，所述处理腔室108A-108F可以被配置并且可操作以在传送到其上的基板上实行处理。处理可以是任何合适的处理，例如等离子体气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)、蚀刻、退火、预清洁、金属或金属氧化物去除等。可以在其中的基板上实行其他处理。
基板可以从设备前端模块(以下称为“EFEM”)114接收至传送腔室104中，并且还可通过耦接到EFEM 114的表面(例如，后壁)的装载锁定设备116离开传送腔室104，到达EFEM114。装载锁定设备116可包括一个或多个装载锁定腔室(例如，装载锁定腔室116A、116B，举例而言)。
在一些实施方式中，EFEM 114可以是具有形成EFEM腔室114C的侧壁表面(例如，前壁、后壁和侧壁，例如顶部和底部)的外壳。一个或多个装载口可以设置在EFEM 114的表面(例如，前表面)上，并且可以配置成在那里容纳一个或多个基板载体118(例如，FOUP)。示出了三个基板载体118，但可以是更多或更少数量的基板载体118与EFEM 114对接。
EFEM 114可包括在其EFEM腔室114C内的传统结构的合适的装载/卸除机器人120(以虚线示出)。一旦打开基板载体118的门，装载/卸除机器人120可以被配置和操作以从基板载体118提取基板并将基板供给通过EFEM腔室114C并进入装载锁定设备116的一个或多个装载锁定腔室116A、116B。
一旦打开基板载体118的门，装载/卸除机器人120可以被配置和操作以从基板载体118提取基板并在基板处于空闲状态等待处理时将基板供给到侧存储舱122中。装载/卸除机器人120可进一步配置成在一个或多个处理腔室108A-108F中的处理之前和/或之后，从侧存储舱122提取基板和将基板装载到侧存储舱122中。在一些实施方式中，侧存储舱122可以耦接至EFEM 114的侧壁。在一些实施方式中，装载/卸除机器人120可以是高Z机器人(high-z robot)，所述高Z机器人经配置以拿取在侧存储舱122中堆叠大于26高，或甚至52高或更高的基板。
在所描绘的实施方式中，EFEM腔室114C可以设置有环境控制，该环境控制在其中提供环境控制的大气。特别是，环境控制系统123可耦接到EFEM 114并且可操作以监控和/或控制EFEM腔室114C内的环境条件。在一些实施方式中，且在某些时候，EFEM腔室114C可以从惰性气体供应源123A接收其中的惰性和/或非反应性气体，例如氩气(Ar)、氮气(N2)或氦气(He)。在其他实施方式中，或在其他时间，可以从空气供应源123B提供空气(例如，干燥的过滤空气)。在一些实施方式中，EFEM腔室114C内的环境条件可以存在于存储容器的内部中，例如位于侧存储舱122内的侧存储容器124和224(图2)。
更详细地，环境控制系统123可以控制以下至少之一：EFEM腔室114C内的1)相对湿度(RH)、2)温度(T)、3)O2的量和/或4)惰性气体的量。可以监控和/或控制EFEM 114的其他环境条件，例如进入EFEM腔室114C的气体流速或EFEM腔室114C中的压力，或两者。如本文所述，来自惰性气体供应源123A的惰性和/或非反应性气体可以是氩气、N2、氦气、其他非反应性气体或它们的混合物。在一些实施方式中，例如，具有低H2O等级(例如，纯度≥99.9995％，H2O≤5ppm)的压缩大宗惰性气体(compressed bulk inert gasses)可用作为环境控制系统123中的惰性气体供应源123A。可以使用其他H2O等级。
在一些实施方式中，一个或多个环境监视器130可以测量多个环境条件。例如，在一些实施方式中，环境监视器130可以如上所述测量相对湿度值。环境监视器还可以测量EFEM 114中的氧气(O2)等级。在一些实施方式中，可以发生从控制器110到环境控制系统123的控制信号，该控制信号发起将适当量的惰性气体从惰性气体供应源123A流入EFEM腔室114C的流动，以控制氧气(O2)到低于O2的阈值。环境监视器130还可以测量EFEM 114内的绝对压力或相对压力。在一些实施方式中，控制器110可以控制从惰性气体供应源123A到EFEM腔室114C中的惰性气体的流量，以控制EFEM腔室114C中的压力。
附接到EFEM 114的侧存储舱122可以在特定环境条件下存储基板。例如，侧存储舱122可以在与EFEM腔室114C中存在的相同环境条件下存储基板。在一些实施方式中，侧存储舱122可以流体地耦接到EFEM腔室114C，并且可以从EFEM 114接收气体(例如惰性气体)。因此，存储在侧存储舱122中的基板暴露于与EFEM 114相同的环境条件。侧存储舱122可包括从侧存储舱122排出气体的排气管道，这进一步使得存储在侧存储舱122中的基板能够持续地暴露于EFEM 114的相同环境条件下。
