CN114797360A - 钴-碳气体捕集装置 - Google Patents
钴-碳气体捕集装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114797360A CN114797360A CN202110064012.0A CN202110064012A CN114797360A CN 114797360 A CN114797360 A CN 114797360A CN 202110064012 A CN202110064012 A CN 202110064012A CN 114797360 A CN114797360 A CN 114797360A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cobalt
- carbon
- chamber
- carbon gas
- complex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- CODVACFVSVNQPY-UHFFFAOYSA-N [Co].[C] Chemical compound [Co].[C] CODVACFVSVNQPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 86
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 64
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 57
- 150000004700 cobalt complex Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 54
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 32
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 29
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001926 trapping method Methods 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 76
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QORIDDWXQPAYGJ-UHFFFAOYSA-N [AsH3].[AsH3] Chemical compound [AsH3].[AsH3] QORIDDWXQPAYGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/005—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体或类似产品的制造装备，尤其涉及一种钴‑碳气体捕集装置，其可对金属工艺中产生的副产物钴‑碳气体进行有效地捕集。本发明包括：壳体，其配备有形成于内部的腔室，且配备有与所述腔室相通的流入口及流出口；发热部件，其设置于壳体，为了将流入壳体的腔室的钴‑碳气体加热至比流入之后的温度更高的温度，将壳体的腔室内部温度提高，从而引导钴‑碳气体分离为钴复合体和碳复合体；蒸镀部件，其横穿壳体的腔室而设置，在通过发热部件加热的状态下，与钴复合体进行表面接触的同时使得钴复合体氧化并蒸镀；冷却部件，其通过对壳体的壁体进行冷却，从而使得与壳体的内表面接触的碳复合体迅速冷却的同时，引导固化及蒸镀；通过发热部件对壳体的腔室内部进行加热，从而将流入腔室的钴‑碳气体分离为钴复合体和碳复合体，对于已分离的钴复合体和碳复合体，在加热的钴蒸镀部件和冷却的壳体的内表面进行区分并引导蒸镀。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体或类似产品的制造装备，尤其涉及一种钴-碳气体捕集装置，其可对作为金属工艺中产生的副产物的钴-碳气体进行有效地捕集。
背景技术
通常，半导体制造工艺大致包括前工艺(制造工艺)和后工艺(组装工艺)，所谓的前工艺就是指在各种处理室(Chamber)内将薄膜蒸镀在晶片(Wafer)上，反复地进行将蒸镀的薄膜有选择地蚀刻的过程，从而加工特定的图案，是制造半导体芯片(Chip)的工艺，所谓的后工艺是指将在上述前工艺中制造的芯片逐个分离后，与引线框架结合并组装成完成品的工艺。
此时，在上述晶片上蒸镀薄膜，或将在晶片上蒸镀的薄膜进行蚀刻的工艺在处理室内使用硅烷(Silane)、砷化氢(Arsine)及氯化硼等有害气体和氢气等的工艺气体并在高温下进行，在进行上述工艺期间处理室内部产生大量含有各种易燃性气体和腐蚀性异物及有毒成分的有害气体等。
因此，在半导体制造装备设置有洗涤器(Scrubber)，其在将处理室设置为真空状态的真空泵的后端将从处理室内排出的废气净化后向大气排出。
