CN101234389A - 半导体处理用收集单元 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种收集单元，配设在半导体处理装置的排气通路中，用于收集排出气体中含有的副产物。收集单元包含以能够装卸的方式配设在壳体内的用于收集副产物的部分的收集器本体。收集器本体包含沿排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着副产物的部分来进行收集的表面。收集单元还包含接受机构，该接受机构配设在壳体内，接受从收集器本体或壳体的内表面剥离的剥离副产物的部分，使其不会堆积在壳体的底部。接受机构容许保留在其上的副产物的部分从上方和下方与清洁气体接触。

Description

半导体处理用收集单元
技术领域
本发明涉及一种在处理半导体晶片等被处理基板的半导体处理装置中使用的收集单元和使用该收集单元的半导体处理用的成膜装置。在此，半导体处理是指，通过在晶片或LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)这样的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上以规定的图形形成半导体层、绝缘层、导电层等，用于在该被处理基板上制造包含半导体器件、与半导体器件连接的布线、电极等的构造物而实施的各种处理。
背景技术
在构成半导体集成电路的半导体器件的制造中，对被处理基板，例如对半导体(例如硅)晶片实施成膜、蚀刻、氧化、扩散、改性、退火、自然氧化膜的去除等各种处理。作为能够一次对多片半导体晶片通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)来实施成膜处理的装置，有立式的(所谓批量式的)成膜装置。
在该立式成膜装置中，首先，将半导体晶片从晶片盒中移送装载到立式的晶舟上，并将其多层地支撑。在晶片盒中，能够容纳例如25片晶片，在晶舟中能够承载30～150片晶片。接着，将晶舟从热壁型处理容器的下方装入其内部，并且密封处理容器。接着，在处理气体的流量、处理压力、处理温度等各种处理条件被控制的状态下，执行规定的成膜处理。
由成膜处理生成的反应产物不仅堆积在半导体晶片的表面上，还作为副产物膜堆积(附着)在例如处理容器的内表面和各种夹具等上。若在副产物膜附着在处理容器内的状态下继续进行成膜处理，则会因构成处理容器的石英和副产物膜的热膨胀系数不同而产生的应力，使石英和副产物膜发生部分剥离。由此，就会产生微粒，而成为使制造出的半导体器件的成品率下降、或者使处理装置的部件劣化的原因。
因此，在多次进行成膜处理后，进行处理容器内的清洁。以往，例如通常使用氟化氢(HF)溶液对处理容器进行湿法清洁(wetcleaning)。在该情况下，通过湿法蚀刻去除副产物膜。但是，在湿法清洁中，需要进行卸下处理容器、手工进行清洁、再次安装及调整的操作。此外，由于必须长时间停止成膜装置，因而产生大量的停机时间，降低运转率。
基于这种观点，最近，通常使用不分解处理容器的干法清洁。在该干法清洁中，向由加热器加热到规定温度的处理容器内供给清洁气体，例如氟和含卤酸性气体的混合气体。利用清洁气体对附着在处理容器的内表面等的副产物膜进行干法蚀刻而将其去除。再有，这样的清洁处理的趋势不仅对批量式的成膜装置，而且对一片片地处理半导体晶片的单片式的成膜装置也是一样的。
例如，在日本专利特开平3-31479号公报、日本专利特开平4-155827号公报、日本专利特开平6-151396号公报和日本专利特开2004-343095号公报中，公开了这种清洁处理涉及的技术。
对于上述这种成膜装置，在从处理容器排出的排气气体中含有因成膜而产生的副产物。因此，为了从排气气体中收集并去除副产物，在与处理容器连接的排气系统中配设有去除副产物的收集单元。