第一侧存储容器124(在本文有时称为“第一存储容器”)可以被容纳于侧存储舱122中。在一些实施方式中，侧存储舱122可以容纳一个或多个垂直对齐和/或堆叠的侧存储容器。第一侧存储容器124可包括面向EFEM 114的开口126。开口126可以流体地耦接至第一侧存储容器124的腔室(例如，内部)。在一些实施方式中，开口126可密封至EFEM 114，这可以将来自EFEM 114的气体仅保持在第一侧存储容器124中。第一侧存储容器124可包括排气气室(exhaust plenum)128或与开口126相对设置的气室。排气气室128可以耦接至第一排气管道132，该第一排气管道132可以耦接于排气气室128与侧存储舱122的外部之间。因此，可以防止第一侧存储容器124内部的排气进入侧存储舱122的内部。
在一些实施方式中，第一排气管道132可以耦接至第一外部排气管道134A。第二排气管道(图4A中的432)可以耦接于第二侧存储容器(图2中的224)和第二外部排气管道134B之间。第一外部排气管道134A和第二外部排气管道134B两者都可以位于盖136内。在一些实施方式中，盖136(而不是第一外部排气管道134A和第二外部排气管道134B)可以从侧存储容器124、224中排出废气。在其他实施方式中，第一外部排气管道134A和第二外部排气管道134B可穿过侧存储舱122的内部。
再参照至图2，示出了EFEM 114的侧截面正视图，EFEM 114包括耦接至EFEM 114的侧存储舱122。侧存储舱122可包括容纳第一侧存储容器124的第一腔室230和容纳第二侧存储容器224(在本文中有时称为“第二存储容器”)的第二腔室232。在一些实施方式中，第一侧存储容器124和第二侧存储容器224可以密封到EFEM 114的外部，这可以将EFEM 114中的气体与第一腔室230和第二腔室232中的气体隔离。
第一外部排气管道134A和第二外部排气管道134B都可以耦接至气室(plenum)240，气室240接收来自第一侧存储容器124和第二侧存储容器224的排气。气室240可以例如是附接到侧存储舱122或是侧存储舱122的一部分。在一些实施方式中，侧存储舱122可以可移除地附接到EFEM 114。在一个或多个实施方式中，可通过位于气室排气口中的风扇140从气室240中抽出气体。例如，位于风扇140和气室240之间的气室142可以将气体引导到风扇140。在一些实施方式中，尽管可以使用其他气流，但通过第一侧存储容器124和第二侧存储容器224的混合气流为约150-175cfm(4.25-5.0cmm)。
过滤器248可以在由风扇140产生的气体流动路径中。例如，过滤器248可以位于气室142中，使得由风扇140抽取的所有气体都通过过滤器248。可以使用其他过滤器位置。在一些实施方式中，过滤器248可以是化学过滤器，所述化学过滤器在应用制造处理之后过滤由侧存储舱122中的基板除气的一种或多种气体。在一些实施方式中，过滤器248过滤氯、溴、和/或氟。在一些实施方式中，过滤器248可过滤基础气体，例如氨(NH3)(例如，小于或等于约5.0ppb或另一目标过滤等级)。在一些实施方式中，过滤器248可以过滤酸性气体，例如氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、乙酸盐(OAc)、二氧化氮(NO2)、硝酸盐(NO3)、磷酸盐(PO4)、氟化氢(HF)、和盐酸(HCl)(例如，等于或小于约1.0ppb或其他目标过滤等级)。在一些实施方式中，过滤器248可以是活性炭过滤器。在其他实施方式中，过滤器248可以是微粒过滤器或包括微粒过滤器。在一些实施方式中，来自第一侧存储容器124和第二侧存储容器224的废气不被过滤或再循环到EFEM 114中。
在一些实施方式中，加热器250可以位于风扇140产生的气流中。在废气再循环到EFEM 114中之前，加热器250可以将废气加热到预定温度。在一些实施方式中，由加热器250产生的热量可以被用作反应物和/或用于改变EFEM 114和/或侧存储舱122中的相对湿度。在一些实施方式中，加热器250可以加热EFEM 114中的气体，以增加来自位于侧存储舱122中的基板的脱气。
风扇140可以迫使气体(例如，过滤后的气体)通过管道到达EFEM 114的顶部，在该处将所述气体再循环回到EFEM 114中。例如，管道154可以在气室142和EFEM 114上的进出门156之间延伸。在一些实施方式中，管道154可以弯曲以配合通过EFEM 114内的紧密界限。管道260可以耦接至管道154并且可以延伸穿过进出门156。通过使管道260延伸穿过进出门156，管道260所占据的空间减小和/或保持最小。风扇264可以帮助强制使气体从管道260进入气室262。在一些实施方式中，气室262可以包括出口或耦接到出口，该出口导致层流气流流过EFEM 114并返回到侧存储舱122中。额外的化学和/或微粒过滤器可以位于气室262中。