但是，问题在于，从处理室中排出的废气与大气接触，或周围的温度下降的话会固化并变为粉末，上述粉末固着在排气线并使得排气压力上升的同时，流入真空泵的情况下会引发真空泵的故障，导致废气逆流并使得处理室内的晶片被污染。
由此，为了解决如上所述的问题，如图1所示，在处理室10和真空泵30之间设置有粉末捕集装置，其使得从处理室10中排出的废气凝着为粉末状态。
换句话说，如图1所示，处理室10和真空泵30通过泵送管道60连接，在泵送管道60设置有捕集管70，其从泵送管道60分支并设置，用于将在处理室10中产生的反应副产物捕集并积压为粉末形态。
这样以往的粉末捕集装置的情况，在处理室10内部蒸镀薄膜或蚀刻时产生的未反应气体向具有比处理室10相对低的温度氛围的泵送管道60侧流入的同时，固化为粉末状态的粉末后，堆积在从泵送管道60分支并设置的捕集管70。
此时，将捕集管70从泵送管道60分支设置的原因是为了防止粉末流入真空泵30侧。作为参考，图中未说明的符号“9”指示粉末。
但是，捕集对象是金属工艺中产生的钴-碳气体的情况，问题在于，使用根据现有技术的反应副产物粉末捕集装置时捕集效率大大下降。这是因为钴-碳气体由钴复合体和碳复合体形成，即使钴复合体和碳复合体互相间的蒸镀条件大不相同也将它们马上蒸镀为钴-碳气体形态。
先行技术文献
专利文献
(专利文献0001)韩国登记专利公报第10-0862684号(2008.10.02)
发明内容
由此，本发明是为了解决如上所述的现有的所有问题而提出的，本发明的目的在于，提供一种钴-碳气体捕集装置，其可对作为金属工艺中产生的副产物的钴-碳气体进行有效地捕集。
为了实现上述目的，根据本发明的技术思想的钴-碳气体捕集装置，其技术构成上的特征在于，作为钴-碳气体捕集装置，在制造包括半导体产品的产品群中任意一个产品的时候，可捕集在所进行的金属工艺中产生的钴-碳气体，包括：壳体，其配备有形成于内部的腔室，且配备有与所述腔室相通的流入口及流出口；发热部件，其设置于壳体，为了将流入壳体的腔室的钴-碳气体加热至比流入之后温度更高的温度，将壳体的腔室内部温度提高，从而引导钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体；钴蒸镀部件，其横穿壳体的腔室而设置，在通过发热部件加热的状态下，与钴复合体进行表面接触的同时使得钴复合体氧化并蒸镀；冷却部件，其通过对壳体的壁体进行冷却，从而使得与壳体的内表面接触的碳复合体迅速冷却的同时，引导固化及蒸镀；通过发热部件对壳体的腔室内部进行加热，从而将流入腔室的钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体，对于已分离的钴复合体和碳复合体，引导分别在加热的钴蒸镀部件和冷却的壳体的内表面进行蒸镀。
在此，特征在于，对于通过碳复合体包裹钴复合体的结构形成的钴-碳气体粒子，发热部件以使得钴复合体加热膨胀的温度进行加热，从而引导碳复合体与钴复合体分离,为了将钴复合体氧化并蒸镀，钴蒸镀部件被加热至比壳体的腔室内部的温度更高的温度，为了引导碳复合体的固化及蒸镀，壳体的内表面被冷却至比流入壳体的腔室之后的钴-碳气体温度急剧降低的温度。
此外，特征在于，钴蒸镀部件由作为具有网状的板的金属网(metal lath)构成，以便钴复合体和碳复合体从上侧向下侧通过的同时进行表面接触。
此外，特征在于，多个钴蒸镀部件邻接并上下隔开配置，在隔开的间隙设置有发热部件，从而钴蒸镀部件可在发热部件的附近被加热。
此外，特征在于，发热部件包括：线形加热器，其沿钴蒸镀部件设置为线状；加热接触片，其沿线形加热器外周面设置为翼状，使得针对钴复合体的加热接触面积变大。
此外，特征在于，加热接触片沿线形加热器的外周面以螺旋形的形状连续并缠绕设置。
此外，特征在于，还包括辅助蒸镀部件，其在与钴蒸镀部件的下侧隔开的地点横穿壳体的腔室而设置，与未在钴蒸镀部件蒸镀而通过的钴复合体进行表面接触的同时，使其氧化并蒸镀，辅助蒸镀部件由作为具有网状的板的金属网(metal lath)构成，使得钴复合体和碳复合体从上侧向下侧通过的同时进行表面接触，多个辅助蒸镀部件邻接并上下隔开配置，以比钴蒸镀部件的间隔更窄的间隔稠密地配置，并加热至比钴蒸镀部件的表面温度更低的表面温度。
此外，特征在于，钴蒸镀部件和辅助蒸镀部件在壳体的腔室交替并设置有多个。
此外，特征在于，设置于流出口的流出管的上端部从壳体的腔室底面向上侧凸出，从而进行抑制，防止未在壳体的腔室蒸镀的钴复合体和碳复合体流出。
此外，特征在于，壳体的壁体形成为在内部具有隔离空间的双重壁结构，冷却部件是使得冷却水沿壳体壁体的隔离空间流通的冷却水注入管和冷却水排出管。
此外，特征在于，在形成于壳体的壁体内部的隔离空间，沿壳体的周围方向交替设置有垂直地形成的多个第一引导隔板和第二引导隔板，第一引导隔板向上侧倾斜，从而允许冷却水向下侧流动，第二引导隔板向下侧倾斜，从而允许冷却水向上侧流动，由此冷却水在壳体的壁体内部隔离空间中画之字形的同时，引导冷却水沿壳体的周围方向流动。
此外，特征在于，壳体的上面通过能开闭的上部盖形成，在上部盖的内部形成有冷却水流通孔，其使得冷却水通过冷却水注入管注入并沿周围方向循环后沿冷却水排出管排出，从而引导与上部盖的下侧表面接触的碳复合体的蒸镀。