图11是表示使用例如TEOS(Tetraethyl Orthosilicate：原硅酸四乙酯)作为成膜气体堆积SiO2薄膜时所采用的现有收集单元的一个例子的截面图。如图所示，收集单元2主要由圆筒状的壳体4和配设在其内部的收集器(trap)本体6构成。在壳体4的一端形成有气体入口4A，在另一端配设有借助于螺栓8能够进行装卸的盖体10。在该盖体的中央部形成有气体出口4B。
收集器本体6的结构为，借助于支撑杆14，以规定的间隔连接、支撑多个圆形环状的金属制的翼片(fin)12，在其上游侧配设有半球状的盖16。此外，收集器本体6的下游侧安装在盖体10上而被支撑。
在上述结构中，在成膜时从处理容器侧排出的排气气体从气体人口4A进入到收集单元2的壳体4内。该排气气体与各翼片12的表面接触，同时，通过该环状的翼片12的中心部从气体出口4B排出。此时，该排气气体中含有的副产物就会附着在各翼片12的表面而被收集，从排气气体中被去除。
在该情况下，副产物虽然主要被各翼片12收集，但也会附着在该排气气体接触部分的任何地方。因此，盖16的表面和壳体4的内壁面等上也会某种程度地附着副产物，而将其从排气气体中去除。
如上所述，利用在清洁时流过处理容器内的ClF3气体和HF气体等清洁气体，将收集的副产物和处理容器内的副产物一起去除。由此能够防止收集单元2内发生堵塞。
发明内容
发明的目的在于提供一种能够短时间且有效地去除收集到的副产物的半导体处理用的收集单元及使用该收集单元的半导体处理用的成膜装置。
本发明的第1观点为，提供一种收集单元，该收集单元被配设在半导体处理装置的排气通路中，用于收集流过其内部的排出气体中含有的副产物，包括：壳体，其具有气体入口及气体出口，且以形成上述排气通路的一部分的方式配设；收集器本体，以能够装卸的方式配设在上述壳体内，用于收集上述排出气体中的上述副产物的部分，上述收集器本体具备沿上述排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着上述副产物的部分来进行收集的表面；接受机构，配设在上述壳体内，接受从上述收集器本体或上述壳体的内表面剥离的上述副产物的部分，使其不会堆积在上述壳体的底部，上述接受机构容许保留在其上的上述副产物的部分从上方和下方与清洁气体接触。
本发明的第2观点为，提供一种半导体处理用的成膜装置，包括：容纳被处理基板的处理容器、在上述处理容器内支撑上述被处理基板的支撑构件、加热上述处理容器内的上述被处理基板的加热器、排出上述处理容器内的气体的排气系统、向上述处理容器内供给成膜气体的成膜气体供给系统、和向上述处理容器内供给清洁气体的清洁气体系统，上述排气系统包含配设在排气通路中用于收集流过其内部的排出气体中含有的副产物的收集单元，上述收集单元包括：壳体，其具有气体入口及气体出口，且以形成上述排气通路的一部分的方式配设；收集器本体，以能够装卸的方式配设在上述壳体内，用于收集上述排出气体中的上述副产物的部分，上述收集器本体具备沿上述排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着上述副产物的部分来进行收集的表面；接受机构，配设在上述壳体内，接受从上述收集器本体或上述壳体的内表面剥离的上述副产物的部分，使其不会堆积在上述壳体的底部，上述接受机构容许保留在其上的上述副产物的部分从上方和下方与清洁气体接触。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式涉及的成膜装置(立式CVD装置)的截面图。
图2是表示图1所示的装置的收集单元的截面图。
图3是表示图2所示的收集单元的分解装配图。
图4是表示构成图2所示的收集单元的一部分的收集器本体的截面图。
图5A、B是沿图2中的VA-VA线和VB-VB线的箭头方向的截面图。
图6A-C是表示分别对应图5A、B和图2的剖面中，副产物残留在各接受构件上时的状态的截面图。
图7是表示第1变化例涉及的收集单元的截面图。
图8是表示第2变化例涉及的收集单元的截面图。
图9是表示第3变化例涉及的收集单元的截面图。
图10是表示在排气通路中设置接受构件的状态的截面图。