在一些实施方式中，管道154和/或气室240内的一部分气体可以从EFEM114排出。例如，可以在合适的位置设置排气阀266，以从EFEM 114中排出一部分气体，例如当过滤器248过滤气体之后。在一些实施方式中，在管道154中的大约5-20％的气体可以从EFEM 114中排出。可以排出其他量的气体。在这些或其他实施方式中，可以利用补充气体源，例如净化气体源268，来向EFEM 114提供额外的气体。例如，可以使用气流阀270将由排气阀266排出的相同量的气体引入气室262和/或侧存储舱122。可以引入其他量的气体。在一些实施方式中，排气阀266和/或气流阀270可以由控制器110或另一控制器控制。净化气体源268可包括，例如，惰性和/或非反应性气体，例如Ar、N2、He等，干燥的过滤空气等。
图3示出了EFEM 114的正视图和侧存储舱122的实施方式的侧视图。图3中所示的侧存储舱122可包括第一门350和第二门352。第一门350和第二门352可在位于侧存储舱122的端部的各个门开口上形成密封。第一门350和第二门352可具有关闭状态和打开状态，其中侧存储容器124、224(图2)可穿过门的开口。例如，第一门350和第二门352可以是包括铰链(未示出)的铰链型门或可移除的面板门(例如，拧紧的密封面板门)，使得能够进出侧存储舱122的第一腔室230(图2)和第二腔室232(图2)，但在关闭时仍使第一腔室和第二腔室密封。在一些实施方式中，可以使用单个门来代替第一门350和第二门352。在第一门350和第二门352上或在端部上的合适的O形环、垫圈或其他密封件可以形成侧存储舱122的气密密封。在一些实施方式中，第一门350可以密封第一腔室230，第一腔室与由第二门352密封的第二腔室232分离并且可以与第二腔室232分别密封。其他类型的门可用于进出侧存储舱122的内部。
现在进一步参照图4A，示出了侧存储舱122的局部剖视图。侧存储舱122可包括具有第一侧417和第二侧418的面板416。具体而言，面板416的第一侧417可以至少部分地限定侧存储舱122的第一腔室230和第二腔室232。面板416的第二侧418可以附接到至少部分地形成EFEM 114的外部的壁420。如本文所述，面板416可在EFEM 114的内部与侧存储舱122的第一腔室230和第二腔室232之间形成气密密封的界面。在一些实施方式中，面板416可以与侧存储舱122或EFEM 114一体地形成。
第一腔室230可包括耦接至第一侧存储容器124的第一排气管道132，且第二腔室232可包括耦接至第二侧存储容器224上的第二气室228的第二排气管道432。第一排气管道132可耦接至第一外部排气管道134A(图3)。第二排气管道432可耦接至第二外部排气管道134B(图3)。在一些实施方式中，第一排气管道132和第二排气管道432两者都可以是柔性的，以便能够更换第一侧存储容器124和第二侧存储容器224。
进一步参照图4B，示出排气气室128的立体图，以及参照图4C，示出排气气室128的侧视图。排气气室128可具有在顶侧440A和底侧440B之间延伸的高度H41。在一些实施方式中，高度H41可以在25.0cm和30cm之间。在其他实施方式中，高度H41可以在26.0cm和29.0cm之间。排气气室128可具有在前侧442A和后侧442B之间延伸的深度D41。在一些实施方式中，深度D41可以在7.0cm和10.0cm之间。在其他实施方式中，深度D41可以在8.0和9.0cm之间。排气气室128可具有在第一垂直侧444A和第二垂直侧444B之间延伸的宽度W41。在一些实施方式中，宽度W41可以在12.0cm和17.0cm之间。在其他实施方式中，宽度W41可以在13.0cm和16.0cm之间。可以使用其他尺寸。
排气口448可以从第一垂直侧444A延伸距离D42。在一些实施方式中，距离D42可以在3.0和5.0cm之间。排气口448可被配置以耦接至第一排气管道132。排气口448可以是圆形的，并且可以具有中心C41和内径D43。在一些实施方式中，直径D43可以在5.0和9.0cm之间。在其他实施方式中，直径D43可以在6.0和8.0cm之间。排气口448可以具有除了圆形之外的形状，但是可以具有相对于顶侧440A和底侧440B的中心位置。距离D44A可以在顶侧440A和中心C41之间延伸，且距离D44B可以在中心C41和底侧440B之间延伸。在一些实施方式中，距离D44A和D44B可以在120和145cm之间。在其他实施方式中，距离D44A和D44B可以在130和136cm之间。在一些实施方式中，距离D44A和D44B可以在彼此的25％以内。在其他实施方式中，距离D44A和D44B可以在彼此的15％以内或进一步在5％以内。排气口448的中心位置使得气体能够均匀地流过位于第一侧存储容器124和/或第二侧存储容器224中的基板。因此，中心C41可以在顶侧440A和底侧440B之间的中点的25％以内。在其他实施方式中，中心C41可以在顶侧440A和底侧440B之间的中点的15％以内或进一步在5％之内。