另外，本发明的钴-碳气体捕集方法，其技术构成上的特征在于，作为一种钴-碳气体捕集方法，在制造包括半导体产品的产品群中任意一个产品的时候，可对在所进行的金属工艺中产生的钴-碳气体进行捕集，其对密闭的腔室的内部进行加热，首先将流入腔室的钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体，对已分离的钴复合体和碳复合体分别进行区分并蒸镀。
在此，特征在于，为了将腔室中的钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体，使得碳复合体包裹的钴复合体加热膨胀。
此外，特征在于，对于已分离的钴复合体，使其与钴蒸镀部件的表面接触，从而进行氧化并蒸镀，所述钴蒸镀部件被加热至比腔室的内部温度高的温度，对于已分离的碳复合体，使其与其他部件的表面接触，从而迅速冷却至固化及蒸镀，所述其他部件被冷却至比钴-碳气体流入腔室的温度低的温度。
根据本发明的钴-碳气体捕集装置将钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体后，对这些已分离的钴复合体和碳复合体单独进行区分并蒸镀，从而可更有效地进行捕集。
附图说明
图1是用于说明根据现有技术的捕集装置的参照图。
图2是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的立体图。
图3是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的正面图。
图4是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的平面图。
图5是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的侧面图。
图6是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的底面图。
图7是根据图3的A-A的截面图。
图8是根据图4的B-B的截面图。
图9是用于说明根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的内部构成的截面立体图。
图10是在根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置去除壳体壁体的外部板并示出壁体内部的构成的参照图。
标号说明
110：壳体 111：隔离空间
112：上部盖 112a：冷却水流通孔
114a：冷却水注入管 114b：冷却水排出管
120：发热部件 130：钴蒸镀部件
140：辅助蒸镀部件 150：金属冲孔板
具体实施方式
参照附图对根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置进行详细地说明。本发明可进行多种变更并具有各种各样的形态，将特定实施例在图中例示并欲在本文进行详细地说明。但是，这不是要将本发明限定于特定的公开形态，应理解为包括在本发明的思想及技术范围内的所有变更、均等物乃至代替物都包括在内。说明各附图的同时，对于类似的构成要素使用了类似的参照标号。就附图而言，为了确保本发明的明确性比实际放大了结构物的尺寸并示出，或为了理解概略构成而比实际缩小了结构物的尺寸并示出。
此外，第一及第二等术语可在说明多种构成要素时使用，但所述构成要素不受所述用语的限制。所述用语仅仅作为将一个构成要素与其他的构成要素区别开来的目的而使用。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可被命名为第一构成要素。另外，如果没有其他的定义，在此使用的包括技术术语或科学术语在内的所有术语具有和本发明所属的技术领域内具备一般知识的人员通常理解的含义相同的含义。和通常使用的字典中所定义的含义相同的术语应解释为，具有与相关技术的文脉上具备的含义相一致的含义，如果本申请中没有明确地定义，则不以上地或过度地解释为形式性的含义。
<实施例>
图2是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的立体图，图3是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的正面图，图4是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的平面图，图5是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的侧面图，图6是根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的底面图，图7是根据图3的A-A的截面图，图8是根据图4的B-B的截面图，图9是用于说明根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置的内部构成的截面立体图，图10是在根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置去除壳体壁体的外部板并示出壁体内部的构成的参照图。