图11是表示例如使用TEOS作为成膜气体来堆积SiO2薄膜时所采用的现有收集单元的一个例子的截面图。
具体实施方式
本发明的发明人等在本发明的研发过程中，针对涉及如上述图11所示的排气系统的收集单元所产生的问题点进行了研究。结果，本发明的发明人等得到了以下所述的见解。
如上所述，通过清洁处理容器内，收集单元2内被同时清洁。为了去除附着在各翼片12的表面等的副产物，流通例如3小时左右的清洁气体即可。
但是，当该清洁处理进行到某种程度时，附着在收集单元2的各翼片12、盖16的表面和壳体4的内壁面等上的副产物的粘着力就会降低，而存在从那里剥离、落下的情况。在图11中表示卧式设置收集单元2的状态，落下的副产物M1厚厚地堆积在壳体4的底部(图11中的下部)。
当这样厚厚地堆积副产物M1时，副产物M1与清洁气体接触的面积与其堆积量相比，就变得非常少。为了完全去除副产物M1，就需要长时间，例如，即使根据落下的量而异，也还需要经过10小时以上持续地流通清洁气体。因此，清洁时间就会变得过于漫长，降低装置的运转率。
也能够将安装壳体4的盖体10的螺栓8松解，从壳体4内取出收集器本体6，用清洗液来进行清洁。在该情况下，就会使操作规模变得过大，维护变得很困难，并且清洁时间变得过长，从而降低装置的运转率。
下面，参照附图，对基于这些见解所构成的本发明的实施方式进行说明。在以下的说明中，对于具有大致相同功能和结构的构成要素赋予相同的符号，仅在需要的时候进行重复说明。
图1是表示本发明的实施方式涉及的成膜装置(立式CVD装置)的截面图。该成膜装置22具有由内筒24和外筒26构成的石英制的双层管结构的立式处理容器28。在内筒24内，容纳有用于保持被处理基板的石英制晶舟30。在晶舟30中，按规定的间隔多层保持有作为被处理基板的半导体晶片W。该间隔既可以固定，也可以根据晶片位置而不同。
在处理容器28的下端开口部，隔着O形圈等密封构件34与例如不锈钢制的筒体状的歧管32连接。在歧管32的下端开口部，隔着O形圈等密封构件36配置有用于开启及封闭该开口部的盖体38。在盖体38上，配设有通过磁性流体密封件40而贯通的旋转轴42。在旋转轴42的上端，配设有旋转台44，在台44上，配置有石英制的保温筒46，在保温筒46上，载持有晶舟30。旋转轴42安装在能够升降的晶舟升降机(boat elevator)48的臂48A上，盖体38和晶舟30等能够整体地升降。晶舟30能够向处理容器28内从其下方进行插拔。再者，也可以不旋转晶舟30，使其为固定的状态。此外，也存在歧管32的部分与处理容器整体用石英形成的情况。
在歧管32中，配设有向处理容器28内供给规定气体的气体供给结构50。具体而言，气体供给结构50具有贯通岐管32的多个，图中例示3个喷嘴50A、50B、50C，根据需要能够从各喷嘴50A～50C中供给经过流量控制的各种气体。在此，能够分别供给例如用于进行SiO2膜的薄膜成膜的TEOS气体、作为清洁气体使用的HF气体、作为运载气体和吹扫气体等使用的N2气体。此外，不限于上述气体种类，可以根据堆积的薄膜种类而使用各种气体。
由各喷嘴50A、50B、50C供给的各气体，在内筒24内的处理空间即晶片的处理区域上升，并在顶部向下方折返。然后从内筒24和外筒26的间隙内流下来，从设置在外筒26的底部侧壁上的排气口52排出。
此外，在处理容器28的外周，配设有圆筒状的绝热层54。在其内侧配设有加热器56，将位于内侧的晶片W加热到规定的温度。
在设置在处理容器28的底部侧壁上的排气口52中，配设有用于对处理容器28内抽真空的排气系统60。具体而言，排气系统60与排气口52连接，具有流过排气气体的例如由不锈钢制成的排气通路62。在排气通路62的途中，配设有收集在其中流动的排气气体中含有的副产物的收集单元64。此外，在排气通路62的途中，配设有对处理容器28内抽真空的真空泵66。
排气系统60的整体由能够进行装卸的加热管套68覆盖。由此，防止排气气体中的副产物因加热整体而在薄膜的成膜时发生附着。此外，在清洁时促进副产物和清洁气体的反应。此外，使反应产生的水分蒸发，防止配管等结构材料的腐蚀。