前侧442A可以包括开口450，所述开口450从第一侧存储容器124的内部接收废气。开口可以具有高度H42和宽度W42。高度H42和/或宽度W42可被配置以接收在第一侧存储容器124中存储的所有基板上流动的废气。在一些实施方式中，中心C41位于相对于高度H41的中间或中心点。
再次参照图4A，多个基板435可在第一侧存储容器124与EFEM 114之间以及第二侧存储容器224与EFEM 114之间转移。例如，装载/卸除机器人120可以在一个或多个处理腔室108A-108F中进行处理之前和/或之后在EFEM 114与第一侧存储容器124和/或第二侧存储容器224之间转移基板435(图1)。在其存储期间，第一侧存储容器124和第二侧存储容器224可将基板保持在特定(例如，受控制的)环境条件下。例如，如上所述，基板435可以暴露于EFEM 114内的惰性气体或其他气体下。可以控制环境条件以使其暴露于小于水和/或O2的预先选择的阈值，或者如上所述的其他条件。
现在进一步参照图5，示出了第一侧存储容器124的侧截面图。第二侧存储容器224(图2)可以与第一侧存储容器124基本相似或相同。第一侧存储容器124和第二侧存储容器224两者都可被配置以密封面板416的接口部分558。第一侧存储容器124可具有侧存储容器开口560，该侧存储容器开口560流体耦接至第一侧存储容器腔室562(例如，内部)。侧存储容器开口560可以位于与面板416中的腔室开口564相邻，其可位于与EFEM 114的EFEM开口566相邻，以形成进入第一侧存储容器腔室562的单个流体耦接开口。因此，EFEM腔室114C可以流体地耦接到第一侧存储容器腔室562。例如，腔室开口564可以具有与侧存储容器开口560相同的近似尺寸。
舱凹部570可以形成在第一侧存储容器124的上凸缘572中，并且可以围绕侧存储容器开口560的外周延伸。舱密封件574可以被容纳于舱凹部570内。舱密封件574防止气体泄漏通过第一侧存储容器124的前部576的接口和面板416的接口部分558。在一些实施方式中，舱密封件574可以是与舱凹部570和接口部分558接触的柔韧材料，例如基于弹性体的材料。
面板416的第二侧418可以具有形成在其中的面板凹部578，该面板凹部578围绕腔室开口564的外周延伸。面板密封件580可以容纳于面板凹部578内，以防止面板416和EFEM114的壁420之间的气体交换。在一些实施方式中，面板密封件580可以是平坦密封件，并且可以由三元乙丙(ethylene propylene diene monomer，EPDM)橡胶或另一种合适的材料制成。
第一侧存储容器腔室562可以包括多个基板保持器582，所述多个基板保持器582配置以支撑基板435于上面(图4A)。基板保持器582可以是形成在第一侧存储容器124的侧面上的垂直堆叠的架子，并且可以包括顶基板保持器582A和底基板保持器582B。基板保持器582可以彼此间隔开一定距离，以使气体能够在基板435周围(例如，在上方和下方)流动(图4A)，该基板435被基板保持器582接收并支撑在基板保持器582上。例如，顶基板保持器582A和底基板保持器582B之间的距离可以略小于高度H42(图4B)，以使得气体能够流过支撑在基板保持器582上的所有基板并进入排气气室128。
第一侧存储容器124的后部584可以包括开口586，所述开口586将第一侧存储容器腔室562与排气气室128的开口450流体地耦接。排气气室128可被配置以提供上述气流围绕容纳于基板保持器582上的基板435(图4A)。在一些实施方式中，排气气室128可具有高度H41(图4C)，所述高度H41至少在顶基板保持器582A和底基板保持器582B之间垂直延伸。
排气口448的中心C41可以位于例如顶基板保持器582A和底基板保持器582B之间的中点的25％之内。在其他实施方式中，中心C41可以位于顶基板保持器582A和底基板保持器582B之间的中点的15％以内。在其他实施方式中，中心C41可以位于顶基板保持器582A和底基板保持器582B之间的中点的5％以内。