如图所示，根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置包括壳体110、发热部件120、钴蒸镀部件130、辅助蒸镀部件140和冷却部件114a、114b。
根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置构成为，通过发热部件120对壳体110的腔室内部进行加热，从而将流入腔室的钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体，对于已分离的钴复合体和碳复合体，在加热的钴蒸镀部件130和冷却的壳体110的内表面单独进行蒸镀，从而可有效地捕集钴-碳气体。
以下，以上述各构成要素为中心，对根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置进行详细地说明。
壳体110在内部形成有较宽空间的腔室，在上部形成有供钴-碳气体流入的流入口110a，在下部形成有供在腔室内部蒸镀后剩余的其他钴-碳气体流出的流出口110b。壳体110的壁体111形成为内部具有隔离空间111a的双重壁结构，从使得冷却水可注入并流动。
如图10所示，在隔离空间111a沿壳体110的周围方向交替设置有垂直地形成的多个第一引导隔板113a和第二引导隔板113b。第一引导隔板113a在隔离空间111a向上侧倾斜并设置，从而允许冷却水向下侧流动，第二引导隔板113b向下侧倾斜并设置，从而允许冷却水向上侧流动。由此，冷却水在壳体110的壁体111内部隔离空间111a中画之字形的同时，沿壳体110的周围方向流动。
另外，壳体110的上面通过能够开闭的上部盖112形成。在此，在上部盖112的内部形成有冷却水流通孔112a，其使得冷却水注入并沿周围方向循环后排出，辅助盖112b覆盖其上侧。如图2和图10所示，在形成于壳体110壁体111内部的隔离空间111a和上部盖112的冷却水流通孔112a流动的冷却水通过分支的冷却水注入管114a连接的同时进行供给，同时通过分支的冷却水排出管114b排出。
如此，壳体110壁体111内部整体配备有隔离空间111a，冷却水以填满的状态在隔离空间111a内流动，并配备有冷却水流通孔112a以便冷却水流动至上部盖112，根据这样的构成，可以使用具有15℃左右的温度的新鲜的冷却水使得壳体110内表面非常有效地冷却。由此，在壳体110腔室，与钴复合体分离的碳复合体在设定为大约250℃的温度的腔室内部的高温氛围中移动的同时，无法蒸镀在具有比250℃更高或类似表面温度的钴蒸镀部件130或辅助蒸镀部件140的表面，与通过冷却水冷却至不到60℃的温度的壳体110内表面接触的瞬间迅速冷却，固化的同时迅速地蒸镀。
在壳体110的上部盖112的左边和右边设置有一对把手116，抓住把手116可简单地搬运，沿壳体110的下侧还设置有金属冲孔板150，其与壳体110底面隔开地结合。这样的金属冲孔板150使得壳体110底面不直接与地面接触，从而可保护室内底部不受损伤。如图所示，壳体110形成为四角的盒子形状，配备有把手116，还设置有金属冲孔板150，根据这样的构成可以知道根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置是最优化的，可非常简单地搬运和设置。
发热部件120设置于壳体110，引入电源后发热，为了将流入壳体110的腔室的钴-碳气体加热至比流入之后温度更高的温度，提高壳体110腔室的内部温度，从而起到引导钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体的作用。在此，发热部件120的加热温度应该是对于由碳复合体包括钴复合体的结构形成的钴-碳气体粒子来说达到使得钴复合体加热膨胀的温度的水平。如果钴复合体加热膨胀，则包裹其周围的碳复合体活泼地分离的同时，只要分别对其施加适当条件，则成为可有效地蒸镀的状态。作为参考，本案申请人接受委托的某公司的半导体制造时产生钴-碳气体的情况，由于钴-碳气体粒子在大约250℃左右开始活泼地分离为钴复合体和碳复合体，因此通过发热部件120的发热，将壳体110的腔室内部温度设定为上升至250℃为止。由此，显示约100℃的温度的钴-碳气体流入维持250℃的内部温度的壳体110的腔室内部的时候，活泼地分离为钴复合体和碳复合体。但是，由于每个制造企业形成钴-碳气体的钴复合体和碳复合体的组成不一定，因此钴-碳气体粒子被活泼地分离为钴复合体和碳复合体时需要的温度和根据其的壳体腔室的设定温度有偏差，通过反复的实验可以知道适当温度。重要的点在于，通过发热部件120，壳体110的腔室内部温度应该设定为用于引导钴-碳气体活泼地分离为钴复合体和碳复合体的温度。