收集单元64位于排气通路62的最上游侧，在其下游侧配设有真空泵66。在真空泵66的毗邻(ぐ)上游侧的排气通路62中，配设有压力控制用的气体供给喷嘴70。通过气体供给喷嘴70一边进行流量控制，一边供给作为不活泼气体的例如N2气体。由此改变用真空泵66抽真空的处理容器28内的气体量，对处理容器28内的压力进行控制。也可以在排气通路62的途中配设例如由蝶形阀构成的压力控制阀，替代压力控制用的气体喷嘴70。再有，在排气通路62的途中，因各部件在设置上的原因和空间上的原因，也存在有必须不可避免地设置例如直角地弯曲排气通路62的曲柄部72的情况。
图2是表示图1所示的装置的收集单元的截面图。图3是表示图2所示的收集单元的分解装配图。图4是表示构成图2所示的收集单元的一部分的收集器本体的截面图。图5A、B是沿图2中的VA-VA线和VB-VB线的箭头方向的截面图。收集单元64具有形成为容器状的壳体74，和以能够装卸的方式配设在壳体74内的用于收集排气气体中的副产物的收集器本体76。
壳体74具有例如整体由不锈钢制成的成形为圆筒体状的壳体本体78。在壳体本体78的下游侧的开口部，通过螺栓81以能够装卸的方式安装有盖体80。壳体本体78的上游侧，其截面积的直径逐渐缩小，其前端构成气体入口74A。在气体入口74A形成的凸缘部82与排气通路62的上游侧连接。盖体80在中央处具有大的开口部，其构成为气体出口74B。在气体出口74B形成的凸缘部84与排气通路62的下游侧连接。从气体入口74A流入的排气气体流入壳体本体78内，由气体出口74B向下游侧排出。
收集器本体76具有例如由不锈钢制成的多个圆环状(环形状)的翼片86(参照图4和图5A)。这些多个翼片86以规定间隔的等间隔P1相互平行地排列着，由以贯通各翼片86的方式设置的多个支撑杆88所支撑。在图2中示出了2个支撑杆88，实际上，如图5A所示，配设有沿翼片86的圆周方向以等间隔配置的3个支撑杆88。间隔P1例如为0.5～2mm左右，翼片86的数量根据收集器本体76的长度而不同，例如可以是100片左右。
在支撑杆88的上游侧，安装有例如半圆状或曲面状(穹顶状)的盖90。由此，由上游侧流过来的排气气体就不能直接流入各环状翼片86的中心流路。各支撑杆88的下游侧与壳体74的盖体80连接固定。因此，如图3所示，通过将固定盖体80的螺栓81松解，收集器本体76就能够相对于壳体本体78而与盖体80整体地装卸。
在收集器本体76中，配设有以与支撑杆88平行的方式贯通各翼片86的杆状的收集器加热器92(参照图2及图3)。收集器加热器92由杆状的多个筒式加热器92A构成，如图5A所示，在此，沿翼片86的圆周方向以等间隔配设有3个。在各筒式加热器92A中配设有温度测量用的未图示出的热电偶。由此，就能够在清洁时一边将包含各翼片86的收集器本体76控制在规定的温度下，一边进行加热。此外，在图2及图3中仅示出一个筒式加热器。
在收集单元64内，配设有用于接受流通清洁气体时在下落途中落下的副产物的接受机构96。在图2所示的情况下，卧式设置收集单元64，使其长边方向为水平方向。接受机构96具有相对上下方向以一层或多层配设的接受构件。具体而言，在此，如图2和图5A、B所示，接受机构96具有不规则地以三层配设的接受构件。即，在壳体74的圆筒状的壳体本体78的底部侧(在图中的下方侧)的近似半圆部，沿其内壁面隔出距该内壁面规定的间隔，配设底部接受构件96A。底部接受构件96A的截面形成为近似半圆状(参照图5A)，如图2所示，遍及壳体本体78的长边方向的大致整个区域而配设。
底部接受构件96A的上端部向外侧弯曲大致90度，形成搁板部98。通过将搁板部98的侧面端部与壳体本体78的内壁面连接固定，支撑底部接受构件96A。利用底部接受构件96A，就能够接受在清洁处理中从上方落下来的副产物，使其不堆积在壳体本体78的底部。底部接受构件96A具有多个通气孔100，由例如不锈钢制的金属网(金属丝网)和冲孔金属构件等构成。由此，即使副产物发生附着，也能够使排气气体和清洁气体无阻挡地流通，即，不会降低排气传导性。这一点上，后述的所有接受构件也为相同的结构。