在一些实施方式中，排气挡板588可以在基板435与排气气室128之间的气体路径中。在一些实施方式中，排气挡板588可位于排气气室128中。参照至图6，示出了排气挡板588的范例实施方式的正视图。可以使用其他排气挡板配置。排气挡板588可以包括多个孔690(标示了一些)，该多个孔690平衡通过第一侧存储容器124的气流，从而使基板保持器582上的所有基板(图5)暴露于相同或接近相同的气流中。在一些实施方式中，孔690可在排气挡板588的中心处具有小的直径D61，并且朝排气挡板588的顶部和底部具有大的直径D62。具有较小直径的孔690可以与排气口448对准(图5)以平衡气流。在一些实施方式中，较大的直径D62在一些实施方式中可以在大约15mm至17mm之间，并且可以朝向排气挡板588的上端和下端定位。在一些实施方式中，较小直径的孔的尺寸范围可以从大约7mm到大约9mm，并且可以与排气口448对准。可以使用其他孔的直径和/或孔的布置。
在图6的实施方式中，孔690可以布置成二维阵列，其中孔690的直径从排气挡板588的顶部和底部朝向排气挡板588的中间逐渐减小。在一些实施方式中，孔690的行的相邻的对具有相同的直径。例如，行692的第一对可具有孔690，所述孔具有第一直径，而行694的第二对可具有孔690，所述孔具有第二较大直径。
通过第一侧存储容器腔室562的气流进入侧存储容器开口560，在支撑在基板保持器582上的基板435(图4A)上方和/或周围通过，流经排气挡板588，进入排气气室128，并经由排气口448排出。包括位于顶基板保持器582A和底基板保持器582B之间的中点的排气口448在内的气流配置使得气体能均匀地流过基板435。
图7标出了描述操作电子装置处理系统(例如，电子装置处理系统100)的方法的流程图700。该方法包括在702中，提供设备前端模块(EFEM)(例如，EFEM 114)，该设备前端模块具有壁(例如，壁420)，该壁包括EFEM开口(例如，EFEM开口566)。该方法包括在704中，提供包括舱腔室(例如，第一腔室230)和腔室开口(例如，腔室开口564)的侧存储舱(例如，侧存储舱122)。该方法可以包括在706中，将腔室开口定位于与EFEM开口相邻。该方法可以包括在708中，将具有存储容器开口(例如，侧存储容器开口560)和存储容器腔室(例如，第一侧存储容器腔室562)的存储容器(例如，第一侧存储容器124)定位在舱腔室中。该方法可以包括在710中，将存储容器开口放置于与EFEM开口相邻。该方法可以包括在712中，将在存储容器腔室中的一个或多个基板(例如，基板435)放置在具有顶基板保持器(例如，顶基板保持器582A)和底基板保持器(例如，底基板保持器582B)的一个或多个基板保持器(例如，基板保持器582)上。该方法可以包括在714中，使气体从EFEM开口流经存储容器开口，流入存储容器腔室，流经一个或多个基板，并从具有中心(例如，中心C41)的排气口(例如，排气口448)流出，该中心位于顶基板保持器和底基板保持器之间的中点的25％以内。
前文描述公开了本公开内容的范例实施方式。对本领域技术人员而言，落入本公开内容范围内的上述设备、系统、和方法的修改是显而易见的。因此，尽管已结合范例实施方式来公开本公开内容，应理解，其他实施方式可以落入由随附权利要求书限定的本公开内容的范围内。

Claims (15)

1.一种侧存储舱，包括：
第一腔室，所述第一腔室具有第一腔室开口，所述第一腔室开口被配置为位于与设备前端模块的主体的壁相邻；和
第一存储容器，所述第一存储容器被容纳在所述第一腔室中，包括：
第一存储容器开口，所述第一存储容器开口位于与所述第一腔室开口相邻；
第一存储容器腔室，所述第一存储容器腔室与所述第一存储容器开口流体耦接；
多个基板保持器，所述多个基板保持器位于所述第一存储容器腔室中，所述多个基板保持器在顶基板保持器和底基板保持器之间延伸；
第一排气气室，所述第一排气气室与所述第一存储容器开口相对地耦接至所述第一存储容器腔室，其中所述多个基板保持器位于所述第一存储容器开口和所述第一排气气室之间；
第一排气口，所述第一排气口具有中心，所述中心位于所述第一排气气室上于所述顶基板保持器和所述底基板保持器之间的中点的25％内；和
第一排气挡板，所述第一排气挡板设置在所述多个基板保持器与所述第一排气气室之间，其中所述第一排气挡板包括各自具有第一直径的第一多个孔和各自具有小于所述第一直径的第二直径的第二多个孔，并且其中所述第一排气挡板的所述第二多个孔与所述第一排气口对准，以平衡通过由所述多个基板保持器支撑的基板的气流。
2.如权利要求1所述的侧存储舱，其中所述第一排气口的所述中心位于所述第一排气气室上于所述顶基板保持器和所述底基板保持器之间的中点的15％内。