在此，发热部件120包括：线形加热器121，其沿钴蒸镀部件130设置为线状；面状的加热接触片122，其沿线形加热器121外周面设置为翼状。加热接触片122起到将仅通过线形加热器121不足的表面积加宽的作用。如此，如果通过加热接触片122将表面积加宽至充分的标准，则可将与壳体110的腔室内部临近设置的钴蒸镀部件130更讯速地加热。并且，加热接触片122与钴复合体进行表面接触，从而得以一起执行蒸镀钴复合体的功能。加热接触片122不是单纯地多个圆盘沿线形加热器121连续配置的形态，如图8及图9所示，可关注到加热接触片122是沿线形加热器121外周面以螺旋形的形态连续并以缠绕的形态(就像旋风薯片一样)设置。如此，如果加热接触片122以螺旋形的形态连续并缠绕设置，则加热接触片122是形成为歪斜的倾斜面而非垂直面的状态，因此和主要从上侧向下侧移动的钴复合体实现更强烈的接触，从而蒸镀效率也变高。为了向发热部件120的线形加热器121引入电源，在壳体110的上部盖112设置有电源箱115，为了引入电源，电源箱115配备有用于插入电源插头的电源端子115a。
钴蒸镀部件130横穿壳体110的腔室而设置，在通过发热部件120加热的状态下，与钴复合体进行表面接触的同时起到使得钴复合体氧化并蒸镀的作用。为此，钴蒸镀部件130由作为具有网状的板的金属网(metal lath)构成，以便钴复合体和碳复合体从上侧向下侧通过的同时进行表面接触。在此，如图8及图9所示，多个钴蒸镀部件130邻接并上下隔开配置，在隔开的间隙设置有发热部件120并通过模块(M1)一体化。由此，钴蒸镀部件130可在发热部件120的附近直接被加热。为了使得钴复合体氧化并蒸镀，钴蒸镀部件130应该被加热至比壳体110的腔室内部的温度更高的温度，如此，通过以发热部件120为中心邻接上侧与下侧而设置钴蒸镀部件130的配置方式无需另外的温度控制或追加构成。
辅助蒸镀部件140在与钴蒸镀部件130的下侧隔开的地点横穿壳体110的腔室而设置，与未在钴蒸镀部件130蒸镀而通过的钴复合体进行表面接触的同时，起到使其氧化并蒸镀的作用。辅助蒸镀部件140与钴蒸镀部件130相同，作为具有网状的板的金属网(metallath)以上下隔开配置的形态设置，以便钴复合体和碳复合体从上侧向下侧通过的同时进行表面接触。但是，如图8及图9所示，辅助蒸镀部件140以比钴蒸镀部件130的金属网隔离距离更窄的形式配置。并且，优选地，辅助蒸镀部件140以比钴蒸镀部件130更稠密的网状形态形成，从而使得对于钴复合体的接触密度比钴蒸镀部件130更高且具有差别化。如此设置的辅助蒸镀部件140与钴蒸镀部件130差别化，并加热为具有比钴蒸镀部件130更低的表面温度，与钴复合体接触并以较窄间隔稠密地配置两个，因此通过这样的差别化构成有利于使得未在钴蒸镀部件130进行蒸镀的钴复合体更加彻底地蒸镀。钴蒸镀部件130和辅助蒸镀部件140在壳体110的腔室交替并设置多个，从而可提高对于钴复合体的捕集量。
冷却部件114a、114b对壳体110的壁体111进行冷却的同时，将壳体110的内表面温度降低到一定温度以下，从而引导与壳体110的内表面接触的碳复合体的固化及蒸镀。如图2和图10所示，冷却部件114a、114b包括冷却水注入管114a和冷却水排出管114b，使得冷却水沿壳体110壁体111的隔离空间流通。在此，冷却水注入管114a与贮存冷却水的冷却水箱连接，将从冷却水箱供给的新鲜的冷却水分支并注入壳体110壁体111的隔离空间111a和上部盖112的冷却水流通孔112a。当然，冷却水注入管114a也可以直接与上水道而非冷却水箱连接并接收冷却水供给。如此，根据本发明的实施例的钴-碳气体捕集装置可关注的点在于，在壳体110壁体111及上部盖112设置隔离空间111a和冷却水流通孔112a并配备用于将冷却水注入和排出的冷却水注入管114a和冷却水排出管114b，只通过上述简单的构成，可在壳体110的几乎整个内表面形成可使得碳复合体迅速冷却并蒸镀的充分的面积和温度条件。在此，为了形成用于将碳复合体蒸镀在壳体110的内表面的相同的条件，可以想到在壳体110壁体111连续地设置珀耳帖元件的构成，但使用珀耳帖元件的情况缺点在于，仅用低廉的设置及维持费用来冷却壳体110壁体111并在壁体111整体形成均匀的温度并不容易。
如此，使用根据本发明的钴-碳气体捕集装置将钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体后，将已分离的钴复合体和碳复合体单独进行区分并蒸镀，从而可更有效果的捕集。通过本案申请人的自身比较实验得到了令人鼓舞的结果，即与通过现有的捕集装置将钴-碳气体直接蒸镀的情况相比较，通过将钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体后将已分离的钴复合体和碳复合体单独进行区分并蒸镀的方法可实现两倍以上的捕集。
以上，对本发明的优选实施例进行了说明，但是本发明可以使用多样的变化和变更及均等物。本发明可以将实施例适当地变形并相同地应用是毋庸置疑的。因此，上述记载内容不限定通过下述权利要求书的界限而确定的本发明的范围。
Claims (15)
1.一种钴-碳气体捕集装置，作为钴-碳气体捕集装置，在制造包括半导体产品的产品群中任意一个产品的时候，可捕集在所进行的金属工艺中产生的钴-碳气体，其特征在于，包括：