在收集器本体76的盖90的表面上，相隔规定的间隔向水平方向延伸配设有上下两层的上游接受构件96B、96C(参照图5B)。盖90由于其表面直接抵挡了排气气体，所以收集的副产物多。因此，如上所述设置上游接受构件96B、96C，接受清洁时从盖90的表面滑落下来的副产物。上游接受构件96B、96C都是由不锈钢制的金属网和冲孔金属构件等具有通气孔100的构件构成。再有，上游接受构件既可以设计成一层，也可以设计成三层以上。
下面，说明使用上述结构的处理装置进行的、使用TEOS在半导体晶片W表面上进行的SiO2膜的成膜处理。
在成膜装置22中，在未装载半导体晶片W的待机状态时，将处理容器28维持低于处理温度的温度下。在处理时，首先将未处理的多片半导体晶片W以规定的间隔多层保持在晶舟30中。通过上升驱动晶舟升降机48，将该晶舟30从下方向处理容器28内插入。此外，利用盖体38封闭处理容器28的下端开口部，由此密封处理容器28内。
接着，增加向加热器56的供给电压，将晶片W升温到规定的处理温度，同时，利用排气系统60将处理容器28内抽真空。与此同时，从气体供给结构50的规定的喷嘴50A向处理容器28内导入经过流量控制的TEOS气体。该TEOS气体一边在处理容器28内上升，一边进行热分解反应，在晶片W的表面上堆积形成SiO2膜。
在该成膜过程中，如上所述，通过驱动排气系统60的真空泵66，将处理容器28内的环境气体抽真空。从处理容器28的排气口52排出的排气气体流过排气通路62内，通过收集单元64和真空泵66，进一步向下游侧流动。在该排气气体中含有由SiO2的成膜反应而产生的副产物。因此，在排气气体流过收集单元64内时，副产物就从排气气体中去除。
为了防止在收集单元64以外的部分附着堆积副产物，使覆盖排气系统60而设置的加热管套68工作，预先将整体加热到例如150℃左右。从气体入口74A进入的排气气体一边向下游侧流过壳体74的壳体本体78内，一边如图4所示的箭头标记104所指示的那样，向着中心通过收集器本体76的各翼片86之间。此后，排气气体从设置在盖体80上的气体出口74B向下游侧流动。这样，当排气气体流过收集单元64内时，在排气气体接触的部分，排气气体中的副产物就会发生附着堆积，即被收集，从而将其从排气气体中去除。
该副产物主要是大量附着在各翼片86的表面上而被去除(收集)。此外，副产物也分别附着在与排出气体直接接触的盖90的表面、收集器本体76的内壁面及各接受构件96A～96C上而被去除。该副产物是以SiO2为主体的材料。如果在收集器本体76中设置流过冷却剂的冷却单元而对其冷却，就能够更有效地去除副产物。
上述成膜处理完成后，停止TEOS气体的供给，通过N2气体等吹扫并排出处理容器28内的残留气体。然后，使晶舟30向下方下降，取出处理完的晶片W。
通过反复进行这样一系列的成膜处理，在内部构造物，例如包含内筒24和外筒26的处理容器28的表面、晶舟30的表面、保温筒46的表面上就会附着不需要的膜(由TEOS生成的SiO2膜)。因此，定期或不定期地进行用于剥离去除这些不需要的膜的清洁处理。在该清洁处理中，在晶舟30中没有保持晶片W的状态下(空载状态下)，将其插入处理容器28内并使内部为密封状态。
在将处理容器28内的温度维持在规定温度的状态下，一边控制作为清洁气体的HF气体的流量，一边从喷嘴50B将其导入处理容器28内。与此同时，一边进行流量控制，一边从喷嘴50C将作为稀释气体的N2气体导入处理容器28内。
这样，导入处理容器28内的HF气体，在处理容器28内流动的同时，就会接触到保温筒46、晶舟30、内筒24、外筒26的各表面。由此，通过蚀刻去除附着在其上的由TEOS生成的氧化硅膜(SiO2)，并对其进行清洁。清洁气体流向抽真空的排气系统60，也与附着在排气系统60内的主成分为SiO2的副产物反应，将其去除。