3.如权利要求1所述的侧存储舱，其中所述第一排气口的所述中心位于所述第一排气气室上于所述顶基板保持器和所述底基板保持器之间的中点的5％内。
4.如权利要求1所述的侧存储舱，其中所述第一存储容器腔室自所述第一腔室密封。
5.如权利要求1所述的侧存储舱，进一步包括第一排气管道，所述第一排气管道在所述第一排气口和所述第一腔室外部的位置之间耦接。
6.如权利要求1所述的侧存储舱，进一步包括门开口和具有打开状态和关闭状态的门，其中所述第一存储容器经配置以当所述门处于所述打开状态时穿过所述门开口。
7.如权利要求1所述的侧存储舱，进一步包括：
第二腔室，所述第二腔室具有第二腔室开口，所述第二腔室开口经配置位于与所述设备前端模块的所述主体的所述壁相邻；和
第二存储容器，所述第二存储容器被容纳在所述第二腔室中。
8.如权利要求7所述的侧存储舱，其中所述第二存储容器包括：
第二存储容器开口，所述第二存储容器开口位于与所述第二腔室开口相邻；
第二存储容器腔室，所述第二存储容器腔室与所述第二存储容器开口流体耦接；
多个垂直间隔的基板保持器，所述多个垂直间隔的基板保持器位于所述第二存储容器腔室中，所述多个基板保持器在顶基板保持器和底基板保持器之间延伸；
第二排气气室，所述第二排气气室与所述第二存储容器开口相对地耦接至所述第二存储容器腔室，其中所述多个基板保持器位于所述第二存储容器开口和所述第二排气气室之间；和
第二排气口，所述第二排气口具有中心，所述中心位于所述第二排气气室上于所述顶基板保持器和所述底基板保持器之间的中点的25％内。
9.如权利要求7所述的侧存储舱，其中所述第一腔室和所述第二腔室是垂直地对齐。
10.一种电子装置处理系统，包括：
设备前端模块主体(EFEM)，所述设备前端模块主体具有壁，所述壁包括EFEM开口；和
侧存储舱，所述侧存储舱包括第一腔室，所述第一腔室具有第一腔室开口，所述第一腔室开口经配置为位于与所述EFEM开口相邻；和
第一存储容器，所述第一存储容器被容纳在所述第一腔室中，包括：
第一存储容器开口，所述第一存储容器开口位于与所述第一腔室开口相邻；
第一存储容器腔室，所述第一存储容器腔室与所述第一存储容器开口流体耦接；
多个基板保持器，所述多个基板保持器位于所述第一存储容器腔室中，所述多个基板保持器在顶基板保持器和底基板保持器之间延伸；
排气气室，所述排气气室与所述第一存储容器开口相对地耦接至所述第一存储容器腔室，其中所述多个基板保持器位于所述第一存储容器开口和所述排气气室之间；
排气口，所述排气口具有中心，所述中心位于所述排气气室上于所述顶基板保持器和所述底基板保持器之间的中点的25％内；和
排气挡板，所述排气挡板设置在所述多个基板保持器与所述排气气室之间，其中所述排气挡板包括各自具有第一直径的第一多个孔和各自具有小于所述第一直径的第二直径的第二多个孔，并且其中所述排气挡板的所述第二多个孔与所述排气口对准，以平衡通过由所述多个基板保持器的每个基板保持器支撑的基板的气流。
11.如权利要求10所述的电子装置处理系统，其中所述EFEM包括设备前端模块腔室，所述设备前端模块腔室至少部分地由所述壁界定。
12.如权利要求11所述的电子装置处理系统，其中所述EFEM腔室经配置为填充有惰性气体。
13.如权利要求10所述的电子装置处理系统，其中所述排气口的所述中心位于所述排气气室上于所述顶基板保持器与所述底基板保持器之间的中点的15％内。
14.如权利要求10所述的电子装置处理系统，进一步包括排气管道，所述排气管道在所述排气口和所述第一腔室外部的位置之间耦接。
15.一种操作电子装置处理系统的方法，所述方法包括以下步骤：
提供具有壁的设备前端模块(EFEM)，所述壁包括EFEM开口；
提供侧存储舱，所述侧存储舱包括舱腔室和腔室开口；
将所述腔室开口定位于与所述EFEM开口相邻；
将存储容器定位在所述舱腔室中，所述存储容器具有存储容器开口和存储容器腔室；
将所述存储容器开口放置于与所述EFEM开口相邻；
将所述存储容器腔室中的一个或多个基板放置在具有顶基板保持器和底基板保持器的一个或多个基板保持器上；和
使气体从所述EFEM开口流经所述存储容器开口，流入所述存储容器腔室，流过所述一个或多个基板，流经排气挡板，并从排气口流出，所述排气口具有中心，所述中心位于所述顶基板保持器和所述底基板保持器之间的中点的25％内，其中所述排气挡板包括各自具有第一直径的第一多个孔和各自具有小于所述第一直径的第二直径的第二多个孔，并且其中所述排气挡板的所述第二多个孔与所述排气口对准，以平衡经过放置在所述一个或多个基板保持器上的所述一个或多个基板的气流。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11508593B2 (en) * 2018-10-26 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same