壳体，其配备有形成于内部的腔室，且配备有与所述腔室相通的流入口及流出口；
发热部件，其设置于壳体，为了将流入壳体的腔室的钴-碳气体加热至比流入之后的温度更高的温度，将壳体的腔室内部温度提高，从而引导钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体；
钴蒸镀部件，其横穿壳体的腔室而设置，在通过发热部件加热的状态下，与钴复合体进行表面接触的同时使得钴复合体氧化并蒸镀；
冷却部件，其通过对壳体的壁体进行冷却，从而使得与壳体的内表面接触的碳复合体迅速冷却的同时，引导固化及蒸镀；
通过发热部件对壳体的腔室内部进行加热，从而将流入腔室的钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体，对于已分离的钴复合体和碳复合体，在加热的钴蒸镀部件和冷却的壳体的内表面进行区分并引导蒸镀。
2.根据权利要求1所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
对于通过碳复合体包裹钴复合体的结构形成的钴-碳气体粒子，发热部件以使得钴复合体加热膨胀的温度进行加热，从而引导碳复合体与钴复合体分离,
为了将钴复合体氧化并蒸镀，钴蒸镀部件被加热至比壳体的腔室内部的温度更高的温度，
为了引导碳复合体的固化及蒸镀，壳体的内表面被冷却至比流入壳体的腔室之后的钴-碳气体温度急剧降低的温度。
3.根据权利要求1所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
钴蒸镀部件由作为具有网状的板的金属网构成，以便钴复合体和碳复合体从上侧向下侧通过的同时进行表面接触。
4.根据权利要求3所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
多个钴蒸镀部件邻接并上下隔开配置，在隔开的间隙设置有发热部件，从而钴蒸镀部件可在发热部件的附近被加热。
5.根据权利要求4所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
发热部件包括：线形加热器，其沿钴蒸镀部件设置为线状；加热接触片，其沿线形加热器外周面设置为翼状，使得针对钴复合体的加热接触面积变大。
6.根据权利要求5所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
加热接触片沿线形加热器的外周面以螺旋形的形状连续并缠绕设置。
7.根据权利要求4所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，还包括：
辅助蒸镀部件，其在与钴蒸镀部件的下侧隔开的地点横穿壳体的腔室而设置，与未在钴蒸镀部件蒸镀而通过的钴复合体进行表面接触的同时，使其氧化并蒸镀，
辅助蒸镀部件由作为具有网状的板的金属网构成，以便钴复合体和碳复合体从上侧向下侧通过的同时进行表面接触，多个辅助蒸镀部件邻接并上下隔开配置，以比钴蒸镀部件的间隔窄的间隔稠密地配置，并加热至比钴蒸镀部件的表面温度低的表面温度。
8.根据权利要求7所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
钴蒸镀部件和辅助蒸镀部件在壳体的腔室交替并设置有多个。
9.根据权利要求8所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
设置于流出口的流出管的上端部从壳体的腔室底面向上侧凸出，从而进行抑制，防止未在壳体的腔室蒸镀的钴复合体和碳复合体流出。
10.根据权利要求1所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
壳体的壁体形成为在内部具有隔离空间的双重壁结构，
冷却部件是使得冷却水沿壳体壁体的隔离空间流通的冷却水注入管和冷却水排出管。
11.根据权利要求10所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
在形成于壳体的壁体内部的隔离空间，沿壳体的周围方向交替设置有垂直地形成的多个第一引导隔板和第二引导隔板，第一引导隔板向上侧倾斜，从而允许冷却水向下侧流动，第二引导隔板向下侧倾斜，从而允许冷却水向上侧流动，由此冷却水在壳体的壁体内部隔离空间中画之字形的同时，引导冷却水沿壳体的周围方向流动。
12.根据权利要求10所述的钴-碳气体捕集装置，其特征在于，
壳体的上面通过能够开闭的上部盖形成，在上部盖的内部形成有冷却水流通孔，其使得冷却水通过冷却水注入管注入并沿周围方向循环后沿冷却水排出管排出，从而引导与上部盖的下侧表面接触的碳复合体的蒸镀。
13.一种钴-碳气体捕集方法，作为钴-碳气体捕集方法，在制造包括半导体产品的产品群中任意一个产品的时候，可捕集在所进行的金属工艺中产生的钴-碳气体，其特征在于，
对密闭的腔室的内部进行加热，首先将流入腔室的钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体，