此时，作为清洁气体的HF气体按下述式与SiO2反应，产生的SiF4变成气体逸出，进行副产物的去除。
4HF+SiO2→SiF4+2H2O
为了促进上述反应，且使产生的水分(H2O)蒸发，以防止作为构成材料的不锈钢的腐蚀，运转加热套管68，例如，将排气系统60整体保持在150℃左右。此外，在收集单元64中，也可驱动收集器加热器92将收集器本体76加热到例如100℃左右。该清洁时的处理条件的一个例子如下。处理容器的温度：500℃，处理容器内的压力：150Torr，气体流量：HF/N2＝3/3升，排气通路的温度：150℃。
这样，当该清洁处理进行到某种程度时，附着于收集单元64内的副产物的粘着力因反应所生成的水分而下降，从表面剥离、落下。在该情况下，在现有的收集单元中，如图11所示，副产物就会在底部堆积如山。将其完全去除需要长时间，或者在不能完全将其去除的情况下，就必须将收集单元自身进行分解而清洗。
与此相对，在本实施方式中，从附着面剥离落下的副产物在下落途中，在设置在收集单元64内的各接受机构96的各接受构件96A～96C上被接受，作为副产物M2被保留。图6A-C是表示在分别对应图5A、B及图2的截面中，副产物保留在各接受部件上时的状态的截面图。
如图6A-C所示，在设置在壳体本体78的底部的底部接受构件96A上和设置在收集器本体76的盖90的上下两层的上游接受构件96B、96C上，大量堆积有从附着面剥落下来的副产物M2。但是，由于各接受构件96A～96C由具有通气孔100的金属丝网构件或冲孔金属构件等形成，所以清洁气体通常与在各接受构件96A～96C上接受的副产物M2的上面及下面两面接触。即，将副产物M2与清洁气体的接触面积保持在远远大于图11所示的副产物M1的情况的状态。因此促进与清洁气体的反应，使有效地去除副产物成为可能。
这样，在收集单元64的内部，配设有将清洁时落下的副产物在落下途中接受的接受构件96A～96C。因此，即使在落下后，该副产物也能够处于与清洁气体有效地接触的状态而被暴露。由此，就能够有效地排除副产物M2，结果就能够在清洁时以短时间且确实有效地去除收集到的副产物。
<实验>
实际运转图2等中所示的设置有接受机构96的收集单元64，和图11所示的收集单元2，进行清洁时的评价。在该实验中，使用TEOS进行SiO2的成膜处理，在其累积膜厚为2.7μm的时刻，在上述的条件下进行180分钟的清洁处理。
结果如下：在图11的收集单元2中，清洁处理前的副产物的量为172.9g，清洁处理后的残渣为35.1g。因此，其残留物的比例为20％。与此相对，在收集单元64中，清洁处理前的副产物的量为169.5g，清洁处理后的残渣为4.5g。因此，其残留物的比例为2.7％，能够确认，相比于现有情况的20％，能够大幅地改善。
<第1变化例>
图7是表示第1变化例涉及的收集单元的截面图。在该变化例中，在图5A、B所示的截面半圆状的底部接受构件96A圆弧的途中，彼此相向地在水平方向上形成宽度短的2个搁板部110。搁板部110沿壳体本体78的长边方向配设。利用搁板部110能够防止副产物在底部接受构件96A的曲面状的表面滑动移动，并且能够接受由上方落下来的副产物。此外，搁板部110也与底部接受构件96A一样，由金属丝网构件或冲孔金属构件这样的具有通气孔的构件形成。而且，在底部接受构件96A的下方，沿壳体本体78的长边方向配设有第2底部接受构件96D。
像这样，通过以两层设置底部接受构件96A、96D，就能够利用位于下方的第2底部接受构件96D再次接受从上层的底部接受构件96A落下的副产物。因此，能够防止副产物下落到壳体本体78的底部，这将能够进一步提高清洁效率。
此外，通过在底部接受构件96A的途中设置搁板部110，就能够以不聚集而使其分散的状态维持落下的副产物。由此能够更有效地提高清洁效率。
<第2变化例>
图8是表示第2变化例涉及的收集单元的截面图。在该变化例中，接受机构96具备遍及收集器本体76的全周而介于收集器本体76和壳体本体78的内表面之间的圆筒状的接受构件96E。在该情况下，也能够发挥与前面的实施方式及变化例相同的作用效果。