US11373891B2 (en) * 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11244844B2 (en) 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
KR102202463B1 (ko) * 2019-03-13 2021-01-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20220310412A1 (en) * 2021-03-23 2022-09-29 Rorze Technology Incorporated Gas circulation structure of equipment front end module (efem)
TWI823271B (zh) * 2022-02-24 2023-11-21 天虹科技股份有限公司 基板傳送方法
KR20230172206A (ko) 2022-06-15 2023-12-22 세메스 주식회사 장비 전단부 모듈 및 이의 동작 방법, 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003003264A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Kobe Steel Ltd 成膜装置及び成膜装置での汚染防止方法
JP2005079250A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2006245365A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2011061155A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板の搬送方法、並びに半導体装置の製造方法
KR101215962B1 (ko) * 2012-07-30 2012-12-27 이프로링크텍(주) Ｅｆｅｍ의 버퍼 스토리지 박스
CN105960705A (zh) * 2014-01-21 2016-09-21 禹范济 排气装置
KR20180074276A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 피코앤테라(주) 이에프이엠

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2016356C1 (ru) * 1991-09-24 1994-07-15 Инженерный центр "Плазмодинамика" Способ защиты сверхчистых поверхностей и устройство для создания потока защитной среды
US6415736B1 (en) * 1999-06-30 2002-07-09 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6318945B1 (en) * 1999-07-28 2001-11-20 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot
JP2009087972A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 基板収容機構及び半導体製造装置
JP2010087169A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 気化器およびそれを用いた成膜装置
KR101090350B1 (ko) * 2011-02-07 2011-12-07 우범제 퓸 제거장치 및 이를 이용한 반도체 제조장치
TW201413780A (zh) 2012-09-24 2014-04-01 Eugene Technology Co Ltd 煙氣移除設備及基板處理設備
US20140261803A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Lam Research Corporation High strip rate downstream chamber
KR101682473B1 (ko) 2013-10-18 2016-12-05 삼성전자주식회사 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비
TWI814621B (zh) * 2013-12-13 2023-09-01 日商昕芙旎雅股份有限公司 搬運室
US9881826B2 (en) * 2014-10-24 2018-01-30 Lam Research Corporation Buffer station with single exit-flow direction
US9711353B2 (en) * 2015-02-13 2017-07-18 Panasonic Corporation Method for manufacturing compound semiconductor epitaxial substrates including heating of carrier gas
KR101637498B1 (ko) 2015-03-24 2016-07-07 피코앤테라(주) 웨이퍼 수납용기
JP6431440B2 (ja) 2015-05-27 2018-11-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
JP6450653B2 (ja) * 2015-06-24 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム
EP3291289B1 (en) 2016-08-30 2022-08-03 Brooks Automation (Germany) GmbH Reticle compartment and diffusor plate
KR20180045316A (ko) * 2016-10-25 2018-05-04 삼성전자주식회사 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
US10159169B2 (en) * 2016-10-27 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Flexible equipment front end module interfaces, environmentally-controlled equipment front end modules, and assembly methods
KR102423761B1 (ko) * 2017-06-23 2022-07-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인덱서블 측면 저장 포드 장치, 가열식 측면 저장 포드 장치, 시스템들, 및 방법들
US10388547B2 (en) * 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
US11508593B2 (en) * 2018-10-26 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same
JP2020161544A (ja) * 2019-03-25 2020-10-01 住友金属鉱山株式会社 成膜装置および成膜方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003003264A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Kobe Steel Ltd 成膜装置及び成膜装置での汚染防止方法
JP2005079250A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2006245365A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2011061155A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板の搬送方法、並びに半導体装置の製造方法
KR101215962B1 (ko) * 2012-07-30 2012-12-27 이프로링크텍(주) Ｅｆｅｍ의 버퍼 스토리지 박스
CN105960705A (zh) * 2014-01-21 2016-09-21 禹范济 排气装置
KR20180074276A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 피코앤테라(주) 이에프이엠

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