对已分离的钴复合体和碳复合体分别进行区分并蒸镀。
14.根据权利要求13所述的钴-碳气体捕集方法，其特征在于，
为了将腔室中的钴-碳气体分离为钴复合体和碳复合体，使得碳复合体包裹的钴复合体加热膨胀。
15.根据权利要求13所述的钴-碳气体捕集方法，其特征在于，
对于已分离的钴复合体，使其与钴蒸镀部件的表面接触，从而进行氧化并蒸镀，所述钴蒸镀部件被加热至比腔室的内部温度高的温度，
对于已分离的碳复合体，使其与其他部件的表面接触，从而迅速冷却至固化及蒸镀，所述其他部件被冷却至比钴-碳气体流入腔室的温度低的温度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110064012.0A CN114797360A (zh) | 2021-01-18 | 2021-01-18 | 钴-碳气体捕集装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110064012.0A CN114797360A (zh) | 2021-01-18 | 2021-01-18 | 钴-碳气体捕集装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114797360A true CN114797360A (zh) | 2022-07-29 |
Family
ID=82524290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110064012.0A Pending CN114797360A (zh) | 2021-01-18 | 2021-01-18 | 钴-碳气体捕集装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114797360A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100834492B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2008-06-02 | 주식회사 엠아이 | 반도체 반응 부산물 트랩장치 |
| CN101234389A (zh) * | 2006-10-10 | 2008-08-06 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理用收集单元 |
| KR20090039018A (ko) * | 2007-10-17 | 2009-04-22 | 홍정의 | 배기가스 데포지션 장치 및 방법 |
| US20090107091A1 (en) * | 2006-05-04 | 2009-04-30 | Che-Hoo Cho | Byproduct Collecting Apparatus of Semiconductor Apparatus |
| TW201541519A (zh) * | 2014-02-03 | 2015-11-01 | Lam Res Corp | 半導體處理中鈷之選擇性沉積用的方法及設備 |
| CN107338419A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备 |
| CN111223790A (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-02 | 未来宝株式会社 | 半导体工艺的反应副产物收集装置 |
| US20200217559A1 (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-09 | Milaebo Co., Ltd. | Semiconductor process by-product collecting device |
| CN111760414A (zh) * | 2019-04-02 | 2020-10-13 | 未来宝株式会社 | 半导体工序的反应副产物捕集装置 |
-
2021
- 2021-01-18 CN CN202110064012.0A patent/CN114797360A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090107091A1 (en) * | 2006-05-04 | 2009-04-30 | Che-Hoo Cho | Byproduct Collecting Apparatus of Semiconductor Apparatus |
| CN101234389A (zh) * | 2006-10-10 | 2008-08-06 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理用收集单元 |