<第3变化例>
图9是表示第3变化例涉及的收集单元的截面图。在上述实施方式和第1、第2变化例中，设置收集单元64，使其长边方向为水平方向。与此相对，设置第3变化例涉及的收集单元，使其长边方向为垂直方向。在该情况下，接受机构96具备由圆环状的搁板部形成的多个接受构件。在图示的例子中，沿壳体本体78的高度方向以3层配设有环状的搁板状接受构件96F、96G、96H。
在该情况下，也能够利用各搁板状接受构件96F～96H分别接受清洁时落下来的副产物，防止该副产物集中在底部而使其分散。因此，在该情况下，也能够发挥与前面的实施方式及第1～第2变化例相同的作用效果。再有，也可以适当组合上述实施方式及第1～第3变化例。
<排气通路的接受构件>
在上述实施方式及各变化例中，接受机构96配设在收集单元内。取代于此，也可以将接受机构96配设在排气通路62内。即，排气通路62也存在根据图1所示的各部件的排列位置，以必须弯曲成例如直角状而生成曲柄部72的方式配设的情况。由于采用这样的曲柄部72能够大大改变排气气体的流动方向，所以存在副产物附着于排气通路62的内壁面的倾向。在该情况下，该曲柄部72如果位于收集单元62的上游侧的话，则附着副产物的倾向一定很高。但是，即使位于下游侧，以收集单元64没有去除净的副产物流向下游侧，也会附着于曲柄部72。
图10是表示在排气通路的上升部分和下降部分配设有接受构件的状态的截面图。即，在曲柄部72中的排气通路62的上升部分和下降部分，以横贯排气通路62的方式分别配设有接受机构96的配管用接受构件96J、96K。在该情况下，配管用接受构件96J、96K也由金属丝网或冲孔金属构件这样的具有通气孔的构件形成。
在图10中，附着在曲柄部72的拐角部72A的副产物在清洁处理途中漂浮并落下。因此，在下落途中，利用配管用接受构件96J、96K分别将其接受，使其不会积存在曲柄部72的下部。在该情况下，由于使副产物不聚集在一个部位而分散地被接受，因此就能够发挥与前面的实施方式和第1～第3变化例相同的作用效果。
<其它的变化例>
在上述实施方式中，例示出进行SiO2膜的成膜的情况。有时也在掺入B(硼)或P(磷)等的同时形成该膜。薄膜的种类也不限于氧化硅膜(SiO2)，也可以是氮化硅膜或氮氧化硅膜等其它薄膜。在形成氮化硅膜的情况下，从处理气体供给系统供给硅源气体、NH3气体等氮化气体。在形成氮氧化硅膜的情况下，从处理气体供给系统供给硅源气体、一氧化二氮(N2O)、一氧化氮(NO)这样的氮氧化气体。
使用的清洁气体不限于HF气体，能够根据堆积的薄膜的种类使用适合的清洁气体。具体而言，作为氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的清洁气体，例如，能够含有选自HF、Cl2、NF3、F2中的一种以上的气体。例如，为了去除氮化硅膜，能够使用F2+H2的清洁气体。
在上述实施方式中，例示了批量式处理装置。替代于此，本发明也能够适用于一片片地处理晶片的单片式的处理装置。作为被处理基板，替代半导体晶片，也可以将玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等作为对象。

Claims (20)

1.一种收集单元，配设在半导体处理装置的排气通路中，用于收集流过其内部的排出气体中含有的副产物，其特征在于，包括：
壳体，其具有气体入口和气体出口，且以形成所述排气通路的一部分的方式配设；
收集器本体，以能够装卸的方式配设在所述壳体内，用于收集所述排出气体中的所述副产物的部分，所述收集器本体包括沿所述排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着所述副产物的部分来进行收集的表面；和
接受机构，配设在所述壳体内，接受从所述收集器本体或所述壳体的内表面剥离的所述副产物的部分，使其不堆积在所述壳体的底部，所述接受机构容许保留在其上的所述副产物的部分从上方和下方与清洁气体接触。
2.如权利要求1所述的收集单元，其特征在于：
所述接受机构包括具有所述清洁气体通过的多个通气孔的板。
3.如权利要求2所述的收集单元，其特征在于：
所述板包括选自金属丝网和冲孔金属构件中的构件。
4.如权利要求1所述的收集单元，其特征在于：
所述接受机构包括配置在所述收集器本体的下侧的下侧部分。
5.如权利要求1所述的收集单元，其特征在于：
所述接受机构包括配置在所述收集器本体的横向侧的横向侧部分。
6.如权利要求1所述的收集单元，其特征在于：
所述收集器本体包括在上游侧使气体流向周围扩散的盖，所述接受机构包括安装在所述盖上的上游侧部分。
7.如权利要求2所述的收集单元，其特征在于：
所述板以与所述壳体的内表面空出规定的间隔并沿所述内表面扩展的方式配设。
8.如权利要求7所述的收集单元，其特征在于：
所述接受机构包括从所述板向所述收集器本体延伸的搁板部。
9.如权利要求8所述的收集单元，其特征在于：
所述搁板部具有所述清洁气体通过的通气孔。
10.如权利要求7所述的收集单元，其特征在于：
所述板遍及半周，介于所述收集器本体和所述壳体的内表面之间。
11.根据权利要求7所述的收集单元，其特征在于：
所述板遍及全周，介于所述收集器本体和所述壳体的内表面之间。
12.如权利要求1所述的收集单元，其特征在于：
所述接受机构包括在上下方向隔开间隔而排列且具有所述清洁气体通过的多个通气孔的多个板。
13.如权利要求1所述的收集单元，其特征在于：
所述收集器本体包括加热所述收集器本体的收集器加热器。
14.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，包括：
容纳被处理基板的处理容器；
在所述处理容器内支撑所述被处理基板的支撑构件；
加热所述处理容器内的所述被处理基板的加热器；
排出所述处理容器内的气体的排气系统；
向所述处理容器内供给成膜气体的成膜气体供给系统；和
向所述处理容器内供给清洁气体的清洁气体供给系统，
所述排气系统包括配设在排气通路中的、用于收集流过其内部的排出气体中含有的副产物的收集单元，
所述收集单元包括：
壳体，其具有气体入口和气体出口，且以形成所述排气通路的一部分的方式配设；
收集器本体，以能够装卸的方式配设在所述壳体内，用于收集所述排出气体中的所述副产物的部分，所述收集器本体包括沿所述排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着所述副产物的部分来进行收集的表面；和
接受机构，配设在所述壳体内，接受从所述收集器本体或所述壳体的内表面剥离的所述副产物的部分，使其不堆积在所述壳体的底部，所述接受机构容许保留在其上的所述副产物的部分从上方和下方与所述清洁气体接触。
15.如权利要求14所述的成膜装置，其特征在于：
所述接受机构包括具有所述清洁气体通过的多个通气孔的板。
16.如权利要求15所述的成膜装置，其特征在于：
所述板以与所述壳体的内表面空出规定的间隔并沿所述内表面扩展的方式配设。
17.如权利要求14所述的成膜装置，其特征在于：
所述成膜气体含有用于形成选自氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜中的膜的气体。
18.如权利要求17所述的成膜装置，其特征在于：
所述清洁气体含有选自HF、Cl2、NF3、F2中的一种以上的气体。
19.如权利要求14所述的成膜装置，其特征在于：
所述排气系统包括附加的接受机构，其以与所述收集单元不同的位置配设在所述排气通路中，接受从所述排气通路的内表面剥离的所述副产物的部分，使其不会堆积在所述排气通路的底部，所述附加的接受机构容许保留在其上的所述副产物的部分从上方和下方与所述清洁气体接触。
20.如权利要求19所述的成膜装置，其特征在于：
所述附加的接受机构配设在所述排气通路的上升部分或下降部分中。
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