| KR100834492B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2008-06-02 | 주식회사 엠아이 | 반도체 반응 부산물 트랩장치 |
| KR20090039018A (ko) * | 2007-10-17 | 2009-04-22 | 홍정의 | 배기가스 데포지션 장치 및 방법 |
| TW201541519A (zh) * | 2014-02-03 | 2015-11-01 | Lam Res Corp | 半導體處理中鈷之選擇性沉積用的方法及設備 |
| CN107338419A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀速率监测装置及蒸镀设备 |
| CN111223790A (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-02 | 未来宝株式会社 | 半导体工艺的反应副产物收集装置 |
| US20200217559A1 (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-09 | Milaebo Co., Ltd. | Semiconductor process by-product collecting device |
| CN111760414A (zh) * | 2019-04-02 | 2020-10-13 | 未来宝株式会社 | 半导体工序的反应副产物捕集装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100621660B1 (ko) | 반도체 부산물 트랩장치 | |
| KR100717837B1 (ko) | 반도체 공정의 반응부산물 포집장치 | |
| TWI337551B (en) | Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus | |
| US6099649A (en) | Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal | |
| KR20070107733A (ko) | 트랩 장치 | |
| KR20000062779A (ko) | 처리 장치, 처리 장치용 진공 배기 시스템, 감압 ｃｖｄ장치, 감압 ｃｖｄ 장치용 진공 배기 시스템 및 트랩 장치 | |
| CN107530809A (zh) | 具有至少一个含有催化剂单元的气体净化系统的回流焊接炉 | |
| WO2007086700A1 (en) | Trapping apparatus for by-product of semiconductor fabrication | |
| US11306971B2 (en) | Heat exchanger with multistaged cooling | |
| KR20040029315A (ko) | 습분 분리기 및 증기 발생기 | |
| AU2020389304A1 (en) | Heat generation device, heat utilization system and film-like heat generation element | |
| CN113227683A (zh) | 冷却水循环系统一体式副产物捕集装置 | |
| CN114797360A (zh) | 钴-碳气体捕集装置 | |
| KR100923265B1 (ko) | 배기가스 데포지션 장치 및 방법 | |
| TWI777373B (zh) | 鈷-碳氣體捕集裝置及其方法 | |
| CN112546799B (zh) | 配备冷却流路的半导体工程反应副产物收集装置 | |
| JP5133923B2 (ja) | トラップ装置 | |
| KR20210010096A (ko) | 코발트-탄소 가스 포집장치 | |
| US11517847B2 (en) | Cobalt-carbon gas collection apparatus | |
| JP2009114225A (ja) | バイオマスガス化システムにおける冷却装置及びバイオマスガス化システム | |
| KR100605389B1 (ko) | 반도체장비의 부산물 급속 포집장치 | |
| US8241596B2 (en) | High-efficiency, hot trap apparatus and method | |
| KR102622343B1 (ko) | 고온 영역에서의 열분해와 저온 영역에서의 산화 반응 유도를 통한 반도체 공정용 반응부산물 포집장치 | |
| US20200041211A1 (en) | Apparatus with multistaged cooling | |
| KR20050079302A (ko) | 반도체장비의 부산물 포집장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |